韓建++何學(xué)蘭+++黃穎

文章編號： 10055630(2014)02010004

收稿日期： 20130829

基金項目： 黑龍江省科技廳自然科學(xué)基金項目(F201108)。

摘要： 微小電容的測量技術(shù)成為電容傳感器技術(shù)被廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵,針對目前小電容測量電路存在的問題,提出一種基于測量三角波斜度的小電容檢測方法,采用PIC單片機為主的測量電路,電容檢測分辨率可達0.005 pF。此小電容測量系統(tǒng)具有高精度和穩(wěn)定度、測量范圍廣、測量時間短的特點,適合于實時可視化測量。

關(guān)鍵詞： 微小電容; 三角波斜度; 寬范圍

中圖分類號： TB 125文獻標(biāo)志碼： Adoi： 10.3969/j.issn.10055630.2014.02.002

Research and design of double oblique wave method for

small capacitance measurement circuit

HAN Jian1,2, HE Xuelan1,2, HUANG Ying1,2

(1.College of Electronic Science, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China;

2.The UniversityEnterprise R&D Center of Measuring and Testing Technology & Instruments and

Meters Engineering in Heilongjiang Province, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China)

Abstract： Small capacitance measurement known as the key of the capacitance sensor technology is widely used. Aiming at the problems of small capacitance measurement circuit, this paper proposes a small capacitance detection method based on measuring the triangle wave slope. Using PIC microcontroller measuring circuit, capacitance detection resolution is 0.005 pF. The small capacitance measuring system with high accuracy and stability, wide measurement range, short measurement time, is suitable for realtime visualization measurement.

Key words： small capacitance; triangle wave slope; wide measurement range

引言電容式傳感器由于高靈敏度、響應(yīng)快、無需接觸測量等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于各種測量和控制系統(tǒng)中,用來測量各種變化的參數(shù),如液位計、壓力表、加速度計、精密定位和表面粗糙度檢測等［1］。在這些應(yīng)用中電容通常的變化范圍為0.1～100 pF,因此需要有一種小電容檢測電路,小電容測量方法有許多種,但實時準(zhǔn)確測量還是當(dāng)前技術(shù)的難點。目前的測量方法有共振法、電橋法、相位法等,在共振法中,因為LC電路受諧振頻率所驅(qū)動,所以信噪比與品質(zhì)因數(shù)成比例［2］;雖然電橋法精度高,但其價格昂貴而且非線性輸出,尤其是在測量小電容值時,還易受雜散電容的影響;相位檢測法是一種經(jīng)濟有效的方法,但是很難選取一個合適的電阻值以獲得最大的靈敏度。針對以上情況,本文介紹一種低成本、高靈敏度、測量范圍大的小電容檢測電路［3］。1小電容檢測電路原理根據(jù)當(dāng)前的檢測信號特點,設(shè)計了基于雙斜波原理的小電容測量電路，其原理框圖如圖1所示。該測量電路以基于積分電容上電壓值與參考電壓值比較原理的信號調(diào)理電路取代了以小電容檢測芯片PS021為主的信號調(diào)理電路,它主要由比較器、電源管理模塊、20M高速晶振、PIC單片機和USB轉(zhuǎn)換接口組成［4］。由分立元件的搭建取代了集成芯片PS021,定時器對積分電容的充放電時間進行計數(shù),得到計數(shù)值與電容值的關(guān)系式,從而得到電容值的大小。電容傳感器測量電路如圖2所示,PIC單片機提供時序、內(nèi)部參考電壓和比較器來測量RC充放電反應(yīng)時間,電路測量需要兩個測量階段。

光學(xué)儀器第36卷

第2期韓建，等：雙斜波法測量微小電容電路的研究與設(shè)計

1.1第一測量階段第一測量階段的等效電路和電壓波形圖如圖3所示,CINT是積分電容,CSEN被看作是開關(guān)電容電阻,對積分電容充電,電壓VINT以指數(shù)形式增大逼近VDD,比較器檢測VINT是否達到參考電壓VRH,定時器測出這段時間［5］。

