耿博耘，劉 鋒，韓煥鵬

(中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所，天津300220)

硅材料具有技術(shù)成熟、價(jià)格低廉、氧化層穩(wěn)定且容易獲得等優(yōu)點(diǎn)，隨著集成電路和太陽能電池的大量需求，盡管硅作為第一代半導(dǎo)體材料已有60 多年的使用歷史，迄今仍然有著十分廣泛的市場應(yīng)用。由于大尺寸的硅單晶具有明顯的成本優(yōu)勢，直拉法作為硅單晶 最重要的方法之一，一直被廣泛的研究和報(bào)道。生長大尺寸的硅單晶需要更大型的直拉爐熱場，而大型的熱場必然導(dǎo)致熔體對(duì)流、氬氣氣流、固/ 液界面形態(tài)等影響硅單晶質(zhì)量的關(guān)鍵因數(shù)變得更加復(fù)雜，直拉生長硅單晶也就更加難以控制。

生長硅單晶時(shí)，直拉爐的溫度很高，各項(xiàng)測試較為困難，無法直接獲得熱場中的各個(gè)參數(shù)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)均為間接數(shù)據(jù)。此外，由于大直徑硅生長所需電能和硅料較多，實(shí)驗(yàn)成本較高。因此，國內(nèi)外學(xué)者普遍采用數(shù)值模擬的方式來研究直拉硅單晶生長過程。STR 公司的CGSim 軟件是國際上專門用于熔體中晶體生長過程仿真和優(yōu)化的數(shù)值模擬軟件，該軟件用于CZ 法和DSS 法生長數(shù)值模擬優(yōu)化，所預(yù)測的生長速率、功率消耗、晶體缺陷等已經(jīng)被大量實(shí)驗(yàn)證實(shí)[1-3]。

本文在前人數(shù)值模擬的基礎(chǔ)上，結(jié)合現(xiàn)有的直拉單晶爐的特點(diǎn)和結(jié)構(gòu)，對(duì)上述模擬的優(yōu)化方案進(jìn)行有效選取，改進(jìn)了直拉爐的熱場，通過數(shù)值模擬獲得了直觀的熱場數(shù)據(jù)并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析，此外，還通過直拉爐單晶生長實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了數(shù)值模擬的結(jié)論，對(duì)數(shù)值模擬提供了真實(shí)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)作支撐，增強(qiáng)了熱場改善效果的說服力。

1 直拉單晶爐改造

本文所使用的直拉爐為Kayax 公司生產(chǎn)的CG6000 型單晶爐，其具有自動(dòng)化程度高、可靠性好、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，可以從抽真空到拉晶結(jié)束均采用全自動(dòng)控制。該單晶爐采用軟軸，分為上下兩個(gè)爐室即主室和副室，采用圓月光環(huán)法控制拉晶直徑，在上下軸的旋轉(zhuǎn)部分采用磁流體密封，安全措施和報(bào)警措施完備。該單晶爐結(jié)構(gòu)簡圖如圖1所示。

圖1 Kayax 公司CZ 單晶爐結(jié)構(gòu)簡圖

通過對(duì)CG6000 型單晶爐進(jìn)行結(jié)構(gòu)測量，采用1:1 真實(shí)參數(shù)，簡化測溫孔、觀察孔等非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，采用對(duì)稱式結(jié)構(gòu)，獲得了如圖2（a）所示改進(jìn)前的單晶爐結(jié)構(gòu)圖。參考文獻(xiàn)4 數(shù)值模擬的結(jié)果指出熱屏內(nèi)部和爐體側(cè)壁的石墨炭氈的加厚可以提高拉晶速率，改善硅熱應(yīng)力和氧含量。參考文獻(xiàn)5 數(shù)值模擬指出熱屏底端與晶體表面和熔體自由液面的距離拉近可以改善晶體生長時(shí)的固液界面，提高了拉晶速率。參考文獻(xiàn)6 指出增加額外的側(cè)面和底面保溫層可以大大降低功率和氬氣的消耗。結(jié)合單晶爐控制及熱場的特點(diǎn)，本文重點(diǎn)對(duì)導(dǎo)流筒和保溫裝置進(jìn)行改造，獲得如圖2（b）所示改進(jìn)后單晶爐結(jié)構(gòu)圖。

