秦永偉，趙金茹，王春棟，李 俊

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無(wú)錫 214035）

0.5μm有源區(qū)腐蝕工藝的正交優(yōu)化

秦永偉，趙金茹，王春棟，李 俊

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無(wú)錫 214035）

文章基于Precision 5000等離子刻蝕技術(shù)，運(yùn)用正交優(yōu)化實(shí)驗(yàn)法，控制由LPCVD制備的Si3N4膜層對(duì)SiO2的選擇比，對(duì)0.5 μm有源區(qū)腐蝕工藝進(jìn)行優(yōu)化。運(yùn)用minitab軟件獲得選擇比的主效應(yīng)圖、效應(yīng)的Pareto圖、正態(tài)概率圖，并討論O2、Ar、CHF3氣體對(duì)選擇比的影響，最終獲得各氣體成分的最佳配比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明有源區(qū)腐蝕中通過(guò)提高過(guò)腐蝕中Si3N4對(duì)SiO2的選擇比來(lái)減少SiO2的損失，可以成功地將SiO2的損失控制在合理范圍內(nèi)，且腐蝕后平面、剖面形貌等各種參數(shù)符合產(chǎn)品要求。

選擇比；有源區(qū)腐蝕；正交優(yōu)化實(shí)驗(yàn)法

1 引言

隨著器件尺寸的不斷縮小，對(duì)等離子體刻蝕技術(shù)提出了更高的挑戰(zhàn)。本文采用Precision 5000設(shè)備腐蝕有源區(qū)，主腐蝕步（ME）采用終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)來(lái)控制Si3N4腐蝕過(guò)程，當(dāng)Si3N4下面一層材料SiO2剛好露出來(lái)時(shí)，Si3N4便停止腐蝕。理想情況下，要腐蝕的薄膜厚度和腐蝕速率均是完全均勻的，并不需要過(guò)腐蝕步（OE），所以相對(duì)于襯底的選擇比也就不用考慮了。實(shí)際工藝中這種理想狀態(tài)是不存在的，并且當(dāng)各向異性腐蝕遇到臺(tái)階形貌時(shí)，過(guò)腐蝕步總是需要的，但是有源區(qū)過(guò)腐蝕中Si3N4相對(duì)于SiO2的選擇比必須足夠大，從而避免底層的氧化物被完全刻蝕，避免Si襯底受到實(shí)質(zhì)性刻蝕。因?yàn)檫^(guò)度的刻蝕硅襯底，將會(huì)影響整個(gè)器件的性能。本文針對(duì)有源區(qū)腐蝕后剩余SiO2一直為零的問(wèn)題，運(yùn)用正交優(yōu)化實(shí)驗(yàn)法對(duì)Si3N4腐蝕的過(guò)腐工藝進(jìn)行優(yōu)化，使Si3N4下層材料SiO2損失控制在15nm以?xún)?nèi)，且剖面形貌合格（α＞75°），如圖1。

2 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）原理

Si3N4是一種優(yōu)質(zhì)的電介質(zhì)材料，通常以LPCVD或PECVD制得，作為氧化隔離介質(zhì)或鋁鈍化層?？涛gSi3N4的氣體很多，通常能產(chǎn)生F、CL活性機(jī)的氣體都可以刻蝕Si3N4。主要以CF4或CHF3作為典型的F離子源。同時(shí)F離子也是刻蝕SiO2的主要?dú)怏w成分，因此以F離子源刻蝕Si3N4的選擇比通常比較低。表1列舉了由這些氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行刻蝕時(shí)有代表性的氣體及材料。

本文主要研究以CHF3作為F的等離子體氣體源來(lái)刻蝕Si3N4膜層，其中Ar主要用于濺射刻蝕（即通過(guò)碰撞產(chǎn)生刻蝕作用），Ar同時(shí)也起到氣體稀釋、增加碰撞幾率的作用。本實(shí)驗(yàn)通過(guò)調(diào)節(jié)O2、Ar、CHF3的氣體比例，來(lái)控制由LPCVD制備的Si3N4膜層對(duì)SiO2的選擇比, 刻蝕機(jī)理反應(yīng)方程式如下：

其中O2和SiO2分解出來(lái)的氧等離子體在高壓下與基團(tuán)反應(yīng)，生成CO↑、CO2↑、H2O↑、OF↑等多種揮發(fā)性氣體，從而完成表面刻蝕。

3 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

本實(shí)驗(yàn)在原來(lái)過(guò)腐蝕（OE）菜單基礎(chǔ)上進(jìn)行優(yōu)化，主腐蝕步驟不做改變，仍然采用終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)找終點(diǎn)。

原來(lái)過(guò)腐蝕（OE）菜單為：

Press：60 mtorr；RF：250 W；CHF3：12 sccm；Ar：45 sccm；O2：5 sccm。

Si3N4速率為109.4nm/min，SiO2速率為63.06nm/min，故Si3N4對(duì)SiO2的選擇比為1.73。其中壓力和功率不做改變，通過(guò)正交優(yōu)化試驗(yàn)，拉偏過(guò)腐蝕步（OE）中的Ar、CHF3、O2配比，提高Si3N4對(duì)SiO2的選擇比。

現(xiàn)在采用Minitab軟件進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，本文中采用的3因子2水平的正交實(shí)驗(yàn)，共進(jìn)行4次試驗(yàn)，考察Ar、CHF3、O2的流量對(duì)選擇比的貢獻(xiàn)（本實(shí)驗(yàn)中所指選擇比都是指Si3N4對(duì)SiO2選擇比），如表2所示。根據(jù)Minitab給出的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果見(jiàn)表3。

