胡琳娜何軍花,2彭會(huì)芬

(1河北工業(yè)大學(xué)化工學(xué)院，天津 300130)

(2成都賽普瑞興科技有限公司，成都 610091)

(3河北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院，天津 300130)

ZrOCl2摻雜的磷硅酸鹽凝膠的機(jī)械化學(xué)合成

胡琳娜1何軍花1,2彭會(huì)芬＊,3

(1河北工業(yè)大學(xué)化工學(xué)院，天津 300130)

(2成都賽普瑞興科技有限公司，成都 610091)

(3河北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院，天津 300130)

純磷硅酸鹽干凝膠在潮濕環(huán)境下存放會(huì)使磷酸從中析出，導(dǎo)致其質(zhì)子電導(dǎo)率顯著下降。為此，人們通常采用化學(xué)改性處理的方式以解決其化學(xué)耐久性差的問題。利用ZrOCl2·8H2O通過溶膠凝膠法對(duì)磷硅酸鹽進(jìn)行摻雜，我們發(fā)現(xiàn)摻雜量為0.97%時(shí)，所得凝膠的質(zhì)子電導(dǎo)率最高?；诖耍疚睦酶吣芮蚰ゼ夹g(shù)研究了磷硅酸鹽凝膠的ZrOCl2摻雜。研究結(jié)果表明：機(jī)械研磨能夠提高原料混合物的質(zhì)子電導(dǎo)率，當(dāng)研磨時(shí)間為10 h時(shí)，所得材料的質(zhì)子電導(dǎo)率最大，σ130=2.4 S·m-1。這一數(shù)值與利用溶膠-凝膠法制備的同樣化學(xué)成分的樣品相同。但前者的質(zhì)子傳導(dǎo)激活能高于后者，造成這一差別的主要原因是兩者內(nèi)部的組織結(jié)構(gòu)存在一定差別。31P NMR(Nuclear Magnetic Resonance核磁共振)譜測(cè)試結(jié)果表明：機(jī)械研磨處理的樣品(尤其MM10 h)化學(xué)耐久性較好。

磷硅酸鹽凝膠；ZrOCl2；機(jī)械研磨；摻雜

磷硅酸鹽凝膠因具有高的質(zhì)子電導(dǎo)率而成為中低溫、低濕條件下很有發(fā)展前景的固態(tài)質(zhì)子導(dǎo)體[1-3]，然而，在潮濕環(huán)境下長(zhǎng)期保存，磷酸會(huì)從中滲出，致使凝膠的質(zhì)子導(dǎo)電性能顯著下降。因此，提高磷硅酸鹽凝膠的化學(xué)耐久性是其能否作為固態(tài)電解質(zhì)真正投入中溫質(zhì)子交換膜燃料電池應(yīng)用的關(guān)鍵。盡管添加適量Al2O3能夠改善磷硅酸鹽凝膠的化學(xué)耐久性，但遺憾的是其質(zhì)子導(dǎo)電率卻顯著下降[4]。

ZrOCl2是過渡元素氯酸鹽的一種，通常以ZrOCl2·8H2O的形式存在。由于ZrOCl2中鋯與水分子之間有較強(qiáng)的親和力，只有在150℃以上，這種化合物才逐漸失去其中的結(jié)晶水[5]。另外，ZrOCl2·8H2O很容易溶于水，并以[Zr4(OH)8·16H2O]Cl8配合物的形式存在，其中鋯以正方形排列，并在正方形的每一邊與2個(gè)羥基結(jié)合在一起，而每個(gè)鋯離子又受到4個(gè)附加水分子的約束[6]。由于Cl-離子不直接與鋯離子結(jié)合，所以使[Zr4(OH)8·16H2O]8+基團(tuán)很容易發(fā)生脫質(zhì)子作用而釋放出H+質(zhì)子。這些釋放出來(lái)的質(zhì)子可與磷硅酸鹽凝膠中的某些基團(tuán)結(jié)合形成復(fù)合離子，并希望這些復(fù)合離子能夠參與材料的質(zhì)子傳輸。筆者曾以ZrOCl2·8H2O為原料，采用溶膠凝膠法對(duì)磷硅酸鹽凝膠進(jìn)行摻雜改性處理，發(fā)現(xiàn)ZrOCl2·8H2O濃度為0.97%時(shí)所得材料的質(zhì)子電導(dǎo)率達(dá)到最大值。

