恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝）全系列汽車(chē)功率MOSFET。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被認(rèn)為是高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。

隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求，汽車(chē)OEM廠商面臨在汽車(chē)的有限空間中引入新功能的挑戰(zhàn)，同時(shí)要保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性。LFPAK是恩智浦針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出的創(chuàng)新解決方案，具有功率器件封裝可靠、散熱性能高，尺寸大幅縮小等優(yōu)點(diǎn)。封裝設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能為汽車(chē)OEM廠商帶來(lái)最佳的散熱和電器性能，低成本和高可靠性。它克服了SO8的散熱限制，使其熱阻與DPAK這樣更大的功率封裝相當(dāng)。

恩智浦LFPAK封裝利用銅片設(shè)計(jì)降低了封裝的電阻和電感，從而減少了RDS（on）和MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。LFPAK為設(shè)計(jì)者提供了具有與DPAK相似的電氣和散熱性能，但面積減小了46%的MOSFET。這有助于設(shè)計(jì)比以前更小的解決方案，或者，在無(wú)需增大模塊尺寸或降低可靠性的前提下，通過(guò)為現(xiàn)有設(shè)計(jì)增加新特性將功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK產(chǎn)品允許設(shè)計(jì)者根據(jù)應(yīng)用需求挑選器件，同時(shí)根據(jù)需求的變化改變自己的選擇。

相對(duì)于市場(chǎng)上所有符合汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率SO-8封裝MOSFET，恩智浦的LFPAK系列產(chǎn)品在5個(gè)電壓級(jí)別上提供最佳的性能和可靠性。