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三層復(fù)合PI薄膜厚度比對(duì)其介電性能影響

2013-04-29 00:44陳昊李術(shù)林楊瑞宵范勇

陳昊 李術(shù)林 楊瑞宵 范勇

摘要:利用微乳化一熱液法制備納米分散液,制備了摻雜層與中間純聚酰亞胺(PI)層厚度比不同的三層復(fù)合薄膜.在相同環(huán)境條件下通過(guò)透射電鏡(TEM)、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和耐電暈測(cè)試分別對(duì)三層復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和納米摻雜層厚度比例的變化與介電性能的影響進(jìn)行了分析.TEM測(cè)試結(jié)果表明納米粒子在有機(jī)基體中的分散均勻;介電強(qiáng)度測(cè)試和耐電暈測(cè)試表明隨摻雜層厚度比例的增加,擊穿場(chǎng)強(qiáng)逐漸下降,耐電暈性能呈先上升后下降趨勢(shì).

關(guān)鍵詞:聚酰亞胺薄膜;納米雜化;TEM;擊穿場(chǎng)強(qiáng);耐電暈