機(jī)械研磨是利用高能球磨機(jī)通過強(qiáng)制的機(jī)械力對(duì)原材料進(jìn)行強(qiáng)烈的沖擊、研磨、粉碎或粘合等，引起材料結(jié)構(gòu)重新排列，從而制備新材料的一種有效方法。利用這種技術(shù)制備的固體電解質(zhì)通常具有高的離子電導(dǎo)率[7-8]。Matsuda等[9]發(fā)現(xiàn)利用機(jī)械研磨能夠?qū)⒐腆w酸中的無(wú)機(jī)結(jié)構(gòu)打亂，提高其吸附水的能力，從而使材料的質(zhì)子電導(dǎo)率提高2～4個(gè)數(shù)量級(jí)。為了更全面地了解在不同處理狀態(tài)下，材料的結(jié)構(gòu)與質(zhì)子導(dǎo)電性能的關(guān)系，以滿足不同用途需要。本文研究了磷硅酸鹽凝膠-ZrOCl2·8H2O的混合物在機(jī)械研磨過程中的組織結(jié)構(gòu)和質(zhì)子導(dǎo)電性能變化。

1 材料及方法

磷硅酸鹽凝膠的制備方法基本同文獻(xiàn)[10]：先將100 mL蒸餾水倒入燒杯,將濃度為37%濃鹽酸配成pH=0.3的水溶液。取10 mL硅酸乙酯倒入錐形瓶中，再加入21 mL的無(wú)水乙醇和適量已制得的稀鹽酸，攪拌10 min，形成均一溶液,然后加入適量濃度為85.0%的磷酸，充分?jǐn)嚢? h,制成溶膠。將溶膠移入坩堝,進(jìn)行50℃×7 d陳化處理。然后,將陳化的溶膠進(jìn)行150℃×5 h干燥處理,獲得磷硅酸鹽干凝膠。

以上述制備的磷硅酸鹽凝膠和分析純的ZrOCl2·8H2O為原料進(jìn)行機(jī)械研磨，兩者的質(zhì)量比為99.03:0.97。將原料按比例稱量后混合，在瑪瑙研缽內(nèi)手工研磨10 min，然后將其放入不銹鋼研磨罐中，并加入10個(gè)φ 10 mm的ZrO2磨球，最后將研磨罐用O型環(huán)密封。樣品的總量為5 g。上述操作均在充有干燥氬氣的手套箱內(nèi)進(jìn)行。將密封后的研磨罐放置在QM-1SP4球磨機(jī)上以200 r·min-1的速度進(jìn)行機(jī)械研磨。

將研磨后的樣品和聚乙烯醇按10∶1的質(zhì)量比在瑪瑙研缽中充分混合均勻,壓制成φ 6 mm×3 mm的圓片狀試樣,在試樣兩端涂抹銀漿作為電極。然后,利用Zahner Elektrik公司的IM6e型電化學(xué)工作站測(cè)定材料的復(fù)阻抗譜,測(cè)試頻率為1 Hz～1 MHz,測(cè)試溫度為室溫(RT)～150℃。整個(gè)測(cè)試過程均在干燥氬氣中進(jìn)行。根據(jù)測(cè)定的復(fù)阻抗譜，采用ZSimpWin軟件計(jì)算出樣品在不同溫度下的電導(dǎo)率。采用美國(guó)Varian公司的Infinity Plus 300WB型固體核磁共振譜儀測(cè)定所制備材料的31P NMR譜,標(biāo)樣為濃度80%H3PO4，共振頻率為 121.377 MHz。其中，采用 H 通道去耦單脈沖程序，探頭4.0 mm，樣品轉(zhuǎn)速10 kHz。

2 結(jié)果與討論

圖1是不同研磨條件下，樣品的質(zhì)子電導(dǎo)率隨溫度的變化曲線。為了便于比較，純凝膠以及采用溶膠凝膠法制備的同樣成份樣品的電導(dǎo)率曲線也表示在其中?？梢钥闯?，這些樣品的質(zhì)子電導(dǎo)率均滿足Arrhenius關(guān)系式

式中：T為絕對(duì)溫度，K；σ為電導(dǎo)率，S·m-1；σ0為常數(shù)；Ea為質(zhì)子傳導(dǎo)激活能，kJ·mol-1；R為氣體常數(shù)，J·mol-1·K-1。

