基極
- 近似等效法在高頻電子線路教學中的應(yīng)用與探討
，當頻率增加時，基極與集電極之間的容抗變小，此時使用近似等效法，基極與集電極之間形成一個有效通路，如圖2所示，集電極上的電流會有一部分通過該通路泄露到基極上去，造成基極電壓升高，根據(jù)晶體管是將基極電壓放大為集電極電流原理，使得更進一步放大升高后的信號，形成一種類似于正反饋機制，使得晶體管從線性區(qū)迅速過渡到非線性區(qū)，進而使晶體管失去放大能力。圖2 高頻下晶體管極間電容近似等效以上的分析說明了電子線路對頻率高低敏感的原因之一，了解了晶體管對高頻信號影響之后，在
電子制作 2023年2期2023-03-01
- 基于RS 觸發(fā)器的危險區(qū)域安全保護裝置
加；三極管T1的基極電位降低，集電極電位升高，因此三極管T2的基極電位升高，集電極電位降低，在KA 兩端產(chǎn)生電壓差，其線圈得電，常開觸點吸合，M 斷電、停止運轉(zhuǎn)，發(fā)光二極管VD 及SP 得電，分別發(fā)出燈光示警和聲音示警。當人離開M 運轉(zhuǎn)區(qū)域時，R1受到的光照增加，阻值減?。籘1的基極電位升高，集電極電位降低，因此T2基極電位也降低，集電極電位升高，KA 兩端沒有電壓差，其線圈掉電，返回常閉觸點，M 正常運轉(zhuǎn)；SP 停止，實現(xiàn)電機的自動控制[3]。圖1 無R
寧夏工程技術(shù) 2022年4期2023-01-31
- 一種高PSRR快速響應(yīng)線性電源調(diào)制器的電路設(shè)計
比為8∶1，二者基極——發(fā)射極電壓差為：該電壓為PTAT電壓，經(jīng)過電阻R9及其上面的電阻放大后，從VOUT到Q16基極的電壓，也是一個PTAT電壓，與下方BYP端相連的LPNP管Q13的BE結(jié)CTAT（負溫度系數(shù)）電壓補償后，得到一階零溫度系數(shù)的電壓VBG，為：由式（6）可知，調(diào)整R8與R9比例，使得VT正溫度系數(shù)與VBE13負溫度系數(shù)相等，即可得到穩(wěn)定的帶隙基準電壓。考慮到在高溫下VT與VBE變化速率的不同，在高溫時，VBE13降低速率更快，使得基準電壓
環(huán)境技術(shù) 2022年6期2023-01-25
- 基于MATLAB的線性電流調(diào)節(jié)的LED驅(qū)動器設(shè)計與仿真
R2的低電位端，基極二極管D2輸出端，發(fā)射極連接至電阻R3；一個NPN型三極管，電路集電極連接至LED2低電位端，基極連接至電阻R3的低電位端，發(fā)射極連接至地端；連個LED燈LED1和LED2，并進行串聯(lián)。圖中的函數(shù)f(x)=0表明低電位的電壓值為理想的0V。圖1 驅(qū)動器仿真電路其中分段線性電源V Src為電源線性變化模塊，如將電源的電壓值在0-1s時間內(nèi)從0V沿直線上升至10V，可知電壓上升的斜率為10；兩個單向?qū)ǘO管D1和D2連接在分段線性電源的正
電子制作 2022年18期2022-10-31
- 硅外延平面NPN雙極晶體管的總劑量輻射損傷缺陷研究
至-0.8 V，基極和集電極均接地。深能級陷阱測量采用PhysTech公司的FT1230 HERA-DLTS測試系統(tǒng)，重點針對NPN三極管的發(fā)射結(jié)開展深能級瞬態(tài)譜測試和分析，獲取其缺陷特性。測試過程中P型基極接低電位，N型集電極接高電位。DLTS測試過程中設(shè)定的主要參數(shù)為：反向偏壓VR=1 V，脈沖電壓VP=-0.2 V，測試周期TW=0.3 s，脈沖寬度TP=10 ms，掃描溫度50～450 K。在溫度掃描時，可同時測試不同溫度下發(fā)射結(jié)的C-V和I-V曲
原子能科學技術(shù) 2022年10期2022-10-29
- 基于雙極工藝的高速MOSFET柵驅(qū)動電路
