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鋯英石基An4+放射性核素固化體性能研究

2011-12-20 09:11盧喜瑞崔春龍宋功保舒小艷西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室四川綿陽600中國工程物理研究院核物理與化學研究所四川綿陽6900
中國環(huán)境科學 2011年6期
關(guān)鍵詞:英石物相核素

盧喜瑞,崔春龍,宋功保,張 東,舒小艷 (.西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室,四川綿陽 600;.中國工程物理研究院核物理與化學研究所,四川 綿陽 6900)

鋯英石基An4+放射性核素固化體性能研究

盧喜瑞1*,崔春龍1,宋功保1,張 東2,舒小艷1(1.西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室,四川綿陽 621010;2.中國工程物理研究院核物理與化學研究所,四川 綿陽 621900)

為研究鋯英石基An4+(四價錒系核素)放射性核素固化體的性能,利用Ce4+作為An4+的模擬替代物質(zhì),以ZrO2、SiO2和CeO2粉體為原料,采用高溫固相法制備出包容20%(物質(zhì)的量,下同)Ce4+的鋯英石基固化體,利用60Co源γ射線輻照裝置對其進行572.1kGy的γ射線輻照.利用粉末X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡和電感耦合等離子體質(zhì)譜儀對γ射線輻照前后固化體的物相、結(jié)構(gòu)、微觀形貌及模擬核素的浸出行為進行了研究.結(jié)果表明,固化體中雖包容有20%的Ce4+,但其主物相仍以鋯英石物相為主,與標準樣品相比晶胞參數(shù)發(fā)生10-4nm量級的變化,經(jīng)γ射線輻照后樣品晶胞參數(shù)僅發(fā)生了10-5~10-4nm量級的微弱變化,在pH6.5的HCI浸出液中Ce4+的平衡濃度低于0.30μg/L.

鋯英石;四價;錒系核素;固化;性能

核能的利用已成為繼化石燃料(包括煤、石油和天然氣等)和水力資源之后的第3種主要能源[1].然而在核工業(yè)運行的過程中難免會產(chǎn)生出大量由錒系元素(U、Pu和Am,等)、裂變產(chǎn)物(Sr、Cs和 Pb,等)和一些常量元素所組成的高放射性廢物(HLW).錒系元素及其裂變產(chǎn)物在衰變過程中所產(chǎn)生的 α、β、γ射線,如果進入生物圈將會對人類的生存構(gòu)成威脅.當前科學界普遍認為,對高放廢物處理相對比較理想的方法是,先對其進行固化,再將固化體儲存或埋藏在某個特定的地下場所.由于固化體的性質(zhì)會直接影響到高放廢物最終處置的安全性,因此,放射性廢物固化體的安全穩(wěn)定性問題也就顯得尤為重要[2-3].對于礦物固化體,一些國外學者對其備選礦物(氧化鋯、榍石、獨居石,等)進行了一系列的研究工作[4-11],但是還不夠系統(tǒng).而我國此方面的研究鮮見報道.由于鋯英石可以將錒系核素作為晶體的組成部分而實現(xiàn)對核素的固定處理,被研究者普遍認為是固化高放廢物中錒系核素的理想固化介質(zhì)材料[12-13].鑒于此,本研究以 Ce4+作為 An4+(四價錒系核素)的模擬替代物質(zhì),以ZrO2、SiO2和CeO2粉體為原料,設(shè)計了包容Ce4+為20%的鋯英石基固化體配方,在1500℃條件下采用高溫固相法進行固化體的制備,利用60Co源γ射線輻照裝置對其進行572.1kGy的γ射線輻照,并在pH6.5、溫度為70℃的恒溫條件下,對固化體中Ce4+的浸出狀況進行研究,進而為開展 An4+鋯英石人工礦物固化體的研究工作提供一些必要的科學性數(shù)據(jù)和參考.

1 實驗方法

1.1 固化體制備

ZrO2粉,分析純,含量≥99.0%(成都市科龍化工試劑廠);SiO2粉,分析純,含量≥99.0%(天津市科密歐化學試劑有限公司);CeO2粉,分析純,含量≥99.0%(天津市科密歐化學試劑有限公司);無水乙醇,分析純,含量≥99.7%(成都市聯(lián)合化工試劑研究所).

