国产日韩欧美一区二区三区三州_亚洲少妇熟女av_久久久久亚洲av国产精品_波多野结衣网站一区二区_亚洲欧美色片在线91_国产亚洲精品精品国产优播av_日本一区二区三区波多野结衣 _久久国产av不卡

?

全介質(zhì)鏡微腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計與發(fā)光特性的模擬

2013-08-08 10:33:34曲松楠褚明輝劉星元
發(fā)光學(xué)報 2013年3期
關(guān)鍵詞:微腔駐波偶數(shù)

林 杰,曲松楠,褚明輝*,劉星元

(1.發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點實驗室中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所,吉林長春 130033;2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049)

1 引 言

全介質(zhì)鏡微腔是指以介質(zhì)材料構(gòu)成的分布式布拉格反射鏡(DBR)作為腔鏡的一種光學(xué)微腔。由于腔長和光波長相比擬,全介質(zhì)鏡微腔可以用來研究凝聚態(tài)體系中的腔量子電動力學(xué)現(xiàn)象[1],以及設(shè)計低閾值的半導(dǎo)體激光器,因而在集成光學(xué)、信息光電子等領(lǐng)域都有很好的應(yīng)用前景。在有機光電子領(lǐng)域,全介質(zhì)鏡微腔在有機電致發(fā)光(OLED)照明顯示、光泵浦有機激光器[2-3]、電泵浦有機激光器[4]等方面都有重要的應(yīng)用。雖然光學(xué)微腔發(fā)光特性的理論模擬已有相關(guān)的報道[7-8],但是由于DBR結(jié)構(gòu)的不同,全介質(zhì)鏡微腔的結(jié)構(gòu)和性能存在較大差異,而這方面的研究還不夠深入。

本文通過理論模擬研究了有機發(fā)光材料在不同結(jié)構(gòu)的全介質(zhì)鏡微腔中的發(fā)光特性。結(jié)果表明,DBR結(jié)構(gòu)的不同會導(dǎo)致腔鏡反射相移的變化,從而最終改變了器件的透射光譜、腔內(nèi)駐波電場分布、PL光譜峰值位置和強度等參數(shù)。只有合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計才能使腔內(nèi)的發(fā)光得到有效的增強。對稱偶數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔可以使諧振峰位置的PL光譜峰值強度增加59倍。

2 結(jié)構(gòu)設(shè)計

全介質(zhì)鏡微腔的結(jié)構(gòu)如圖1所示。采用常見的有機發(fā)光材料Alq3薄層作為發(fā)光層。微腔器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計需要考慮反射鏡結(jié)構(gòu)、腔長、諧振峰以及輻射偶極子在腔中的相對位置等因素[5-6]。我們設(shè)計了4種不同DBR結(jié)構(gòu)的全介質(zhì)鏡微腔,具體的器件結(jié)構(gòu)如下:

(1)對稱奇數(shù)層DBR構(gòu)成的腔結(jié)構(gòu)

Device A:Glass/(HL)5H[MAlq3M]H(LH)5

(2)底部奇數(shù)層DBR、頂部偶數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)

Device B:Glass/(HL)5H[MAlq3M](LH)5

(3)對稱偶數(shù)層DBR構(gòu)成的腔結(jié)構(gòu)

Device C:Glass/(HL)5[MAlq3M](LH)5

(4)底部偶數(shù)層DBR、頂部奇數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)

Device D:Glass/(HL)5[MAlq3M]H(LH)5

在這里,H代表高射率材料 Ta2O5,折射率為2.06,厚度為 63.10 nm;L 為低折射率材料 SiO2,折射率為1.46,厚度為89.04 nm??偳婚L為520 nm,其中Alq3的折射率為1.75,厚度為20 nm;M代表間隔層 Al2O3,折射率為1.66,厚度為146.08 nm。

圖1 全介質(zhì)鏡微腔的結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 The schematic diagram of dielectric microcavity