N/PNP器件的基極-發(fā)射極閾值電壓只有0.6 V（MOSFET器件普遍在1 V以上），因此與CMOS工藝的驅(qū)動電路相比，雙極工藝驅(qū)動電路擁有更低的導通損耗和更長的使用壽命；同時雙極型器件輸出電流與基極-發(fā)射極電壓成指數(shù)關(guān)系，器件輸出跨導效率相比MOS器件顯著增加，同等面積下可以比MOS器件得到更大的輸出電流，因此采用雙極工藝實現(xiàn)的驅(qū)動電路可以有效減小芯片面積，提高經(jīng)濟效益。國內(nèi)外已經(jīng)研制出了多種基于雙極工藝的柵驅(qū)動電路[5-7]。文獻[5]采用級聯(lián)達林頓
電子與封裝 2022年10期2022-10-29
- 一生都在學習,81歲爺爺直播教電工知識走紅
：為什么三極管的基極電壓Ub與發(fā)射極電壓Ue同相位？三極管的基極電壓與集電極電壓為什么反相位？他的每場直播同時在線人數(shù)最高上萬，單場直播觀看人數(shù)超過40萬，來直播間聽他上課的學生遍布大江南北。走紅后，王廣杰在直播間被數(shù)十萬網(wǎng)友“催更”，他還登上熱搜榜，短短4天時間粉絲增加了50余萬。王廣杰坦言，自己學的都是電工基礎(chǔ)內(nèi)容，隨著時代的發(fā)展，如今的科技也在進步，他又自學PLC（可編程邏輯控制器）知識，并在直播間里講解，“我沒有落后于時代，我很喜歡這個專業(yè)，這一生
文萃報·周二版 2022年25期2022-06-23
- 一種低偏流、低失調(diào)的高精度運算放大器設(shè)計
鏡采樣了Q4 的基極電流并返回一個近似相等的電流到Q2 的基極，從而完成偏流補償，減小輸入偏流。實際上，由于采樣管Q4 和輸入管Q2 的集電極電流和β并不完全匹配，再加上PNP 電流鏡基極電流和厄利效應(yīng)帶來的誤差，最終會有1/20～1/5 的基極電流未補償。圖1 傳統(tǒng)偏流補償一考慮基極電流時的誤差情況：根據(jù)上式分析，由于PNP 管β較小，所以相比于采樣電路而言，PNP 電流鏡會成為更大的誤差來源。此外，這一偏流補償結(jié)構(gòu)由于匹配性較差會導致失調(diào)電流的增大。失
電子設(shè)計工程 2022年11期2022-06-15
- 三維數(shù)值仿真研究鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管總劑量效應(yīng)*
合增加,最終導致基極電流增大、增益下降;其中EB Spacer 氧化層中產(chǎn)生的陷阱電荷主要影響正向Gummel 特性,而LOCOS 隔離氧化層中的陷阱電荷則是造成反向Gummel 特性退化的主要因素.通過數(shù)值模擬分析獲得的SiGe HBT 總劑量效應(yīng)損傷規(guī)律與不同偏置下60Co γ 輻照實驗的結(jié)論符合得較好.1 引言鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBT)由于硅基能帶工程材料和器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢,通過對基區(qū)Ge 組分梯度的控制,可實現(xiàn)大跨度的工作溫度范圍[1-
物理學報 2022年5期2022-03-18
- 基極調(diào)幅電路性能仿真分析
430033）基極調(diào)幅電路[1-2]是以高頻諧振功率放大電路為基礎(chǔ)構(gòu)成的，是輸出電壓幅度受基極所加調(diào)制信號控制的高頻諧振功率放大器，輸出調(diào)幅信號有較高的功率，也是高電平調(diào)幅。理論上高頻諧振功率放大器工作在欠壓工作狀態(tài)時，調(diào)制信號和基極直流偏壓共同作為放大器的偏置電壓，即可在輸出端獲得AM 調(diào)幅信號。如何調(diào)整電路參數(shù)，才能使高頻諧振功率放大器工作于欠壓工作狀態(tài)；如何設(shè)置基極直流偏壓才能獲得不同調(diào)制度的調(diào)幅信號；如何調(diào)整載波、集電極電壓，才能獲得不失真的調(diào)幅
電子設(shè)計工程 2022年4期2022-02-27
- 射極跟隨器實驗研究與探索
