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磁控濺射氧化鈦薄膜的光學(xué)性能

2013-08-06 07:02:36黃美東王麗格唐曉紅劉春偉
關(guān)鍵詞:氧化鈦磁控濺射透射率

程 芳,黃美東,王麗格,杜 姍,唐曉紅,劉春偉

(天津師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院,天津300387)

氧化鈦薄膜堅硬、抗化學(xué)腐蝕,在整個可見和近紅外光譜區(qū)都是透明的,具有很高的折射率[1],同時,氧化鈦薄膜具有優(yōu)良的介電、壓電、氣敏和光催化性能,在微電子、光學(xué)、傳感器和光催化等方面應(yīng)用廣泛.氧化鈦薄膜優(yōu)異的性能和良好的應(yīng)用前景使其成為目前的研究焦點,其中研究制備氧化鈦薄膜的工藝具有重要的現(xiàn)實意義[2-5].制備氧化鈦薄膜的方法很多,有包括電子束蒸發(fā)、活化反應(yīng)蒸發(fā)、離子束技術(shù)、離化團束(Ionized Cluster Beam,ICB)技術(shù)和直流(交流)反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在內(nèi)的物理氣相沉積法,還有化學(xué)氣相沉積法和溶膠-凝膠(sol-gel)法等,其中反應(yīng)磁控濺射金屬Ti靶的方法成膜效率高,可以制備出具有較高折射率的高質(zhì)量氧化鈦薄膜,而且磁控濺射工藝較為穩(wěn)定、易于控制[6-8],因此,本研究采用磁控濺射法制備氧化鈦薄膜.

1 實驗過程

薄膜樣品在FJL560CI2型超高真空磁控濺射系統(tǒng)上采用RF反應(yīng)磁控濺射法制備獲得.濺射靶材為直徑50.9 mm、厚度5 mm的高純度(99.99%)金屬鈦靶,以K9雙面拋光玻璃作為基底.鍍膜時基底在上,靶材在下,可防止污染物玷污基底.鍍膜前,將光學(xué)玻璃片浸泡在丙酮中,用超聲波振蕩10 min,再用無水乙醇清洗.光學(xué)玻璃基底裝在可繞中心軸旋轉(zhuǎn)的襯底架上.每次濺射前,都要預(yù)先在純Ar氣體中放電約5 min,當(dāng)觀察到靶表面輝光放電的顏色由粉紅色變?yōu)樗{(lán)白色或者放電電壓迅速下降到某一穩(wěn)定值時,表明氧化物已除去.之后,便可通入氧氣進行反應(yīng)濺射沉積薄膜樣品.濺射前的本底真空為4×10-4Pa,濺射氣體為氬氣(99.999%),反應(yīng)氣體為氧氣(99.999%),氬氣流量為80 cm3/min,氧氣流量為4 cm3/min,工作氣壓為0.2 Pa,濺射偏壓為100 V,濺射時間為3 h.

利用Rigaku D/max 2500 v/pc型X線衍射儀對薄膜的晶態(tài)結(jié)構(gòu)進行測試[9-10],測定光源為Cu Kα射線,掃描范圍為 10°~80°,步長為 0.02°,管電壓為 40 kV,管電流為100mA.采用美國J.A.Woollam公司生產(chǎn)的M-2000DI型橢偏儀[11-12]測量不同入射角下薄膜的光學(xué)常數(shù),該橢偏儀所得橢偏參數(shù)φ和Δ的精度優(yōu)于0.015°,測量的波長范圍為250~1 700 nm,光線入射角分別為55°、60°和65°,采用儀器自帶的Wvase32軟件獲得薄膜的折射率n、消光系數(shù)k和厚度d數(shù)據(jù).利用Origin軟件對所得數(shù)據(jù)進行擬合,得到折射率n和消光系數(shù)k隨波長變化的關(guān)系曲線.利用WGD-8A型組合式多功能光柵光譜儀測量薄膜的透射率T,測試的波長范圍為200~800 nm,波長分辨率為0.2 nm,并將測試結(jié)果與由傳輸矩陣法獲得的理論計算結(jié)果進行比較.

2 結(jié)果與討論

2.1 薄膜的結(jié)構(gòu)

圖1為樣品的X線衍射結(jié)果,衍射圖譜中僅呈現(xiàn)了一個寬大的主峰,其寬度達(dá)到20°,該峰應(yīng)該是基底玻璃的無序結(jié)構(gòu)對X線彌散衍射產(chǎn)生的結(jié)果.除此之外,X線圖譜基本看不出其他衍射峰,這說明鍍制的薄膜呈非晶態(tài),這是因為濺射離子能量低,且薄膜沉積過程中基底沒有加熱,導(dǎo)致成膜粒子能量太低不足以形成晶態(tài)膜.由于薄膜呈非晶態(tài),所以由XRD衍射結(jié)果無法確定薄膜的物相和成分,但在沉積過程中,由于只有氬氣和氧氣通入沉積腔室,在真空等離子體環(huán)境中,形成的化合物應(yīng)為鈦的氧化物.因此,可將該膜稱為TiOx.