圖1小電容檢測電路示意圖

Fig.1Schematic diagram of the small

capacitance detection circuit圖2小電容實現(xiàn)電路

Fig.2Small capacitance circuit

圖3第一測量階段

Fig.3First measurement

由電容充放電原理可知:VINT=0,t<0

VINT=VDD(1－e－t/τ1),t≥0(1)

RSEN=TSW/CSEN

τ1=RSENCSEN(2)其中TSW為時鐘周期,綜合式(1)和式(2)可得定時器計數(shù)值:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))CSEN/CINT。VINT從VRL經(jīng)過k1個時鐘周期達到VRH,VINT實質(zhì)是由一系列的周期電壓組成,如圖3(b)所示,當(dāng)CINT遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于CSEN且采樣為24位A/D時,VINT可以近似成一條曲線,即RC充放電時間。

1.2第二測量階段第二測量階段是校對,使RCAL、CINT、CSEN都接地,電壓VINT以指數(shù)方式遞減至下限參考電壓VRL,計數(shù)器計數(shù)為k2,第二測量階段等效電路和VINT隨時間變化情況如圖4所示。

圖4第二階段測量

Fig.4Second measurement

在第二測量階段中有:VINT=VSEN=VRH,t<0

VINT=VRHe－t/τ2,t≥0(3)

τ2=RCAL(CINT+CSEN)

k2=RCAL(CINT+CSEN)ln(VRH/VRL)TSW(4)綜合以上方程可知,通過計數(shù)值便可知道電容值得大小。2分辨率和測量結(jié)果分析由于單片機輸入引腳寄生電容的存在,給測量結(jié)果帶來一定的誤差,當(dāng)CSEN越小時,這種影響會越明顯,為了減小誤差,把這些寄生電容CPAR看成與CSEN并聯(lián),即k1、k2可以寫成［6］:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))(CSEN+4CPAR)/CINT

k2=RCAL(CINT+CSEN+3CPAR)ln(VRH/VRL)TSW(5)圖5測量值與真實值對比圖

Fig.5Contrast diagram of measured and true value由此可知,k1和k2的值越大,CINT和CSEN的分辨率越高,但是當(dāng)CSEN小于四倍的CPAR時,分辨率會受到嚴(yán)重的影響,綜合考慮給出標(biāo)準(zhǔn)分辨率方程:ΔCINTCINT≈Δk1k1?CSEN+4CPARCINT,Δk2=0

ΔCINTCINT≈Δk2k2,Δk1=0(6)

ΔCSENCSEN≈Δk1k1?CSEN+4CPARCSEN,Δk2=0

ΔCSENCSEN≈Δk2k2?CSEN+4CPARCSEN,Δk1=0(7)由式(6)和式(7)可知:當(dāng)測出Δk1、Δk2即可知道電容值的變化量。通過測量25個不同大小的電容值,得出測量值與理論值如圖5所示,由此可以算得誤差大小為:δ=∑din=0.3+0.6+0.8+0.2+…+1.2+1.5+0.2+0.425≈0.002 1可以看出此測量系統(tǒng)的測量誤差在0.002 1 pF左右,誤差較小,符合一般信號的測量要求。3結(jié)論本文提出了一種基于充放電原理的小電容測量電路。通過應(yīng)用少量固件即可進行微小電容的測量,由于電容一端接地使得并聯(lián)寄生電容值較小,同時采用三角波電壓測定法,使得所設(shè)計的測量電路具有時序計算精度高、運放穩(wěn)定性強、操作過程簡便等特點,在非接觸測量微小信號方面具有開發(fā)潛力。參考文獻：

［1］江水,顧明.基于充放電原理實現(xiàn)的微電容測量電路［J］.電氣電子教學(xué)學(xué)報,2002,24(3):3031.

［2］馮勇建.MEMS高溫接觸式電容壓力傳感器［J］.儀器儀表學(xué)報,2006,27(7):804807.

［3］李新娥,馬鐵華,祖靜,等.基于充放電原理的小電容測量電路［J］.探測與控制學(xué)報,2012,34(2):4246.

［4］李鍛煉,向平,何明一.抗寄生干擾的小電容測量電路研究［J］.儀表技術(shù)與傳感器,1997(7):2832.

［5］邱桂蘋,于曉洋,陳德運.微小電容測量電路［J］.黑龍江電力,2006,28(5):362366.

