張 靜,水銘旗
(中國電子科技集團公司第四十七研究所,沈陽110032)
隨著半導體集成電路事業(yè)的飛速發(fā)展,對半導體集成電路的性能要求越來越高,為了保證集成電路的質量,半導體集成電路的測試技術就非常重要。半導體集成電路的測試主要包括功能測試、靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試。這些參數(shù)是用來衡量電路功能、性能是否符合規(guī)范或者用戶要求的指標?,F(xiàn)簡單介紹一下靜態(tài)參數(shù)的概念、基本測試原理及方法。
靜態(tài)參數(shù)測試是檢驗電路中晶體管開關閉合的狀態(tài)是否正確的指標,電路基本邏輯實現(xiàn)后,是否可以應用到具體設備上,是否符合用戶需求,還要看其靜態(tài)參數(shù)是否符合要求。
靜態(tài)參數(shù)也叫做直流參數(shù),現(xiàn)介紹幾個主要的靜態(tài)參數(shù):
(1)輸入高電平電壓VIH,輸入低電平電壓VIL
定義:使輸出端電平為規(guī)定值時,輸入端所施加的最小高電平電壓為VIH。
使輸出端電平為規(guī)定值時,輸入端所施加的最大低電平電壓為VIL。
(2)輸出高電平電壓VOH,輸出低電平電壓VOL
定義:輸入端在施加規(guī)定的電平下,使輸出端為邏輯高電平H時的電壓為VOH。
輸入端在施加規(guī)定的電平下,使輸出端為邏輯低電平L時的電壓為VOL。
(3)輸入高電平電流IIH,輸入低電平電流IIL
定義:輸入端在施加規(guī)定的高電平電壓VIH時流入器件的電流為IIH。
輸入端在施加規(guī)定的低電平電壓VIL時流出器件的電流為IIL。
(4)輸出高電平電流IOH,輸出低電平電流IOL
定義:輸入端在施加規(guī)定的電平使輸出為高電平H時,輸出端施加規(guī)定的電平下流出器件的電流為IOH。
輸入端在施加規(guī)定的電平使輸出為低電平L時,輸出端施加規(guī)定的電平下流入器件的電流為IOL。
(5)輸出高阻態(tài)時高電平電流IOZH,輸出高阻態(tài)時低電平電流IOZL
定義:三態(tài)輸出的器件,三態(tài)控制端在施加規(guī)定的電平使輸出為高阻態(tài)下,輸出端施加規(guī)定的高電平電壓VO時流入器件的電流為IOZH。
三態(tài)輸出的器件,三態(tài)控制端在施加規(guī)定的電平使輸出為高阻態(tài)下,輸出端施加規(guī)定的低電平電壓VO時流出器件的電流為IOZL。
(6)電源電流IDD
定義:輸入端在施加規(guī)定的電平下,經(jīng)電源端流入器件的電流。
靜態(tài)參數(shù)測試是在大規(guī)模集成電路測試系統(tǒng)上完成的,以26C31為例介紹一下各參數(shù)的測試方法。
簡單例舉26C31的幾個靜態(tài)參數(shù)來介紹測試方法。其電特性如表1所示。
表1 26C31靜態(tài)參數(shù)表(摘錄)
(1)輸入高電平電壓VIH,輸入低電平電壓VIL的測試
輸入高、低電平的測試有兩種方法,一是掃描測試法,二是功能驗證法。大都采用第二種方法:首先設置電源電壓VDD=5V,輸入端的輸入高電平設置為2.0V,輸入端的輸入低電平設置為0.8V,測試電路的功能,如果功能通過,就證明輸入高、低電平合格;如果功能沒能通過,就證明輸入高、低電平不合格。
(2)輸出高電平電壓VOH,輸出低電平電壓VOL的測試
輸出高電平電壓VOH的測試:首先設置電源電壓VDD=4.5V,輸入端的輸入高電平設置為2.0V,輸入端的輸入低電平設置為0.8V,被測輸出端為邏輯高電平時,被測輸出端強制-20mA的電流,測試輸出端的電壓值,若大于2.5V,合格;否則,失效。
輸出低電平電壓VOL的測試:首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的輸入高電平設置為2.0V,輸入端的輸入低電平設置為0.8V,被測輸出端為邏輯低電平時,被測輸出端強制20mA的電流,測試輸出端的電壓值,若小于0.5V,合格;否則,失效。
需要說明的是在測試輸出高、低電平的同時也驗證了輸出高電平電流IOH和輸出低電平電流IOL。測試時強制的電流值就是輸出高電平電流IOH和輸出低電平電流IOL的極限值。輸出高、低電平合格,就證明輸出高、低電平電流合格。
(3)輸入高電平電流IIH,輸入低電平電流IIL的測試