研磨前期，隨著機(jī)械研磨時(shí)間的延長(zhǎng)，材料的質(zhì)子電導(dǎo)率增加。當(dāng)機(jī)械研磨時(shí)間為10 h時(shí)，材料的質(zhì)子電導(dǎo)率達(dá)到最大值。這一最大值與利用溶膠凝膠法制備的相同成份樣品的質(zhì)子電導(dǎo)率十分接近，但機(jī)械研磨樣品的曲線斜率較大。說(shuō)明利用機(jī)械研磨技術(shù)同樣也可制備摻雜的高性能質(zhì)子導(dǎo)體，但質(zhì)子傳導(dǎo)過程中遇到的勢(shì)壘較高、所需激活能較大。之后，機(jī)械研磨時(shí)間再延長(zhǎng)，材料的質(zhì)子電導(dǎo)率開始下降。盡管如此，經(jīng)機(jī)械研磨處理的樣品質(zhì)子電導(dǎo)率均高于純凝膠樣品。

圖1 磷硅酸鹽凝膠-ZrOCl2·8H2O混合物經(jīng)200 r·min-1機(jī)械研磨不同時(shí)間質(zhì)子電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系曲線Fig.1 Temperature dependence of proton conductivity of the mixture of phosphosilicate gel and ZrOCl2·8H2O after mechanical milling at 200 r·min-1for different time

針對(duì)中溫燃料電池應(yīng)用的溫度范圍，利用公式(1)根據(jù)圖1計(jì)算的每種樣品在130℃的質(zhì)子電導(dǎo)率以及質(zhì)子傳導(dǎo)激活能結(jié)果如圖2所示。機(jī)械研磨尚未開始(0 h)時(shí)的數(shù)值用純磷硅酸鹽凝膠的數(shù)據(jù)近似表示。圖2表明：隨著機(jī)械研磨時(shí)間的延長(zhǎng)，材料的質(zhì)子電導(dǎo)率逐漸增加，并在研磨時(shí)間為10 h時(shí)達(dá)到極大值，σ130=2.4 S·m-1。這一數(shù)值是純凝膠的 2倍之多，并與利用溶膠凝膠法制備的相同化學(xué)成分樣品的相同。之后，再延長(zhǎng)研磨時(shí)間，質(zhì)子電導(dǎo)率又降低。與電導(dǎo)率的變化規(guī)律相反，材料的質(zhì)子傳導(dǎo)激活能則在研磨時(shí)間為10 h時(shí)達(dá)到最小值(Ea=33.0 kJ·mol-1)，但其變化幅度較小。

圖2 對(duì)應(yīng)圖1的樣品在130℃質(zhì)子電導(dǎo)率與質(zhì)子傳導(dǎo)激活能隨研磨時(shí)間的變化曲線Fig.2 Variation of proton conductivity at 130 ℃ and proton conduction activation energy of the samples in Fig.1

值得注意的是，雖然機(jī)械研磨10 h的樣品質(zhì)子電導(dǎo)率與利用溶膠凝膠法摻雜的樣品基本相同，但是前者的質(zhì)子傳導(dǎo)激活能卻比后者高10%以上。說(shuō)明由于制備方式的不同會(huì)導(dǎo)致材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)存在一定差異，從而影響到質(zhì)子的傳導(dǎo)過程。

