鄧若漢 , 徐 星 , 王洪彬 , 余金金 , 陳世軍 , 陳永平
(1.中國科學(xué)院 上海技術(shù)物理研究所 中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點實驗室,上海 200083;2.中國科學(xué)院研究生院 北京 100039)
CMOS圖像傳感器(CMOS image sensor, CIS)在近二十年來取得了飛速的發(fā)展,得益于有源像素傳感器(Active Pixel Sensor)的出現(xiàn)、相關(guān)雙采樣技術(shù)(Correlated Double Sampling)的發(fā)明以及工藝的進(jìn)步等[1-5],用于低噪聲應(yīng)用領(lǐng)域的CMOS圖像傳感器也取得了長足的發(fā)展。由于CMOS傳感器具有先天的低成本、易于集成等優(yōu)點,CMOS傳感器在低噪聲應(yīng)用領(lǐng)域也已引起了越來越多的關(guān)注。目前,在低噪聲CMOS圖像傳感器的研究領(lǐng)域,除研究其噪聲外,數(shù)字化也是它的一個重要的研究方向。
文中介紹了一種適用于低噪聲CMOS圖像傳感器芯片級模數(shù)轉(zhuǎn)換的流水線型ADC,根據(jù)低噪聲CMOS圖像傳感器的系統(tǒng)要求,文中設(shè)計的ADC的分辨率為12 bit,速度為10 Msps,采用了每級1.5 bit、共11級的流水線型結(jié)構(gòu)。在該ADC完成設(shè)計仿真后,基于0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行了流片。最后在PCB板級電路上用該ADC對一個自主設(shè)計的模擬輸出的CMOS圖像傳感器進(jìn)行了模數(shù)轉(zhuǎn)換,并基于自主設(shè)計的成像測試系統(tǒng)完成了CMOS圖像傳感器的成像。
根據(jù)自主設(shè)計的低噪聲CMOS圖像傳感器的系統(tǒng)要求,可以確定流水線ADC的設(shè)計指標(biāo)。表1給出了該設(shè)計的具體設(shè)計指標(biāo)。
表1 流水線ADC的設(shè)計指標(biāo)Tab.1 Design requirements for pipeline ADC
由于該ADC設(shè)計目標(biāo)為應(yīng)用在自主設(shè)計的低噪聲CMOS圖像傳感器的芯片級,因此其速度和精度都應(yīng)盡可能的高,以達(dá)到芯片系統(tǒng)低噪聲和速度的要求。而由于其工作在芯片級,其功耗和面積的要求則可以相對寬松一些。因此本設(shè)計采用了11級,1.5 bit每級的結(jié)構(gòu),雖然這種結(jié)構(gòu)在功耗上會有所增加,但是可以降低比較器的比較精度帶來的影響,同時也降低了對第一級采樣保持電路運(yùn)放的要求。本文設(shè)計的ADC的結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,在該ADC11級結(jié)構(gòu)中的前10級電路中,每級電路包括子模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、子數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、求和電路、余量放大器以及采樣保持電路,其中由于子DAC、采樣保持電路、求和電路以及余量放大電路一般都由一個開關(guān)電容電路實現(xiàn),因此該電路模塊常被統(tǒng)稱為乘法型數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (Multiplying digital to analog converter, MDAC),第 11 級電路為一個 2 bit的 flash ADC。在兩組互不相交時鐘CLK1和CLK2的控制下,每級電路都產(chǎn)生了數(shù)字輸出,這些輸出在經(jīng)過數(shù)字位對齊和數(shù)字校準(zhǔn)后得到最終的數(shù)字輸出。
圖1 流水線ADC結(jié)構(gòu)框圖Fig.1 Architecture of pipeline ADC
MDAC電路是流水線ADC設(shè)計中非常重要的部分,它在ADC中實現(xiàn)的功能包括采樣保持、數(shù)模轉(zhuǎn)換、減法和余量放大等,一般采用開關(guān)電容技術(shù)實現(xiàn),由模擬開關(guān)、電容和跨導(dǎo)運(yùn)算放大器(OTA)構(gòu)成,其電路圖如圖2所示。其工作原理是:用MDAC的采樣保持對前級余量電壓進(jìn)行采樣;將其采樣電壓與本級子DAC的輸出電壓進(jìn)行減法運(yùn)算;將減法運(yùn)算得到的余量電壓通過余量放大器進(jìn)行放大。
在流水線ADC結(jié)構(gòu)中,第一級的MDAC的要求最高,隨著級數(shù)的增加,要求不斷降低。對于一個12位、10 Msps采樣率流水線ADC,以第一級MDAC為例,該電路需滿足的總體指標(biāo)為:精度12 bit,采樣率10 Msps。而在MDAC設(shè)計中,最關(guān)鍵的是余量放大器設(shè)計,本文以第一級余量放大器的設(shè)計為例來說明整個設(shè)計,其中采用的余量放大器的結(jié)構(gòu)如圖3所示。余量放大器工作在閉環(huán)狀態(tài),要求其有限直流增益造成的誤差小于1/2LSB,即有:
圖2 MDAC電路設(shè)計圖Fig.2 Circuit structure of MDAC
式中A0為開環(huán)增益,N為ADC分辨率,β為反饋系數(shù)。
另外,由于余量放大器有限的帶寬,因此對輸入電壓響應(yīng)需要經(jīng)過一定的時間才能趨于穩(wěn)定。在采樣頻率為f的ADC中,要求信號在二分之一的時鐘周期內(nèi)達(dá)到所需的精度(即誤差小于1/2LSB),即有:
式中GBW為單位增益帶寬,N為ADC分辨率,β為反饋系數(shù),f為采樣頻率。
對于本文的 ADC 設(shè)計有:N=12, β=1/2,f=10 MHz,因此由公式(1)和公式(2)可得,用于本文第一級MDAC的余量放大器應(yīng)滿足:開環(huán)增益需大于84 dB,單位增益帶寬需大于58 MHz。綜合考慮到輸入信號擺幅、流片工藝和功耗等要求,本文的余量放大器采用了折疊共源共柵的運(yùn)放結(jié)構(gòu),仿真結(jié)果表示,該結(jié)構(gòu)可滿足設(shè)計要求。
圖3 運(yùn)量放大器結(jié)構(gòu)Fig.3 Circuit structure of amplifier
流水線ADC由于采用了校正電路,對比較器失調(diào)電壓的要求放寬了。對于1.5 bit每級的電路,設(shè)參考電壓為1 V,則它的失調(diào)電壓放寬為125 mV。本ADC中從第1級到第10級電路都采用了動態(tài)比較器,因為其失調(diào)電壓小于可校正的最大失調(diào)電壓,同時它具有較快的速度和較低的功耗。該電路的原理圖如圖4所示,它包括一個由rst信號控制的快速復(fù)位電路、信號輸入的預(yù)防大電路、鎖存比較器以及輸出反相器組成。
圖4 比較器電路Fig.4 Comparator circuit
由于流水線ADC每級電路產(chǎn)生數(shù)字代碼的時間不同,因此,在進(jìn)行數(shù)字校正之前,必須先對其進(jìn)行延遲,所以在數(shù)字校正電路之前必須要有數(shù)字延遲電路。完整的輸出數(shù)字時間對齊及數(shù)字校正電路如圖5所示,其中圖的左邊為數(shù)字位時間對齊電路,圖的右邊為數(shù)字校準(zhǔn)電路。
流水線ADC對于時序要求比較高,為了確保流水線ADC正常工作,要求前后兩級不同時工作在采樣狀態(tài)和保持狀態(tài),至少需要一對兩相不交疊時鐘。文中設(shè)計的時鐘信號電路如圖6所示。相比一般的采用器件延時來設(shè)計時鐘控制電路[6],本文采用了在電路引入電容的方式來確定時鐘延時,盡管這樣做會在版圖上多占用了一些面積,但是其好處是設(shè)計的兩相不交疊時鐘非常穩(wěn)定,時鐘可以根據(jù)電容值選取的大小而更為合理的錯開。
圖5 數(shù)字位對齊及數(shù)字校準(zhǔn)電路Fig.5 Circuit structure of digital error correction and bit alignment
該芯片使用0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行流片,版圖的設(shè)計綜合考慮了混合信號電路布局、匹配設(shè)計和抗干擾設(shè)計等。布局采用數(shù)模分離,數(shù)字電路加保護(hù)環(huán);匹配設(shè)計采用了共心對稱設(shè)計、比例單元設(shè)計和添加啞元元件等技術(shù)。芯片版圖如圖7所示,帶PAD的整體芯片面積為3.55 mm@2.9 mm,其中上部分為數(shù)字位對齊和數(shù)字校準(zhǔn)電路,中部為各級流水線,右側(cè)為時鐘產(chǎn)生電路,下部為信號輸入和其他電路。
低噪聲、高幀頻的CMOS圖像傳感器成像,除了對PCB測試板的設(shè)計要求較高外,也對測試系統(tǒng)的構(gòu)成也提出了較高的要求。本成像系統(tǒng)的電學(xué)硬件系統(tǒng)框圖如圖8所示。該電學(xué)硬件系統(tǒng)的基本工作原理是:
圖6 時鐘產(chǎn)生電路Fig.6 Circuit structure of timing generate module
圖7 ADC設(shè)計版圖Fig.7 Layout of ADC
1)在PCB板上用基于CPLD設(shè)計的時鐘波形來控制板上的CMOS圖像傳感器芯片和ADC芯片協(xié)同工作,并在此過程中生成幀同步信號和ADC時鐘信號交予數(shù)字采集卡作為采集卡的外觸發(fā)和外時鐘信號。
2)在ADC芯片將CMOS圖像傳感器產(chǎn)生的模擬信號進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換后,其數(shù)字信號經(jīng)緩沖芯片緩沖輸出至數(shù)字采集卡。
3)數(shù)字采集卡在幀同步信號控制下進(jìn)行重復(fù)觸發(fā)采樣,在采集卡收集到一定數(shù)據(jù)后將采集到的數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)中,然后用成像軟件進(jìn)行分析,給出動態(tài)的成像圖片。