［6］呂海寶,黃銳,楚興春.分布式光纖傳感技術(shù)［J］.光學(xué)儀器,1997,19(3):1117.第36卷第2期2014年4月光學(xué)儀器OPTICAL INSTRUMENTSVol.36, No.2April, 2014

文章編號： 10055630(2014)02010004

收稿日期： 20130829

基金項目： 黑龍江省科技廳自然科學(xué)基金項目(F201108)。

摘要： 微小電容的測量技術(shù)成為電容傳感器技術(shù)被廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵,針對目前小電容測量電路存在的問題,提出一種基于測量三角波斜度的小電容檢測方法,采用PIC單片機為主的測量電路,電容檢測分辨率可達0.005 pF。此小電容測量系統(tǒng)具有高精度和穩(wěn)定度、測量范圍廣、測量時間短的特點,適合于實時可視化測量。

關(guān)鍵詞： 微小電容; 三角波斜度; 寬范圍

中圖分類號： TB 125文獻標(biāo)志碼： Adoi： 10.3969/j.issn.10055630.2014.02.002

Research and design of double oblique wave method for

small capacitance measurement circuit

HAN Jian1,2, HE Xuelan1,2, HUANG Ying1,2

(1.College of Electronic Science, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China;

2.The UniversityEnterprise R&D Center of Measuring and Testing Technology & Instruments and

Meters Engineering in Heilongjiang Province, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China)

Abstract： Small capacitance measurement known as the key of the capacitance sensor technology is widely used. Aiming at the problems of small capacitance measurement circuit, this paper proposes a small capacitance detection method based on measuring the triangle wave slope. Using PIC microcontroller measuring circuit, capacitance detection resolution is 0.005 pF. The small capacitance measuring system with high accuracy and stability, wide measurement range, short measurement time, is suitable for realtime visualization measurement.

Key words： small capacitance; triangle wave slope; wide measurement range

引言電容式傳感器由于高靈敏度、響應(yīng)快、無需接觸測量等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于各種測量和控制系統(tǒng)中,用來測量各種變化的參數(shù),如液位計、壓力表、加速度計、精密定位和表面粗糙度檢測等［1］。在這些應(yīng)用中電容通常的變化范圍為0.1～100 pF,因此需要有一種小電容檢測電路,小電容測量方法有許多種,但實時準(zhǔn)確測量還是當(dāng)前技術(shù)的難點。目前的測量方法有共振法、電橋法、相位法等,在共振法中,因為LC電路受諧振頻率所驅(qū)動,所以信噪比與品質(zhì)因數(shù)成比例［2］;雖然電橋法精度高,但其價格昂貴而且非線性輸出,尤其是在測量小電容值時,還易受雜散電容的影響;相位檢測法是一種經(jīng)濟有效的方法,但是很難選取一個合適的電阻值以獲得最大的靈敏度。針對以上情況,本文介紹一種低成本、高靈敏度、測量范圍大的小電容檢測電路［3］。1小電容檢測電路原理根據(jù)當(dāng)前的檢測信號特點,設(shè)計了基于雙斜波原理的小電容測量電路，其原理框圖如圖1所示。該測量電路以基于積分電容上電壓值與參考電壓值比較原理的信號調(diào)理電路取代了以小電容檢測芯片PS021為主的信號調(diào)理電路,它主要由比較器、電源管理模塊、20M高速晶振、PIC單片機和USB轉(zhuǎn)換接口組成［4］。由分立元件的搭建取代了集成芯片PS021,定時器對積分電容的充放電時間進行計數(shù),得到計數(shù)值與電容值的關(guān)系式,從而得到電容值的大小。電容傳感器測量電路如圖2所示,PIC單片機提供時序、內(nèi)部參考電壓和比較器來測量RC充放電反應(yīng)時間,電路測量需要兩個測量階段。

光學(xué)儀器第36卷

第2期韓建，等：雙斜波法測量微小電容電路的研究與設(shè)計

1.1第一測量階段第一測量階段的等效電路和電壓波形圖如圖3所示,CINT是積分電容,CSEN被看作是開關(guān)電容電阻,對積分電容充電,電壓VINT以指數(shù)形式增大逼近VDD,比較器檢測VINT是否達到參考電壓VRH,定時器測出這段時間［5］。

