張魁，白雪峰1，**

（1.黑龍江大學(xué)化學(xué)化工與材料學(xué)院，黑龍江哈爾濱150080；2.黑龍江省科學(xué)院石油化學(xué)研究院，黑龍江哈爾濱150040）

TiO2薄膜的固定化技術(shù)研究進(jìn)展*

張魁2，白雪峰1，2**

（1.黑龍江大學(xué)化學(xué)化工與材料學(xué)院，黑龍江哈爾濱150080；2.黑龍江省科學(xué)院石油化學(xué)研究院，黑龍江哈爾濱150040）

TiO2具有無毒、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、廉價(jià)易得及光催化活性高等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于光催化和太陽能電池等領(lǐng)域。目前，研究和使用的TiO2多為粉體，雖然光催化活性很高，但懸浮體系光利用效率低、反應(yīng)后催化劑難回收循環(huán)使用。固定化TiO2薄膜可以改善TiO2的光催化效率并易于重復(fù)使用。對(duì)納米TiO2薄膜的固定化技術(shù)，包括溶膠-凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、液相沉積法、濺射法、電化學(xué)等方法進(jìn)行了綜述，并對(duì)以上技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析。

TiO2；光催化；固定化；薄膜

前言

1972年，F(xiàn)ujishima和Honda[1]首次發(fā)現(xiàn)由TiO2電極和鉑電極組成的光化學(xué)電池上分解水，標(biāo)志著光催化進(jìn)入了一個(gè)全新的時(shí)代。在眾多的光催化材料中，TiO2以其無毒、穩(wěn)定性好、活性好、易獲得等優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用，被公認(rèn)為目前最具有應(yīng)用潛力的光催化材料。

光催化技術(shù)中通常使用的TiO2是以分散相懸浮在溶液中反應(yīng)的，懸浮體系操作方便，但是TiO2粉末顆粒很小，懸浮粒子會(huì)影響光線的吸收和光照的輻射深度，而且在水溶液中易凝聚，反應(yīng)后回收困難，限制了懸浮體系實(shí)際應(yīng)用，TiO2固定化技術(shù)已成為應(yīng)用研究的熱點(diǎn)[2，3]。固定化TiO2穩(wěn)定性強(qiáng)，操作簡(jiǎn)單，解決了懸浮體系中TiO2分離回收困難的問題，降低了光催化反應(yīng)成本。

常用負(fù)載TiO2薄膜的載體可分成玻璃、金屬、陶瓷、有機(jī)物等幾類，薄膜性能可以通過膜層的光催化活性和膜層與基底結(jié)合的牢固性來評(píng)價(jià)。由于納米TiO2薄膜具有納米材料的量子尺寸效應(yīng)、表面與界面效應(yīng)等特征，可有效地提高活性，因而TiO2固定化技術(shù)有著理論研究和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值[4]。

本文重點(diǎn)對(duì)溶膠-凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、液相沉積法、濺射法、電化學(xué)法等幾種固定化技術(shù)進(jìn)行綜述，并對(duì)其優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了比較，為TiO2固定化技術(shù)研究提供參考。

1 TiO2薄膜制備方法

制備納米TiO2薄膜的方法包括溶膠-凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、液相沉積法、濺射法、電化學(xué)法等方法。

1.1 溶膠-凝膠法（Sol-Gel）

溶膠-凝膠法生產(chǎn)成本低，鍍膜時(shí)所需的溫度也較低，是目前常用的TiO2薄膜制備方法之一。此法主要以Ti（OR）4為原料，在有機(jī)介質(zhì)（多為乙醇）中通過水解、縮聚反應(yīng)制得溶膠，然后用旋轉(zhuǎn)涂覆法或提拉法在基體上鍍膜，通過干燥焙燒除去凝膠中剩余的有機(jī)物和水分，即可得到TiO2薄膜[5]。Ti（OR）4水解性強(qiáng)，通常加入酸或堿作為抑制劑，常用的有HNO3、HCl、CH3COOH、NH4OH等。醇鹽種類、絡(luò)合劑及基底的選擇、抑制劑的選取、焙燒溫度等都會(huì)對(duì)成膜產(chǎn)生影響[6]。

