劉陽
(景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院材料學(xué)院,景德鎮(zhèn):333001)
在TiC系金屬陶瓷中添加TiN時(shí)能大大改善其性能,但是這種引入方式的材料在燒結(jié)致密化過程中會(huì)出現(xiàn)障礙,難以達(dá)到完全燒結(jié),必須將TiN和TiC在配料前先固溶成Ti(C、N)這對(duì)試樣的燒結(jié)大有益處,并且也更有利于提高其力學(xué)性能[1]。因此合成Ti (C、N)的研究具有重要的意義。
實(shí)驗(yàn)原料選用化學(xué)純銳鈦礦型TiO2和碳黑C1(BET為52.227m2/g)以及自制的結(jié)晶差的納米級(jí)銳鈦礦型TiO2和碳黑C3(BET為133.81m2/g)兩組搭配。由于對(duì)Ti(CX、Nl-X)來說,當(dāng)x=0.5時(shí),其細(xì)化硬化相晶粒以及切削性能均達(dá)最佳,所以本實(shí)驗(yàn)中TiO2和碳粉也按x=0.5配料,以盡可能得到Ti(C0.5、N0.5)的固溶體。其配方組成如表1所示。合成反應(yīng)方程式見方程式(1)、(2)所示。
實(shí)驗(yàn)中準(zhǔn)確稱取TiO2和碳黑,裝入球磨機(jī)中混合,球磨時(shí)以無水乙醇為介質(zhì),球磨時(shí)間為10h,球磨完畢后,將試樣放入烘箱中烘干,然后把得到的混合粉料壓制成型,再烘干后,放于以變色硅膠為干燥劑的干燥器中備用。
微波加熱是在多模諧振腔微波爐中進(jìn)行的。微波源的頻率為2.45GHz,最大輸出功率為10 kW。試樣裝入微波爐后,首先抽真空,為了能比較準(zhǔn)確的控制N2氣壓力,所以先通Ar氣至1.5atm,再通0.05atm的N2氣,然后進(jìn)行不同溫度下的合成實(shí)驗(yàn)。溫度的測(cè)量是通過保溫體上的觀測(cè)孔,用精密光學(xué)高溫計(jì)直接測(cè)量樣品表面的溫度。速度升溫為40℃/min,達(dá)到設(shè)定溫度,接著再保溫10min后,停止加熱,樣品隨爐冷卻至室溫。
表1 配方組成Tab.1 Composition of the recipe
實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,從爐中取出試樣,放于干燥器中,然后進(jìn)行其相組成(日本理學(xué)產(chǎn)XRD/max-ⅢA型自動(dòng)X射線衍射儀)測(cè)試分析。
配方2#經(jīng)1200℃保溫10min和1300℃保溫10min以及配方1#分別經(jīng)1200℃、1300℃和1400℃均保溫10min的微波加熱合成后,用X射線衍射對(duì)它們進(jìn)行物相分析測(cè)試,其XRD曲線見圖1所示。
由圖1(a)圖可見,配方2#經(jīng)1200℃×10min的微波合成后,反應(yīng)進(jìn)行得較完全,基本得到了單相的Ti(CX、N1-X)的固溶體。從其此時(shí)兩特征峰(111)面和(200)面的兩網(wǎng)距d值來看,分別為2.475和2.144,正好處于PDF卡片上單相TiN對(duì)應(yīng)面網(wǎng)的面網(wǎng)距d值2.44和2.12,與單相TiC相應(yīng)面網(wǎng)的面網(wǎng)距d值2.51和2.179之間的中間值2.475和2.1495附近。因此估計(jì)應(yīng)為 Ti(C0.5、N0.5)組成附近的一個(gè)固溶體;當(dāng)合成溫度提高到1300℃時(shí),可以見到其合成的Ti(CX、Nl-X)固溶體兩特征峰d值變小而分別為:2.468和2.136,即往TiN這一端移動(dòng)了,這說明其它條件不變而合成溫度提高后,有更多的TiN生成或者說有部分TiC轉(zhuǎn)變成TiN而固溶。