圖1小電容檢測電路示意圖

Fig.1Schematic diagram of the small

capacitance detection circuit圖2小電容實現(xiàn)電路

Fig.2Small capacitance circuit

圖3第一測量階段

Fig.3First measurement

由電容充放電原理可知:VINT=0,t<0

VINT=VDD(1－e－t/τ1),t≥0(1)

RSEN=TSW/CSEN

τ1=RSENCSEN(2)其中TSW為時鐘周期,綜合式(1)和式(2)可得定時器計數(shù)值:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))CSEN/CINT。VINT從VRL經(jīng)過k1個時鐘周期達到VRH,VINT實質(zhì)是由一系列的周期電壓組成,如圖3(b)所示,當(dāng)CINT遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于CSEN且采樣為24位A/D時,VINT可以近似成一條曲線,即RC充放電時間。

1.2第二測量階段第二測量階段是校對,使RCAL、CINT、CSEN都接地,電壓VINT以指數(shù)方式遞減至下限參考電壓VRL,計數(shù)器計數(shù)為k2,第二測量階段等效電路和VINT隨時間變化情況如圖4所示。

圖4第二階段測量

Fig.4Second measurement

在第二測量階段中有:VINT=VSEN=VRH,t<0

VINT=VRHe－t/τ2,t≥0(3)

τ2=RCAL(CINT+CSEN)

k2=RCAL(CINT+CSEN)ln(VRH/VRL)TSW(4)綜合以上方程可知,通過計數(shù)值便可知道電容值得大小。2分辨率和測量結(jié)果分析由于單片機輸入引腳寄生電容的存在,給測量結(jié)果帶來一定的誤差,當(dāng)CSEN越小時,這種影響會越明顯,為了減小誤差,把這些寄生電容CPAR看成與CSEN并聯(lián),即k1、k2可以寫成［6］:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))(CSEN+4CPAR)/CINT

k2=RCAL(CINT+CSEN+3CPAR)ln(VRH/VRL)TSW(5)圖5測量值與真實值對比圖

Fig.5Contrast diagram of measured and true value由此可知,k1和k2的值越大,CINT和CSEN的分辨率越高,但是當(dāng)CSEN小于四倍的CPAR時,分辨率會受到嚴(yán)重的影響,綜合考慮給出標(biāo)準(zhǔn)分辨率方程:ΔCINTCINT≈Δk1k1?CSEN+4CPARCINT,Δk2=0

ΔCINTCINT≈Δk2k2,Δk1=0(6)

ΔCSENCSEN≈Δk1k1?CSEN+4CPARCSEN,Δk2=0

ΔCSENCSEN≈Δk2k2?CSEN+4CPARCSEN,Δk1=0(7)由式(6)和式(7)可知:當(dāng)測出Δk1、Δk2即可知道電容值的變化量。通過測量25個不同大小的電容值,得出測量值與理論值如圖5所示,由此可以算得誤差大小為:δ=∑din=0.3+0.6+0.8+0.2+…+1.2+1.5+0.2+0.425≈0.002 1可以看出此測量系統(tǒng)的測量誤差在0.002 1 pF左右,誤差較小,符合一般信號的測量要求。3結(jié)論本文提出了一種基于充放電原理的小電容測量電路。通過應(yīng)用少量固件即可進行微小電容的測量,由于電容一端接地使得并聯(lián)寄生電容值較小,同時采用三角波電壓測定法,使得所設(shè)計的測量電路具有時序計算精度高、運放穩(wěn)定性強、操作過程簡便等特點,在非接觸測量微小信號方面具有開發(fā)潛力。參考文獻：

［1］江水,顧明.基于充放電原理實現(xiàn)的微電容測量電路［J］.電氣電子教學(xué)學(xué)報,2002,24(3):3031.

［2］馮勇建.MEMS高溫接觸式電容壓力傳感器［J］.儀器儀表學(xué)報,2006,27(7):804807.

［3］李新娥,馬鐵華,祖靜,等.基于充放電原理的小電容測量電路［J］.探測與控制學(xué)報,2012,34(2):4246.

［4］李鍛煉,向平,何明一.抗寄生干擾的小電容測量電路研究［J］.儀表技術(shù)與傳感器,1997(7):2832.