上官文峰等人[7]以異丙醇鈦（TTIP）為前軀體，與二乙醇胺（DEA）、丙醇和7.0 mL蒸餾水混合2h，并且加入H2PtCl6溶液用于負(fù)載Pt。用納鈣玻璃作為基片，以10cm/min的速度提拉，在100℃空氣中干燥2 h，然后在500～600℃下煅燒30 min，制得厚度約為140 nm的TiO2薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，改變提拉次數(shù)來改變膜層厚度對(duì)膜層性能的影響甚微，負(fù)載Pt的TiO2膜有著高的光解水活性，可達(dá)到720 μmol/m2·h。

田曉霞等人[8]以鈦酸丁酯和三氯化鐵、氯化鈷制備前驅(qū)體，得到CoFe2O4/TiO2溶膠，部分溶膠在110℃下干燥48 h得到干凝膠樣品。采用多次旋涂法旋涂，直至需要的厚度，最后在所需溫度下集中退火30 min。在熱處理過程中CoFe2O4嵌埋在TiO2網(wǎng)絡(luò)基體中，減少了發(fā)生團(tuán)聚的機(jī)率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，在600℃熱處理的樣品中尖晶石結(jié)構(gòu)的CoFe2O4已經(jīng)形成。隨熱處理溫度的升高，晶粒逐漸長(zhǎng)大，800℃結(jié)晶趨于完整。

萬曄等人[9]以無水乙醇和鈦酸丁酯為原料充分混合，并且加入乙酰丙酮攪拌，以減緩晶粒的成長(zhǎng)減少生成薄膜的缺陷。再加入乙醇水溶液繼續(xù)攪拌4 h得到黃色溶膠。采用石英玻璃作為基底，以0.5 mm/s的速度向上提拉，在石英玻璃表面上形成均勻的薄膜，經(jīng)焙燒后制得銳鈦礦相的TiO2薄膜。制得的薄膜用于分解甲基橙實(shí)驗(yàn)，涂膜層數(shù)為5層的薄膜光催化性能最好，降解率可達(dá)到20.8%，但是層數(shù)增加使薄膜的內(nèi)應(yīng)力增加，導(dǎo)致薄膜表面產(chǎn)生裂紋。

Chan等人[10]以石英玻璃為基底，鈦酸正丁酯與無水乙醇混合制得前軀體，并加入去離子水和硝酸進(jìn)行水解，得到的溶液在室溫下攪拌24 h。在溶液中加入PdCl2、環(huán)己烷，TritonX-100（聚乙二醇辛基苯基醚）作為模板劑，采用旋轉(zhuǎn)涂抹法，在1000 rpm的條件下涂抹20 s，重復(fù)5次，經(jīng)過干燥和500℃空氣氣氛下煅燒去除表面活性劑，制得TiO2和Pd-TiO2薄膜。加入表面活性劑所制得的Pd-TiO2薄膜孔尺寸在4～20 nm范圍內(nèi)，結(jié)晶度和孔尺寸都小于無表面活性劑的TiO2薄膜，但加入Pd后結(jié)晶度和孔尺寸都有一定的提高。當(dāng)Pd/Ti=0.05時(shí)，薄膜光催化活性最好，紫外光下反應(yīng)6 h后亞甲基藍(lán)分解率達(dá)到90%以上。

綜上所述，溶膠-凝膠法可以對(duì)基體進(jìn)行多次鍍膜，通過控制膜層的厚度來改進(jìn)膜層的光催化性能，但在制備工藝中的熱分解過程限制了基底材質(zhì)的選擇和大面積基片鍍膜，溫度過高還能導(dǎo)致膜層破裂，影響光催化效率。

1.2 化學(xué)氣相沉淀法（CVD）

化學(xué)氣相沉積法（CVD）是由幾種氣態(tài)單質(zhì)或者化合物氣體混合在加熱的基片或物質(zhì)表面附近發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成穩(wěn)定的納米結(jié)構(gòu)膜。一般將含Ti物質(zhì)氣化，與O2在反應(yīng)室中混合，氣體混合物在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積于基片表面生成結(jié)晶的TiO2薄膜。通過改變氣體流量、沉積時(shí)間、沉積溫度等條件來制備不同性能的膜層。