配方1#在不同溫度合成后的XRD曲線如圖1(b)所示,經(jīng)1200℃× 10min微波加熱合成后,生成有 Ti(CX、Nl-X)固溶體和中間過渡Ti3O5和γ-Ti3O5,合成反應(yīng)遠(yuǎn)沒有完全。其中Ti(CX、Nl-X)固溶體的兩特征峰d值分別為:2.463和2.131,顯然處于比較靠近TiN的一端位置。提高合成溫度至1300℃后,中間過渡相量減少且其中γ-Ti3O5消失,變?yōu)門i3O5和少量金紅石型TiO2并存,而Ti(CX、Nl-X)的量則明顯增加,其對(duì)應(yīng)特征峰的d值基本沒什么變化,即TiN和TiC保持前一合成溫度下的固溶比例,這說明這一升溫階段TiN和TiC的生成量或轉(zhuǎn)化量基本維持平衡。當(dāng)再次將合成溫度至1400℃后,則中間相消失,得到了單相Ti(CX、Nl-X)的固溶體。其對(duì)應(yīng)的d值亦隨之分別上升為2.467和2.136,而往TiC一端的方向發(fā)生了移動(dòng),結(jié)果變得與配方2#經(jīng)1300℃×10min合成的Ti (CX、Nl-X)處于基本相同的固溶位置,即在此升溫過程中,生成了更多的TiC或者有TiN轉(zhuǎn)變成了TiC。
上述結(jié)果表明:微波加熱碳熱還原法能夠合成出Ti(CX、Nl-X)的單相固溶體,合成條件控制得好還可以是符合固溶比例要求的固溶體。但是,合成溫度升高后,對(duì)反應(yīng)活性大的配方2#固溶體中TiN的比例增多,而對(duì)反應(yīng)活性小的配方1#則反之,即TiC的量提高。
圖1 微波合成樣品的X R D曲線Fig.1 XRD curves of samples synthesized by microwave heating
由微波合成TiN和TiC的熱力學(xué)計(jì)算可知[2],當(dāng)體系中CO分壓為0.08 atm時(shí),對(duì)總反應(yīng)方程式(1)和(2)來說,熱力學(xué)最低反應(yīng)溫度分別為948℃和1084℃,其最低反應(yīng)溫度差距達(dá)136℃,而且微波加熱合成TiN和TiC的實(shí)驗(yàn)結(jié)果也表明,對(duì)高反應(yīng)活性的配方2#分別需1000℃×10min和1200℃× 20min才能完成各自TiN和TiC的合成反應(yīng);對(duì)反應(yīng)活性低的配方1#也分別需1300℃保溫10min以上或 1400℃×10min和 1400℃保溫 10min以上或1500℃×10min的熱處理才能完成合成反應(yīng)。因此對(duì)同一配料系統(tǒng)而言,合成TiN和TiC存在著明顯反應(yīng)先后的溫度差異,或者說在同一合成反應(yīng)溫度下,其各自的合成反應(yīng)生成率存在差異,似乎難以得到合乎比例要求的Ti(C0.5、N0.5)固溶體。但是前面的合成結(jié)果卻表明是可能得到這種固溶體的,顯然,原因在于N2氣濃度即N2氣偏壓的變化上。在合成Ti(CX、N1-X)固溶體的研究中,采用0.05atm的低N2氣偏壓而樣品完全反應(yīng)的CO量仍然基本維持前面合成實(shí)驗(yàn)的濃度水平,這樣,TiC的合成能力基本維持不變,但TiN的合成能力卻相對(duì)要下降了,使得TiN和TiC在合成效果上的差距接近,合成反應(yīng)的溫度也相應(yīng)更為靠近,從而就可能得到接近Ti(C0.5、N0.5)的固溶體。依據(jù)合成TiN和TiC的熱力學(xué)計(jì)算公式和合成Ti(CX、N1-X)的XRD曲線,將合成Ti(CX、N1-X)固溶體過程中所可能涉及到的合成反應(yīng)方程式及其相應(yīng)在2atmN2氣偏壓、0.08atmCO偏壓下的平衡 Teq'以及0.05atmN2氣偏壓和0.08atmCO偏壓下的平衡溫度Teq"分別列入表2。