利用瑞士Mettler toledo公司生產(chǎn)的AL204型電子天平,按1:1:0.2的摩爾比,分別稱取一定量的ZrO2、SiO2和CeO2粉體加入裝有70mL酒精的500mL尼龍球磨罐中.按質(zhì)量比為1:2.5的料球比,加入一定量的直徑為4mm的ZrO2小球,在球磨機上以240r/min的轉(zhuǎn)速將原料球磨24h,然后用濾紙將球磨后的樣品過濾后在 80℃的烘箱中烘干,再將干燥過的原料放入瑪瑙研缽內(nèi)研磨并過300目標準篩(篩孔尺寸為0.05mm),樣品命名為E.

用電子天平分別稱取 7份(1.30±0.01)g 的E,利用壓片機在10MPa壓力條件下保壓10min成型壓片.將壓片分別放入7只80mL剛玉坩堝中,然后將裝好樣品的坩堝放入電阻爐中進行固化體的制備.在室溫至 100℃時,電阻爐實行程序自行升溫,其升溫時間為15min左右,然后通過設(shè)計程序使其在4h后達到1500℃并保溫22h,然后自然冷卻至 200℃左右將樣品取出,再自行冷卻至室溫,所制備的固化體分別命名為F1、F2、F3、F4、F5、F6和 F7.利用游標卡尺對所制備的固化體尺寸進行測量得出 F1~F7的直徑(d)為(12.00±0.02)mm,高(h)為(3.48±0.02)mm.

1.2 γ射線輻照實驗

利用四川科學城鈷源輻照技術(shù)有限責任公司所提供的60Co源γ射線輻照裝置,在空氣中對F1樣品進行γ射線輻照,設(shè)定輻照劑量為576kGy;射線能量為 1.33MeV;輻射源活度為 15萬Ci(5.55×1015Bq);輻射源排列方式為單板源;劑量測試系統(tǒng)為重鉻酸銀化學劑量測試系統(tǒng);劑量計為低重鉻酸銀化學劑量計,輻射后所獲得的樣品命名為SF.

1.3 浸出實驗

以HCl為溶質(zhì)(分析純,含量36%~38%),蒸餾水為溶劑,配置一定量pH值為6.5的模擬浸出液.將F2、F3、F4、F5和F6樣品分別放入加有50mL浸出液的高壓消解罐密封,然后放入電熱恒溫干燥箱中,設(shè)定溫度為 70℃.在保溫 7,14,21,28,35d后,依次取出裝有F2、F3、F4、F5和F6的高溫消解罐,然后自然冷卻至室溫后把浸出液依次倒入5個烘干備用的塑料瓶中,分別標記為L4-70-7、L4-70-14、L4-70-21、L4-70-28和L4-70-35.

1.4 樣品測試

利用日本理學生產(chǎn)的D/Max-RB型X射線衍射儀對樣品 E和經(jīng)研磨細化處理后的 F7和SF(<200目)進行物相分析,掃描范圍為 3~80o,掃描速度為2o/min,步寬0.02o,Cu靶,36kV,30Ma.取少量未研磨的F7和SF樣品,用導(dǎo)電膠帶將其固定,經(jīng)噴金處理后在英國Leica 生產(chǎn)的S440掃描電子顯微鏡下進行鏡下觀察.通過VG PQ ExCell型等離子體質(zhì)譜儀對 L4-70-7、L4-70-14、L4-70-21、L4-70-28和 L4-70-35浸出液中的Ce4+的含量(μg/L)進行測試,環(huán)境濕度為 72%,溫度為23℃.

