趙深林,田學(xué)隆,梁春燕
(重慶大學(xué)生物工程學(xué)院,重慶 400030)
氧化銦錫(ITO)薄膜作為一種透明導(dǎo)電氧化物對可見光透光率達(dá)69%,具有電阻率低、可作導(dǎo)電加熱膜的特性,對ITO進(jìn)行通電加熱,其溫度分布均勻[1]。因此,ITO廣泛應(yīng)用于需要實時顯微觀察的微流體芯片制作。在進(jìn)行微流體芯片聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)實驗或其他芯片內(nèi)細(xì)胞實驗過程中,溫度控制是實驗成功進(jìn)行的關(guān)鍵,并且溫度的實時記錄對后期分析實驗結(jié)果具有重要作用。
ITO薄膜在100℃下溫度和阻抗之間具有很好的線性關(guān)系。吳志勇等人利用此特性,以ITO薄膜為溫度傳感器,制備了自加熱和溫度傳感一體化的ITO芯片,但具體溫控系統(tǒng)在工程實現(xiàn)方面未見說明[2,3]。雖然微流體芯片的溫度自動控制系統(tǒng)研制方面,已有相關(guān)研究,但溫度控制精度還有待提高,在溫度實時記錄和保存方面的研究也還尚未見報道[4]。
本文對比了采用ITO薄膜作溫度傳感和數(shù)字溫度傳感器兩種測溫方案,并采用數(shù)字溫度傳感器設(shè)計開發(fā)了用于ITO基材微流體芯片的恒溫控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用USB接口與上位機(jī)通信,通過上位機(jī)可實時監(jiān)測、控制ITO薄膜上的溫度,并能根據(jù)需要對溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲,有利于后期實驗分析,并且操作簡單,通用性強(qiáng),易于在微流體芯片實驗室使用。
ITO薄膜恒溫控制系統(tǒng)模塊框圖如圖1所示。系統(tǒng)首先采集ITO薄膜溫度,然后與設(shè)定的目標(biāo)溫度比較后,MCU(微型控制單元)輸出相應(yīng)控制信號控制加熱驅(qū)動電路對ITO薄膜加熱,實現(xiàn)恒溫控制。同時,實測ITO薄膜溫度和目標(biāo)溫度一方面通過LED數(shù)碼管實時顯示,另一方面,通過USB接口傳輸?shù)絇C機(jī)。
系統(tǒng)的核心為MCU,控制溫度采集及加熱驅(qū)動,管理鍵盤輸入,負(fù)責(zé)下位機(jī)和上位機(jī)之間的USB通信等。因此,本文采用C8051F340單片機(jī)。其內(nèi)部集成的通用串行總線控制器(USB)符合USB 2.0規(guī)范,可以全速或低速工作,集成了收發(fā)器和端點FIFO RAM,無需外加USB控制器便可實現(xiàn) USB 通信[5]。
圖1 系統(tǒng)模塊框圖Fig 1 Block diagram of system module
ITO薄膜阻抗與溫度間具有很好線性關(guān)系,利用這一特性,通過測量ITO薄膜電阻值可實現(xiàn)薄膜溫度測量,即在ITO薄膜邊緣用銅箔焊接后接入惠登斯電橋,當(dāng)溫度變化時,電橋輸出差分電壓對應(yīng)發(fā)生變化,采用儀用放大器放大,經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換后輸入MCU。再利用查表法或線性計算根據(jù)A/D轉(zhuǎn)換值推算出對應(yīng)溫度值[6]。但是,ITO薄膜制備時的退火溫度及其退火環(huán)境均影響其阻抗特性,即ITO薄膜阻抗特性受制備工藝影響[7]。因此,采用ITO薄膜溫阻特性研制的溫控系統(tǒng),要求ITO薄膜具有相同的制備工藝,兼容性不強(qiáng)。
本文采用數(shù)字溫度傳感器DS18B20測溫,對ITO薄膜制備工藝沒有特別要求。DS18B20為單總線輸出控制溫度傳感器,可直接將被測物溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,抗干擾能力強(qiáng)。精度高,轉(zhuǎn)換分辨率最大可達(dá) 12位,測溫范圍為-55~125℃,適合測量微流體芯片溫度。
利用三極管的開關(guān)特性,通過MCU輸出PWM信號控制三極管的開閉,控制ITO薄膜加熱。ITO薄膜在加熱過程中,消耗功率較大,采用MOSFET管驅(qū)動。單片機(jī)輸出PWM電平標(biāo)準(zhǔn)為3.3 V,MOSFET理想工作電平為10V標(biāo)準(zhǔn),因此,采用三極管實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。在MOSFET管導(dǎo)通狀態(tài)下,對ITO薄膜進(jìn)行通電,實現(xiàn)加熱。
