陳 荻,黃曉華,梅 亮
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第55研究所,南京 210016)
低噪聲放大器(LNA)是現(xiàn)代雷達(dá)、射頻通信、電子戰(zhàn)系統(tǒng)中的重要部件,在接收系統(tǒng)中它總是處于前端的位置,對(duì)整個(gè)系統(tǒng)接收的微弱信號(hào)進(jìn)行放大,并降低噪聲的干擾,對(duì)整個(gè)接收系統(tǒng)的接收靈敏度和噪聲性能起著決定性作用[1]。隨著高可靠相控陣?yán)走_(dá)的廣泛應(yīng)用,接收支路中低噪聲放大器的需求也日益增大,設(shè)計(jì)出集成度高且適合批量生產(chǎn)的低噪聲放大器非常重要[2]。本文通過(guò)對(duì)低噪聲放大器的正交橋、FET偏置、電壓轉(zhuǎn)換等要素的設(shè)計(jì)優(yōu)化,充分考慮放大器的可制造性和高可靠性,研制出集成度高、可制造性佳、一致性好的S波段低噪聲放大組件,有效滿足了相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)的各項(xiàng)要求。
放大器主要技術(shù)指標(biāo)有噪聲系數(shù)、增益、駐波、動(dòng)態(tài)范圍等。噪聲系數(shù)與增益在指標(biāo)實(shí)現(xiàn)上相互矛盾,實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)該折中考慮,理論依據(jù)是:在保證放大器穩(wěn)定的前提下,采用等噪聲系數(shù)圓和等增益圓尋找一個(gè)最佳工作點(diǎn)。
放大器要滿足較好的回波損耗、較低的噪聲系數(shù)、良好的幅頻特性、一致性好等要求,綜合考慮選擇平衡式結(jié)構(gòu)[3]。平衡式放大器能較好地改善增益平坦度,獲得較低的回波損耗,阻抗匹配性能優(yōu)良,并可獲得較高的輸出能力,放大器組件原理如圖1。
圖1 放大器組件原理框圖
正交橋也叫3dB耦合器,常用的正交橋有兩種:交叉指型電橋[4]和分支電橋[5]。交叉指型電橋又稱為L(zhǎng)ange橋,在微波集成電路中有很廣泛的應(yīng)用,它的頻帶可以做到倍頻程或略寬,但是其中細(xì)長(zhǎng)的交指耦合線與窄小的耦合間距,一般的印刷工藝很難滿足其精度要求;分支電橋設(shè)計(jì)和制作都相對(duì)簡(jiǎn)單,電橋每臂長(zhǎng)度為λg/4,λg為平均頻率的微帶波長(zhǎng),一般的印刷工藝即能滿足精度要求,但頻帶較窄。考慮到組件帶寬約為10%,綜合性能、工藝、生產(chǎn)效率等多方面因素,選用分支型電橋。通過(guò)運(yùn)用奇偶模理論對(duì)電路的性能進(jìn)行分析,并運(yùn)用計(jì)算機(jī)仿真得到了體積小、插入損耗低、性能優(yōu)的圓環(huán)分支電橋。
在有收發(fā)功能的組件中,為了防止發(fā)射功率泄露對(duì)前置低噪聲放大器的損壞,需設(shè)計(jì)一個(gè)合適的限幅器[6]。PIN管限幅器分為串聯(lián)和并聯(lián)兩種形式,由于并聯(lián)形式具有插入損耗小、散熱好等優(yōu)點(diǎn),實(shí)際應(yīng)用較多。由于單只PIN管自身的限幅能力有限,實(shí)際使用多采用級(jí)聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)限幅能力強(qiáng)、反應(yīng)靈敏度高的限幅器。二極管的功率容量和反應(yīng)時(shí)間與本征層厚度有關(guān),本征層厚,承受功率較大,本征層薄,靈敏度高。PIN管外加直流電流,本征層阻抗降低,PIN管導(dǎo)通,信號(hào)衰減,可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)衰減功能[7]。所以選擇本征層較厚的PIN管作為前級(jí),耐受較高的功率;本征層較薄的PIN管作為后級(jí),獲得良好的門(mén)限電平和快速響應(yīng)。電路原理圖如圖2所示。
場(chǎng)效應(yīng)管的偏置方式有單電源(自偏置)及雙電源形式[8]。本次設(shè)計(jì)采用雙電源形式,并利用三極管的特性有效地使FET的工作狀態(tài)一致,是一種自適應(yīng)的偏置電路。偏置電路原理圖如圖3所示。
圖2 限幅開(kāi)關(guān)衰減器原理圖
圖3 有源偏置原理圖
不難看出,Vds≈Vb+0.6V,Id=(5-Vds)/Rd,Vg通過(guò)Q1可以自動(dòng)調(diào)整到合適的值,而Vb可以通過(guò)Rb1及Rb2確定[9]。采用這種偏置電路,即使場(chǎng)效應(yīng)管工作點(diǎn)的離散性及批次性差異很大,也能夠保證每個(gè)FET有一致的工作點(diǎn),無(wú)需調(diào)整電路元器件參數(shù)。使用該方法能自動(dòng)調(diào)整FET工作點(diǎn)、一致性好,省去FET管工作點(diǎn)調(diào)試步驟,減少因FET管工作點(diǎn)差異引起的其他指標(biāo)的不一致,從而大大提高調(diào)試生產(chǎn)效率。
由于采用了雙電源偏置,組件電源部分需增加電壓轉(zhuǎn)換這個(gè)功能電路。由于FET工作時(shí)柵電流很小,所需的負(fù)電流也很小,設(shè)計(jì)采用單穩(wěn)觸發(fā)器組成正負(fù)變換電路。正負(fù)變換電路的電原理圖如圖4所示。
單穩(wěn)觸發(fā)器與R、C構(gòu)成振蕩電路[9]。振蕩頻率約為2/RC,設(shè)計(jì)頻率為100kHz。振蕩輸出方波經(jīng)二極管整流得到負(fù)壓。該電路使用元器件少,采用SMT技術(shù),工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。
