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Dho3l型高濃度臭氧水溶液產(chǎn)生設(shè)備

2010-03-23 03:44白敏菂冷宏朱玉鵬李超群
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年12期
關(guān)鍵詞:臭氧濃度技術(shù)指標(biāo)硅片

白敏菂,冷宏,朱玉鵬,李超群

(1.大連海事大學(xué) 環(huán)境工程研究所,大連 116026;2.大連博羽環(huán)保技術(shù)開發(fā)有限公司,大連 116000)

硅片是半導(dǎo)體器件和集成電路的基底材料,隨著超大規(guī)模集成電路不斷發(fā)展對(duì)硅片清洗要求越來(lái)越嚴(yán)。近來(lái)索尼公司研究成功的單片旋轉(zhuǎn)清洗硅片機(jī),采用的臭氧濃度達(dá)到15 mg/L的高濃度臭氧水溶液/稀HF/去離子超純凈水等清洗300mm硅片[1-3],而高濃度臭氧水溶液生產(chǎn)設(shè)備成為其中的關(guān)鍵部件,由于國(guó)內(nèi)此類設(shè)備技術(shù)相當(dāng)落后,長(zhǎng)期以來(lái)高濃度臭氧水生產(chǎn)設(shè)備被日本等發(fā)達(dá)國(guó)家占據(jù)。為了改變這一被動(dòng)局面,2009年大連海事大學(xué)在國(guó)家863項(xiàng)目(2008AA06Z317)、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(50778028)等資助下研制成功dho3l系列臭氧水溶液產(chǎn)生設(shè)備。臭氧水溶液中臭氧濃度達(dá)到20~30 mg/L,臭氧水溶液產(chǎn)生量達(dá)到5 t/h以上,其技術(shù)指標(biāo)是以滿足300mm硅片清洗的要求。該設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到同類進(jìn)口設(shè)備的先進(jìn)水平。該設(shè)備的研制成功將大幅度降低硅片清洗投資成本,比進(jìn)口設(shè)備具有絕對(duì)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

1 設(shè)備的先進(jìn)性及特點(diǎn)

(1)高能性。本研究在強(qiáng)電離放電領(lǐng)域研究取得突破性進(jìn)展[4]。實(shí)現(xiàn)了在強(qiáng)電離放電場(chǎng)中把O2電離、電解成高濃度氧活性粒子 O2+、O3、O(1D)、O(3P)[5、6]。其中O2+與水反應(yīng)生成反應(yīng)速率常數(shù)高達(dá)2.2×106L/mol·s的過(guò)氧羥基離子HO2–引發(fā)劑,O3在HO2–作用下分解生成羥基自由基(·OH),其氧化力高達(dá)2.80,與氟相當(dāng);反應(yīng)速率常數(shù)高達(dá)1×108~1×109L/mol·s,比現(xiàn)有技術(shù)高出 7 個(gè)數(shù)量級(jí),在毫秒級(jí)完成清洗工序。該設(shè)備主要特點(diǎn)是:①氣態(tài)O3濃度高達(dá)240~300 mg/L,不低于進(jìn)口發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)水平;②首次實(shí)現(xiàn)用O2+規(guī)模制備臭氧分解的過(guò)氧羥基離子HO2–引發(fā)劑。

(2)高性能的傳質(zhì)技術(shù)。傳質(zhì)效率達(dá)到98%,導(dǎo)致臭氧水溶液產(chǎn)生器體積成倍減小。

(3)自動(dòng)控制水平高。對(duì)濃度、流量、壓力、放電功率等各種閥體動(dòng)作進(jìn)行自動(dòng)控制,并管理全部工藝時(shí)序。系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定可靠。

(4)為保證操作人員人身安全、設(shè)備安全與工藝穩(wěn)定,該設(shè)備配置有必要的安全互鎖功能。

2 設(shè)備系列及技術(shù)指標(biāo)