圖1 薄膜樣品的X線衍射圖譜Fig.1 XRD pattern of the film sample

2.2 薄膜的光學(xué)性能

圖 2是入射角分別為 55°、65°和 75°時,由橢圓偏振譜儀測得的TiOx薄膜橢偏參數(shù)φ和Δ隨波長λ變化的情況.

圖2 不同入射角θ情況下,TiOx薄膜橢偏參數(shù)φ和Δ隨波長λ變化的曲線Fig.2 Dependence of the parameters φ and Δ on wavelength at different incidence angles

將由橢偏儀獲得的橢偏參數(shù)φ和Δ設(shè)為擬合參數(shù),由橢偏儀自帶的Wvase32軟件可以得到薄膜厚度d、折射率n和消光系數(shù)k隨波長λ的變化關(guān)系,其中n和k隨λ的變化關(guān)系如圖3所示.

圖3 利用橢偏法計算得到的薄膜n和k隨波長的變化曲線Fig.3 Calculated n and k changing with wavelength by ellipsometer measurement

由圖3可以看出,TiOx薄膜的折射率在300~600 nm范圍內(nèi)迅速減少,隨后隨著波長的增加而緩慢減小,并保持在2.15左右,屬于正常色散.TiOx薄膜消光系數(shù)隨波長的變化情況具有相同的趨勢,在300~400 nm范圍內(nèi)直線下降,由0.8迅速減小到接近0.03,即對光的吸收迅速減弱,然后隨著波長的增加基本保持不變,這說明在波長λ大于400 nm的可見光與紅外光波段,TiOx薄膜具有很好的透射性能.

基于最小二乘法,利用Origin軟件對圖3中的折射率n和消光系數(shù)k進行數(shù)值擬合[13-14],從而得到TiOx薄膜折射率n和消光系數(shù)k的色散關(guān)系,即:

將數(shù)值擬合結(jié)果與測試所得折射率n和消光系數(shù)k隨波長的變化關(guān)系(圖3)進行對比,結(jié)果如圖4所示.由圖4可以看出,二者在所研究的光波范圍內(nèi)吻合,說明表達(dá)薄膜色散關(guān)系的式(1)和式(2)可靠.

圖4 測試與擬合得到的折射率n和消光系數(shù)k隨波長變化關(guān)系曲線的對比Fig.4 Comparison of tested and fitted curves for refractive index and extinction coefficient changing with wavelength

在式(1)、式(2)和由橢偏儀獲得的薄膜厚度d=146.4 nm的基礎(chǔ)上,利用傳輸矩陣法可以對TiOx薄膜的透射率進行理論計算[15].傳輸矩陣法的實質(zhì)是把電磁場在實空間的格點位置展開,利用傳輸矩陣來反映電磁場空間的變化關(guān)系.設(shè)光沿z軸方向傳播,電磁場在xOy平面的分量分別記為Ex、Ey、Hx和Hy.

式(3)中:k0=2π/λ0,Δ 為傳輸矩陣,具體表達(dá)式可參考文獻(xiàn)[15]。

當(dāng)光在均勻介質(zhì)中向前傳播h距離(即從z=z到z=z+h的位置)時,由式(3)可得

由式(4)可知光傳播h距離前后的電磁場變化,進而可以計算光的透射率等性質(zhì)。

將理論計算結(jié)果與由WGD-8A型組合式多功能光柵光譜儀直接獲得的TiOx薄膜透射譜進行比較,如圖5所示.由圖5可以看出,TiOx薄膜的透射率測量結(jié)果和理論計算結(jié)果在350~800 nm范圍內(nèi)吻合,且由濺射法獲得的TiOx薄膜在可見光波段透射率大于70%,具有較高的透射率,說明薄膜是透明的,與此波段消光系數(shù)較小相吻合.

圖5 實驗測試與理論計算的透射譜Fig.5 Comparison of the simulated transmittance spectrum with the measured one

3 結(jié)論

(1)采用磁控濺射方法獲得TiOx薄膜樣品,X線衍射結(jié)果表明鍍制的TiOx薄膜呈非晶態(tài).

(2)薄膜的折射率在 300~600 nm范圍內(nèi)迅速減少,然后隨著波長的增加而緩慢減小,其折射率保持在2.15左右.薄膜的消光系數(shù)與折射率具有相似的趨勢,在300~400 nm范圍內(nèi)直線下降,從0.8迅速減小到接近0.03,然后隨著波長的增加基本保持不變.

(3)通過橢圓偏振譜儀對TiOx薄膜的折射率n和消光系數(shù)k進行分析,確定制備所得的TiOx薄膜為透明膜,并獲得了該TiOx薄膜的光學(xué)性能參數(shù),為光子晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計提供了基礎(chǔ)依據(jù).

(4)理論計算的透射譜與實驗測試結(jié)果一致.

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