摘要：多層陶瓷電容器（Multilayer ceramic capacitors，MLCC）作為市場占有率最高的無源電子元器件，是基礎(chǔ)電子元件產(chǎn)業(yè)中需要突破關(guān)鍵技術(shù)的重點產(chǎn)品之一，在汽車電子、5G通訊、電網(wǎng)調(diào)頻、航空航天等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在小型化、薄層化發(fā)展趨勢下，MLCC的介質(zhì)層厚度不斷降低，單層介質(zhì)在相同電壓下的電場顯著增大，尤其是中高壓超薄層MLCC。因此，MLCC的可靠性愈發(fā)成為一項關(guān)鍵的產(chǎn)品質(zhì)量指標。本文結(jié)合加速老化測試、高溫阻抗譜、漏電流測試，系統(tǒng)研究超薄層MLCC的劣化機理，揭示抑制氧空位的遷移與富集是保證超薄層MLCC可靠性的重中之重。為此，應(yīng)減小介質(zhì)層內(nèi)部的氧空位濃度，增大其遷移所需的激活能，提高界面肖特基勢壘，從而提升超薄層MLCC的可靠性。本文的研究成果為超薄層MLCC介質(zhì)材料的設(shè)計提供了有力指導(dǎo)。

關(guān)鍵詞：鈦酸鋇；多層陶瓷電容器；可靠性；加速老化；氧空位

中圖分類號：O646