陳青松
(國家新聞出版廣電總局五五四臺,河南 滎陽 450100)
FD100A 型PSM100 kW 短波發(fā)射機的寬頻帶放大器是由美國Thermo Voltek 公司生產(chǎn)的200 W 寬放。主要參數(shù),頻率范圍:0.3~40 MHz;輸入最大功率:20 mW;輸出最大功率:200 W;工作狀態(tài):甲類和甲乙類;輸入/輸出阻抗:50 Ω;電源:+28 V DC;冷卻方式:強制風冷(最高溫度60 ℃)。
寬頻帶放大器安裝在高前小箱位置,地方狹窄更換麻煩需要將高前小箱拆裝后方可進行。通風冷卻不夠理想,長時間高溫工作容易造成設(shè)備損壞。其輸入信號來自1A9(自動增益控制)的J2 端口,通過50 Ω 射頻電纜送入寬放輸入端3A1-J9。最大輸入信號為20 mW(頻率合成器輸出最大電壓1 V,輸出阻抗50 Ω,送入1A9 的最大功率為1/50=0.02 W即20 mW)。
其供電電源是由1PS7 提供+28 V DC,接入負載后電源下降為22 V DC~25 V DC 之間,兩根電源引線焊接到寬放電源端子上,穿芯電容端子為電源正極,寬放外殼為電源負極。1PS7 供電原理如圖1 所示。
圖1 1PS7 供電原理圖
三相230 V AC 電源經(jīng)CB10(型號:AD-25A)和CB14(型號:AD-16A)空開,再經(jīng)1K15 寬放接觸器,送入1PS7 電源端子排TB1 的1、2、3 端子。T1 變壓器初級為三角形接法,次級為星型接法。經(jīng)三相橋式整流(整流橋二極管耐壓150 VC,最大電流40 A)變?yōu)?28 V 的直流電壓,經(jīng)C1 濾波后變?yōu)榧y波系數(shù)更小的直流電壓滿足寬放所需。R1 為阻值很小的分流器為寬放電流表提供取樣;R2 與寬放電壓表串聯(lián),寬放電壓表分得極少量電壓用于指示;R3 為負載電阻;1PS7 同時為1A9 提供+28 V 電源。
圖2 穩(wěn)壓電路圖
1PS7 輸出+28 V 電壓經(jīng)穿芯電容送入VR1 的VIN 端,電容C10、C11、C12、C13 起濾波穩(wěn)壓作用。VR1 輸出端VOT電壓12 V,經(jīng)可調(diào)電阻R29 適當調(diào)整后送入Q3 柵極,為其提供大小合適的電壓。當E1 端有BIAS 信號時Q4 導通,使VR1 輸出端VOT 經(jīng)R22 電阻和Q4 的漏、源兩端通地;Q3 柵極通地無電壓,Q3 管截止不工作起到保護重要器件的作用,預防了故障擴大化的發(fā)生。
圖3 前置級放大電路圖
1)射頻信號(最大功率Pmax=20 mW)由J1 端送入寬放,經(jīng)線圈L5 送到由R11、C27、R12、C28 組成的高通濾波器,防止過低頻率信號串入輸入回路。
2)Q1 晶體管工作于甲類狀態(tài),其偏置電壓R13 和R14串聯(lián)分壓為其提供。計算可得:V(Q1)b=28 ×R14/(R13 +R14)=1.6 V;又因為R14 為可調(diào)電阻,調(diào)整后加至Q1 的偏置電壓為1.2 V 左右即可,過高電壓在長時間工作中會將Q1損壞。R15 為直流負反饋電阻(其電壓0.5 V),用來提高晶體管的輸入阻抗,穩(wěn)定管子的工作狀態(tài)。
