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大電流保護(hù)方案的研究

2024-06-17 00:00:00王軍高道華
消費(fèi)電子 2024年5期

【關(guān)鍵詞】SMD;PPTC;熔斷合金;大電流

引言

目前,國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商和平板電腦廠家陸續(xù)推出大功率充電設(shè)備,傳統(tǒng)的SMD PPTC由于滿足大功率設(shè)備需要大幅增加封裝尺寸,故在大功率設(shè)備上使用較少。

上海維安電子PPTC產(chǎn)品的制作工藝有焊金屬片、焊引線塑料殼封裝等,其中PCB加工工藝制作的體系的封裝規(guī)格有0603、0805、1206、1210、1812、2920等,公司自2019年成功開發(fā)出Coating產(chǎn)品,極大地提升了產(chǎn)品的環(huán)境性能以及多次充放電性能,但是隨著客戶推出的設(shè)備功率越來越大,傳統(tǒng)的Coating產(chǎn)品發(fā)展也已達(dá)到瓶頸,在封裝尺寸未大幅增加的情況,Wayon目前能做到40W充電的PTC需要做到7.0*3.5mm(2512封裝)。在后續(xù)的66W及以上功率的設(shè)備中處于空白領(lǐng)域。

本文對(duì)大電流應(yīng)用的場(chǎng)景中如何采用Wayon的產(chǎn)品進(jìn)行了描述,探討該方案在大電流應(yīng)用的實(shí)際效果[1]。

一、40W產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、尺寸及工藝

(一)40W產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

圖1 40W產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(塑封 6層板 2512封裝)
圖2 40W產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(Coating 8層板 2512)

從圖1和圖2可以看出,目前SMD PPTC產(chǎn)品要做到40W充放電,尺寸需要做到2512封裝(7.0*3.5mm)。

(二) 40W產(chǎn)品芯片面積

表1 40W產(chǎn)品芯片面積

40W項(xiàng)目如果充電電流繼續(xù)上升,如要做50W(10A充放電)或者66W(13A充放電)的保護(hù)器件,根據(jù)發(fā)熱功率=I2*R得出13A保護(hù)器件的發(fā)熱功率=13*13*R,10A保護(hù)器件的發(fā)熱功率約為10*10*R,而8A保護(hù)器件的發(fā)熱功率為8*8*R,得出10A保護(hù)器件的發(fā)熱功率為8A保護(hù)器件的1.56倍,13A保護(hù)器件的發(fā)熱功率為8A保護(hù)器件面積的2.64倍,通過以上得知如需滿足10A或者13A的過流保護(hù)器件的芯片面積以目前的方案來看,PTC在原材料的電阻率無(wú)明顯降低的情況下,只能繼續(xù)增加PTC的芯片面積,但是目前的手機(jī)保護(hù)板尺寸無(wú)法繼續(xù)增大,導(dǎo)致沒有繼續(xù)增加過流保護(hù)器件封裝尺寸的空間。

(三)大電流保護(hù)元件方案

從目前的情況看,單純使用PTC方案在40W以上的項(xiàng)目難度較大,我們借鑒了合金熔斷電阻可以做到極小的體積滿足大電流的使用,故設(shè)計(jì)了一個(gè)如下圖示的組合保護(hù)元件,先采用常規(guī)的SMD貼片生產(chǎn)工藝,制作一個(gè)常規(guī)的SMD PPTC,但上端焊盤需要同步增大,然后在上端焊盤上焊接一個(gè)熔斷合金,這樣就制作成了一個(gè)大電流通流能力的組合器件,組合器件的示意圖如圖3,組合元件的工作原理如圖4。

圖4 組合保護(hù)元件工作原理

表2 保護(hù)組件通流能力統(tǒng)計(jì)

針對(duì)上述保護(hù)組件,我們驗(yàn)證了采用10A的PTC加20A的熔斷合金組合。并對(duì)此進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證,主要進(jìn)行了70℃下的Imax測(cè)試和70℃下的13A充放電循環(huán)測(cè)試,測(cè)試如下:

Imax測(cè)試方法:在70℃環(huán)境中,該保護(hù)組件通電20A,保持30min后,每3min上升0.1A,直至PTC發(fā)生Trip,記錄為Imax1,將Trip后的組件繼續(xù)在70℃環(huán)境中,通電8A,保持30min后,每3min上升0.1A,直至PTC 發(fā)生Trip,記錄為Imax2;

表3 70℃條件Imax測(cè)試

從上述的測(cè)試數(shù)據(jù)可以看出,熔斷合金+PTC的通流能力應(yīng)該≥30A,實(shí)際測(cè)試通流能力為28A左右,原因?yàn)橥ㄟ^PTC和熔斷合金的電流分流不同,導(dǎo)致通流能力為略低于10+20A。

表4 保護(hù)組件設(shè)計(jì)通流能力

充放電測(cè)試方法:在70℃環(huán)境中,該保護(hù)組件充電20A*10min,休息10min,放電20A*10min,休息10min,為1個(gè)循環(huán),共測(cè)試1000循環(huán),模擬客戶的手機(jī)快充;

表5 測(cè)試結(jié)果

從上述測(cè)試結(jié)果看,該保護(hù)組件在10A的PTC和20A的熔斷合金的組合使用下,其最大通流能力達(dá)到28A@70℃,亦可以滿足70℃條件下20A的充放電測(cè)試,相當(dāng)于100W條件使用。

二、該保護(hù)組件應(yīng)用弊端

目前該方案的弊端被客戶正常使用時(shí),保護(hù)組件可以正常工作,一旦回路中發(fā)生故障電流,熔斷合金燒毀,后續(xù)只能通過PTC保護(hù)方案,保護(hù)組件恢復(fù)到單PTC保護(hù)方案,則組件只能降流使用,我們也已經(jīng)同部分手機(jī)廠商進(jìn)行溝通,如出現(xiàn)上述情況,僅需在程序中設(shè)置一個(gè)溫度監(jiān)測(cè)程序,如在手機(jī)充電或者放電過程中監(jiān)測(cè)到保護(hù)板溫度大于90℃時(shí)啟動(dòng)降低電流的程序即可實(shí)現(xiàn),此時(shí)相當(dāng)于只有PTC正常工作,熔斷合金已經(jīng)失效,如下圖5。

圖5 熔斷合金燒

該方案同單PTC保護(hù)方案對(duì)比,在相同封裝尺寸的情況下通電流能力有極大提升,可以滿足目前市場(chǎng)上的一些高端旗艦手機(jī)的大電流充電方案,但是一旦熔斷合金因?yàn)榛芈冯娏鳟惓龤Ш螅罄m(xù)只存在單PTC方案保護(hù),通流能力將下降,但是和常規(guī)的一次性保險(xiǎn)絲方案相比,熔斷合金燒毀后還可以進(jìn)行小功率的充放電,同時(shí)移動(dòng)設(shè)備還可以正常工作。

表6 保護(hù)組件優(yōu)缺點(diǎn)

針對(duì)上述測(cè)試數(shù)據(jù),我們結(jié)合手機(jī)廠商的實(shí)際應(yīng)用,可以考慮采用不同規(guī)格的PTC和不同規(guī)格的熔斷合金并聯(lián),滿足實(shí)際應(yīng)用,例如可以采用10A的PTC和20A的熔斷合金并聯(lián),生產(chǎn)滿足100W(20A)電池的保護(hù)器件,采用10A的PTC和10A的熔斷合金并聯(lián),生產(chǎn)滿足66W(13A)的保護(hù)器件,并且該方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,不改變手機(jī)電池保護(hù)板焊盤尺寸,即實(shí)際生產(chǎn)過程中客戶的保護(hù)板尺寸也無(wú)需更改,且組裝工藝采用傳統(tǒng)的SMT貼板工藝即可。

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