2 結(jié)果與討論

E、F7和SF樣品的XRD衍射圖譜如圖1所示.通過圖1中F7的衍射曲線,可以看出所制備固化體的主物相以 ZrSiO4物相為主,戈德施米特(V.M.Goldschmidt)和格瑞姆(H.G.Grimm)[14]曾指出:當相互取代的 2種質(zhì)點(原子、離子或分子)價態(tài)相同時,2種質(zhì)點半徑差值不超過較小質(zhì)點的15%時,即[(r1-r2)/r2]<15%就可以在晶體結(jié)構(gòu)中相互代替.索波列夫[15]也曾指出:在電價和離子類型相同的情況下,離子在晶體結(jié)構(gòu)中的類質(zhì)同像代替能力隨半徑差別增加而減小,當 [(r1-r2)/r2]<10%時,一般形成完全類質(zhì)同像;當[(r1-r2)/r2]在10%到25%的范圍時.在高溫環(huán)境下形成完全類質(zhì)同像,溫度下降時,固溶體發(fā)生離溶;當[25%<(r1-r2)/r2]<40%時,即使在高溫下也只能形成不完全的類質(zhì)同像,而在低溫下不能形成類質(zhì)同像.由于Zr4+(r=0.072 nm)、Ce4+(r=0.080 nm),根據(jù)其理論可以計算得出:[(rCe4+-rZr4+)/rZr4+]≈11%,介于10%到25%的范圍內(nèi),可以推測在高溫環(huán)境下 Ce4+與 Zr4+可以以完全類質(zhì)同像的形式發(fā)生替換,從而導(dǎo)致固化體以 ZrSiO4物相為主.由于實驗原料中ZrO2和SiO2是按照1:1摩爾比加入的,當加入20% CeO2進行高溫制備時,大量Ce4+取代 Zr4+的位置發(fā)生類質(zhì)同象作用,從而會導(dǎo)致大量 Zr4+脫離原來所占據(jù)的晶格位游離出來,但在XRD圖譜中沒有發(fā)現(xiàn)有ZrO2和CeO2物相衍射峰線的出現(xiàn),同時在 2θ=28.7°和2θ=29.8°位置之間出現(xiàn)了 2條未知的衍射線.這可能是由于固化體中的 Zr4+、Si4+、Ce4+和 O2-除了以 Zr1-xCex+ySi1-yO4(x+y≤0.2)的形式存在外, Zr4+、Si4+、Ce4+和O2-之間可能形成了新的化合物.通過查閱大量的標準PDF卡片發(fā)現(xiàn)2θ=28.7°和 2θ=29.8°位置的衍射曲線與圖庫中已知的有關(guān)Zr4+、Si4+、Ce4+和O2-之間所形成有關(guān)化合物的衍射曲線不相符合,由此推斷反應(yīng)中可能有新物質(zhì)出現(xiàn),對于是何種新物質(zhì)出現(xiàn),這有待于進一步深入探討研究.

利用Chekcell軟件對F7樣品的晶胞參數(shù)進行計算,其計算結(jié)果如表 1所示.與標準卡片PDF06-0266中的晶胞參數(shù)相比較,F7晶胞參數(shù)變化值為:△a=△b=0.00082nm、△c=0.0008nm、△α=△β=△γ=0°,摻雜前后固化體晶胞參數(shù)放生了 10-4nm量級的微弱變化.導(dǎo)致固化體晶胞參數(shù)發(fā)生變化主要是由于在固化體中加入了Ce4+,大量 Zr4+和被 Ce4+所取代,從而會致使晶體的晶胞參數(shù)發(fā)生變化,晶體結(jié)構(gòu)的無序程度增加.

圖1 E、F7和SF XRD圖譜Fig.1 X-ray profiles of sample E, F7 and SF

表1 F7和SF樣品晶胞參數(shù)計算結(jié)果Table 1 Calculated crystal cell parameters of sample F7 and SF

當鋯英石中包容一定量U和Th等放射性元素時,它們在衰變過程中會產(chǎn)生大量的α、β和γ射線,并伴隨有核的反沖作用等效應(yīng)發(fā)生,這一切都會影響到晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性.當輻射劑量達到一定的極限值時就會導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)的瓦解.目前,已在結(jié)構(gòu)破壞較嚴重的鋯英石中發(fā)現(xiàn)大量U4+、Th4+、Zr4+和 Si4+等離子以 UO2、ThO2,ZrO2和SiO2等氧化物的形式存在,普遍認為是輻照所致.故本研究所使用的 γ射線輻照劑量以導(dǎo)致ZrSiO4分解為ZrO2和SiO2所需要的能量值為依據(jù),適當對其劑量值進行選取.根據(jù)化學反應(yīng)的焓變公式:

式中:?rH(298.15K)為標況下反應(yīng)的標準摩爾焓變,kJ/mol; ?fH為物質(zhì)的標準摩爾生成焓, kJ/mol;PB為產(chǎn)物在方程式中的計量系數(shù);RB為反應(yīng)物在方程式中的計量系數(shù);νB為化學反應(yīng)計量系數(shù).

