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振動(dòng)對(duì)塵土進(jìn)入手機(jī)影響的非線性回歸分析

2010-07-03 02:34:42田瑞利許良軍王東
關(guān)鍵詞:平方和塵土高斯

田瑞利,許良軍,王東

(北京郵電大學(xué)電接觸科研室,北京 100876)

1 引言

手機(jī)等電子產(chǎn)品中電觸點(diǎn)的可靠性會(huì)極大地影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性[1-3],而塵土污染是造成手機(jī)元件電接觸故障的主要原因之一[4-7]。塵土直接吸附在元件的接觸表面,會(huì)造成閉合時(shí)的高電阻值;在電鍍金過程中,塵土?xí)皆阱兗砻娑纬慑兘鸨砻嫖⒖?。塵土成分中含有可溶性鹽,當(dāng)其附著在微孔附近時(shí),在潮熱環(huán)境下就會(huì)形成電解液,腐蝕微孔底部的金屬。腐蝕生成物蔓延聚集到微孔表面,也會(huì)出現(xiàn)高接觸電阻。

塵土進(jìn)入手機(jī)是影響手機(jī)可靠性的關(guān)鍵因素,因此,研究塵土進(jìn)入對(duì)評(píng)估手機(jī)可靠性具有重要的意義。塵土進(jìn)入受風(fēng)速、塵土顆粒尺寸、接口結(jié)構(gòu)、振動(dòng)、電磁場(chǎng)以及溫度等諸多因素的影響。但對(duì)于手機(jī)這類接口較小的設(shè)備,塵土并不容易直接進(jìn)入,振動(dòng)和接口尺寸結(jié)構(gòu)是影響此類設(shè)備塵土進(jìn)入的主要因素。接口結(jié)構(gòu)主要影響接口處塵土顆粒的聚集量,對(duì)塵土進(jìn)入起阻滯作用。它由接口結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度決定,接口結(jié)構(gòu)越復(fù)雜,對(duì)塵土進(jìn)入的阻滯能力越強(qiáng),接口處聚集的塵土顆粒越多;接口結(jié)構(gòu)越簡(jiǎn)單,對(duì)塵土進(jìn)入的阻滯能力越弱,接口處聚集的顆粒越少。振動(dòng)使接口處聚集的塵土顆粒進(jìn)入電器設(shè)備內(nèi)部,是塵土進(jìn)入手機(jī)的主要因素。

2 塵土進(jìn)入量的數(shù)學(xué)模型

對(duì)于手機(jī)這種小接口的設(shè)備,塵土很難直接進(jìn)入電器內(nèi)部,因此提出以下假設(shè):對(duì)于小接口設(shè)備,塵土并不是直接進(jìn)入,而是在接口處聚集,而后通過振動(dòng)等動(dòng)態(tài)環(huán)境進(jìn)入電器內(nèi)部。基于此假設(shè)而得出以下公式:

通過振動(dòng)進(jìn)入手機(jī)內(nèi)部的塵土顆粒數(shù)目Q內(nèi)為:

式(1)中:t——振動(dòng)時(shí)間;

f——振動(dòng)頻率;

A——振幅;

K——接口系數(shù);

D——顆粒的直徑;

Q接口——接口處塵土顆粒數(shù)目。

為了簡(jiǎn)化數(shù)學(xué)模型,通常在接口處加特定量的塵土顆粒,并以特定的振幅振動(dòng),則原式變?yōu)椋?/p>

而對(duì)于同一款手機(jī),由于其接口一樣,因此K為定值,其函數(shù)關(guān)系變?yōu)椋?/p>

3 振動(dòng)模型試驗(yàn)與結(jié)果

3.1 振動(dòng)試驗(yàn)設(shè)計(jì)

為了簡(jiǎn)化試驗(yàn)的復(fù)雜度,并滿足評(píng)估系統(tǒng)的要求,本試驗(yàn)約束接口處沉積的塵土量為Q接口、振幅A為8 mm、顆粒尺寸D為100 μm。對(duì)于同一接口,K為定值,故主要研究t、f與塵土進(jìn)入量Q內(nèi)的關(guān)系。試驗(yàn)方法為在試驗(yàn)用手機(jī)充電器接口處撒上一定量的粒徑為100 μm人工塵土,以8 Hz、14 Hz、20 Hz的頻率和8 mm振幅采用正弦波模式振動(dòng),每次振動(dòng)時(shí)間不同,時(shí)間分別為10、20、30、40、 50、 60、75、90、 105 min,在手機(jī)內(nèi)部靠近試驗(yàn)接口處選取采樣點(diǎn)。

3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

由以上試驗(yàn)得采樣點(diǎn)處的塵土顆粒,見表1。

表1 采樣點(diǎn)處塵土顆粒數(shù)目(單位:個(gè))

3.3 振動(dòng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)繪制出不同頻率下振動(dòng)時(shí)間與塵土數(shù)量的關(guān)系曲線(如圖1所示)。由試驗(yàn)結(jié)果和圖1可知,當(dāng)頻率為8 Hz,塵土在振動(dòng)50 min時(shí)達(dá)到最大值104個(gè);當(dāng)頻率為14 Hz,塵土振動(dòng)40 min時(shí)達(dá)到最大值110個(gè);當(dāng)頻率為20 Hz,塵土振動(dòng)30 min時(shí)達(dá)到最大值105個(gè)。