改進(jìn)后的熱場主要做了三方面的改善：（1）增加下保溫碳?xì)郑畛浼訜崞髋c單晶爐底部的空隙，降低加熱器熱量損耗，降低拉晶時(shí)功率；（2）將一段式導(dǎo)流筒改為三段式導(dǎo)流筒，改善拉晶時(shí)氬氣氣流，使得固液界面氬氣氣流增大，提高固液界面晶體軸向溫度梯度，增大拉晶速度；（3）增加上保溫罩，填充加熱器與單晶爐頂部的空隙，加強(qiáng)頂部保溫，改善氬氣氣流流向，減少氬氣流中擾流成分。

2 數(shù)值模擬分析

2.1 數(shù)值模擬初始條件及參數(shù)

將改進(jìn)前和改進(jìn)后的單晶爐結(jié)構(gòu)圖輸入到CGsim 軟件中，對(duì)比兩種熱場的模擬分析結(jié)果。兩次模擬均選取同樣的模擬初始條件，單晶爐的主要參數(shù)設(shè)置如下：加熱器直徑460 mm，石英坩堝內(nèi)徑400 mm，外徑430 mm，爐內(nèi)氣壓2 666 Pa(即20 Torr)，保護(hù)氣體為氬氣，氬氣流量3 500 L/h，晶體直徑125 mm，晶體總高度800 mm，拉晶速度1 mm/min，投料量35 kg，堝轉(zhuǎn)-10 r/min，晶轉(zhuǎn)15 r/min。主要進(jìn)行晶體生長模擬，模擬參數(shù)如表1所示，無特殊說明參數(shù)由軟件自給定。

圖2 改進(jìn)前與改進(jìn)后熱場結(jié)構(gòu)圖

表1 晶體生長模擬時(shí)使用的主要物理參數(shù)

2.2 數(shù)值模擬分析

在CP（等徑長度）=400 mm 時(shí)，模擬軟件給出了整個(gè)爐體的溫場和流場對(duì)比圖如圖3 所示。拉速為1 mm/min 時(shí)，模擬軟件給出總的建議功率為：P 改進(jìn)前=65.3 kW，P 改進(jìn)后=63.7 kW，改進(jìn)后的功率要低于改進(jìn)前功率。

從圖3 可以看出，改進(jìn)后熔體的高溫區(qū)向下移動(dòng)，低溫區(qū)則相對(duì)沒有變化，整個(gè)熔體的溫差降低，固液界面形狀有所改善，熔體對(duì)流無明顯變化。

圖3 改進(jìn)前與改進(jìn)后熔體對(duì)流模擬圖

圖4﹑5 給出了兩種不同熱腸結(jié)構(gòu)的晶體﹑熔體軸向的溫度對(duì)比，若要提高結(jié)晶速率，則應(yīng)增大，降低。由圖4﹑5 可以看出，改進(jìn)后的熱場中固液界面晶體增大較為明顯，這可以有效提高拉晶速率，同時(shí)、改進(jìn)后熱場中固液界面熔體雖也有一定上升，但并不如上升快。兩者效果相抵消后，改進(jìn)后的熱場結(jié)晶速率仍有所提高。

圖4 晶體軸向上的溫度分布對(duì)比

圖5 熔體軸向上的溫度分布對(duì)比

3 直拉法實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

為了驗(yàn)證模擬仿真的結(jié)果，本文進(jìn)行了晶體生長的實(shí)驗(yàn)，來檢驗(yàn)改進(jìn)后熱場對(duì)功率和拉速的改善效果。CG6000 型單晶爐在單晶生長時(shí)自動(dòng)化控制先進(jìn)，從抽空-穩(wěn)壓-加熱-引晶-放肩-轉(zhuǎn)肩-等經(jīng)-收尾-停爐整個(gè)拉晶過程均可自動(dòng)化控制，其組成部分如圖6[7]。其典型的400 mm（16 英寸）熱場下準(zhǔn)125 mm 單晶生長工藝如下表2 所示，其參數(shù)與模擬軟件仿真時(shí)是一致的。

表2 400 mm 熱場下 準(zhǔn)125mm 單晶生長參數(shù)