由Minitab工具進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，選擇比作為反應(yīng)值，得出選擇比的主效應(yīng)圖、效應(yīng)的Pareto圖、正態(tài)概率圖，最后由Minitab生成最優(yōu)條件篩選圖。

圖2為選擇比的主效應(yīng)圖，其中縱坐標(biāo)為輸出力矩，橫坐標(biāo)為所設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)的各因子水平，其中傾斜度越大表示符合水準(zhǔn)的效果越大。從圖2中可以明顯看出，氧氣的流量從5sccm升高到10sccm時(shí)，氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇比迅速上升；當(dāng)氬氣流量增加時(shí)，選擇比增加較為平緩；而當(dāng)三氟甲烷流量增加時(shí)，選擇比反而降低。

圖3為效應(yīng)的pareto圖，Pareto圖可同時(shí)看到效果的大小與重要性。超過(guò)指針線(xiàn)（即圖中虛線(xiàn)）的C因子為有影響，即氧氣的流量對(duì)選擇比影響最大。

圖4為正態(tài)概率圖，離直線(xiàn)遠(yuǎn)離的因子可認(rèn)為信號(hào)因子，從圖中可以看出C因子O2對(duì)選擇比有較大的影響，而其他因子對(duì)選擇比影響較小。

圖5為最優(yōu)條件篩選圖，由Minitab軟件自動(dòng)篩選的最優(yōu)條件為：Ar：45sccm；CHF3：12sccm；O2：10sccm。這里的最優(yōu)條件主要以選擇比作為標(biāo)準(zhǔn)。

以圖5獲得的選擇比最優(yōu)條件作為實(shí)驗(yàn)條件，獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果為：二氧化硅腐蝕速率48.64nm/min；氮化硅腐蝕速率130.24nm/min；氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇比為2.68。

最優(yōu)化實(shí)驗(yàn)結(jié)果與原菜單工藝結(jié)果相比，選擇比由原來(lái)的1.73提高到2.68，按照優(yōu)化后的工藝進(jìn)行正片工藝驗(yàn)證，OE時(shí)間定為8s，重復(fù)做4片，損失的二氧化硅平均值為8nm，符合二氧化硅損失要求（＜15nm）。

CD loss=0.6028-0.5764=0.026nm，CD Loss合格。

圖6、7為采用最優(yōu)化條件進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的SEM平面及剖面圖，采用優(yōu)化實(shí)驗(yàn)做出的有源區(qū)條平面圖形光滑無(wú)鋸齒狀，剖面形貌正常，角度為85.2°，無(wú)倒角。

4 結(jié)論

本文采用DOE實(shí)驗(yàn)，用最少的實(shí)驗(yàn)次數(shù)獲得了最多的信息量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Si3N4對(duì)SiO2的選擇比受O2的流量影響最大。同時(shí)運(yùn)用MINTIB軟件獲得最優(yōu)化條件，得到了Ar、CHF3、O2的最佳配比。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果良好，選擇比得到較大的提高，有源區(qū)腐蝕中SiO2損失可以控制在合理范圍內(nèi)，且平面、剖面形貌等各種參數(shù)符合產(chǎn)品要求。這對(duì)以后半導(dǎo)體產(chǎn)品良率的提升具有一定的參考價(jià)值。

［1］Wang Chundong, Teng Baohua , Zhang Xianjun, et al. Investigation of the seeding-layer effect for a ferroelectric thin film with the transverse Ising model [J]. Physica A,2009, 388∶ 1472-1478.

［2］Michael Quirk, Julian Serda. 韓鄭生等譯. 半導(dǎo)體制造技術(shù)[M].北京：電子工業(yè)出版社，2004.

［3］施敏. 半導(dǎo)體期間物理與工藝[M].蘇州：蘇州大學(xué)出版社，2002.

［4］崔錚. 微納米加工技術(shù)及其應(yīng)用[M].北京：高等教育出版社，2005.

Study of the Etching Technology in 0.5 Micro-island with Orthogonal Optimization Method

QING Yong-wei, ZHAO Jing-ru, WANG Chun-dong, LI Jun
（China Electronic Technology Group Corporation No.58Research Institute,Wuxi214035,China）

Based on the plasma etching technology in Precision 5000, by controlling the selecitivity between Si3N4(which was prepared by LPCVD) and SiO2, the etching technology in 0.5 micro-island was optimized with the help of the orthogonal optimization method. Using the software of Mintab,the main effect figure, the Pareto effect figure and the normal-probability effect figure were got. Meanwhile the influence of O2,Ar,CHF3to the selecitivity was investigated. The most suitable proportion of all the gases was found. The results show that the loss of SiO2can be sucessful controlled by improving the selecitivity between Si3N4and SiO2. In addition, the plane and the profile of Si3N4are all accord with the standard.

selecitivity; etching of island; orthogonal optimization method

TN305.7

A

1681-1070（2010）09-0038-03

2010-07-12

秦永偉（1981-），男，河北唐山人，2004年畢業(yè)于杭州電子科技大學(xué)，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)第58研究所二部設(shè)備維修工程師，主要從事設(shè)備維修和協(xié)助工藝研究及開(kāi)發(fā)工作；

趙金茹（1983-），女，遼寧海城人，2006年畢業(yè)于遼寧大學(xué)，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)第58研究所二部腐蝕組工藝工程師，主要從事腐蝕工藝研究開(kāi)發(fā)工作。