［5］邱桂蘋,于曉洋,陳德運.微小電容測量電路［J］.黑龍江電力,2006,28(5):362366.

［6］呂海寶,黃銳,楚興春.分布式光纖傳感技術(shù)［J］.光學(xué)儀器,1997,19(3):1117.第36卷第2期2014年4月光學(xué)儀器OPTICAL INSTRUMENTSVol.36, No.2April, 2014

文章編號： 10055630(2014)02010004

收稿日期： 20130829

基金項目： 黑龍江省科技廳自然科學(xué)基金項目(F201108)。

摘要： 微小電容的測量技術(shù)成為電容傳感器技術(shù)被廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵,針對目前小電容測量電路存在的問題,提出一種基于測量三角波斜度的小電容檢測方法,采用PIC單片機為主的測量電路,電容檢測分辨率可達0.005 pF。此小電容測量系統(tǒng)具有高精度和穩(wěn)定度、測量范圍廣、測量時間短的特點,適合于實時可視化測量。

關(guān)鍵詞： 微小電容; 三角波斜度; 寬范圍

中圖分類號： TB 125文獻標(biāo)志碼： Adoi： 10.3969/j.issn.10055630.2014.02.002

Research and design of double oblique wave method for

small capacitance measurement circuit

HAN Jian1,2, HE Xuelan1,2, HUANG Ying1,2

(1.College of Electronic Science, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China;

2.The UniversityEnterprise R&D Center of Measuring and Testing Technology & Instruments and

Meters Engineering in Heilongjiang Province, Northeast Petroleum University, Daqing 163318, China)

Abstract： Small capacitance measurement known as the key of the capacitance sensor technology is widely used. Aiming at the problems of small capacitance measurement circuit, this paper proposes a small capacitance detection method based on measuring the triangle wave slope. Using PIC microcontroller measuring circuit, capacitance detection resolution is 0.005 pF. The small capacitance measuring system with high accuracy and stability, wide measurement range, short measurement time, is suitable for realtime visualization measurement.

Key words： small capacitance; triangle wave slope; wide measurement range

引言電容式傳感器由于高靈敏度、響應(yīng)快、無需接觸測量等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于各種測量和控制系統(tǒng)中,用來測量各種變化的參數(shù),如液位計、壓力表、加速度計、精密定位和表面粗糙度檢測等［1］。在這些應(yīng)用中電容通常的變化范圍為0.1～100 pF,因此需要有一種小電容檢測電路,小電容測量方法有許多種,但實時準(zhǔn)確測量還是當(dāng)前技術(shù)的難點。目前的測量方法有共振法、電橋法、相位法等,在共振法中,因為LC電路受諧振頻率所驅(qū)動,所以信噪比與品質(zhì)因數(shù)成比例［2］;雖然電橋法精度高,但其價格昂貴而且非線性輸出,尤其是在測量小電容值時,還易受雜散電容的影響;相位檢測法是一種經(jīng)濟有效的方法,但是很難選取一個合適的電阻值以獲得最大的靈敏度。針對以上情況,本文介紹一種低成本、高靈敏度、測量范圍大的小電容檢測電路［3］。1小電容檢測電路原理根據(jù)當(dāng)前的檢測信號特點,設(shè)計了基于雙斜波原理的小電容測量電路，其原理框圖如圖1所示。該測量電路以基于積分電容上電壓值與參考電壓值比較原理的信號調(diào)理電路取代了以小電容檢測芯片PS021為主的信號調(diào)理電路,它主要由比較器、電源管理模塊、20M高速晶振、PIC單片機和USB轉(zhuǎn)換接口組成［4］。由分立元件的搭建取代了集成芯片PS021,定時器對積分電容的充放電時間進行計數(shù),得到計數(shù)值與電容值的關(guān)系式,從而得到電容值的大小。電容傳感器測量電路如圖2所示,PIC單片機提供時序、內(nèi)部參考電壓和比較器來測量RC充放電反應(yīng)時間,電路測量需要兩個測量階段。

