邱會(huì)東 楊力強(qiáng) 劉 偉 王 偉
(重慶科技學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院, 重慶 401331)
目前電解精制釩主要是在熔鹽電解質(zhì)中進(jìn)行,含水電解質(zhì)中電沉積釩的過程導(dǎo)致氫氣在陰極析出,穩(wěn)定氧離子形成以及可能情況下有氧化膜的釩沉積層形成,從而導(dǎo)致電流效率差,電解效率低,同時(shí)沉積層出現(xiàn)氫脆現(xiàn)象。通過對(duì)離子液體[1-5]體系中釩氧化物的理化性質(zhì)及循環(huán)伏安特性參數(shù)的分析,獲得合理的電沉積優(yōu)化參數(shù),解決當(dāng)前電解釩過程中還原峰電位控制問題,從而使電解過程中析氫電位負(fù)移,無析氫現(xiàn)象產(chǎn)生,副反應(yīng)產(chǎn)物少。
EMIMBF4離子液體(上海成捷化學(xué)有限公司,分析純),NaVO3·2H2O(成都市科龍化工試劑廠,分析純);極譜分析儀(JP-303成都儀器廠),鉑電極(KYK213,上海精密儀器有限公司),鉑絲電極(JP-303,成都儀器廠),飽和甘汞電極(XR314,上海仙仁儀器儀表有限公司)。
取一干凈的燒杯(50 mL),在室溫下,移取20 mL EMIMBF4離子液體,然后分別向離子液體中少量(定量)多次(每次取0.02 g)緩慢加入NaVO3·2H2O,攪拌60 min,溶解后測(cè)量其黏度與酸度變化情況,直至離子液體中有微量不溶性固體為止。設(shè)定循環(huán)伏安法參數(shù),依次將三電極浸沒于EMIMBF4離子液體與NaVO3·2H2O的混合液中并攪拌,改變測(cè)量參數(shù),對(duì)其電化學(xué)進(jìn)行測(cè)量。
根據(jù)實(shí)驗(yàn)方法,起始電位-200 mV,終止電位300 mV,考察了不同離子液體1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽(EMIMBF4)和1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽電化學(xué)窗口分別為1.56、2.04 V。同時(shí)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)離子液體中的雜質(zhì) (水和鹵離子 )對(duì)所測(cè)的電化學(xué)窗口同樣有較大的影響。
在EMIMBF4為離子液體體系中,實(shí)驗(yàn)了掃描速度對(duì)釩酸鹽的還原峰以及對(duì)其可逆性的影響,以偏釩酸鈉作為研究對(duì)象,根據(jù)實(shí)驗(yàn)方法調(diào)節(jié)儀器參數(shù)為:導(dǎo)數(shù)0,量程3,起始電位0 mV,終點(diǎn)電位400 mV。在實(shí)驗(yàn)過程中不斷改變掃描速度,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖1所示。
圖1 掃描速度對(duì)偏釩酸鈉在EMIMBF4中的影響
根據(jù)實(shí)驗(yàn)可知掃描速度對(duì)其可逆性的影響情況,在掃描速度從800 mVs逐漸減小到50 mVs的過程中,偏釩酸鈉的還原峰的電位變化甚微(有微小的負(fù)現(xiàn)象),但是還原峰電流卻隨著掃描速度的減小而迅速減小,峰的可逆性隨著掃描速度的降低而變好。由于氧化還原峰電流與掃描速度有關(guān),掃描速率越小,越容易確定可逆反應(yīng),掃描速度越快,對(duì)準(zhǔn)可逆反應(yīng)來講,往往是趨于不可逆的。所以后續(xù)實(shí)驗(yàn)選用掃描速度為50 mVs。
按照實(shí)驗(yàn)方法,起始電位0 mV,終點(diǎn)電位400 mV,掃描速度50 mVs,考察了掃描范圍對(duì)其還原峰的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖2所示。
圖2 掃描范圍對(duì)其還原峰與可逆性的影響曲線
掃描范圍對(duì)其還原峰的峰電位及可逆性也有一定影響。當(dāng)掃描范圍在100~300 mV時(shí),其還原峰電位較穩(wěn)定,峰電流值幾乎相等,可逆性較好。
按照實(shí)驗(yàn)方法,固定循環(huán)伏安特性參數(shù):導(dǎo)數(shù)0,量程3,掃描速度為50 mVs,起始電位100 mV,終點(diǎn)電位300 mV,改變恒溫磁力攪拌器溫度從15 ℃至65 ℃(每次間隔5 ℃),考察溫度對(duì)其還原峰的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖3所示。
圖3 溫度對(duì)偏釩酸鈉在EMIMBF4伏安特性曲線的影響