3 結(jié)果與討論

圖2所示為Alq3的光致發(fā)光(PL)光譜,以及模擬的器件A、B、C、D的PL光譜。Alq3的PL峰值在520 nm。模擬數(shù)據(jù)表明,與Alq3在520 nm的發(fā)光峰值強度相比,器件A在520 nm的發(fā)光強度降低了近60%(以下的對比中均是參照Alq3在相同波長位置的光譜強度),器件B在576 nm的PL峰值位置增強了11倍,器件C在520 nm的PL峰值強度增強了59倍,而器件D在576 nm的PL峰值增強了2倍。可以看出只有器件C(對稱偶數(shù)層微腔)和器件A(對稱奇數(shù)層微腔)在520 nm有發(fā)光峰,其余的兩個器件在520 nm都不存在發(fā)光峰。

圖3和圖4分別給出了器件A、B、C、D的透射光譜、腔內(nèi)駐波電場分布和折射率分布圖。[MAlq3M]為腔內(nèi)材料,對于所有器件設(shè)計波長均為λ=520 nm。所有材料的具體參數(shù)見結(jié)構(gòu)設(shè)計部分。由圖1可知在λ腔中,全介質(zhì)微腔的PL光譜在對稱偶數(shù)層DBR結(jié)構(gòu)下具有最大的增強。圖3(a)、(c)、圖 4(a)、(c)分別是器件 A、B、C、D的透射光譜。器件A和器件C的透射峰均在520 nm,器件B和器件D的透射峰在460 nm和576 nm。雖然腔內(nèi)材料的光學(xué)厚度為λ,而實際上由于器件DBR結(jié)構(gòu)上的差別,造成DBR的反射相移各不相同。根據(jù)Fabry-Perot方程,只有微腔的總相移為2mπ(m為大于1的整數(shù))時所對應(yīng)的光波才能諧振。在腔內(nèi)材料的光學(xué)厚度不變而發(fā)光薄層位置固定的情況下,DBR結(jié)構(gòu)的不同表現(xiàn)為微腔諧振波長及駐波電場的變化。微腔諧振峰的發(fā)光強度主要與該諧振波長與PL譜的重疊位置以及發(fā)光層在駐波場中的位置有關(guān)。模擬的結(jié)果表明,只有器件A和器件C在520 nm處形成諧振峰,器件B和D在520 nm處則不存在諧振峰。同時器件A和C的光譜強度有很大差別。器件C的PL光譜強度增強了大約59倍,器件A的發(fā)光強度降低到原來的60%。這主要和腔內(nèi)駐波場的分布有關(guān),器件C的發(fā)光層位于駐波場最大的地方(圖4(b)),而器件A的發(fā)光層位于駐波場波節(jié)位置,因此發(fā)光強度受到較大的抑制(圖3(b))。由于器件B和器件D的DBR采用的非對稱結(jié)構(gòu),器件在520 nm處不存在諧振峰,同時發(fā)光層處的駐波場既不是處于波腹也不是處于波節(jié)(圖3(d)和圖4(d))。以上結(jié)果表明全介質(zhì)鏡微腔的DBR結(jié)構(gòu)對其發(fā)光性能有重要的影響。

圖2 器件A(a)、B(b)、C(c)、D(d)的PL模擬光譜,虛線(△)為發(fā)光層Alq3的PL光譜。Fig.2 The simulated PL spectra of device A(a),B(b),C(c),D(d),the dotted line(△)is the PL spectrum of Alq3layer.

圖3 模擬的器件A的透射光譜(a),腔內(nèi)駐波場及折射率分布圖(b),器件B的透射光譜(c),腔內(nèi)駐波場和折射率分布圖(d)。Fig.3 The simulated transmittance spectra of device A(a)and B(c).The simulated standing wave field and refractive index distribution of device A(b)and B(d).

圖4 模擬的器件C的透射光譜(a),腔內(nèi)駐波場及折射率分布圖(b),器件D的透射光譜(c),腔內(nèi)駐波場和折射率分布圖(d)。Fig.4 The simulated transmittance spectra of device C(a)and D(c).The simulated standing wave field and refractive index distribution of device C(b)and D(d).

