朱玉鳳,齊 晗
(浙江中科正方電子技術(shù)有限公司,沈陽 110168)
隨著汽車電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,越來越多的電子設(shè)備被應(yīng)用到汽車上。當(dāng)對其他電子設(shè)備進(jìn)行帶電插拔時,DC/DC電源設(shè)計中的輸入電容提供了一個初始的低阻抗回路,會產(chǎn)生巨大的浪涌電流。巨大的浪涌電流有可能損壞接插件、導(dǎo)線及模塊的輸入電容,甚至?xí)斐尚铍姵仉妷旱乃查g跌落,使系統(tǒng)中其他的設(shè)備復(fù)位而不能正常工作。因此,在電子模塊設(shè)計一種合適的且電磁兼容性(EMC)好的熱插拔保護(hù)電路就顯得尤為重要[1-2]。本文以美國國家半導(dǎo)體公司推出的熱插拔控制器LM5060Q1MM為例,介紹熱插拔控制器在汽車電子模塊中的應(yīng)用。
1)實現(xiàn)故障設(shè)備和系統(tǒng)的隔離,并能提供相應(yīng)的故障指示。如果設(shè)備故障自動消失(例如設(shè)備被短路后又恢復(fù)正常),熱插拔控制器可以重新使能設(shè)備。
2)內(nèi)部集成驅(qū)動N-channel MOSFET的電荷泵,控制外接MOSFET的開或關(guān)。
3)具有電壓監(jiān)視功能。如果電源電壓出現(xiàn)異常,控制器的GATE腳輸出低電平,從而關(guān)閉OUT腳的電壓輸出,實現(xiàn)設(shè)備的安全隔離。
4)可編程實現(xiàn)欠壓和過壓保護(hù)[3]。
5)過流保護(hù)(負(fù)載短路保護(hù))。當(dāng)流過MOSFET的電流超過電路的設(shè)定值時,控制器的GATE腳輸出低電平,從而關(guān)閉OUT腳的電壓輸出。
6)上電延時啟動功能。啟動時間可由Timer腳所接電容進(jìn)行編程,有效避免熱插拔時的抖動。
7)5.5~65 V寬電壓輸入,保證模塊在冷車發(fā)動和負(fù)載突降的情況下仍正常工作[4]。
8)汽車級認(rèn)證:AECQ-100。
LM5060Q1MM管腳信息見表1。
以24 VDC供電為例,其在電源保護(hù)電路中的連接如圖1所示。
表1 LM5060Q1MM管腳信息
芯片內(nèi)部集成驅(qū)動外接N導(dǎo)電溝道MOSFET的柵極驅(qū)動電路和所需的電荷泵,通過控制外接MOSFET柵極電壓來控制初始化時流入負(fù)載的電流大小[5],限制浪涌電流。電流限制可以通過采樣電阻Rs的大小進(jìn)行編程控制。UVLO和OVLO腳可以實現(xiàn)欠壓、過壓保護(hù)。故障延遲時間可由Timer腳所接電容進(jìn)行編程控制。當(dāng)熱插拔完成,輸出電壓VOUT穩(wěn)定后PowerGood信號使能。
主要元器件的選擇如下:
1)MOSFET(Q1)的選擇。IDSMAX:IDSMAX=C4×d V/d t[6]C4為負(fù)載電容;d V為最高輸入電壓65 V;d t為電流脈沖最大持續(xù)時間。如C4=470μF,d t=8 ms,則IDSMAX=470×65/8000=3.8 A。VDSMAX:取電源最大輸入電壓65 V。PDMAX功率限制:PDMAX=VDS×IDS=65 V×3.8 A=247 W。這三個條件同時滿足,MOSFET工作在SOA范圍內(nèi),三極管不會被損壞。電路中選取IRF8010,它的具體參數(shù)為
2)CTIMER(C2)的選擇。芯片延時啟動時間tFaultDelay=VTIMERH× CTIMER/ITIMERH。當(dāng) CTIMER=68 nF 時,tFaultDelay=2 V×68 nF/11μA=12 ms。
3)分壓電阻的選擇及電源輸入范圍的計算:
考慮分壓電阻的電流損耗及噪聲靈敏度,推薦R2、R3、R4、R5 的取值范圍為 10~200 K。
應(yīng)用電路中:取OVPTH=2V,UVLOTH=1.6V,UVLOBIAS=5.5μA。
R2=150 K,R3=10 K,R4=62 K,R 5=15 K
VBattery-min=8.55 V,VBattery-max=32 V
該電路已成功應(yīng)用于一款為柴油發(fā)動機開發(fā)的ECU控制器中,并通過重慶市電磁兼容技術(shù)中心檢測,性價比很高,具有很大的應(yīng)用價值。在電路設(shè)計時,還應(yīng)注意其電磁兼容性(EMC)[9],對于各種電子控制器,要特別注意其抗電磁干擾能力的設(shè)計[10]。
[1]劉鵬程,邱揚.電磁兼容原理與技術(shù)[M].北京:高等教育出版社,1993.
[2]Vicor公司.熱插拔功能消除停機時間(05-100)[J/OL].電子產(chǎn)品世界,(2009-02-20)[2011-11-22].
[3]康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ):數(shù)字部分(第3版)[M].北京:高等教育出版社,1988.
[4]JeffGruetter.汽車電源集成電路的新應(yīng)用與新挑戰(zhàn)[J/OL].電子產(chǎn)品世界,(2008-04-14)[2011-11-22].
[5]康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分(第3版)[M].北京:高等教育出版社,1988.
[6]葉慧貞,楊興洲.新穎開關(guān)穩(wěn)壓電源[M].北京:國防工業(yè)出版社,1999.
[7]IRF8010.Internatinal IR Rectifier,Data Sheet[EB/OL].(2008-02-23)[2011-11-22].
[8]LM5060 High-side Protection Controller with Low Quiescent Current.National Semiconductor,Sept.22,2010.Data Sheet[EB/OL].[2011-11-22]
[9]付曉江,胡海鷗,張春艷,等.電路的電磁兼容設(shè)計[J].光電對抗與無源干擾,2002,(4)
[10]金松濤,丁良旭,劉青松.汽車電磁兼容問題研究的重要性[J].客車技術(shù)與研究,2011,(5):1-5.