塵土的進(jìn)入量隨時(shí)間的增加先上升后下降,即塵土的進(jìn)入量會(huì)隨著時(shí)間的增加先增多后減少。采樣點(diǎn)處的塵土量達(dá)到最大值時(shí),振動(dòng)時(shí)間就會(huì)逐漸減少,說明塵土的進(jìn)入量跟頻率的關(guān)系為:振動(dòng)頻率越大,達(dá)到最大值所需的時(shí)間越短。

4 振動(dòng)模型非線性回歸分析

4.1 非線性回歸最小二乘法擬合的基本原理

對(duì)給定數(shù)據(jù)(xi,yi)(i=0,1,…,m),在取定的函數(shù)類φ中,求p(x)∈φ,使誤差ri=p(xi)-yi(i=0,1,…,m)的平方和最小,即:

最小。從幾何意義上講,就是尋求與給定點(diǎn)(xi,yi)(i=0,1,…,m)的距離平方和為最小的曲線y=p(x)。函數(shù)p(x)被稱為擬合函數(shù)或最小二乘解。求擬合函數(shù)p(x)的方法被稱為曲線擬合的最小二乘法。

4.2 塵土進(jìn)入量與時(shí)間關(guān)系的非線性回歸分析

由圖1知,塵土的進(jìn)入量與時(shí)間的關(guān)系曲線與高斯函數(shù)類似,故采用高斯函數(shù)擬合,高斯函數(shù)為:

根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。

8 Hz時(shí),設(shè)初始值A(chǔ)=100,μ=1.0,a=30,用SPSS軟件進(jìn)行非線性擬合,擬合結(jié)果見表2和表3:

表2 參數(shù)估計(jì)值

表3 參數(shù)估計(jì)值

因變量:Q

R方=1-(殘差平方和)/(已更正的平方和)=0.988

由實(shí)驗(yàn)結(jié)果知:函數(shù)的擬合度為0.988,參數(shù)F、a、μ的標(biāo)準(zhǔn)誤差分別為3.072、0.784、1.105,與估計(jì)值106.407、52.948、31.030相比很小,結(jié)果可以采納。

故在8 Hz時(shí),塵土進(jìn)入量與振動(dòng)時(shí)間的擬合函數(shù)為:

4.3 塵土進(jìn)入量的二元非線性回歸分析

塵土的進(jìn)入量與時(shí)間、頻率的關(guān)系曲線與二元高斯函數(shù)類似,故采用二元高斯函數(shù)擬合。

設(shè)初始值 A=100、 μ=1.0、a=30、b=30、 c=30、d=30,用SPSS軟件進(jìn)行非線性擬合,擬合結(jié)果見表4和表5:

表4 ANOVAa

表5 ANOVAa

因變量:Q

a.R方 =1-(殘差平方和)/(已更正的平方和)=0.944

由實(shí)驗(yàn)結(jié)果知:函數(shù)的擬合度為0.944,參數(shù)F、a、b、c、d、μ的標(biāo)準(zhǔn)誤差分別為 5.735、1.443、 1.527、 3.172、 1.395、 0.100,與 估計(jì)值115.987、 30.142、 11.955、 40.641、 13.859、-0.834相比很小,結(jié)果可以采納。

故塵土進(jìn)入量與振動(dòng)時(shí)間和振動(dòng)頻率關(guān)系的擬合函數(shù)為:

5 結(jié)束語

a)經(jīng)過試驗(yàn)與數(shù)據(jù)分析可知,在手機(jī)接口處塵土顆粒一定的情況下,手機(jī)內(nèi)部塵土顆粒與振動(dòng)時(shí)間的關(guān)系可以用一元高斯函數(shù)來表征。

b)手機(jī)內(nèi)部塵土顆粒與振動(dòng)時(shí)間、頻率的關(guān)系可以用二元高斯函數(shù)來表征,這為研究塵土對(duì)電接觸可靠性評(píng)估系統(tǒng)提供了重要的依據(jù),也對(duì)建立評(píng)估系統(tǒng)的模擬環(huán)境提供了理論依據(jù)。

[1]WAGER H N.Impact of the contact on electrical systems[C]∥Proceedings of the Holm Seminar on Electrical Contacts.Chicago:IEEE Press,1976: 12-14.

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[3]周怡琳.手機(jī)中電觸點(diǎn)的失效分析 [J].北京郵電大學(xué)學(xué)報(bào),2006,29(1): 69-72.

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[5]高錦春,孟青山,馮萃峰,等.塵土顆粒帶電對(duì)電接觸故障的影響 [J].低壓電器,2004,(3):1-5.

[6]高錦春,孟青山,章繼高.塵土顆粒帶電特征的研究[J].中國(guó)粉塵技術(shù),2004,(1):8-12.

[7]李慶揚(yáng),王能超,易大義.數(shù)值分析 [M].武漢:華中理工大學(xué)出版社,1999:8-9.

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