當(dāng)溫度從15 ℃上升到30 ℃時(shí),其還原峰電位呈現(xiàn)輕微的負(fù)移現(xiàn)象,還原峰電位增大,可逆性也有變好的現(xiàn)象;當(dāng)溫度從35 ℃上升到65 ℃時(shí),其還原峰電位有明顯的負(fù)移現(xiàn)象,峰電流開始降低,而且降低速度較快。溫度對(duì)其可逆性同樣有影響,但影響不顯著。當(dāng)溫度在20~30 ℃時(shí)有相對(duì)較穩(wěn)定的峰電位,有較高的峰電流,而且可逆性也相對(duì)較好。溫度較高會(huì)使還原峰不穩(wěn)定,但可逆性較好,這也許是由于溫度升高使其離子液體的黏度降低,離子的運(yùn)動(dòng)速度加快,離子的存在狀態(tài)和電極的性能改變等因素造成的。因此溫度應(yīng)控制在20~30 ℃為宜。
在室溫條件下,每次加入0.01 g硼酸來調(diào)節(jié)酸度,等其完全溶解后再進(jìn)行測(cè)量。按照實(shí)驗(yàn)方法,調(diào)節(jié)了溶液酸度并考察了酸度對(duì)伏安特性曲線的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖4所示。
圖4 酸度對(duì)偏釩酸鈉在EMIMBF4伏安特性曲線的影響
根據(jù)實(shí)驗(yàn)可知該釩離子在離子溶液中的循環(huán)伏安曲線的氧化峰和還原峰基本對(duì)稱,陰極電流與陽極電流的比值近似等于1,且峰電位基本上不隨掃速而變化,說明偏釩酸鈉在EMIMBF4離子液體中的氧化還原過程是可逆的過程。對(duì)于可逆體系有:
其中ip— 峰電流;i— 即時(shí)電流;E— 半波電勢(shì);ip-i— 循環(huán)伏安曲線的還原峰上截取的即時(shí)電流;R— 氣體常數(shù);T— 絕對(duì)溫度;F— 法拉第常數(shù);n— 物質(zhì)的量,mol。
對(duì)于一個(gè)可逆的電化學(xué)過程,其峰電勢(shì)Ep和半峰電勢(shì)E同反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n存在如下關(guān)系:
在可逆反應(yīng)體系中,根據(jù)Randles2Sevcik方程,以掃描速率的平方根V為橫坐標(biāo),峰電流Ip為縱坐標(biāo)作圖,如圖5所示。分析電化學(xué)還原過程及計(jì)算擴(kuò)散反應(yīng)的擴(kuò)散系數(shù)。
圖5 掃描速率的平方根V12與峰電流Ip的關(guān)系圖
峰電流Ip與掃描速率的平方根V具有很好的線性關(guān)系,說明在離子液體EMIMBF4中的還原過程是擴(kuò)散控制過程,且擴(kuò)散系數(shù)為8.8×10-14cms。
通過實(shí)驗(yàn)得知:掃描速度、溫度、酸度等都對(duì)偏釩酸鈉(NaVO3·2H2O)在1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽(EMIMBF4)中的電化學(xué)行為產(chǎn)生了影響,當(dāng)溫度控制在20~30 ℃,掃描速度在50 mVs,酸度控制在3.2~4.6,掃描范圍控制在100~300 mV時(shí),此離子液體體系具有較好的可逆性與靈敏度。
分析其動(dòng)力學(xué)因素與反應(yīng)機(jī)理可知,NaVO3·2H2O在離子液體EMIMBF4中反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n≈2,說明此還原反應(yīng)為二電子轉(zhuǎn)移過程,其擴(kuò)散系數(shù)為8.8×10-14cms。
[1] 肖小華,劉淑娟,劉霞,等.離子液體及其在分離分析中的應(yīng)用進(jìn)展[J].分析化學(xué),2005,33(11):569-574.
[2] 張曉春,張鎖江,左勇,等.離子液體的制備及應(yīng)用[J].化學(xué)進(jìn)展,2010,22(7):1549-1558.
[3] 邱會(huì)東,楊治立,田仙麗,等.低釩轉(zhuǎn)爐鋼渣提釩濕法工藝的動(dòng)力學(xué)研究[J].稀有金屬材料與工程,2011,40(7):1120-1123.
[4] 余亮,董元篪.含釩鋼渣添加SiO2后的釩富集相與釩富集行為[J].材料與冶金學(xué)報(bào),2007,6(2):94-98,108.
[5] 高麗霞,王麗娜,齊濤,等.離子液體AlCl3Et3NHCl中電沉積法制備金屬鋁[J].物理化學(xué)學(xué)報(bào),2008,24(6):939-944.
[6] 田國(guó)才,李堅(jiān),華一新.離子液體在有色金屬冶金中的應(yīng)用[J].過程工程學(xué)報(bào),2009,9(1):200-208.