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本發(fā)明介紹的化學鍍銅液由銅離子源、還原劑乙醛酸,以及至少一種聚氨基二琥珀酸,或至少一種聚氨基單琥珀酸,或它們的混合物作為配位劑所構(gòu)成。本發(fā)明還包括用此溶液進行化學鍍銅的方法,以及在鍍基材方面的應用。
本發(fā)明提供了半導體器件的制備方法及用該方法制得的半導體器件。采用該方法時,在單元凹陷區(qū)和外圍電路區(qū)域之間會形成虛假的凹陷區(qū)。由于此虛假凹陷區(qū)的存在,虛假圖案區(qū)附近的鍍液中含有的抑制劑的濃度梯度可能會降低,使抑制劑的濃度在單元圖案區(qū)內(nèi)更均勻,并更有效地向單元圖案區(qū)提供電流。其結(jié)果是鍍層在單元圖案區(qū)內(nèi)更加均勻地形成,并且無空洞。
本發(fā)明提供了測定鍍液中整平劑濃度的方法和裝置。該方法可用于檢測和測量整平劑的濃度,即使整平劑的濃度非常低也無妨。提供一個帶有金屬面的電極,將電極暴露于至少含一種加速劑的預加速溶液中,使電極表面飽含加速劑。在溶液中電鍍電極時測量電化學響應。通過將測得的電化學響應與一個整平劑濃度和已知電化學響應有對應關(guān)系的模型進行比較來測定整平劑的濃度。此裝置包含一個電極,一個測量裝置或一個測量電化學響應的電化學電池,以及一個用來實施上述方法的控制器。