電源電壓Vcc，基極電阻RB，和發(fā)射極，射極電阻RE，構(gòu)成了輸入回路，同時電源電壓Vcc的正極通過基極電阻RB接入基極也保證了發(fā)射結(jié)正偏；電源電壓Vcc，集電極，發(fā)射極，射極電阻RE，構(gòu)成了輸出回路，電源電壓Vcc正極接入集電極，電源電壓Vcc負極通過射極電阻RE接入集電極。所示的直流通路可看出，在輸入回路中，其中RB為可變電阻，依據(jù)基爾霍夫電壓定律(KVL)及晶體管的電流分配關(guān)系,可得如下公式：(1)和(1)基極電阻RB為可變電阻，通過改變電阻RB的阻值
太原科技大學學報 2021年6期2021-12-31
- 雙極型晶體管總劑量效應(yīng)的統(tǒng)計特性*
照效應(yīng)主要體現(xiàn)在基極電流(IB)的退化, 其作用機理是電離輻射在SiO2中及Si/SiO2界面作用導致的氧化物陷阱電荷面密度(Not)和界面陷阱電荷面密度(Nit)的增長.本文基于定制設(shè)計的柵控橫向PNP晶體管, 開展了大樣本、多劑量點的電離總劑量效應(yīng)實驗, 獲得了雙極型晶體管IB, Not, Nit的分散性及其隨總劑量變化的統(tǒng)計特性, 初步建立了晶體管損傷分散性與Not分散性的關(guān)聯(lián).該研究成果可以有效支撐雙極型電路輻射可靠性的機理研究與定量評估.1 引
物理學報 2021年13期2021-08-04
- 單管放大器電路解析及探討
調(diào)節(jié)T1晶體管的基極電位;滑動變阻器RW1連接著撥動開關(guān),需要將撥動開關(guān)撥到“通”,可以將電源電壓的正極連接到T1晶體管的基極,從而保證了發(fā)射結(jié)處于正向偏置;T1晶體管的集電極電阻RC1通過導線連接到電源電壓的正極,就保證了集電極處于高電位,這樣單管放大器就滿足外部條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,保證T1晶體管處于放大狀態(tài)。單管放大器電路中,由發(fā)射結(jié)連接基極電阻和射極電阻,加上電源構(gòu)成了輸入回路,集電結(jié)連接集電極電阻和射極電阻,加上電源構(gòu)成了輸出回路[3]。2
太原學院學報(自然科學版) 2021年2期2021-06-29
- 基于晶體三極管的放大電路分析
射極、集電極以及基極。在三極NPN的情況下，通過在硅片上生長的摻雜工藝在三極管上形成兩個PN結(jié)，并在不同的偏壓下控制兩個PN結(jié)的開關(guān)控制。電壓和電流放大效應(yīng)大大加快了電子技術(shù)的發(fā)展。晶體的三極管分為不同的類型，根據(jù)制造材料分為鍺管和硅管，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同可分為PNP管和NPN管。把微弱的電信號按一定倍數(shù)放大。它還具有開關(guān)作用，用來構(gòu)成多種脈沖與數(shù)字電路。它體積小、能耗低、價格便宜，已廣泛應(yīng)用于電子線路中。2 不同組態(tài)的三極管放大電路根據(jù)三極管電路中的連接方式可
中國設(shè)備工程 2021年24期2021-04-03
- 結(jié)合通用技術(shù)課程 促進物理教學①
——以“電容器在延時電路中的應(yīng)用”為例
手沒有觸摸VT1基極時，由于VT1、VT2均未導通，因此VT3基極為高電位，符合導通條件，因此VT3導通，發(fā)光二極管點亮，當手觸摸VT1基極之后，VT1、VT2相繼導通，VT3由于基極電位被拉低而截止，發(fā)光二極管熄滅，因此該電路有觸摸關(guān)燈的效果。在理解上述電路的基礎(chǔ)上，請學生思考：該電路能夠?qū)崿F(xiàn)觸摸關(guān)燈的功能，但只有在手觸摸的時候燈才會關(guān)閉，手一離開，燈就會立刻點亮，應(yīng)用性較差，我們能否讓燈在手離開之后繼續(xù)保持一段時間的熄滅狀態(tài)，然后再自動點亮呢？通過對這
物理之友 2021年1期2021-03-15
- 一種適用于毫米波的InP HBT小信號模型與參數(shù)提取方法
