高延敏,季燕青,李思瑩,代仕梅
(江蘇科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇鎮(zhèn)江,212003)
Sn O2是N型半導(dǎo)體材料[1]。隨著太陽(yáng)能薄膜技術(shù)、LED和電子技術(shù)的發(fā)展,Sn O2良好的導(dǎo)電、透明等特性引起科學(xué)界的廣泛關(guān)注。Sn O2原料價(jià)格低廉、資源豐富[2],可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn),在太陽(yáng)能電池、氣敏元件等領(lǐng)域具有廣闊的商業(yè)應(yīng)用前景。溶膠-凝膠法是制備SnO2納米粉體的重要方法。在Sn O2納米粉體制備過(guò)程中,鹽溶液起始反應(yīng)濃度、反應(yīng)溫度、p H值、洗滌方式以及焙燒溫度等因素均對(duì)Sn O2納米粉體的粒徑大小、表面形貌等產(chǎn)生重要影響。在SnO2納米粉體制備工藝參數(shù)控制方面,陸凡等[3]認(rèn)為鹽溶液的p H值為1.0~2.0時(shí)膠溶效果最好;索輝等[4]認(rèn)為Sn(OH)4最佳膠溶溫度為40~70℃;李青山等[5]認(rèn)為反應(yīng)溫度在600℃以下制備的納米顆粒粒徑比較小。為優(yōu)化Sn O2納米粉體制備條件,本文采用溶膠-凝膠法制備Sn O2納米粉體,研究鹽溶液起始反應(yīng)濃度、反應(yīng)溫度、洗滌方式、焙燒溫度等因素對(duì)Sn O2納米粉體性能的影響,以期尋求性能優(yōu)異、成本低廉的Sn O2納米粉體制備方法。
本實(shí)驗(yàn)所用試劑為SnCl4·5 H2O、NH3·H2O、CH3CH2OH和Ag NO3,以上試劑均為化學(xué)純。所用分析儀器為TG-DTA型熱分析儀、XRD-6000型X射線衍射儀、U-4100型紫外-可見(jiàn)近紅外分光光度計(jì)和JSM-6480型掃描電鏡。
1.2.1 SnO2納米粉體的制備
將一定量的SnCl4·5H2O溶入無(wú)水乙醇中,于70℃恒溫水浴攪拌回流2 h,超聲波分散2 h;然后在攪拌條件下,以無(wú)水乙醇為沉淀劑滴入SnC14溶液中,控制反應(yīng)溫度和終點(diǎn)溶液p H值,制得SnO2前驅(qū)體膠狀沉淀;將所得SnO2前驅(qū)體溶膠在室溫下放置老化成凝膠,用蒸餾水和無(wú)水乙醇對(duì)凝膠進(jìn)行反復(fù)抽濾洗滌,直至濾液中加入Ag NO3(0.l mol/L)溶液無(wú)沉淀產(chǎn)生、Cl-完全洗去后,得到含大量自由水的濕凝膠;將濕凝膠80℃×2 h干燥后,再經(jīng)焙燒((300~600)℃×3 h)處理即制得淡黃色Sn O2納米粉體試樣。
1.2.2 試樣表征
采用XRD、SEM分析對(duì)試樣晶體物相結(jié)構(gòu)、表面形貌和顆粒分布情況進(jìn)行表征,并根據(jù)Scherrer公式計(jì)算晶體的晶粒尺寸;采用TGDTA對(duì)試樣進(jìn)行熱穩(wěn)定分析;采用UV-Vis對(duì)試樣進(jìn)行光學(xué)性能測(cè)試。
初始鹽溶液濃度分別為0.1、0.2、0.4 mol/L條件下所制試樣的XRD圖譜如圖1所示。由圖1可看出,不同初始濃度鹽溶液制備的試樣晶型相同,但其衍射峰峰值有一定的變化:當(dāng)初始鹽溶液濃度為0.1 mol/L時(shí),試樣衍射峰峰值最低,半峰寬較寬;當(dāng)初始鹽溶液濃度為0.2 mol/L時(shí),試樣衍射峰峰值升高,表明在此濃度下制備的試樣晶型逐步趨于完善;當(dāng)初始鹽溶液濃度為0.4 mol/L時(shí),試樣衍射峰峰值反而降低,這表明Sn O2粉體的結(jié)晶效果與其初始鹽溶液濃度有關(guān)。
圖1 不同鹽溶液濃度下所制SnO2粉體的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of SnO2 power prepared at different SnCl4 concentrations
根據(jù)圖1并采用Scherrer公式估算出不同濃度鹽溶液制得的SnO2粉體晶粒尺寸,其結(jié)果如圖2所示,該實(shí)驗(yàn)條件下制備的Sn O2粉體呈納米尺寸。由溶膠形成原理可知,過(guò)飽和度越大即鹽溶液起始濃度越大,成核速率越大,制得粉體粒徑就越小。但由圖2可看出,并不是鹽溶液濃度越大而制得的Sn O2粉體粒徑越小。當(dāng)鹽溶液濃度超過(guò)0.2 mol/L時(shí),SnO2粉體粒徑迅速增大,因此對(duì)于膠體來(lái)說(shuō),鹽溶液濃度會(huì)有一個(gè)最大值的限制,鹽溶液濃度大于此值時(shí)會(huì)引起膠體的聚沉而破壞膠體的形成,導(dǎo)致顆粒尺寸增大;同時(shí)鹽溶液濃度也不能太小,太小會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)而使Sn O2粉體粒徑增大。當(dāng)鹽溶液濃度為0.2 mol/L時(shí),其曲線出現(xiàn)最低點(diǎn),即此濃度下所得Sn O2粉體晶粒尺寸較小。綜合考慮,選擇初始鹽溶液濃度為0.2 mol/L。