3)輸出電路分析:T5 為9∶1 自耦變壓器式輸出網(wǎng)絡,起到阻抗變換作用,使輸出阻抗得到匹配,輸出功率達到最大,減少功率損耗。C31 耦合電容,通高頻交流信號,阻斷低頻直流信號,使前后兩級得到很好的隔離作用。R1、R2、R3 組成T 型電阻網(wǎng),使輸入輸出之間得到很好的銜接作用,阻抗匹配變得簡單容易。T1、T2 為4∶1 型傳輸線變壓器,分別合成16∶1 阻抗匹配,與Q2 的輸入阻抗匹配。之所以采用傳輸線變壓器其優(yōu)點有:傳輸線變壓器適合工作于射頻頻段,最高可達幾百兆赫茲至上千兆赫茲。由于傳輸線變壓器有兩根導線緊密纏繞在一起,因此,任意點的線電容都是很大的,整個線上是均勻分布的,導線又繞在高U 磁芯上,故導線每一小段的電感可以看成有許多電感、電容組成的耦合鏈。正是利用電感和電容之間的耦合,完成了能量的傳輸,線間分布電容不但不會影響高頻能量的傳輸,相反卻是電磁能量傳輸?shù)谋匾獥l件;也使磁芯的損耗對信號傳輸?shù)挠绊懘蟠鬁p少。
4)VSWR 駐波比保護電路,當E3 端送來駐波比信號(低電平)時,將Q1 基極偏置電壓箝位為零電位,Q1 管子截至,致使所有后級放大電路截至。起到快速保護后端設(shè)備的目的。
寬頻帶放大器的驅(qū)動級放大電路原理如圖4 所示。
圖4 驅(qū)動級放大電路圖
1)Q2 作為寬放的驅(qū)動放大級,工作于甲類狀態(tài)。其偏置電壓由R4 和R5 串聯(lián)分壓提供,計算可得:V(Q2)b=28 ×R5/(R4 +R5)=2 V;又因為R5 為可調(diào)電阻,調(diào)整后加至Q2的偏置電壓為0.7 V 左右即可,過高電壓在長時間工作中會將Q2 損壞。
2)其他電路分析:L1、C5、C6 組成π 型濾波網(wǎng)絡,防止高頻信號串擾電源,并作為向Q2 提供偏置電壓的通路。R6 和R7 并聯(lián)后與C4、L2 形成LCR 反饋式電路,穩(wěn)定管子的工作狀態(tài),擴寬通頻帶,改善高頻特性,防止過電壓產(chǎn)生失真信號。L3 為射頻阻流圈防止射頻信號串擾28 V 電源和偏置電壓。
3)輸出電路分析:輸出射頻信號經(jīng)C7 耦合至T3 傳輸線變壓器,阻抗變比為4∶1,起到阻抗變換和功率均分器的作用。
此電路是寬放電路中的重要環(huán)節(jié),Q3 管價格昂貴市面稀少,所以使用中要格外小心以防損壞。其電路原理如圖5所示。
1)Q3 管工作于甲乙類狀態(tài),由兩只N 溝道MOSFET 管構(gòu)成,在正極型或負極性信號時分別交替導通放大,在末級回路T4 傳輸線變壓器中合成交替放大的正負兩極信號。Q3柵極控制電壓由VR1 的VOT 端經(jīng)R29 調(diào)整后提供,其正常電壓為3.36 V 左右即可,切不可調(diào)整過高電壓而損壞貴重MOS 管。
2)其他電路分析:R16、R17、C14 和R18、R19、C15 分別組成RC 反饋電路,起到穩(wěn)定管子的工作狀態(tài),擴寬通頻帶,改善高頻特性,防止過電壓產(chǎn)生失真信號的作用。L4 自藕式阻流圈防止射頻信號串擾電源,并分別為兩MOS 管漏極提供電壓。C17~C22 和C34 為高頻濾波電容。
3)輸出電路分析:T4 為功率合成變壓器,阻抗變比1∶9起到阻抗變換和功率合成器的作用。
圖5 推挽放大級電路圖
正常時寬放電流:(a)無激勵時,I=2.4 A;(b)正常激勵低頻段時,I=5~6 A;(c)正常激勵高頻段時,I=8~11 A。當超出以上范圍時,寬放即有可能存在故障,應盡快處理以免造成停播事故。
1)當設(shè)備工作于15 MHz 以上時,寬放電流I 已經(jīng)遠大于10 A,高末柵流小于0.4 A,而15 MHz 以下頻率寬放電流和高末柵流均正常時,說明此時寬放已經(jīng)輸出功率不足,可適當增大頻率合成器輸出電平來彌補寬放輸出功率不足的問題。