源等效電路部分。基極-發(fā)射極重疊電容和基極-集電極重疊電容分別被吸收到基極-發(fā)射極電容Cbe和外部基極-集電極電容Cbcx中[7]。其中總基極-集電極電容Cbc的物理機理可表示為:式中:Cbc0為零偏置電流下的基極-集電極電容;Ic為集電極電流。參數(shù)K1和Itc描述了集電極區(qū)的電子速度調(diào)制效應(yīng)。通過對基極-集電極電容Cbc與集電極電流Ic進行擬合,結(jié)果如圖5(a)中實線所示。通過有源等效電路所得到的Z參數(shù)能夠提取基極-集電極電容Cbc。式中:Za為有源等效
電子元件與材料 2021年1期2021-02-05
- 偏置條件對國產(chǎn)SiGe BiCMOS 器件總電離輻射效應(yīng)的影響
進行了分析，得到基極電流Ib和集電極電流Ic隨輻照累積劑量的變化關(guān)系，并對其進行了Gummel 特性曲線的測試，得到Ib和Ic隨基極-發(fā)射極電壓VBE的變化關(guān)系。2 實驗結(jié)果隨劑量而增大，從而導致了圖2中電流增益以及峰值電流增益隨劑量的不斷退化。表明Ib是SiGe BiCMOS器件的主要敏感參數(shù)，Ic基本不受電離輻射效應(yīng)的影響。當輻照總劑量累積到12 kGy(Si)時，3種偏置條件下器件峰值hEF仍高于170，說明其在高劑量率輻照下有著良好的抗電離總劑量輻
輻射研究與輻射工藝學報 2020年5期2020-10-30
- 汽車電子電氣基礎(chǔ)知識詳解(五)
為發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。電荷載體從發(fā)射極移動到基極(發(fā)射出去)并由集電極吸收。因此晶體管有兩個PN結(jié)，一個位于發(fā)射極與基極之間，另一個位于集電極與基極之間。圖67 晶體管的電路符號1.工作原理下面以一個NPN晶體管為例介紹工作原理。PNP晶體管的工作原理相同，但電流流動方向相反。如圖68是一個晶體管及其三個接頭(發(fā)射極、基極和集電極)的工作原理圖。圖68 發(fā)射極電路中的晶體管工作原理發(fā)射極內(nèi)有很多電子，基極內(nèi)只有少量空穴(缺陷處)。在正電
汽車維修與保養(yǎng) 2020年6期2020-10-24
- 基于基本共射級放大電路的增益計算及教學實踐
交流信號由三極管基極和發(fā)射極輸入，從集電極和發(fā)射極輸出，因為發(fā)射極作為輸入和輸出的共同接地端，因此該種放大電路也被稱為共射放大電路，其結(jié)構(gòu)如圖1所示：圖1 基本共射放大電路其中，三極管VT作為整個放大電路的核心器件，將輸入信號產(chǎn)生的微弱基極電流，控制集電極電流的變化；基極直流電源VBB：通過基極電阻RB為三極管發(fā)射結(jié)提供正向偏置電壓以及合適的基電流；基極電阻RB：確保輸入信號有效的施加到放大電路的基極和發(fā)射極之間；集電極直流電源VCC：為三極管集電結(jié)提供反
山東化工 2020年8期2020-06-12
- NPN雙極型晶體管抗輻照加固研究
參數(shù)為雙極晶體管基極電流（IB）、集電極電流（IC）和電流增益（β=IC/IB）。同時對輻照的樣品進行DLTS 深能級瞬態(tài)譜測試。輻照實驗及其參數(shù)的測量均是在室溫下進行，每次參數(shù)的測試都在輻照或退火后20 min 內(nèi)完成。3 實驗結(jié)果與分析3.1 輻照后直流參數(shù)的變化及成因?qū)嶒灅悠份椪蘸鬁y試的直流參數(shù)研究表明，不同的電參數(shù)對于輻照的敏感程度是不同的。圖1所示為在不同總劑量水平下的基極電流IB、集電極電流IC隨基-射結(jié)偏壓VBE的變化情況。圖1 NPN 晶
微處理機 2019年5期2019-11-06
- 垂直腔面發(fā)射激光器與異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管集成結(jié)構(gòu)的設(shè)計和模擬