Evans等人[10]用常壓化學(xué)氣相沉淀法（APCVD）以不銹鋼304L作為基片，選用四異丙基化鈦?zhàn)鳛榍膀?qū)物時(shí)，先加熱至110℃，然后用預(yù)熱好的N2，氣體流量為11 L·min-1，在相對(duì)低的溫度（450～550℃）下得到銳鈦礦相的膜層，而在550～650℃下得到銳鈦礦與金紅石混合相的膜層；選用TiCl4與乙酸乙酯作為前驅(qū)物時(shí)，加熱至68℃時(shí)，N2氣體流速為0.2L·min-1。在550℃以下無膜層形成，在溫度范圍550～650℃時(shí)得到金紅石相的膜層。

Randeniya等人[11]用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PCVD）合成了TiO2薄膜和氮摻雜TiO2薄膜。薄膜結(jié)合能力強(qiáng)，并且沉積速率高于比常規(guī)的射頻方法。在Ar/O2等離子氣體中制備的薄膜經(jīng)過空氣中退火后在紫外區(qū)的光子轉(zhuǎn)化率達(dá)到80%。在Ar/N2中制得的含氮多晶膜具有可見光響應(yīng)，退火過程中氧的出現(xiàn)影響薄膜的結(jié)晶化。

孫利平等人[12]利用激光化學(xué)氣相沉積（LCVD）方法，以Ti（dpm）2（O-i-Pr）2（dpm為2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮，i-Pr為異丙基）為前驅(qū)體，Ar氣為載氣，反應(yīng)氣體為O2，Al2O3作為基底，控制Ar和O2的流量分別為1.0×10-4和5.0×10-5m3·min-1，反應(yīng)室壓力為665 Pa，沉積時(shí)間為15 min，改變基板預(yù)熱溫度和激光功率制備出了金紅石型TiO2薄膜和金紅石型與銳鈦礦型混合TiO2薄膜，并可以控制薄膜的截面組織和表面形貌，同時(shí)亦可控制所沉積薄膜的物相組成。TiO2薄膜的生長(zhǎng)速度最高可達(dá)136 mm/h。

綜上所述，化學(xué)氣相沉積法所制得的薄膜膜層均勻，與基體的結(jié)合牢固，可以精確調(diào)控反應(yīng)組分來改變沉積物的組成，并且能在形狀復(fù)雜的基片上成膜。但是此技術(shù)對(duì)設(shè)備要求高，高溫的反應(yīng)條件限制了基片的選取。

1.3 液相沉積法（LPD)

1988年Nagayama[13]首先提出液相沉積法，利用過飽和溶液制備相應(yīng)的金屬氧化物薄膜。在相應(yīng)的金屬氟化物溶液中浸入基片，溶液中金屬氟代絡(luò)離子與F-消耗劑的配位體置換,使金屬氟化物的水解平衡移動(dòng)，經(jīng)過一段反應(yīng)時(shí)間就會(huì)在基片表面沉積出金屬氧化物，獲得結(jié)晶薄膜。Deki[14]發(fā)展了這種過程制備TiO2薄膜，將基材浸入（NH4）2TiF6水溶液中，加入H3BO3捕獲F-來沉積TiO2薄膜。

李宣東等人[15]在（NH4）2TiF6、H3BO3的混合溶液中加入AgNO3，并加入少量銳鈦礦TiO2納米晶作為結(jié)晶誘導(dǎo)劑，以十二烷基硫酸鈉為表面活性劑，在40℃下沉積后再經(jīng)不同溫度熱處理2 h分解表面活性劑，制得Ag-TiO2薄膜。薄膜表面均勻而平緩，粒徑小于純TiO2薄膜粒徑。所制得的Ag-TiO2薄膜用于光催化降解甲基橙實(shí)驗(yàn)，光催化活性與TiO2薄膜相比較有一定程度的提高，AgNO3濃度為0.103 mol/L時(shí)，甲基橙的降解率可達(dá)到20%。

高湘等人[16]以200～360目之間的漂珠作為載體，配制0.6 mol/L的鈦鹽溶液與0.45 mol/L的硼酸溶液，采用液相沉積法制備TiO2薄膜。反應(yīng)液于60℃下水浴加熱攪拌約3 h，抽濾后得到鍍有TiO2膜的漂珠，經(jīng)過熱處理后得到TiO2薄膜?？疾炝朔磻?yīng)原料濃度、沉積時(shí)間和溫度對(duì)膜層生長(zhǎng)的影響，得知硼酸的含量不會(huì)影響膜的厚度，但對(duì)成膜速度有影響。20～30℃的溫度范圍內(nèi)成膜效果最好。氟鈦酸濃度超過0.2 mol/L時(shí)，鍍膜厚度較大。