本文采用應(yīng)用廣泛的通用串行接口USB 2.0完成上位機(jī)與下位機(jī)通信,實現(xiàn)上位機(jī)實時監(jiān)控下位機(jī)。用戶可以方便的將該溫控系統(tǒng)與電腦連接,僅需在電腦上安裝一個應(yīng)用程序即可實現(xiàn)實時溫度監(jiān)控。
系統(tǒng)下位機(jī)采用三按鍵操作輸入,分別為增加、減少,以及位選擇功能鍵,用戶可以方便實現(xiàn)控制目標(biāo)溫度的設(shè)定。測量溫度和設(shè)定溫度采用獨立的三位LED數(shù)碼管顯示,可以實時對比觀察。
系統(tǒng)軟件設(shè)計主要包括下位機(jī)和上位機(jī)軟件設(shè)計兩部分。下位機(jī)實現(xiàn)DS18B20溫度傳感器實時測溫,管理鍵盤輸入、LED顯示及與上位機(jī)實時USB通信;上位機(jī)軟件設(shè)計主要是圖形用戶界面的編寫,本文基于Visual Basic 6.0編程開發(fā)。在圖形用戶界面,實現(xiàn)ITO薄膜溫度變化曲線的實時繪制,目標(biāo)溫度的設(shè)定,以及根據(jù)需要存儲記錄溫度數(shù)據(jù)。
2.1.1 改進(jìn)的PID控制算法設(shè)計與實現(xiàn)
ITO薄膜通電加熱時,升溫快,斷電后降溫也快。本文對PID控制算法做了改進(jìn),采用將模糊分檔控制與改進(jìn)的增量式PID控制相結(jié)合的方法,實現(xiàn)了兩種控制方法的優(yōu)勢互補,且計算量小,易于單片機(jī)實現(xiàn)。具體算法實現(xiàn)框圖如圖2所示,當(dāng)偏差|e|=|y(t)-r(t)|大于e0,對ITO持續(xù)通電或停止通電,使系統(tǒng)擁有粗調(diào)快速的優(yōu)點;當(dāng)偏差|e|小于e0時,系統(tǒng)采用改進(jìn)增量式PID控制[8]。其中,y(t)和r(t)分別為t時刻實測溫度值和目標(biāo)溫度值。
圖2 改進(jìn)的PID控制原理Fig 2 Principle of improved PID control
圖3 改進(jìn)PID算法的實現(xiàn)流程Fig 3 Realization process of improved PID algorithm
軟件實現(xiàn)流程圖如圖3所示,設(shè)置靜態(tài)變量數(shù)組保存輸入偏差值以及最近幾次偏差值,采用全局變量保存當(dāng)前設(shè)定目標(biāo)溫度。根據(jù)上述計算原理計算當(dāng)前控制量輸出,即PWM占空比D,同時更新靜態(tài)變量數(shù)組中的偏差值,用于下一次控制量計算。
2.1.2 系統(tǒng)實現(xiàn)
系統(tǒng)上電后,單片機(jī)首先對內(nèi)部振蕩器、內(nèi)部穩(wěn)壓器、中斷等初始化,然后通過單總線控制DS18B20傳感器測溫,測得溫度放入緩存中,待緩存滿則產(chǎn)生USB控制器的發(fā)送中斷將數(shù)據(jù)發(fā)送到上位機(jī)。同時,每次測量溫度與設(shè)定的目標(biāo)溫度比較,得出偏差。偏差小于預(yù)先設(shè)定的初值e0(本系統(tǒng)設(shè)定初值為1℃)時調(diào)用PID控制子程序,返回的控制量控制PCA計數(shù)值的更新,從而調(diào)節(jié)PWM輸出的占空比,控制ITO薄膜接入加熱電路時間實現(xiàn)恒溫控制。
下位機(jī)軟件實現(xiàn)流程圖如圖4所示,系統(tǒng)在每次測溫完成后掃描按鍵,判斷是否設(shè)定新的目標(biāo)溫度。測量溫度和目標(biāo)溫度的顯示,采用定時器中斷控制。定時器中斷服務(wù)程序控制數(shù)字LED分時點亮實現(xiàn)動態(tài)顯示。系統(tǒng)開始運行后處于循環(huán)運行狀態(tài),因此,啟用單片機(jī)自帶的看門狗模塊功能,使在程序異常運行出錯情況下能自動恢復(fù)正常。
圖4 下位機(jī)軟件實現(xiàn)流程圖Fig 4 Realization flow chart of lower computer software
Visual Basic 6.0開發(fā)工具提供了豐富的控件可直接調(diào)用,上位機(jī)使用Visual Basic工具開發(fā)用戶界面[9]。本文采用Picture Box控件顯示實測溫度,Text控件設(shè)定目標(biāo)溫度。使用定時器定時,每隔1 s讀取USB接收緩沖區(qū)數(shù)據(jù),即實測溫度,顯示在Picture Box控件中,并用Line命令連接相鄰兩次測量值,得到實測溫度曲線。此外,本文還增加了繪制柵格、停止、保存等功能,采用Command Button控件實現(xiàn),點擊這些控件發(fā)出相應(yīng)命令,使界面更人性化。USB接口通信操作,通過調(diào)用Silicon公司提供的C8051F340單片機(jī)USB通信開發(fā)包中的API(應(yīng)用程序接口)函數(shù)實現(xiàn),具體包括檢測USB器件、讀取USB數(shù)據(jù)緩沖區(qū)、寫數(shù)據(jù)緩沖區(qū)等功能操作。