4 結(jié) 論

設(shè)計了4種不同結(jié)構(gòu)的全介質(zhì)鏡微腔:2種對稱結(jié)構(gòu)和2種非對稱結(jié)構(gòu),分別是對稱奇數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)、對稱偶數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)、底部奇數(shù)層DBR頂部偶數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)以及底部偶數(shù)層DBR頂部奇數(shù)層DBR構(gòu)成的λ腔結(jié)構(gòu)。理論模擬的結(jié)果表明,DBR結(jié)構(gòu)的不同會改變微腔器件的總位相厚度,從而最終影響器件的透射光譜、腔內(nèi)駐波場分布、PL光譜峰值位置和強度等眾多參數(shù)。DBR的結(jié)構(gòu)對全介質(zhì)鏡的性能有很大的影響,只有合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計才能使腔內(nèi)材料的發(fā)光在適當(dāng)?shù)牟ㄩL位置得到有效的增強。

[1]Hong F Y,Xiong S J.Single-photon transistor using microtoroidal resonators[J].Phys.Rev.A,2008,78(1):013812-1-4.

[2]Tessler N,Denton G J,F(xiàn)riend R H.Lasing from conjugated polymer microcavities[J].Nature,1996,382(6593):695-697.

[3]Kozlov V G,Bulovi V,Burrows P E,et al.Laser action in organic semiconductor waveguide and double-heterostructure devices[J].Nature,1997,389(6647):362-364.

[4]Liu X,Li H,Song C,et al.Microcavity organic laser device under electrical pumping[J].Opt.Lett.,2009,34(4):503-505.

[5]Takada N,Tsutsui T,Saito S.Control of emission characteristics in organic thin-film electroluminescent diodes using an optical-microcavity structure[J].Appl.Phys.Lett.,1993,63(15):2032-2034.

[6]Dodabalapur A,Rothberg L J,Jordan R H,et al.Physics and applications of organic microcavity light emitting diodes[J].J.Appl.Phys.,1996,80(12):6954-6964.

[7]Zhang C,Liu X,Tao G,et al.Optical properties of organic film in a coupled microcavity[J].Chin.J.Lumin.(發(fā)光學(xué)報),2007,28(3):349-353(in Chinese).

[8]Wang H,Zhang C.Simulation of microcavity organic light-emitting device at different exciton positions[J].Chin.J.Lumin.(發(fā)光學(xué)報),2010,31(2):167-170(in Chinese).

猜你喜歡
微腔駐波偶數(shù)
基于時域有限差分法的光子晶體波導(dǎo)微腔耦合研究
奇數(shù)與偶數(shù)
血液動力學(xué)中血管流激波與駐波的相互作用
偶數(shù)階張量core逆的性質(zhì)和應(yīng)用
微腔結(jié)構(gòu)介質(zhì)阻擋放電的仿真與實驗研究
DAM型10kW中波廣播發(fā)射機駐波故障分析
粒子在二維開放型四分之一圓形微腔中的逃逸研究
表面微結(jié)構(gòu)輻射器幾何結(jié)構(gòu)對發(fā)射性能的影響
駐波教學(xué)中的初相問題
物理通報(2013年8期)2013-01-14 00:53:14
用3D Studio Max演示駐波的振動
物理與工程(2010年2期)2010-03-25 10:01:59
博野县| 杭锦后旗| 钦州市| 海南省| 平阳县| 孝义市| 剑阁县| 凉城县| 百色市| 阳城县| 宁国市| 东源县| 南木林县| 体育| 秦皇岛市| 肃宁县| 家居| 昭通市| 甘洛县| 青川县| 玉环县| 四平市| 思茅市| 霍山县| 富蕴县| 平安县| 偃师市| 南和县| 望城县| 内丘县| 翁源县| 汉阴县| 定远县| 新龙县| 巨鹿县| 滨州市| 息烽县| 永寿县| 黔西县| 琼海市| 应城市|