馮海濤等人[17～18]采用微波液相沉淀法，即在液相沉淀法的基礎(chǔ)上加以微波輻射，氟鈦酸銨和硼酸濃度比為1∶2（氟鈦酸銨濃度為0.05 mol/L），普通載波片作為基底，微波功率100 W，改變微波輻照時(shí)間制備TiO2薄膜。輻照時(shí)間在20 min以上時(shí)，粉體都已經(jīng)完全晶化，轉(zhuǎn)化成銳鈦礦型晶體。薄膜的表面形貌均勻，平均粒徑在15 nm左右，有助于提高TiO2薄膜的光催化性能。此法可在100℃以下制膜，拓寬了基底的選擇范圍，且制備周期短，成膜時(shí)間縮短。

綜上所述，液相沉積法成膜過程操作簡(jiǎn)單，無需熱處理，并可以在形狀復(fù)雜的基片上制膜，但前驅(qū)體成本較高，不適合大面積制膜。

1.4 濺射法（Sputteruing Method）

濺射是指在真空條件下，利用荷能粒子轟擊靶材，使靶材表面原子或原子團(tuán)逸出，逸出的原子在基底的表面形成與靶材成分相同的薄膜，這種方法稱為濺射成膜。濺射法可分為直流濺射、射頻濺射、離子束濺射、磁控濺射等。靶基距、基體溫度、濺射壓力、濺射功率、氧氬比等參數(shù)對(duì)膜層的生長(zhǎng)及其光學(xué)性質(zhì)都會(huì)產(chǎn)生影響[19]。

Ye等人[20]將TiO2與Fe3O4粉末混合（顆粒平均尺寸為30 μm），以碳鋼為基底，利用等離子濺射，Ar/He=2∶1，制得了具有可見光響應(yīng)的TiO2Fe3O4薄膜。反應(yīng)過程中形成了FeTiO3，降低了電子-空穴復(fù)合的幾率?；‰妷?00 V，靶基距為100 mm所制得的薄膜光催化活性最好。以乙醛作為目標(biāo)分解物，反應(yīng)2 h后降解率達(dá)到94%。

Kikuchi等人[21]以高純TiO2作為靶源，透光電極作為基底，用磁控濺射制得厚度約為1μm的TiO2薄膜。與P-25薄膜相比，由于O/Ti的降低，使吸收區(qū)發(fā)生紅移至可見光區(qū)。873 K氬氣條件下制得的TiO2薄膜吸收區(qū)延至500 nm，在可見區(qū)光電轉(zhuǎn)化效率IPCE達(dá)到最大值（2.9%，λ=420 nm），隨著光照時(shí)間的延長(zhǎng)，薄膜電極的光生電流呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，照射時(shí)間10 s時(shí)，光生電流達(dá)到9μA。

李海玲等人[22]采用中頻磁控濺射法制備TiO2薄膜，并且與弧抑制技術(shù)結(jié)合解決鈦靶在氧氣氣氛中的“中毒”問題。實(shí)驗(yàn)以Ar作為濺射氣體，O2為反應(yīng)氣體，反應(yīng)壓強(qiáng)為2 Pa，濺射電源頻率40 kHz，襯底溫度為300℃。比較了不同襯底（分別為康寧玻璃、單晶硅片和100目的不銹鋼絲網(wǎng)）、鍍膜厚度以及摻雜條件，發(fā)現(xiàn)在不銹鋼絲網(wǎng)襯底上制備的N-TiO2薄膜厚度為500nm時(shí)光催化效果最好，對(duì)二氧化硫和香煙煙霧的降解有明顯的效果，30min后分別達(dá)到98%和50%以上。