研究中所使用的 γ射線劑量值為 1.04×102kJ/mol,約合576 kGy,約為 ?rH(298.15K)的6.7倍.因此,選用劑量理論上足夠?qū)е耑rSiO4分解為ZrO2和SiO2.

γ光子為波長較短的電磁波,能量通常為2~1200keV,研究選擇1.33MeV的中能γ光子為輻照射線進行研究.輻照劑量率設(shè)定為91.60Gy/min,則每摩爾鋯英石每s所受γ光子輻照數(shù)目N為:

式中:H為γ射線輻照劑量率,J/(s·mol);Er為γ光子能量,J.

在對SF樣品實施γ射線輻照的過程中,利用重鉻酸銀化學劑量測試系統(tǒng)對樣品所接受的輻照劑量進行測試,得出樣品的實際所受輻照劑量為572.1kGy.輻照后樣品的XRD衍射圖譜如圖1所示,通過圖1可以看出,SF的主物相仍以ZrSiO4物相為主,與γ射線輻照前樣品的XRD圖譜比較可以看出,輻照后樣品衍射曲線的強度略微出現(xiàn)降低,峰線發(fā)生不明顯的寬化,這說明γ射線對固化體的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了破壞,引起固化體無序化程度的增強,但所引起的變化是非常有限的.利用Chekcell軟件對SF樣品的晶胞參數(shù)進行計算,其計算結(jié)果如表 1所示:與標準卡片 PDF06-0266中的晶胞參數(shù)相比較,SF晶胞參數(shù)變化值為:△a=△b=0.0009nm、△c=0.00068nm、△α=△β=△γ=0°,SF與γ射線輻照前F7樣品的晶體參數(shù)相比較,△a′=△b′=0.00008nm、△c′=-0.00012nm、△α′=△β′=△γ′=0°.摻雜前后固化體晶胞參數(shù)放生了10-5~10-4nm量級的微弱變化.這說明所制備的固化體面對大劑量的 γ射線輻照具有一定的抗輻照結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性.

未經(jīng)研磨的F7和SF樣品SEM照片,如圖2、圖3所示.通過SEM照片可以看出,F7的晶粒度主要集中在 5μm左右,表面比較平整,形貌主要以板塊狀為主.從γ射線輻照后所獲得的SF樣品照片可以看出,樣品沒有出現(xiàn)裂紋等結(jié)構(gòu)遭受明顯破壞的跡象,表面形貌依然很光滑,未出現(xiàn)明顯變化.

圖2 F7樣品SEM照片F(xiàn)ig.2 SEM photographs of Sample F7

由于固化體在深埋地層中的深度通常為1000m[15],故此研究根據(jù)地溫梯度值選取 70℃作為研究溫度,且地層中以弱酸性環(huán)境居多,選取pH6.5的弱酸性環(huán)境開展浸出實驗研究.固化體浸出實驗的測試結(jié)果如圖4所示.通過圖4可以看出固化體中Ce4+的浸出量在7,14,21,28,35d分別為0.14,0.15,0.19,0.26,0.27μg/L,在28d以前呈現(xiàn)出逐漸上升的趨勢,28d以后 Ce4+的浸出量基本不變.這是由于把鋯英石基 An4+模擬固化體放入浸出液中,由于極性很大的H2O和HCl分子與固化體晶格中的 Ce4+相互吸引而發(fā)生作用,結(jié)果一部分 Ce4+與晶體格子構(gòu)造中其它離子的鍵力減弱,甚至可以離開固化體而進入與固化體表面接近的浸出液中,固化體因失去Ce4+而帶負電荷,溶液中因Ce4+進入而帶正電荷.這2種相反的電荷彼此又相互吸引,以至大多數(shù) Ce4+聚集在固化體表面附近的浸出液中而使溶液帶正電,對 Ce4+的浸出有排斥作用,從而阻止Ce4+的繼續(xù)溶解.已溶入浸出液中的 Ce4+仍可以再沉積到固化體的表面上.當Ce4+的υ溶解= υ吸附時,達到了一種動態(tài)平衡,這樣在浸出液中 Ce4+的濃度值達到一穩(wěn)定值.可以推測 28d左右固化體和浸出液中的Ce4+在此條件下達到動態(tài)平衡.可以得出,所制備的An4+模擬固化體在包容有20mol%模擬核素的狀況下,在pH=6.5的弱酸性液態(tài)環(huán)境下浸出率是非常低的,平衡濃度在0.30μg/L以下,具有一定的化學穩(wěn)定性.