由表2中的計(jì)算數(shù)據(jù)可知,由于合成反應(yīng)全部完成后的產(chǎn)物中CO的濃度基本保持在0.08atm左右,因此對(duì)合成過程中TiC的生成率及平衡溫度基本沒有產(chǎn)生影響;但從熱力學(xué)上看,合成TiN和合成TiC的總反應(yīng)式(1)和(2),由于N2氣偏壓的下降,使得合成TiN的平衡溫度從N2氣偏壓為2atm時(shí)的934℃上升至N2氣偏壓為0.05atm時(shí)的997℃,即兩反應(yīng)的平衡溫度差由原148℃下降為86℃。若從通過中間過渡相Ti3O5合成TiN和TiC的反應(yīng)式(4)和(5)看,兩者的平衡溫度差也由原來的166℃變小為89℃,結(jié)果使合成TiN和TiC的反應(yīng)相對(duì)變得靠近了。與此同時(shí),還有另一個(gè)重要因素也在起著與熱力學(xué)相類似的變化作用,這就是化學(xué)動(dòng)力學(xué)的質(zhì)量作用定律,即由于N2氣濃度的減小而使反應(yīng)物濃度下降,結(jié)果也使得TiN的生成速度變小,以及TiC向TiN轉(zhuǎn)變的(3)式反應(yīng)也同樣隨之變慢。顯然,上述熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的總作用效果是使合成TiN和TiC的反應(yīng)速度和生成率更為接近,特別是對(duì)2#配料的這種作用效果更明顯些:因?yàn)?#配料顆粒細(xì),反應(yīng)活性高,在合成TiN或TiC時(shí),均是在相對(duì)比較接近它們各自的熱力學(xué)最低反應(yīng)平衡溫度的較低溫度下完成合成反應(yīng),因此上述熱、動(dòng)力學(xué)條件的改變對(duì)2#配料合成TiN反應(yīng)的影響比較大,使其在經(jīng)1200℃×10min的較低溫度合成下,合成TiN和TiC均具有相對(duì)較接近的反應(yīng)速度,而基本達(dá)到TiN和TiC的生成率之比接近于1∶l,并且反應(yīng)進(jìn)行得較完全。當(dāng)溫度再升高至1300℃×10min的合成后,從熱力學(xué)上看,TiC向TiN轉(zhuǎn)變的反應(yīng)(3)式,仍然可以進(jìn)行,并且反應(yīng)溫度提高的同時(shí)也使反應(yīng)質(zhì)點(diǎn)能量提高,N2氣分子的有效碰撞增多即反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)因素增加而使轉(zhuǎn)變反應(yīng)速度有所加強(qiáng),結(jié)果造成合成的Ti(CX、N1-X)固溶體中的x值變小,即TiN量的提高。對(duì)于顆粒粗,反應(yīng)活性差因而完成合成TiN和TiC的反應(yīng)均是在相對(duì)遠(yuǎn)高于其熱力學(xué)最低平衡溫度下進(jìn)行的1#配料,由于前述的熱力學(xué)條件即最低平衡溫度的改變并非很大,因此對(duì)合成TiN的實(shí)際反應(yīng)的影響也不會(huì)很大。又因?yàn)樵撆淞系暮铣煞磻?yīng)速度慢,原本反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)條件就較差,因而前述動(dòng)力學(xué)條件改變的影響也相對(duì)較弱,結(jié)果TiN和TiC兩合成反應(yīng)的差距縮小不多,使得配料經(jīng)1200℃×l0min合成后的Ti(CX、N1-X)固溶體中,TiN的量仍明顯要多;升溫到1300℃×10min合成后,因顆粒粗,反應(yīng)能力弱些,對(duì)TiC向TiN的轉(zhuǎn)變反應(yīng)(3)式的影響不大,因此TiN和TiC還保持與上一合成條件下基本相同的生成率差距;直到經(jīng)1400℃×10min的合成后,才得到單相的Ti(CX、N1-X)固溶體,并且其中x的值增加了。