Chen等人[23]以純鈦為靶源，O2和N2的混合氣體作為反應(yīng)氣體，濺射電源頻率20 kHz，O2/N2的氣體流量是50 sccm，N2/(N2+O2)的比率范圍60%～95%，制備N摻雜的TiO2薄膜。通過XPS發(fā)現(xiàn)N元素在薄膜表面以和固溶體N的形式存在，使TiO2薄膜紫外吸收紅移，當(dāng)N2/(N2+O2)的比率為80%時(shí)，苯酰胺的分解率可達(dá)到89.9%，是未摻雜N制得的TiO2薄膜的1.5倍。

濺射法可在大面基底上制膜，沉積溫度較低，而且對(duì)基底材料沒有限制，薄膜厚度均勻，但是濺射制膜存在著濺射速率低、制膜效率不高的問題；反應(yīng)需要在真空下進(jìn)行，條件嚴(yán)格，設(shè)備成本高。

1.5 電化學(xué)法

電化學(xué)方法要求的設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便。通過改變反應(yīng)電壓、沉積電流、成膜時(shí)間等來控制在基底上形成的薄膜厚度和粒子形貌，包括陽極氧化法、微弧氧化法等。要求選擇的基底必須導(dǎo)電，導(dǎo)電基底的存在有助于制備具有優(yōu)良的光催化性質(zhì)的TiO2薄膜。

陽極氧化法可以制備均勻致密的TiO2納米管，通過調(diào)節(jié)電解液濃度、陽極電壓和pH值等工藝條件來控制納米管排列的密度和納米管的長(zhǎng)度。制備的氧化膜層具有耐磨損、抗腐蝕的性能，與基體的結(jié)合能力強(qiáng)。微弧氧化（MAO）是等離子體微弧氧化技術(shù)的簡(jiǎn)稱，又稱為等離子體微弧氧化（PMAO）、微等離子體氧化（MPO）[24]、火花放電陽極氧化（ANOF）[25]。此技術(shù)是最近十幾年在陽極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，將閥金屬（Al、Mg、Ti等）置于電解液中[26]，外加電壓小于臨界電壓時(shí)，在陽極金屬上發(fā)生普通的電化學(xué)反應(yīng)，生成一層非晶態(tài)的氧化膜；外加電壓超過臨界電壓時(shí)，在金屬氧化膜表面薄弱部位發(fā)生電擊穿，進(jìn)入微弧氧化區(qū)，產(chǎn)生火花放電。在電化學(xué)、熱化學(xué)、等離子體化學(xué)、高溫相變等一系列復(fù)雜反應(yīng)的共同作用下生成氧化膜。

Shin等人[27]用純鈦和Ti-6Al-4V合金為基底進(jìn)行微弧氧化，以濃度為30g/L的Na2HPO4作為電解液，控制電壓320～340 V，電流34～35 A的條件下，改變氧化時(shí)間得到了高含量銳鈦礦和少量金紅石的混合相薄膜。Ti-6Al-4V合金上金紅石的含量隨氧化時(shí)間延長(zhǎng)而增加，這可能是由于合金中離子尺寸更小的Al和V元素取代了銳鈦礦中Ti4+提高了金紅石的含量，但純鈦的金紅石含量在氧化時(shí)間超過20 min后基本保持在10%。在分解羅丹明-B的實(shí)驗(yàn)中，以純鈦為基底氧化40 min得到的TiO2薄膜表現(xiàn)出了高的光催化活性，90 min后分解率達(dá)到45%。

Wan等人[28]采用微弧氧化法以及電解液修飾法（在電解液中加入氧化物，在成膜過程中氧化物參與反應(yīng)，摻雜到膜層中），在磷酸鹽體系中加入K2Cr2O7，研究了一系列膜層的性質(zhì)?？刂?50 V恒壓，Na3PO4的濃度為0.05 mol/L，加入不同濃度的K2Cr2O7進(jìn)行摻雜，在純鈦上進(jìn)行微弧氧化。在無K2Cr2O7加入時(shí)，得到含單一銳鈦礦相的膜層，隨著K2Cr2O7的濃度增加，膜層中逐漸形成了金紅石相（110）、金紅石相（101），并且膜層出現(xiàn)裂痕。XPS表明膜層中存在Cr2O3，表明了Cr3+摻雜進(jìn)入了膜層，并使吸收邊紅移，使TiO2具有可見光響應(yīng)。光催化分解水實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，經(jīng)過4 h反應(yīng)，產(chǎn)氫速率可達(dá)到35μmol/cm2。