對(duì)于有一定帶寬的低噪放設(shè)計(jì),傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法是在一個(gè)頻點(diǎn)上根據(jù)給定的增益,在史密斯圓圖上做等增益圓,再在等噪聲圓族上找出與之相切的等噪聲系數(shù)圓,確定對(duì)應(yīng)最小的等噪聲系數(shù),然后再在其他頻率點(diǎn)上重復(fù)該過(guò)程,以確定放大器能否在整個(gè)帶寬內(nèi)同時(shí)滿足所要求的增益和噪聲系數(shù)指標(biāo)。得到最初值后,可在各種微波EDA軟件中進(jìn)行優(yōu)化,比如ADS、MWO、Designer等,這些軟件在尋找最優(yōu)值時(shí)的共同點(diǎn)都是做小信號(hào)的仿真,只需告訴軟件管芯的小信號(hào)S參數(shù)和不同頻率下與噪聲相關(guān)的參量。
該放大器采用兩級(jí)FHX35LG級(jí)聯(lián),選用Rogers4003介質(zhì)板。通過(guò)軟件優(yōu)化電路拓?fù)涞贸龈麟娐穮?shù),軟件模擬結(jié)果如圖5所示。模擬結(jié)果為:場(chǎng)效應(yīng)管在指定的放大器增益在28.4dB左右,增益起伏為0.2dB,噪聲系數(shù)約為1.2dB,工作條件為室溫,最佳工作點(diǎn):VD=3V,ID=15mA。
為了確保產(chǎn)品的高可靠性、一致性和可生產(chǎn)性,從以下兩方面進(jìn)行了設(shè)計(jì)優(yōu)化。
2.7.1 雙電源偏置電路
在單電源自偏電路中FET的柵極通過(guò)電感接地,源極通過(guò)平板電容與電阻并聯(lián)接地[10]。該方法雖然電路簡(jiǎn)單,但是平板電容裝配工藝復(fù)雜,而且平板電容的電極易損壞,不易返修。采用雙電源后無(wú)需裝配平板電容,所有元器件可使用表面貼裝技術(shù),通過(guò)回流焊燒結(jié)一次裝配完成,工藝簡(jiǎn)單、返修方便。
2.7.2 介質(zhì)板大面積焊接
介質(zhì)板采用絲網(wǎng)印刷工藝大面積焊接在機(jī)殼上,保證了放大組件接地的連續(xù)性,使得組件性能穩(wěn)定,提高了產(chǎn)品性能的一致性和生產(chǎn)效率。
基于電路仿真結(jié)果,通過(guò)一系列的設(shè)計(jì)優(yōu)化,最終在Rogers4003介質(zhì)板上制作出S波段低噪聲放大器,經(jīng)過(guò)調(diào)試,組件的增益、駐波等指標(biāo)如下:增益28.5dB,增益起伏小于±0.2dB,輸入輸出駐波小于1.3,噪聲1.7dB,組件間的相位一致性小于3°,從圖5和圖6可以看出,實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)和仿真基本一致。通過(guò)實(shí)際仿真和實(shí)測(cè)結(jié)果對(duì)比可以看出一致性非常好,可以用來(lái)指導(dǎo)大批量生產(chǎn)。試制了6只產(chǎn)品,調(diào)試方法簡(jiǎn)單,一致性很好。
圖5 平衡式放大器優(yōu)化仿真結(jié)果
圖6 實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)圖
通過(guò)對(duì)低噪聲放大器的正交橋、FET偏置、電壓轉(zhuǎn)換、結(jié)構(gòu)工藝等要素的設(shè)計(jì)優(yōu)化,放大組件性能穩(wěn)定,指標(biāo)優(yōu)良,設(shè)計(jì)方案切實(shí)可行。在實(shí)際生產(chǎn)中產(chǎn)品性能可靠、指標(biāo)一致性好,工藝簡(jiǎn)單高效、調(diào)試方便,提高了生產(chǎn)效率,滿足了大批量生產(chǎn)的要求。
[1]弋穩(wěn).雷達(dá)接收技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005.
[2]何川,孫玉發(fā),賈世紅.X、Ku波段寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J].合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)篇),2011,34(10):1510-1513.
[3]丁君,張龍.Ku波段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J].火力與指揮控制,2009(11):158-161.
[4]O.smani R M.Synthesis of Lange couplers[J].Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactionson.1981,29(2): 168-170.
[5]王勝源,李玉山,曹劍中.新型環(huán)形分支電橋的全波分析和精確設(shè)計(jì)[J].微波學(xué)報(bào),2008,24(增刊):137-140.
[6]張海偉,史小衛(wèi),徐樂(lè),等.高功率PIN限幅器設(shè)計(jì)及測(cè)試方案[J].強(qiáng)激光與粒子束,2011,23(11):3029-3032.
[7]顧其諍,項(xiàng)家楨,彭孝康,等.微波集成電路設(shè)計(jì)[M].北京:人民郵電出版社,1978.
[8]I.Gil;I.Cairo.Low-power single-to-differential LNA at S-band based on optimised transformer topology and integrat ed,2008(31):198-201.
[9]馮軍,謝嘉奎.電子線路-線性部分[M].北京:高等教育出版社.
[10]Reinhold Ludwig,Pavel Bretchko,王子宇,張肇儀,徐承和,等譯.射頻電路設(shè)計(jì)——理論與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005.