2)一般情況下,寬放輸出功率不足都是由Q3 管造成的,更換時須注意事項:
◆寬放外殼接地,佩戴防靜電手鐲。用萬用表先測量電源端對外殼有無短路現(xiàn)象;再用萬用表測量Q1、Q2、Q3 集電極或漏極對寬放外殼電阻值,如果出現(xiàn)短路通殼現(xiàn)象說明此管已經(jīng)擊穿需要更換;并測量基極、集電極、發(fā)射極之間或柵極、漏極、源極之間有無擊穿現(xiàn)象。
◆更換管子時切不可用烙鐵直接焊接Q3 管和Q2 管,可用防靜電烙鐵拆除舊管子,同樣的方法焊接新管子。
◆將Q3 柵極脫開電源供電端,調(diào)整直流電壓源為28 V給寬放加靜態(tài)電壓,測量Q3 柵極供電端電壓為3.36 V 左右,觀察電壓源電流顯示應為1.2 A 左右,電流相差較大時,說明此管性能已經(jīng)很差不可使用(如發(fā)現(xiàn)直流電壓源電流特別大10~25 A,電壓只有10 V 以下說明漏柵極擊穿)。重新焊接Q3 柵極電源供電端,加靜態(tài)電壓觀察。
◆調(diào)整內(nèi)部電源VR1 輸出端可調(diào)電阻R29 時,應注意每次調(diào)整電壓最大范圍為0.2 V 左右,最大調(diào)整至3.36 V 即可,切勿再增大電壓否則有燒壞Q3 管的可能。
◆斷開Q3 柵極控制電壓,調(diào)整Q1 或Q2 基極電壓為0.7 V,并同時觀察直流電壓源電流為0.2 A。
◆動態(tài)測試寬放,寬放外殼接地線并接直流電壓源的負極,頻率合成器的輸出端經(jīng)10 dB 衰減器后接入寬放的輸入端,并置頻率合成器電平于0 dB。寬放輸出端經(jīng)功率計后與假負載相連接,其間的連接線應使用特性阻抗為50 Ω 的連接線,以保證輸入輸出間的阻抗匹配。假負載是由四根3R13(220 Ω)純阻并聯(lián)成55 Ω 負載電阻,并安裝在鐵皮箱內(nèi)(鐵皮箱外殼接地線),四周有大功率風扇進行冷卻。將寬放外殼拆除并使用風機冷卻。頻綜調(diào)整合適頻率;合28 V直流電壓電源,緩慢增加頻綜輸出電平,觀察直流電壓源的輸出電流大小和功率計的功率指示大小,依據(jù)兩者的變化情況判斷寬放的工作情況??筛鶕?jù)實際情況適當調(diào)整各管子的基極電壓或柵極電壓。更換頻綜頻率觀察電流指示和功率指示,用示波器在假負載測試口觀察其波形變化情況。
各級管子應在屏蔽環(huán)境中儲存。
Q1 型號:2N3866(NPN 型)晶體管;基極電壓1.2 V;發(fā)射極0.5 V;集電極電壓28 V。
Q2 型號:MRF136(N 溝道)MOS 管;柵極電壓0.7 V;漏極電壓28 V。
Q3 型號:MRF141G(N 溝道)MOS 管或BLF248(NPN型)晶體管;柵極電壓2.8~3.6 V;漏極電壓28 V。
Q1 和Q2 管基極與發(fā)射極或柵極與源極電壓差為0.7 V左右。
DF100A 型寬放設(shè)計之初有300 W 功率,只用到200 W功率,有足夠的富裕量。但是實際情況卻并非如此,在低頻段還能滿足需求,但在高頻段時經(jīng)常出現(xiàn)輸出功率不足的情況,再加上長時間不間斷的工作原因,寬放故障率越來越高,在此提出一些建設(shè)性想法用以解決此問題。
利用現(xiàn)有設(shè)備,將兩組寬放進行功率合成。在兩組寬放輸入端之前,將射頻信號進行功率分配后再分別送入兩組寬放,又在兩組寬放分別放大之后加入功率合成器。這樣,利用每組寬放單獨放大后的功率再進行合成,使得輸出功率會更大,從而解決單獨寬放輸出功率小的問題。