圖2 不同鹽溶液濃度下所制SnO2粉體的晶粒尺寸Fig.2 Crystallite dimension of SnO2 powder prepared at different SnCl4 concentrations
圖3為不同反應(yīng)溫度下制得SnO2粉體的XRD圖譜。由圖3可看出,在反應(yīng)溫度為60~80℃時(shí)均出現(xiàn)相同晶型的SnO2,只是其特征峰的峰值有所不同。所以反應(yīng)溫度對(duì)Sn O2晶型的影響不大,但對(duì)SnO2結(jié)晶效果有一定的影響。當(dāng)反應(yīng)溫度為60℃時(shí),Sn O2衍射峰不是很尖銳,峰值較低,半峰寬較大,這主要是由于反應(yīng)溫度較低時(shí),OH-的電離速度緩慢,初始形成的晶核較少,隨著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)會(huì)使晶核過(guò)度長(zhǎng)大,但反應(yīng)溫度也不宜過(guò)高。
圖3 不同反應(yīng)溫度下所制SnO2粉體的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of SnO2 power prepared at different reaction temperatures
圖4為不同反應(yīng)溫度下制得SnO2粉體的晶粒尺寸。由圖4可看出,反應(yīng)溫度為70℃時(shí)所制SnO2晶粒的尺寸最小,約為30 nm。另外,從圖3可看出,與反應(yīng)溫度為80℃所制Sn O2晶核相比,反應(yīng)溫度為70℃時(shí)所制SnO2晶核的衍射峰更加尖銳,這表明體系反應(yīng)速率過(guò)快也會(huì)影響SnO2的結(jié)晶過(guò)程,同時(shí)反應(yīng)溫度過(guò)高,易造成反應(yīng)溶液中水分、乙醇與NH3大量揮發(fā)而影響反應(yīng)效率,因此,本實(shí)驗(yàn)選擇反應(yīng)溫度為70℃。
圖4 不同反應(yīng)溫度下制得SnO2粉體的晶粒尺寸Fig.4 Crystallite dimension of SnO2 powder prepared at different reaction temperatures
采用混合洗滌和水洗法處理干凝膠沉淀。混合洗滌法是先用去離子水進(jìn)行洗滌,然后再用無(wú)水乙醇進(jìn)行洗滌,水洗法只用去離子水洗滌。圖5為兩種洗滌法所制SnO2粉體的SEM照片。由圖5可看出,經(jīng)過(guò)混合洗滌所制SnO2粉體的顆粒尺寸比經(jīng)過(guò)去離子水洗滌所制Sn O2粉體的顆粒尺寸小得多,顆粒分散均勻。水表面張力較大,水分子與膠體顆粒表面的羥基易形成氫鍵,造成干燥時(shí)進(jìn)一步脫水使顆粒產(chǎn)生化學(xué)鍵而形成團(tuán)聚體。采用表面張力較小的有機(jī)溶劑和去離子水共同作用于凝膠表面,不僅可減輕因表面張力而引起的顆粒團(tuán)聚,同時(shí)還可減輕殘余的Cl-等類離子使干凝膠中非架橋羥基數(shù)量大大增加而在焙燒過(guò)程中產(chǎn)生的硬團(tuán)聚。因此,本實(shí)驗(yàn)選取的洗滌凝膠方式為采用去離子水和無(wú)水乙醇的混合洗滌。
圖5 不同洗滌法下所制SnO2粉體的SEM照片F(xiàn)ig.5 SEM images of SnO2 power prepared with different washing methods
圖6為鹽溶液濃度為0.2 mol/L、反應(yīng)溫度為70℃時(shí)所制SnO2前驅(qū)體粉體的TG-DTA曲線。由圖6可看出,Sn O2粉體在100℃以前即開(kāi)始失重,這可能是由于制得的SnO2粉體顆粒很小,比表面積很大,吸附了空氣中的大量水分子,且洗滌時(shí)的大量無(wú)水乙醇與SnO2粉體的結(jié)合力很弱,在低溫下即開(kāi)始失去。在100℃左右有一個(gè)明顯的吸熱峰,對(duì)應(yīng)的TG曲線上有明顯的失重臺(tái)階,為干凝膠脫除物理吸附水和結(jié)構(gòu)水所致。TG曲線在500℃時(shí)趨于水平,表明Sn O2粉體已完成由非晶態(tài)向晶態(tài)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變。因此本實(shí)驗(yàn)初步確定的焙燒溫度為500℃。
圖6 干凝膠試樣的TG-DTA曲線Fig.6 TG-DTA curve of xerogel power