圖3是機(jī)械研磨不同時(shí)間樣品以及利用溶膠凝膠法制備的相同化學(xué)成分樣品和純磷硅酸鹽干凝膠的31P NMR譜。對(duì)于純磷硅酸鹽干凝膠，分別在以下位置觀察到了NMR峰：一是δ=0.3 ppm不含橋氧且對(duì)應(yīng)自由磷酸的Q0結(jié)構(gòu)單元 (即游離的PO43-)；二是δ=-10.9 ppm含有1個(gè)橋氧和2個(gè)羥基的Q1結(jié)構(gòu)單元。因?yàn)閱渭兛?1P NMR譜很難區(qū)別[PO4]四面體周圍與之相結(jié)合的到底是[PO4]還是[SiO4]四面體，所以，籠統(tǒng)地將Q1表示為O=P-(OSi or P)(OH)2[11-12]；三是在 δ=-30 和-34.1 ppm 出現(xiàn)的 2個(gè)疊加在一起的NMR峰，這種現(xiàn)象在Krawietz等[13]觀察的磷硅酸鹽31P NMR譜中也存在。它對(duì)應(yīng)的是含有3個(gè)橋氧的Q3結(jié)構(gòu)單元，通常以O(shè)=P-(OP)N(OSi)3-N(N為整數(shù)，0＜N＜3)結(jié)構(gòu)式表示。因?yàn)樵赱PO4]四面體周圍存在不同數(shù)量的[PO4]或[SiO4]四面體會(huì)引起相應(yīng)的NMR譜產(chǎn)生不同的化學(xué)位移。而29Si NMR譜恰恰能夠分辨出這一變化，研究表明：凝膠中Si-O-P鍵數(shù)量增加使29Si NMR譜的化學(xué)位移向負(fù)值方向移動(dòng)[14-16]。根據(jù)筆者最近對(duì)Ce(SO4)2·4H2O改性的磷硅酸鹽凝膠29Si NMR譜的測(cè)試結(jié)果可推斷，對(duì)應(yīng)δ=-30和-34.1 ppm的2個(gè)NMR峰是[PO4]四面體與周圍不同數(shù)量[SiO4]四面體相結(jié)合的結(jié)果，[SiO4]四面體數(shù)量增加，造成31P NMR譜化學(xué)位移也越負(fù)；最后，對(duì)應(yīng)δ=-44 ppm的信號(hào)峰是[PO4]四面體與[SiO6]八面體和[SiO4]四面體相結(jié)合的特征峰，也是Si5O(PO4)6晶體所特有的NMR峰[17]。盡管在其他幾個(gè)位置單純靠31P NMR譜有時(shí)很難區(qū)別[PO4]四面體到底是與[PO4]四面體還是[SiO4]四面體結(jié)合，但是這一位置NMR峰的出現(xiàn)足以證明筆者所制備的磷硅酸鹽凝膠中含有大量P-O-Si鍵。說(shuō)明加入的原料能夠較為均勻地結(jié)合，這對(duì)提高材料的化學(xué)穩(wěn)定性十分有利。但是，圖3中純磷硅酸鹽凝膠的Q0NMR峰很強(qiáng)，說(shuō)明其中存在較多自由的磷酸。它主要存在于形成的硅酸鹽網(wǎng)絡(luò)孔洞中，在潮濕環(huán)境下存放，很容易從孔洞中析出，這是導(dǎo)致凝膠存放過程中化學(xué)耐久性差的主要原因。

圖3 所研究樣品的31P NMR譜Fig.331P NMR spectra of the studied samples

ZrOCl2的加入使凝膠中對(duì)應(yīng) Q0、Q1和 Q3的信號(hào)峰變?nèi)?，而且，隨著研磨時(shí)間的延長(zhǎng)，這些峰的強(qiáng)度逐漸降低，但與Q4相應(yīng)的信號(hào)峰強(qiáng)度基本保持不變。另外，一個(gè)值得注意的變化就是機(jī)械研磨的樣品分別在 δ=-16.8、-19.1 和-21.9 ppm 出現(xiàn)了 3 個(gè)相對(duì)弱的信號(hào)峰，這是筆者以前在Ce(SO4)2摻雜以及利用溶膠凝膠法制備的ZrOCl2摻雜的磷硅酸鹽凝膠中未曾發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，也是Matsuda等[18-20]制備的磷硅酸鹽凝膠質(zhì)子導(dǎo)電材料中沒有觀察到的結(jié)果。