我所研制成功的dho3l系列高濃度臭氧水溶液設(shè)備的主要技術(shù)指標(biāo)如表1所示。

表1 dho3l型高濃度臭氧水溶液產(chǎn)生設(shè)備技術(shù)參數(shù)表

3 設(shè)備及其系統(tǒng)工藝流程

Dho3l系列的產(chǎn)生流程及其構(gòu)造如圖1所示,它是由離心泵、射流器、氣液混合氣、氣液分離器、高頻高壓電源、臭氧發(fā)生器等主要部件及裝置組成。Dho3l-0.5型高濃度臭氧水溶液設(shè)備照片如圖2所示。實(shí)驗(yàn)用的高濃度臭氧水溶液產(chǎn)生設(shè)備是大連海事大學(xué)環(huán)境工程研究所研制,現(xiàn)已批量生產(chǎn)。其中Dho3l-50型臭氧產(chǎn)生器(13)的臭氧濃度為240 mg/L,產(chǎn)量為50 g/h。采用德國(guó)BMT公司臭氧濃度分析儀(18)檢測(cè)其濃度。氧氣經(jīng)過(guò)氣體過(guò)濾器(12)后輸入臭氧產(chǎn)生器,并用美國(guó)恩特龍生產(chǎn)的氧氣分析儀(17)檢測(cè)氧氣純度。水經(jīng)過(guò)過(guò)濾器(2)、離心泵(3)輸入射流器(6)與氣相臭氧混合溶解,再經(jīng)氣液混合器(7)和氣液分離器(8)形成高濃度臭氧水溶液。氣液分離器液面高度是由液位控制器(10)控制,剩余臭氧氣體由電磁閥(9)控制排放,并經(jīng)剩余臭氧消除器(11)分解還原成O2后排空,臭氧水溶液濃度是用美國(guó)ATI公司的A15/64型臭氧水濃度檢測(cè)儀(20)測(cè)試。用冷卻水循環(huán)泵(14)控制臭氧產(chǎn)生器中產(chǎn)生單元的反應(yīng)溫度,通過(guò)高頻高壓電源(15)、控制器(16)調(diào)控高頻高壓的波形,頻率是由美國(guó)泰克公司的數(shù)字示波器(19)檢測(cè)。

圖1 dho3l-0.5型高濃度臭氧水溶液產(chǎn)生流程及其構(gòu)造示意

圖2 dho3l-0.5型高濃度臭氧水溶液產(chǎn)生設(shè)備照片

4 結(jié)束語(yǔ)

目前該設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平、國(guó)際先進(jìn)水平。并形成系列產(chǎn)品,開始生產(chǎn)供應(yīng)市場(chǎng)。該設(shè)備各項(xiàng)性能完全可以與進(jìn)口設(shè)備相比,并且具有突出的價(jià)格優(yōu)勢(shì),大大的節(jié)約國(guó)內(nèi)廠商、研究部門、高等院校的設(shè)備成本,增強(qiáng)國(guó)內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

[1]閆志瑞,李俊峰,劉紅艷,等.HF/O3在300mm硅片清洗中的應(yīng)用[J].半導(dǎo)體技術(shù),2006,31(2):1081-111.

[2]任麗,王平,李艷玲,等.太陽(yáng)能級(jí)Si片清洗工藝分析[J].半導(dǎo)體技術(shù),2010,35(4):309-312.

[3]MERTENS P W,BEARDA T,HOUSSA M,et al.Advanced cleaning for the growth of ultrathin gate oxide[J].Microelectronic Engineening,1999,48(1-4):199-202.

[4]白希堯,白敏菂,扈群,等.高濃度臭氧水溶液研究[J].中國(guó)環(huán)境科學(xué),2000,20(4):309-312.

[5]Penetrante B M,Bardsley J N.Hsiao M C.Kinetic analysis of non2thermal plasmas used for polltion control[J].Jpn J Appl Phys,1997,36(7B):5007-5017.

[6]Xiyao Bai,Zhitao Zhang,Hui Han,Mindong Bai.Research situation and progress of non-equilibrium plasma chemistry[J],Chinese Science Bulletin,2002,47(7):529-530.

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