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一種抑制同步開關(guān)噪聲的超寬帶電磁帶隙結(jié)構(gòu)

2013-04-23 00:56:09史凌峰蔡成山成立業(yè)
電波科學學報 2013年2期
關(guān)鍵詞:結(jié)構(gòu)單元電感平面

史凌峰 蔡成山 孟 辰 成立業(yè)

(1.西安電子科技大學超高速電路設(shè)計與電磁兼容教育部重點實驗室,陜西 西安 710071;2.西安電子科技大學電路計算機輔助設(shè)計(CAD)所,陜西 西安 710071)

引 言

隨著電子系統(tǒng)朝著高速度、高密度和低功耗等方向的發(fā)展,這就要求高頻時鐘信號具有更陡的跳變沿和更低的電壓冗余量.在這些要求中,時域范圍內(nèi)陡峭上升沿和下降沿將導致頻域內(nèi)更寬的頻譜.同時,數(shù)字系統(tǒng)中信號電壓的降低要求有嚴格的噪聲冗余量.高速時鐘頻率也帶來諸如電源完整性(Power Integrity,PI)、地彈噪聲(Ground Bound Noise,GBN)等問題[1-3].尤其是由大量驅(qū)動開關(guān)不停的開斷而造成的同步開關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise,SSN)問題在電源、地平面當中不可避免.這些噪聲不僅會造成信號傳輸抖動和電磁干擾(Electro-Magnetic Interference,EMI)等問題,還會導致敏感射頻、模擬電路的誤操作等嚴重的信號完整性(Signal Integrity,SI)問題.

現(xiàn)在已經(jīng)有很多有效的方法來抑制SSN,各種形式的EBG結(jié)構(gòu)在抑制SSN傳播有相當好的效果.如文獻[4]~[6]提到的平面EBG結(jié)構(gòu),在低頻獲得良好的結(jié)果.然而由于EBG結(jié)構(gòu)受其自身電特性限制,帶隙較窄從而無法達到大范圍抑制SSN作用.文獻[7]提出結(jié)構(gòu)在提高抑制帶寬同時,也降低對低頻的抑制.而文獻[8]提出的結(jié)構(gòu)雖然同時提高帶寬和低頻抑制效果,但是電源平面連續(xù)性降低,影響信號完整性.針對上述問題,本文提出一種新穎的垂直級聯(lián)式EBG結(jié)構(gòu),稱為折疊垂直級聯(lián)式(Fold Superimposition Type,FST)EBG結(jié)構(gòu).它是通過折線(Meander Line)EBG結(jié)構(gòu)和高阻抗平面(High Impedance Surface,HIS)垂直級聯(lián)來實現(xiàn)SSN的抑制,其電磁帶隙抑制深度為-40 dB時阻帶范圍750 MHz到15.7 GHz,帶寬達到14.95 GHz,抑制帶寬得到顯著地提高.

1 傳統(tǒng)EBG結(jié)構(gòu)的設(shè)計原理

本文EBG的帶隙形成為局域諧振機理,通過EBG結(jié)構(gòu)的表面波阻抗隨著電磁波頻率不同而不同的特性來實現(xiàn)特定頻率噪聲抑制.其中,可將表面波阻抗等效為對有著特定諧振頻率的集總LC網(wǎng)絡(luò),利用單元諧振時電抗無窮大的特性,阻止諧振頻率附近的電磁波的傳播,以形成頻率帶隙.帶隙的中心頻率和相對帶寬近似由表面單元等效電容C和等效電感L決定[9].

(1)

(2)

式中:η為自由空間波阻抗.由式(1)和(2)可以看出,為了使結(jié)構(gòu)單元既具有低的中心頻率,以使其在低頻范圍具有良好的抑制效果.同時也要求其具有寬的抑制帶寬,通過增大單元的等效電感就成為實現(xiàn)超寬帶EBG結(jié)構(gòu)比較好的方法.文獻[10]~[12]提出的結(jié)構(gòu)都是通過增加平面各EBG結(jié)構(gòu)單元的等效電感來提高低頻的抑制效果,而文獻[13]提出的多過孔EBG結(jié)構(gòu)實現(xiàn)在高頻具有較寬的帶寬抑制作用.

2 FST-EBG結(jié)構(gòu)設(shè)計原理

研究L-bridge和蘑菇型(Mushroom)EBG結(jié)構(gòu)的特點[4,7],提出新型的FST-EBG結(jié)構(gòu).此結(jié)構(gòu)由三部分構(gòu)成,圖1所示的是具有FST-EBG結(jié)構(gòu)單元的側(cè)視圖.頂層為Meander Line電源層,中間為折疊式HIS層,底層為地平面層.

圖1 FST-EBG結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖

2.1 Meander Line電源層

設(shè)計的Meander Line電源層結(jié)構(gòu)單元的特點就是通過螺旋線來增加各個單元塊間的電感,同時,又由于螺旋線在每個單元塊內(nèi)部,使得相鄰結(jié)構(gòu)單元間距更易達到小型化,實現(xiàn)緊湊型EBG結(jié)構(gòu).圖2給出的是Meander Line電源面結(jié)構(gòu)單元俯視圖.