磷硅酸鹽凝膠在化學(xué)位移為δ=-20～-25 ppm出現(xiàn)的NMR峰應(yīng)該對(duì)應(yīng)材料中含有兩個(gè)橋氧和一個(gè)羥基的O=P-(OSi or P)2(OH)Q2結(jié)構(gòu)單元，而且通常是將凝膠加熱到300℃以上才產(chǎn)生的[11-12,15-16]。但本文的樣品在室溫條件下制備，說(shuō)明機(jī)械研磨過程中由于磨球?qū)υ系膹?qiáng)大沖擊和擠壓，可能會(huì)在局部造成溫度升高，從而能夠形成常規(guī)合成條件下難以獲得的組織結(jié)構(gòu)。根據(jù)以上分析，我們推斷機(jī)械研磨樣品在 δ=-19.1和-21.9 ppm 出現(xiàn)的信號(hào)峰應(yīng)歸屬于上述的Q2結(jié)構(gòu)單元。由于[PO4]四面體周圍與不同數(shù)量的[SiO4]或[PO4]四面體相結(jié)合，導(dǎo)致NMR譜產(chǎn)生一定的化學(xué)位移，從而產(chǎn)生多個(gè)信號(hào)峰。另外，由于沒有發(fā)現(xiàn)相關(guān)的研究報(bào)道，在δ=-16.8 ppm出現(xiàn)的信號(hào)峰可能是由于機(jī)械研磨造成的樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)排列比較混亂而產(chǎn)生的一些干擾峰。圖3還表明：隨著機(jī)械研磨的逐漸進(jìn)行，這幾個(gè)位置的信號(hào)峰強(qiáng)度逐漸變?nèi)?。?dāng)研磨時(shí)間為20 h時(shí)，除了Q4峰外，其他信號(hào)峰已變得很弱，說(shuō)明機(jī)械研磨有助于形成一比較均勻的結(jié)構(gòu)。上述各信號(hào)峰相對(duì)強(qiáng)度的不斷變化表明：所引入的ZrOCl2在機(jī)械力的作用下參與了化學(xué)反應(yīng)，它促使Q0、Q1、Q3之間相互作用形成了一定數(shù)量帶有羥基的Q2結(jié)構(gòu)單元。這也是溶膠凝膠法制備的相同化學(xué)成分樣品所沒有的特殊結(jié)構(gòu)。

由于質(zhì)子的尺寸很小，它不像其他金屬離子那樣可以獨(dú)立地在材料中移動(dòng)，通常與其他物質(zhì)結(jié)合形成一些復(fù)合離子，如：OH-和H3O+[21]。對(duì)于本研究涉及的材料，筆者認(rèn)為質(zhì)子的傳導(dǎo)主要在OH-和以游離形式存在的Q0結(jié)構(gòu)單元(H3PO4)之間實(shí)現(xiàn)的。隨著機(jī)械研磨的不斷進(jìn)行，由于Q0和Q3等結(jié)構(gòu)單元之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，生成了含有較多羥基的Q1和Q2結(jié)構(gòu)單元，有利于質(zhì)子傳輸，結(jié)果使材料的質(zhì)子電導(dǎo)率提高。當(dāng)研磨時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，由于材料 (如MM 20 h樣品)之間的化學(xué)反應(yīng)比較充分，Q0、Q1、Q2、Q3強(qiáng)度變?nèi)酰宜鼈冊(cè)诓牧现械姆植家沧兊幂^為均勻，不利于質(zhì)子的傳導(dǎo)，結(jié)果使宏觀測(cè)得的質(zhì)子電導(dǎo)率又下降。并且，根據(jù)NMR譜可推斷：機(jī)械研磨樣品(尤其是MM10 h)的質(zhì)子傳導(dǎo)主要是在Q1、Q2結(jié)構(gòu)單元的羥基以及自由磷酸之間完成的，而利用溶膠凝膠法制備的具有相同化學(xué)成分樣品則主要是在Q1和Q0結(jié)構(gòu)單元中完成的。兩者組織結(jié)構(gòu)的差別可能是導(dǎo)致圖2這兩個(gè)樣品質(zhì)子電導(dǎo)率相同、但質(zhì)子傳導(dǎo)激活能存在差別的主要原因。

3 結(jié) 論

對(duì)磷硅酸鹽干凝膠和ZrOCl2·8H2O質(zhì)量比為99.03∶0.97 的混合物進(jìn)行機(jī)械研磨，能夠獲得高質(zhì)子電導(dǎo)率的材料。當(dāng)研磨時(shí)間為10 h時(shí)，所得材料的質(zhì)子電導(dǎo)率最大，σ130=2.4 S·m-1。這一數(shù)值與利用溶膠凝膠法制備的相同化學(xué)成分的樣品數(shù)值相同。但31P NMR譜表明兩者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在一定差異，這是導(dǎo)致前者質(zhì)子傳導(dǎo)激活能大于后者的主要原因。另外，機(jī)械研磨樣品中31P NMR譜對(duì)應(yīng)游離磷酸的信號(hào)峰很弱，而標(biāo)志大量Si-O-P鍵形成的信號(hào)峰很強(qiáng)，這對(duì)提高材料的化學(xué)耐久性十分有利。

[1]Nogami M,Miyamura K,Abe Y.J.Electrochem.Soc.,1997,144:2175-2178

[2]Norby T.Nature,2001,410:877-878

[3]Alberti G,Cascila M.Solids State Ionics,2001,145:3-16

[4]Matsuda A,Nono Y,Tadanaga K,et al.Solid State Ionics,2003,162-163:253-259

[5]ZHOU Gong-Du(周公度).Chemical Dictionary(化學(xué)辭典).Beijing:Chemical Industry Press,2004.