圖8 成像測試系統(tǒng)的硬件系統(tǒng)框圖Fig.8 Schematic of hardware for the image system
本測試系統(tǒng)軟件采用Labview編程,Labview是一種圖形化的編程語言的開發(fā)環(huán)境,廣泛地被工業(yè)界、學(xué)術(shù)界和研究實驗室所接受,視為一個標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)采集和儀器控制軟件。
本系統(tǒng)中利用Labview的虛擬儀器(virtual instrument)實現(xiàn)對數(shù)據(jù)采集卡的數(shù)據(jù)采樣控制、對采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行信號處理以及動態(tài)成像,圖9為成像軟件的界面圖,其工作模式和原理是:
1)在控制數(shù)字采集卡的程序中,將始終和觸發(fā)設(shè)置為外時鐘采樣以及外觸發(fā)重復(fù)觸發(fā)采樣模式,以實現(xiàn)成像信號幀同步和保證采集卡采樣與ADC輸出的同步。
2)在將采集到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為U16數(shù)字格式數(shù)組后,對這些信號進(jìn)行灰度值處理,程序設(shè)計了兩種灰度調(diào)節(jié)模式:固定的灰度轉(zhuǎn)換和灰度自動調(diào)節(jié),此外程序還設(shè)計了可選的反色、圖像翻轉(zhuǎn)、圖像放大等功能。
3)在數(shù)據(jù)進(jìn)行信號處理后,完成對采集數(shù)據(jù)的二維灰度值成像,這些信號處理和成像程序都置于while循環(huán)中,因此可根據(jù)延時設(shè)置成像刷新的幀頻,實現(xiàn)動態(tài)成像。
圖9 成像軟件界面圖Fig.9 Photo of software system
用本文設(shè)計的ADC對模擬輸出的CMOS圖像傳感器進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換后,基于自主設(shè)計的成像系統(tǒng),進(jìn)行了實時成像實驗,成像結(jié)果如圖10所示,可以看出,畫面清晰,層次感分明。
圖10 實時成像圖Fig.10 Photo of real-time image
文中設(shè)計了一種可應(yīng)用于低噪聲CMOS圖像傳感器芯片級模數(shù)轉(zhuǎn)換的 12 bit、10 Msps流水線 ADC,并基于 0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行了流片。最后在PCB板級電路上用該流水線型ADC完成了CMOS圖像傳感器的模數(shù)轉(zhuǎn)換,并基于Labview和數(shù)字采集卡系統(tǒng)實現(xiàn)了CMOS圖像傳感器的成像,成像結(jié)果表明,該ADC可滿足低噪聲CMOS圖像傳感器芯片級模數(shù)轉(zhuǎn)換器的要求,下一步可將CMOS圖像傳感器和該ADC合并設(shè)計在一個芯片上進(jìn)行流片。
[1]Bigas M,Cabrujaa E,F(xiàn)orest J,et a1.Review of CMOS image sensors[J].Microelectronics Journal,2006(37):433-451.
[2]Sunetra K.CMOS active pixel image sensor for highly integrated imaging[J].IEEE J.Solid-State Circuits,1997,32(2):187-197.
[3]DegerLi Y.Analysis and reduction of signal readout circuit temporal noise in CMOS image sensors for low light levels[J].IEEE Trans.Electron.Devices,2001,47(5):949-961.
[4]Theuwissen A J P.CMOS image sensors:state-of-the-art[J].Solid-State Electronics,2008(52):1401-1406.
[5]Gamal A E,Eltoukhy H.CMOS image sensors[J].IEEE J Circuit&Devices,2005(31):6.
[6]徐美華,樊裕樂,李科.CCD圖像采集系統(tǒng)的低功耗流水線ADC設(shè)計[J].微電子學(xué)與計算機(jī),2010,27(7):164—167.XU Mei-hua,F(xiàn)AN Yu-le,LI Ke.The design of low power dissipation pipeline ADC in CCD image process[J].Microelectronics&Computer,2010,27(7):164-167.