圖6 單晶爐的組成部分

從圖7 中兩種熱場下功率關(guān)于時(shí)間變化的對(duì)比中可以看出，兩種熱場的功率變化均規(guī)律一致，即先下降后緩慢上升，這反映了熔體所受加熱器熱輻射的變化，即隨著坩堝不斷上升，熔體重心逐漸從加熱器底部進(jìn)入加熱器中心隨后又進(jìn)入加熱器上部。改進(jìn)后的功率比改進(jìn)前的功率有明顯的下降，平均功率下降10%以上，并且功率變化幅度更小，溫度控制更加穩(wěn)定。改進(jìn)后功率降低是由于增加下保溫碳?xì)趾蜕媳卣郑鰪?qiáng)了對(duì)熱場的保溫作用，熱場在上部和底部熱量流失更少。改進(jìn)后功率變化幅度更小和尾部功率上升變小，這可以解釋為三段式導(dǎo)流筒增大了導(dǎo)流筒的熱反射面，增強(qiáng)了導(dǎo)流筒對(duì)熔體的熱量反射作用。由于這種熱量反射在整個(gè)拉晶過程中基本保持不變，因此在拉晶后段，隨著熔體所受加熱器熱輻射減少，熱反射作用更加明顯。

圖7 等徑功率關(guān)于時(shí)間的變化對(duì)比

圖8 則顯示了兩種熱場下等徑拉速關(guān)于時(shí)間的對(duì)比。從圖中可以得出，改進(jìn)前拉速變化幅度較大，這可以解釋為熔體的溫度極不穩(wěn)定，存在氬氣擾流。尾部拉速下降明顯這是由等徑后期熔體軸向梯度增大所導(dǎo)致。在改進(jìn)后熱場中，拉速波動(dòng)幅度變小，這是由于下保溫碳?xì)趾蜕媳卣謱?duì)熱場起了很好的保溫作用，熱場的溫度更加穩(wěn)定，而由于三段式導(dǎo)流筒對(duì)氬氣氣流的導(dǎo)向作用，氬氣擾流明顯減少。改進(jìn)后的拉速有一定的提升，這是由于三段式導(dǎo)流筒縮小了氬氣通道橫截面，加強(qiáng)了氬氣對(duì)晶體的吹拂，提高了晶體的軸向溫度梯度，而這種改善在等徑尾部熔體受熱減少、熔體溫度梯度增高時(shí)更加明顯。

圖8 等徑拉速關(guān)于時(shí)間的變化對(duì)比

4 結(jié) 論

通過對(duì)兩種熱場的模擬可以看出，改進(jìn)后的功率要低于改進(jìn)前功率，熱場的保溫作用得到加強(qiáng)。改進(jìn)后熱場中的和均有升高，但綜合作用后，其改進(jìn)后的等徑拉速是提高的。通過實(shí)際的開爐實(shí)驗(yàn)，本文也驗(yàn)證了改進(jìn)后熱場功率的降低和等徑拉速的提高，這種改善在等徑生長的后期更為明顯。

[1] J.Y.H，Sim B C，Lee J E，et al.Effect of the Crystal-melt Interface on the Grown-in Defects in Silicon CZ Growth[J]. J. Crystal Growth，2007，299：696-701.

[2] S.Jana，S.Dost，V.Kumar，et al.A Numerical Simulation Study for the Czochralski Growth Process of Si under Magnetic Field[J]. International Journal of Engineering Science，2006，44：554-573.

[3] 高宇，周旗鋼，戴小林等. 熱屏和后繼加熱器對(duì)生長準(zhǔn)300mm 硅單晶熱場影響的數(shù)值分析[J]. 人工晶體學(xué)報(bào)，2007，36(4)：832-836.

[4] 蘇文佳，左然，Vladimir Kalaev. 單晶爐導(dǎo)流筒、炭氈及熱屏對(duì)單晶硅生長影響的優(yōu)化模擬[J].人工晶體學(xué)報(bào)(EI). 2010.4，39(2)：291-296.

[5] 滕冉，戴小林，徐文婷，等. 熱屏優(yōu)化對(duì)大直徑硅單晶生長影響的數(shù)值模擬[J]. 人工晶體學(xué)報(bào)，2012，41(1)：238-242.

[6] L.Y.Huanga，P.C.Leea，C.K.Hsieh，et al. On the hotzone design of Czochralski silicon growth for photovoltaic applications[J]. J.Crystal Growth，2004，261：433-443.

[7] 黃有志，王麗. 直拉單晶硅工藝技術(shù)[M]. 北京：化學(xué)工業(yè)出版社，2009.