[6]Muha G M,Vaughan P A.J.Chem.Phys.,1960,33:194-199[7]Peng H,Gu N,Machida N T.et al.Electrochim.Acta,2003,48:1893-1897

[8]Peng H,Machida N,Shigematsu T.J.Mater.Chem.,2002,12:1094-1098

[9]Matsuda A,Tezuda T,Nono Y,et al.Solid State Ionics,2005,176:2899-2904

[10]HU Lin-Na(胡琳娜),HE Jun-Hua(何軍花),PENG Hui-Fen(彭會(huì)芬),et al.Chinese J.Inorg.Mater.(Wuji Cailiao Xuebao),2009,24(6):1197-1200

[11]Szu S P,Klein L C,Greenblatt M.J.Non-Cryst.Solids,1992,143:21-30

[12]Fernández-Lorenzo C,Esquivias L,Barbroux P,et al.J.Non-Cryst.Solids,1994,176:189-199

[13]Krawietz T R,Lin P,Lotterhos K E,et al.J.Am.Chem.Soc.,1998,120:8502-8511

[14]Wang L Q,Samuels W D,Exarhos G J,et al.J.Mater.Chem.,1998,8(1):165-169

[15]Clayden N J,Aronne A,Esposite S,et al.J.Non-Cryst.Solids,2004,345-346:601-604

[16]Clayden N J,Esposito S,Pernice P,et al.J.Mater.Chem.,2001,11:936-943

[17]Coelho C,Azais T,Bonhomme-Coury L,et al.J.Magn.Reson.,2006,179:114-119

[18]Matsuda A,Kanzaki T,Tadanaga K,et al.Solid State Ionics,2002,154-155:687-692

[19]Matsuda A,Kanzaki T,Tadanaga K,et al.Electrochim.Acta,2001,47:939-944

[20]Matsuda A,Kanzaki T,Tatsumisago M,et al.Solid State Ionics,2001,145:161-166

[21]Kreuer K D.Chem.Mater.,1996,8:610-641

Preparation of the ZrOCl2-Doped Phosphosilicate Gels by Mechanical Milling

HU Lin-Na1HE Jun-Hua1,2PENG Hui-Fen＊,3
(1School of Chemical Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)
(2Chengdu Sepmem Science&Technology Co.,Ltd,Chengdu 610091,China)
(3School of Materials Science&Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)

Proton conductivity of phosphosilicate gels was greatly decreased due to precipitation of H3PO4during holding under humid conditions.Therefore,modification to the gels by doping was frequently adopted for the purpose of increasing their chemical durability.Our researches revealed that doping of ZrOCl2could improve proton conductivity of the phosphosilicate gel by sol-gel process,and that maximum proton conductivity was reached at a ZrOCl2·8H2O content of 0.97%.Based on this,this paper reported preparation of the ZrOCl2-doped phosphosilicate gel by mechanical milling.Our results proved that mechanical milling could increase proton conductivity of the mixture of starting materials,and that the maximum proton conductivity,σ130=2.4 S·m-1,was obtained at the milling time of 10 h.This value was the same as that of the sol-gel-prepared one with same compositions.However,proton conduction activation energy of the former was higher than that of the latter,main reason for this was that there existed some difference in microstructure.31P NMR measurements indicated that the ball-milled samples,especially the MM10 h one,showed good chemical durability.

phosphosilicate gel;ZrOCl2;mechanical milling;doping

TB332

A

1001-4861(2011)02-0348-05

2010-09-14。收修改稿日期：2010-10-14。

河北省教育廳2009年科研計(jì)劃項(xiàng)目(No.ZD200912)資助。

＊通訊聯(lián)系人。E-mail：peng@hebut.edu.cn，Tel:+86-22-60202458