由計(jì)算可得SnO2粉體總失重率約為23%,由此推測(cè)對(duì)應(yīng)化學(xué)反應(yīng)為+2H2O,失重率為19.28%。實(shí)驗(yàn)失重率與理論值[6]相吻合,表明由此所制得的Sn O2前驅(qū)體結(jié)構(gòu)不是H2SnO3結(jié)構(gòu),而是Sn(OH)4結(jié)構(gòu)。
不同焙燒溫度所制Sn O2粉體的XRD圖譜如圖7所示。由圖7可看出,在不同焙燒溫度下均可得到相同晶型的Sn O2粉體,且試樣的X射線衍射數(shù)據(jù)與四方相SnO2的JCPDS標(biāo)準(zhǔn)卡片(卡號(hào):21-1250)完全相符,這表明試樣具有四方相金紅石結(jié)構(gòu)。
圖7 不同焙燒溫度下所制SnO2粉體的XRD圖譜Fig.7 XRD patterns of SnO2 power prepared at different calcination temperatures
圖8為SnO2粉體粒徑與焙燒溫度的關(guān)系。由圖8可看出,在300℃時(shí),試樣衍射峰不明顯,晶粒尺寸很小,即低溫時(shí)試樣中晶核形成尚不久,幾乎沒(méi)有生長(zhǎng);在500℃時(shí),晶粒平均粒徑約為30 nm,500℃以上的晶粒尺寸增大更快,這是由于隨著焙燒溫度的升高,晶粒生長(zhǎng)以質(zhì)點(diǎn)界面擴(kuò)散和體積擴(kuò)散方式進(jìn)行,質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散速率也增大,晶粒生長(zhǎng)加快,晶體結(jié)構(gòu)趨于完整,晶粒之間的交界面變寬,晶界成為質(zhì)點(diǎn)快速遷移通道,晶粒生長(zhǎng)以晶界位移的方式進(jìn)行。由于焙燒溫度在Sn O2粉體制備過(guò)程中對(duì)晶粒尺寸影響極大,同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致Sn O2粉體硬團(tuán)聚的產(chǎn)生,因此應(yīng)嚴(yán)格控制Sn O2前驅(qū)體的焙燒溫度。
圖8 SnO2粉體晶粒尺寸與焙燒溫度的關(guān)系Fig.8 Relationship between crystallite dimension of SnO2 powder and calcination temperatures
圖9為不同焙燒溫度下所制SnO2粉體的光吸收?qǐng)D譜。由圖9可看出,所有試樣的光吸收系數(shù)曲線隨入射光能量的增強(qiáng),存在光吸收系數(shù)較低的弱吸收、光吸收系數(shù)增大的線性變化和光吸收系數(shù)較高并基本恒定強(qiáng)吸收3個(gè)特征區(qū)域。在3個(gè)特征區(qū)域中,線性變化吸收區(qū)域能夠反映SnO2粉體具備價(jià)帶電子吸收一定光能量后向?qū)кS遷的特性。由于焙燒溫度的不同,合成后SnO2粉體的晶粒大小、晶體完整性則不同,可能導(dǎo)致光吸收系數(shù)尤其是在強(qiáng)吸收區(qū)域的數(shù)值有所不同:在400℃焙燒SnO2粉體的光吸收系數(shù)處于較高值,但線性吸收區(qū)域不明顯,表明其焙燒后的半導(dǎo)體特性還不明顯;在500℃焙燒時(shí),由于Sn O2粉體的晶粒更細(xì),晶體缺陷減少,因此入射光能量升高至帶隙寬度(Eg)時(shí),激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶,使得光吸收系數(shù)有線性躍遷階段和飽和吸收區(qū)域的平穩(wěn)階段,表明500℃焙燒后Sn O2粉體開(kāi)始具備半導(dǎo)體的特性。從焙燒溫度對(duì)SnO2粉體晶體結(jié)構(gòu)和晶粒大小以及光吸收的影響來(lái)考慮,本研究選擇的最佳焙燒溫度為500℃。
圖9 不同焙燒溫度下所制SnO2粉體的光吸收?qǐng)D譜Fig.9 Optical absorption spectra of SnO2 powder prepared at different calcination temperatures
(1)鹽溶液起始反應(yīng)濃度、反應(yīng)溫度、洗滌方式和焙燒溫度對(duì)SnO2粉體的晶粒尺寸、表面形貌以及光學(xué)性能均會(huì)產(chǎn)生影響。
(2)在初始鹽溶液反應(yīng)濃度為0.2 mol/L、反應(yīng)溫度為70℃的條件下,采用混合洗滌沉淀法制備SnO2前驅(qū)體,其濕凝膠表面顆粒分散比較均勻;將Sn O2前驅(qū)體于500℃溫度下焙燒,可制得平均晶粒尺寸約為30 nm、光學(xué)性能較好的SnO2納米粉體。
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