片上,通過HBT基極電流調(diào)制VCSELs的輸出光功率.本文設(shè)計了一種VCSELs與HBT集成結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括VCSELs和PNP InGaP/GaAs HBT,為直接串聯(lián)結(jié)構(gòu),并利用PICS3D軟件模擬了該集成結(jié)構(gòu)的電光特性.為了模擬能夠順利進行,在模型中加入了過渡集電極.首先將HBT導通,電流由發(fā)射極流向過渡集電極,然后增大過渡集電極與N型電極之間的電壓,使VCSELs導通且把過渡集電極的電流降為零.由于過渡集電極的電流為零,在實際結(jié)構(gòu)中可以將其移除.模
物理學報 2019年20期2019-10-25
- 淺談估算法計算單管放大電路靜態(tài)工作要點
開）。兩電位：指基極電位VBQ 和發(fā)射極電位VEQ。確定基極電位和發(fā)射極電位是關(guān)鍵中的關(guān)鍵，是解題的中心樞紐，只要把這個樞紐打開，整個解題過程就暢通了。如圖1（固定偏置放大電路），圖2（分壓式偏置放大電路）所示的兩電路：（1）先確定發(fā)射極電位VEQ，然后根據(jù)UBEQ=VBQ - VEQ 求 出 VBQ=VEQ + UBEQ，再 求ICQ=βIBQ，UBEQ=VCC-ICQ(RC+RE)。（2）先確定基極電位VBQ，然后根據(jù)UBEQ=VBQ-VEQ 求出VE
石河子科技 2019年6期2019-06-12
- 氫氣浸泡輻照加速方法在3DG111 器件上的應(yīng)用及輻射損傷機理分析*
—1.2 V; 基極和集電極均接地,測試基極電流IB和集電極IC隨發(fā)射極電壓的變化趨勢. 本文選取的電流增益β值為VBE=0.65 V 時對應(yīng)的IC與IB的比值. 通常利用電流增益倒數(shù)的變化量表征器件損傷程度.深能級瞬態(tài)譜儀(deep level transient spectroscopy,DLTS)是檢測雙極型器件內(nèi)部深能級缺陷的有效手段,可以定量表征微觀缺陷種類、濃度及能級等信息. DLTS 測試過程中主要參數(shù)設(shè)定為: 脈沖寬度TP=0.01 s,脈
物理學報 2019年6期2019-04-10
- 基于摩擦起電和靜電感應(yīng)控制的機器人觸覺系統(tǒng)
通過R1與Q2的基極相連，Q2的集電極通過R2與Q1的發(fā)射極相連，Q1的基極通過導線與Q2的集電極相連；自鎖觸發(fā)電路模塊(紅色框部分)，由NPN 型三極管Q3、電源E1、分壓電阻R3和R4，以及自鎖觸發(fā)端A 端構(gòu)成，具體結(jié)構(gòu)：Q3基極通過R4與自鎖觸發(fā)端A 端相連，發(fā)射極與電源負極相連，電源正極通過R3與Q2基極相連。圖3 系統(tǒng)中控制電路電路圖解鎖觸發(fā)電路模塊(藍色框部分)：由NPN 型三極管Q4、NPN 型三極管Q5、電源E2、分壓電阻R5和R6，以及解
實驗室研究與探索 2019年2期2019-04-02
- 按鈕控制的節(jié)能燈電路的設(shè)計
9013(1)的基極電阻使其達到飽和。實驗過程中不斷調(diào)試基極電阻RB,最后確定RB應(yīng)小于68k,具體取值如電路圖1所示,RB=47k+10k。延時電路可利用電容器的充放電構(gòu)成,按鈕并接在電容器的兩端。延長時間的長短取決于電容和電阻的取值,這里取C=470μF,R=100k。怎樣才能把延時電路與繼電器下面的三極管電路聯(lián)系到一起呢?設(shè)計的思路是在按下按鈕時,電容器開始充電,同時三極管9013(1)飽和導通,繼電器的金屬片與線圈吸合,燈泡亮;過一會兒,電容器充電
太原學院學報(自然科學版) 2018年4期2019-01-16
- Si3N4鈍化層對橫向PNP雙極晶?體管電離輻射損傷的影響機理