這是因?yàn)楹铣蓽囟燃焊哂诜磻?yīng)(3)式能夠進(jìn)行的熱力學(xué)最高溫度(見表2)即反應(yīng)已變?yōu)槟嫦蜻M(jìn)行了,并且由于此時(shí)處于更高溫度的作用,使物質(zhì)的反應(yīng)動(dòng)能提高,因此發(fā)生了部分TiN按(3)式逆向進(jìn)行變成TiC的反應(yīng),從而使合成的Ti(CX、N1-X)固溶體往TiC一端產(chǎn)生了移動(dòng)。
表2 合成方程及不同氣體偏壓下的平衡溫度Tab.2 Reaction equations and equilibrium temperatures under different gas pressures
由此可見:(l)微波加熱碳熱還原法能夠一次性合成Ti(CX、N1-X)單相固溶體,但是合成過程的影響因素多,條件控制要求高,要得到予先設(shè)定x值的Ti(CX、N1-X)固溶體,不僅合成溫度、時(shí)間、氣氛和壓力以及原料配比要適當(dāng),而且合成原料的種類即反應(yīng)活性的差異也會(huì)存在明顯的影響。因此必須針對(duì)所使用的合成原料,在合成反應(yīng)理論的指導(dǎo)下,進(jìn)行改變合成條件的系列實(shí)驗(yàn),得出變化規(guī)律來,才能合成出具有所需x值的Ti(CX、N1-X)固溶體,并且微波加熱對(duì)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)因素的影響極大,其實(shí)際合成效果與常規(guī)加熱不同,需要在今后做更多的祥細(xì)研究和探索工作;(2)合成好的TiN和TiC直接按配比經(jīng)高溫固溶的方法,合成條件好控制,但經(jīng)兩次高溫處理過程,合成產(chǎn)物的顆粒易長得較大;(3)對(duì)由2#配料先經(jīng)微波加熱分別合成TiN和TiC,再經(jīng)1200℃×10min的高溫固溶后,還遠(yuǎn)不能得到單相的Ti(CX、N1-X),而對(duì)同種配料體系采用碳熱還原法經(jīng)同樣溫度和保溫時(shí)間的一次性合成,卻能得到基本單相的Ti(CX、N1-X)。原因是碳熱還原法一次性合成Ti(CX、N1-X)固溶體是在TiN和TiC的合成反應(yīng)過程中同時(shí)固溶的。因?yàn)門iN和TiC的生成需要原料TiO2的斷鍵打開以及與C和N2的重新化合,因而這一處于反應(yīng)狀態(tài)中或剛形成的微晶初核自然具有極高的反應(yīng)活性,能夠很快地進(jìn)行TiN和TiC的固溶反應(yīng),結(jié)果在較低溫度下得到單相Ti(CX、N1-X)固溶體。而先合成的TiN和TiC用來作為二次高溫固溶的“合成原料”則因己經(jīng)一次高溫處理,一方面合成原料顆料有所長大,另一方面合成原料的結(jié)晶也相對(duì)更完整,因而反應(yīng)活性變差,不能于低溫下完成固溶,必須在更高的溫度或更長的保溫時(shí)間下才能固溶完全。
微波加熱碳熱還原法合成的Ti(CX、N1-X)固溶體中的x值所受到的影響因素很多。對(duì)確定的原料和原料配比,嚴(yán)格控制反應(yīng)溫度、時(shí)間、氣氛和壓力,從而相應(yīng)控制反應(yīng)中TiN和TiC的生成速度,同樣可以在較低溫度下得到予定x值的單相Ti(CX、N1-X)固溶體。采用予先合成的TiN和TiC直接高溫固溶的方法,則過程易于控制,但固溶溫度較高,產(chǎn)品顆粒易于長大。
1趙興中,鄭勇,劉寧等.含氮金屬陶瓷的發(fā)展現(xiàn)狀及展望.材料導(dǎo)報(bào),1994,(1):17
2胡曉力.納米TiO2超細(xì)粉的制備及鈦的氮化物和碳化物粉體的微波合成.華南理工大學(xué)學(xué)位論文,1997