系統(tǒng)監(jiān)測ITO薄膜溫度變化曲線如圖5所示,三條曲線分別為溫度設(shè)定40,50,60℃時的監(jiān)測曲線,薄膜的初始溫度均在30℃以下。在溫度升高至與目標(biāo)溫度相差1℃前,系統(tǒng)處于全速加熱模式;溫度超過目標(biāo)溫度1℃時,系統(tǒng)停止加熱;溫度處于目標(biāo)溫度1℃范圍內(nèi)時,由PID控制器控制ITO薄膜溫度。圖中,三條曲線為ITO薄膜溫度變化曲線,數(shù)據(jù)由上位機(jī)存儲功能獲取;虛線表示溫度界限,分別為各目標(biāo)溫度的±0.2℃。由圖可知,ITO薄膜最終恒定溫度在目標(biāo)溫度偏差±0.2℃范圍內(nèi),因此,該系統(tǒng)溫度控制精度可達(dá)±0.2℃。
圖5 ITO薄膜溫度變化曲線Fig 5 Temperature variation curve of ITO film
本文以C8051F340單片機(jī)為控制核心,成功研制了ITO薄膜基材的微流體芯片溫控系統(tǒng)。系統(tǒng)采用數(shù)字溫度傳感器測溫,USB接口與上位機(jī)通信。在上位機(jī),用戶通過用戶界面可實時監(jiān)控ITO薄膜溫度,并存儲監(jiān)控溫度,益于微流體芯片實驗后期分析。系統(tǒng)溫度控制精度高達(dá)±0.2℃,可以廣泛應(yīng)用于ITO薄膜基材的微流體芯片實驗中監(jiān)控芯片溫度。
[1] Yoo Dong-hyun,Shin Moo-whan.Electrical and optical characterization of indium tin oxide(ITO)films for low resistance transparent electrode[J].Materials Science Forum,2004,449:1001 -1005.
[2] 吳志勇,田曉溪,渠柏艷,等.透明導(dǎo)電玻璃(ITO)基材自加熱傳感靜態(tài)芯片聚合酶鏈反應(yīng) (PCR)[J].高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報,2007,28(12):2259 -2263.
[3] Lin Yu-ching,Yamanishi Y,Arai F.On-chip temperature sensing and control for cell immobilization[C]∥2007 2nd IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems,2007:659 -663.
[4] Sun Kai,Yamaguchi A,Ishida Y.A heater-integrated transparent micro-channel chip for continuous-flow PCR[J].Sensors and Actuators,2002,84(2 -3):283 -289.
[5] Silicon Laboratories.C8051F340 Datasheet[DB/OL].[2011—04—20].http:∥ www.22ew.com/datasheet/SILABS_PDF/C8051F340.PDF
[6] 彭永供,楊若波.3種溫度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計與選型[J].傳感器與微系統(tǒng),2009,28(8):108 -110.
[7] Fallah H R,Ghasemi M,Hassanzadeh A.Influence of heat treatment on structural,electrical,impedance and optical properties of nanocrystalline ITO films grown on glass at room temperature prepared by electron beam evaporation[J].Physica E:Low-dimensional Systems and Nanostructures,2007,39(1):69 -74.
[8] 王立新.模糊系統(tǒng)與模糊控制教程[M].王迎軍,譯.北京:清華大學(xué)出版社,2002.
[9] 尹建新,夏其表.Visual Basic 6.0程序設(shè)計實踐教程[M].北京:科學(xué)出版社,2008.