光學(xué)儀器第36卷

第2期韓建，等：雙斜波法測量微小電容電路的研究與設(shè)計

1.1第一測量階段第一測量階段的等效電路和電壓波形圖如圖3所示,CINT是積分電容,CSEN被看作是開關(guān)電容電阻,對積分電容充電,電壓VINT以指數(shù)形式增大逼近VDD,比較器檢測VINT是否達到參考電壓VRH,定時器測出這段時間［5］。

圖1小電容檢測電路示意圖

Fig.1Schematic diagram of the small

capacitance detection circuit圖2小電容實現(xiàn)電路

Fig.2Small capacitance circuit

圖3第一測量階段

Fig.3First measurement

由電容充放電原理可知:VINT=0,t<0

VINT=VDD(1－e－t/τ1),t≥0(1)

RSEN=TSW/CSEN

τ1=RSENCSEN(2)其中TSW為時鐘周期,綜合式(1)和式(2)可得定時器計數(shù)值:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))CSEN/CINT。VINT從VRL經(jīng)過k1個時鐘周期達到VRH,VINT實質(zhì)是由一系列的周期電壓組成,如圖3(b)所示,當(dāng)CINT遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于CSEN且采樣為24位A/D時,VINT可以近似成一條曲線,即RC充放電時間。

1.2第二測量階段第二測量階段是校對,使RCAL、CINT、CSEN都接地,電壓VINT以指數(shù)方式遞減至下限參考電壓VRL,計數(shù)器計數(shù)為k2,第二測量階段等效電路和VINT隨時間變化情況如圖4所示。

圖4第二階段測量

Fig.4Second measurement

在第二測量階段中有:VINT=VSEN=VRH,t<0

VINT=VRHe－t/τ2,t≥0(3)

τ2=RCAL(CINT+CSEN)

k2=RCAL(CINT+CSEN)ln(VRH/VRL)TSW(4)綜合以上方程可知,通過計數(shù)值便可知道電容值得大小。2分辨率和測量結(jié)果分析由于單片機輸入引腳寄生電容的存在,給測量結(jié)果帶來一定的誤差,當(dāng)CSEN越小時,這種影響會越明顯,為了減小誤差,把這些寄生電容CPAR看成與CSEN并聯(lián),即k1、k2可以寫成［6］:k1=ln(VDD/(VDD－VRH))(CSEN+4CPAR)/CINT

k2=RCAL(CINT+CSEN+3CPAR)ln(VRH/VRL)TSW(5)圖5測量值與真實值對比圖

Fig.5Contrast diagram of measured and true value由此可知,k1和k2的值越大,CINT和CSEN的分辨率越高,但是當(dāng)CSEN小于四倍的CPAR時,分辨率會受到嚴(yán)重的影響,綜合考慮給出標(biāo)準(zhǔn)分辨率方程:ΔCINTCINT≈Δk1k1?CSEN+4CPARCINT,Δk2=0

ΔCINTCINT≈Δk2k2,Δk1=0(6)

ΔCSENCSEN≈Δk1k1?CSEN+4CPARCSEN,Δk2=0

ΔCSENCSEN≈Δk2k2?CSEN+4CPARCSEN,Δk1=0(7)由式(6)和式(7)可知:當(dāng)測出Δk1、Δk2即可知道電容值的變化量。通過測量25個不同大小的電容值,得出測量值與理論值如圖5所示,由此可以算得誤差大小為:δ=∑din=0.3+0.6+0.8+0.2+…+1.2+1.5+0.2+0.425≈0.002 1可以看出此測量系統(tǒng)的測量誤差在0.002 1 pF左右,誤差較小,符合一般信號的測量要求。3結(jié)論本文提出了一種基于充放電原理的小電容測量電路。通過應(yīng)用少量固件即可進行微小電容的測量,由于電容一端接地使得并聯(lián)寄生電容值較小,同時采用三角波電壓測定法,使得所設(shè)計的測量電路具有時序計算精度高、運放穩(wěn)定性強、操作過程簡便等特點,在非接觸測量微小信號方面具有開發(fā)潛力。參考文獻：

［1］江水,顧明.基于充放電原理實現(xiàn)的微電容測量電路［J］.電氣電子教學(xué)學(xué)報,2002,24(3):3031.

［2］馮勇建.MEMS高溫接觸式電容壓力傳感器［J］.儀器儀表學(xué)報,2006,27(7):804807.

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