Bayati等人[29]采用磷酸鹽體系，以Na3PO4·12H2O作為電解液，制得TiO2薄膜。當(dāng)控制電解液濃度為10 g/L，電壓小于400 V時(shí)，可以得到單一銳鈦礦相TiO2；而電壓大于400 V時(shí)，則得到銳鈦礦和金紅石混相的TiO2；當(dāng)電壓小于300 V時(shí)，可以觀察到鈦片上有明顯的火花，表明從陽極氧化進(jìn)入微弧氧化，稱此電壓為臨界電壓Vc。Vc隨著電解液濃度的增加而降低?？壮叽珉S著電壓的增加電解液濃度的增高而增加，而結(jié)合能隨著電壓的增加電解液濃度的增高而降低。當(dāng)加電壓為550 V、電解液濃度為20 g/L時(shí)，50 ppm的亞甲基藍(lán)降解率達(dá)到70%以上

微弧氧化制備TiO2薄膜應(yīng)用于光催化領(lǐng)域是近幾年新興起來的，制得的納米多孔氧化膜與基體結(jié)合力強(qiáng)，尺寸變化小，制備過程易控制，并且形成致密多孔的納米TiO2薄膜，具有良好的應(yīng)用前景。

其它還包括LB技術(shù)[30]、自組裝[31]、噴霧熱分解沉積技術(shù)（SPD）[32]、水熱合成[33]等方法制備TiO2薄膜。

2 結(jié)束語

納米TiO2優(yōu)異的光催化性能具有良好的工業(yè)應(yīng)用潛力，迄今大量學(xué)者對(duì)TiO2光催化劑機(jī)理及改性等方面進(jìn)行了許多研究，但還存在許多問題有待解決完善，如量子效率低、太陽能利用率低、TiO2薄膜晶態(tài)化不理想等阻礙了光催化技術(shù)在工業(yè)上的廣泛應(yīng)用發(fā)展。

上述制備納米固定化TiO2薄膜的工藝均有不足的方面，如不能大面積制膜、制備成本高、基底選擇受限等，使得這些方法的實(shí)際應(yīng)用變得很困難，因此不應(yīng)該局限或突出其中的一種工藝，應(yīng)該通過相互結(jié)合來彌補(bǔ)不足，共同發(fā)揮優(yōu)點(diǎn)，制備性能優(yōu)良的TiO2薄膜。

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Progress in Immobilization Technologies of TiO2Film

ZHANG Kui2and BAI Xue-Feng1，2
（1.Institute of Petrochemistry，Heilongjiang Academy of Sciences，Harbin 150040，China；2.College of Chemistry and Material Science，Heilongjiang University，Harbin 150080，China）

TiO2has great applications in the fields of photocatalysis and solar cells due to its properties of non-toxic，physical and chemical stability，and inexpensive and easy to get and the advantages of higher photo-catalytic activity.Although TiO2powder used in the research and industrial application has a good photocatalytic activity，the disadvantages of low light use efficiency and difficult recycle of the used catalysts for the suspension system have limited its application.Compared to the suspension system，it is possible for the immobilized TiO2film to improve the photocatalytic efficiency and the reuse of the used catalyst.In this paper，the immobilized technologies of nano TiO2film，including the sol-gel method，chemical vapor deposition，liquid deposition，sputtering and electrochemical methods are reviewed.The advantages and disadvantages of these technologies are analyzed.

TiO2；photocatalysis；immobilization；film

book=81,ebook=81

TQ 426.1

A

1001-0017（2010）04-0036-05

2010-04-05*基金項(xiàng)目：國家863計(jì)劃項(xiàng)目（編號(hào)：2007AA03z337）；黑龍江省杰出青年基金項(xiàng)目（編號(hào)：JC200615）;黑龍江省國際合作項(xiàng)目（編號(hào)：WC05A13）和哈爾濱市對(duì)俄科技合作項(xiàng)目（編號(hào)：2006AA4BE053）

張魁(1986-)，男，哈爾濱市人，黑龍江省大學(xué)讀碩士研究生。

通訊地址：白雪峰，男，博士，研究員，主要從事工業(yè)催化方面研究。E-mail∶bxuefeng@163.net.