圖3 SF樣品SEM照片F(xiàn)ig.3 SEM photographs of Sample SF

圖4 固化體中Ce4+浸出ICP-Mass測試結(jié)果Fig.4 ICP-Mass results of Ce4+ leaching from simulated waste forms

3 結(jié)論

3.1 所制備的鋯英石基An4+模擬固化體中雖摻有20%的Ce4+,但其主物相仍以鋯英石物相為主,與標準樣品的晶胞參數(shù)相比發(fā)生了~10-4nm量級的微弱變化.

3.2 所制備固化體的 XRD圖譜中 2θ=28.7°和2θ=29.8°位置出現(xiàn)了2條目前標準PDF卡片圖庫中所沒有的有關(guān)Zr4+、Si4+、Ce4+和O2-之間所形成化合物的衍射曲線,系可能有新的物相出現(xiàn),至于是何種新物象產(chǎn)生,這有待于進一步深入探討研究.

3.3 所制備固化體的晶粒度主要集中在 5μm左右,以板塊狀為主,經(jīng)572.1kGy的γ射線輻照后,其結(jié)構(gòu)沒有發(fā)現(xiàn)遭受明顯破壞的跡象,固化體的晶胞參數(shù)發(fā)生了10-5~10-4nm量級的微弱變化.

3.4 An4+模擬固化體在包容 20mol%模擬核素的條件下,在pH6.5的弱酸性液態(tài)環(huán)境下浸出率非常低,平衡濃度在0.30μg/L以下,具有一定的化學穩(wěn)定性.

3.5 利用鋯英石作為高放廢物固化體基材,在固化 20%的 An4+時,具有一定的抗γ射線和化學穩(wěn)定性,是一種較有希望的An4+固化備選礦物.

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Capability of zircon as radioactive waste forms for immobilizing tetravalent actinides.

LU Xi-rui1*, CUI Chun-long1, SONG Gong-bao1, ZHANG Dong2, SHU Xiao-yan1(1.National Defense Key Discipline Laboratory of Nuclear Waste and Environmental Safety, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, China;2.Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China). China Environmental Science, 2011,31(6):938~943

In order to investigate the capability of zircon as radioactive waste forms for immobilizing tetravalent actinides, tetravalent europium (Ce4+) was used as the simulacrum for tetravalent actinides, the waste forms containing 20% Ce4+were successfully synthesized by high temperature solid reaction and using ZrO2, SiO2and CeO2powders as starting materials. Then, the as-gained samples were irradiated using a60Co γ-ray source with 572.1kGy doses. The phases, structure, microcosmic shape and leaching yield of synthesized waste forms before and after γ-ray irradiation were characterized by the help of X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-Mass). The zircon phase was the major phase for the as-gained waste forms although containing 20% Ce4+. The alteration of 10-4nm magnitude in the crystal cell parameters was measured (cf the standard XRD card of zircon). The crystal cell parameters of samples changed between 10-5and 10-4nm magnitude before and after irradiation. The equilibrium concentration of Ce4+in HCI lixivium (pH=6.5) was less than 0.30μg/L.

zircon;tetravalence;actinides;immobilization;capability

X591,O611.3

A

1000-6923(2011)06-0938-06

2010-10-25

國家“863”項目(2009AA050703);國家自然科學基金委員會-中國工程物理研究院聯(lián)合基金資助(10676030);西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室資助項目(10zxnk03)

* 責任作者, 助教, luxiruimvp116@163.com

盧喜瑞(1983-)男,內(nèi)蒙古林西人,助教,四川大學博士研究生,主要從事新材料研發(fā)及核廢物處理研究.發(fā)表論文20余篇.

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