圖2 Meander Line電源面結(jié)構(gòu)單元俯視圖

2.2 折疊式高阻抗層

2.2.1 設(shè)計原理

提出的高阻抗平面由折疊式蘑菇型(Fold Mushroom)單元構(gòu)成,圖3所示為新型折疊式Mushroom結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)小單元的尺寸示意圖.對于傳統(tǒng)的Mushroom結(jié)構(gòu),電源平面保持連續(xù)性,可以通過增加結(jié)構(gòu)單元的過孔數(shù)來提高抑制帶寬,但過孔數(shù)的增加不僅帶來成本的增加,而且會加大接地平面的不連續(xù)性,產(chǎn)生嚴重的SI問題.因此,提出Fold Mushroom結(jié)構(gòu),通過將EBG結(jié)構(gòu)層和地平面層折疊式連接,增加之間的電感量.在同一個結(jié)構(gòu)小單元中,只有一個過孔連接到地平面,這使地平面也更大限度的保持連續(xù)性,有助于提高SI.

圖3 折疊Mushroom結(jié)構(gòu)及尺寸

圖3中,H1=0.1 mm,H2=1 mm,G=0.1 mm.如圖3所示在HIS層中,每個結(jié)構(gòu)單元由兩個孔折疊組合而成,其對應(yīng)的尺寸為:p=3 mm,g=0.65 mm,h1=0.4 mm,h2=0.4 mm,a=0.2 mm.

2.2.2 仿真結(jié)果及分析

為了測試這種折疊Mushroom結(jié)構(gòu)設(shè)計對抑制SSN的效果,建立測試模型,測試的折疊Mushroom結(jié)構(gòu)的外圍尺寸為20 mm×20 mm×1.1 mm.與傳統(tǒng)1-via Mushroom結(jié)構(gòu)進行對比[7],其尺寸與折疊Mushroom相同.此時,保持電源平面的連續(xù)性.電源平面與地平面中間的電介質(zhì)為普通的FR4.仿真的S21參數(shù)結(jié)果如圖4所示.從圖中可以看出,在帶隙深度為-40 dB時,F(xiàn)old Mushroom抑制帶寬從3.3 GHz到19.9 GHz,1-via Mushroom是從2.9 GHz到18.7 GHz,其新結(jié)構(gòu)帶寬增加0.8 GHz.

圖4 Fold Mushroom與傳統(tǒng)Mushroom S 參數(shù)比較

2.2.3 SI分析

通過HFSS Designer對S參數(shù)模型進行眼圖分析.在Designer中,設(shè)置信號源產(chǎn)生255的偽隨機二進制碼,數(shù)據(jù)的傳輸速率為2.5 GHz,上升沿和下降沿均為125 ps,仿真結(jié)果具體如表1所示.由圖5(a)和圖5(b)比較可知:相比于傳統(tǒng)1-via Mushroom結(jié)構(gòu),F(xiàn)old Mushroom結(jié)構(gòu)具有更好的信號質(zhì)量.

表1 眼圖分析數(shù)據(jù)表

(a) Fold Mushroom結(jié)構(gòu)圖仿真

(b) 傳統(tǒng)1-via Mushroom結(jié)構(gòu)眼圖仿真圖5

3 仿真結(jié)果與分析

給出了FST-EBG結(jié)構(gòu)的單元尺寸,在電源Meander Line結(jié)構(gòu)單元層中,如圖2所示,L=12.4 mm,L1=1.5 mm,W1=0.2 mm,W2=0.1 mm,W3=0.3 mm,W4=0.1 mm.圖1中高阻抗平面結(jié)構(gòu)類型和圖3相同,圖3的尺寸為p=4 mm,g=0.9 mm,h1=0.4 mm,h2=0.4 mm,a=0.2 mm,其中,設(shè)置仿真參數(shù)和2.2.2相同.如圖6所示,原點設(shè)在結(jié)構(gòu)面的左上角,激勵端口1,2位置分別為(7 mm,7 mm)和(19.5 mm,32 mm),其中1端口是輸入端,2端口是輸出端.

圖6 FST-EBG結(jié)構(gòu)測試點位置

S21參數(shù)如圖7所示.在抑制深度為-40 dB時,阻帶帶寬為14.95 GHz.為了說明這種FST-EBG結(jié)構(gòu)的特性,通過與同尺寸傳統(tǒng)1-via Mushroom EBG結(jié)構(gòu)性能進行比較.通過比較可以看出,本文所提出的結(jié)構(gòu)相對于傳統(tǒng)Mushroom EBG結(jié)構(gòu),擴展了3.65 GHz的帶寬,具有較好的SSN抑制帶寬性能.

圖7 不同模型下S參數(shù)特性對比圖

4 結(jié) 論

從分析傳統(tǒng)EBG結(jié)構(gòu)等效電路和平面導線電感對電磁帶隙特性產(chǎn)生機理著手,提出Fold Mushroom結(jié)構(gòu).仿真結(jié)果表明,這種結(jié)構(gòu)相比傳統(tǒng)Mushroom結(jié)構(gòu),不僅具有更好的抑制帶寬,而且有良好的SI.同時,提出的一種新穎FST-EBG結(jié)構(gòu)單元,它突破傳統(tǒng)EBG結(jié)構(gòu)抑制帶隙窄的缺陷.與傳統(tǒng)1-via Mushroom EBG結(jié)構(gòu)相比,其帶寬增加3.65 GHz,實現(xiàn)了超帶寬抑制噪聲作用.

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