輸入高電平電流IIH的測試:首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的高電平設置為2.0V,低電平設置為0.8V,被測輸入端強制2.0V的電壓,測得電流就是輸入高電平電流IIH,若在-1.0uA和1.0uA之間,參數(shù)就合格;否則,失效。
輸入低電平電流IIL的測試:首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的高電平設置為2.0V,低電平設置為0.8V,被測輸入端強制0.8V的電壓,測得電流就是輸入低電平電流IIL,若在-1.0uA和1.0uA之間,參數(shù)就合格;否則,失效。
(4)輸出高阻態(tài)時高電平電流IOZH,輸出高阻態(tài)時低電平電流IOZL的測試
輸出高阻態(tài)時高電平電流IOZH:首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的高電平設置為2.0V,低電平設置為0.8V,使能端口ENABLE設置邏輯0,/ENABLE設置邏輯1,使被測輸出端為高阻態(tài),被測輸入端強制5.5V的電壓,測得電流就是輸出高電平電流IOZH,若在-5.0uA和5.0uA之間,參數(shù)就合格;否則,失效。
輸出高阻態(tài)時低電平電流IOZL的測試:首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的高電平設置為2.0V,低電平設置為0.8V,使能端口ENABLE設置邏輯0,/ENABLE設置邏輯1,使被測輸出端為高阻態(tài),被測輸入端強制0V的電壓,測得電流就是輸出低電平電流IOZL,若在-5.0uA和5.0uA之間,參數(shù)就合格;否則,失效。
(5)電源電流IDD的測試
首先設置電源電壓VDD=5.5V,輸入端的高電平設置為5.5V,低電平設置為0V,使電路處于靜態(tài),輸出端開路,測試流經(jīng)電源的電流,如果小于500uA,參數(shù)合格;否則失效。
在進行電路測試時,我們要注意的是要完全按照技術指標或詳細規(guī)范來進行測試,規(guī)范和指標沒有明確提出的測試條件,我們要按照最嚴格的情況設置。電路測試要力求做到嚴格、準確、有效。比如電源電壓的設置和測試碼點生成調(diào)制的好壞就會直接影響到測試結果的正確與否。
參數(shù)測試時電源電壓的設置都應是最嚴格的條件,比如電源電流測試時設置VDD=5.5V,該條件下測試的電源電流值比VDD=4.5V或5.0V時測得的值都大,電壓越大電流越大,而電源電流是越小越好,說明其功耗小省電,所以在VDD=5.5V時測試電源電流最嚴格;測試輸出高電平時,設置VDD=4.5V,該條件下測得的電壓值就比VDD=5.5V或5.0V時測得的值都小,輸出高電平電壓應該是越大越好,說明其帶載能力強;相反地,測試輸出低電平時,設置VDD=5.5V,該條件下測得的電壓值就比VDD=4.5V或5.0V時測得的值都大,而輸出低電平電壓是越小越好,說明其帶載能力強;還有輸入漏電流測試時電壓都設置為5.5V,該條件下測試出的電流是大的,而漏電流也是越小越好。電路的參數(shù)都應是在極限條件下測試的,也就是在最差、最嚴格的條件下進行測試,只有這樣才能保證所測電路的性能達標。
電路的邏輯是否正確需要用測試碼點來驗證,而測試碼點覆蓋率的高低,碼點調(diào)制的是否合理、正確,直接影響到測試程序的正確有效性。完善的測試碼點能夠有效地測試出電路邏輯功能的正確與否。所以應盡量提高測試碼點的覆蓋率,保證測試碼點的合理正確,從而篩選出存在邏輯缺陷的電路,以保證用戶在使用中不出現(xiàn)問題。
以上簡單介紹了靜態(tài)參數(shù)的概念,測試原理及方法,并以26C31為例,簡單介紹了輸入高電平、低電平,輸出高電平、低電平,輸入電流,輸出高阻態(tài)電流,電源電流等幾個主要靜態(tài)參數(shù)在測試系統(tǒng)上的測試方法,并且指出了在參數(shù)測試中應該注意的一些問題。
[1] 國家標準局.GB 3834-83半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理[S].中國標準出版社,2007:22-23.
[2] National Semiconductor. DS008574 DS26C31T/DS26C31M COMS Quad TRI-STATE Differential Line Driver[S].National Semiconductor Corporation,1998.