現(xiàn),有鈍化器件的基極電流隨著柵壓變化出現(xiàn)展寬現(xiàn)象.由此得出推論,有鈍化層的器件可能是由于制備鈍化層過程中引入了氫分子,導致界面電荷的增加并使得界面態(tài)能級分散.然而,上述研究無法排除柵極工藝的影響.上述研究表明,雙極晶體管的輻射特性具有很強的工藝相關(guān)性.然而,迄今無法直接證明鈍化層對電離輻射損傷的影響機理.為了解決上述問題,本文選取60Co源作為輻照源,針對橫向PNP(LPNP)雙極晶體管,采用電性能測試及深能級缺陷分析等兩種研究手段相結(jié)合,深入研究了有/無
物理學報 2018年16期2018-09-11
- 一種基于憶阻器的截流型過電流保護電路
保護電路三極管的基極電壓。將通過simulink搭建出憶阻器的等效實現(xiàn)電路模型，然后構(gòu)造基于憶阻器的截流型過電流保護電路并進行理論分析和仿真驗證。1 基于simulink的憶阻器等效實現(xiàn)電路通過simulink仿真構(gòu)建了憶阻器的等效實現(xiàn)電路，如圖2所示。其伏安特性曲線如圖3所示。圖2 憶阻器的simulink模型圖3 憶阻器的伏安特性曲線2 基于憶阻器的截流型過電流保護電路本文所構(gòu)造的基于憶阻器的截流型過電流保護電路如圖4所示。圖4中Q1是調(diào)整管，R2是電
機械制造與自動化 2018年4期2018-08-21
- 以“實”為證、以“理”服人開展通用技術(shù)教學嘗試
——以NPN型三極管與PNP型三極管置換為例
VT（9013）基極電壓為0.5V，沒有達到三極管的導通條件，現(xiàn)把47K電阻換成50K的可調(diào)電阻，重新接線，調(diào)節(jié)可調(diào)電阻，發(fā)現(xiàn)可調(diào)電阻阻值在10K左右時，可實現(xiàn)對應(yīng)功能，以下電路中都使用10K電阻。實驗二：PNP型管9012直接調(diào)換NPN型管9013，發(fā)光二極管接在9012的發(fā)射極上，如圖2。按原理分析，實現(xiàn)的功能應(yīng)與原電路功能相反，即光亮時二極管亮，光暗時二極管不亮，實驗結(jié)果也確實如此，但光亮時二極管只是微亮，亮度明顯比上一實驗低很多，即不能完全實現(xiàn)原電
中學課程輔導·教學研究 2018年17期2018-06-09
- 一種輸出可調(diào)的三端穩(wěn)壓電路的設(shè)計
一路送到了T5的基極，另一路經(jīng)R1、R2送到了T3、T4的基極。由于R4的負反饋作用，導致T6基極的信號變化比T2基極更為激烈。T6將此信號反相放大后加到了T5的發(fā)射極上，這樣在T5的發(fā)射結(jié)上就得到了一個更大幅度的誤差信號。T8、T9組成了1∶1的比例電流源，一方面作為T5的有源負載，另一方面，將T5放大后的信號傳遞到了T10的基極。誤差信號也通過R2、R10被T7所放大。由于T5、T7都是反相放大，經(jīng)過電流鏡后，進入T10基極的電流為兩個放大后信號之差。
現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟和信息化 2018年5期2018-06-07
- 電子技術(shù)實踐課程改革探索
于飽和狀態(tài)，必須基極電流足夠大，三極管在飽和時，集電極與發(fā)射極間的飽和電壓（UCES）很小，基極電流很大，對硅管來說，發(fā)射結(jié)的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝-0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏。要使三極管處于截止狀態(tài)，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO 為穿透電流，極小），UBE＜0，UBC＜0，也就是說，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏。要使三極管處于放大狀態(tài)，基極
數(shù)碼世界 2018年5期2018-06-04
- 可控硅整流器及其測試技術(shù)
的集電極作為Q2基極的驅(qū)動，同時，Q2的集電極作為Q1基極的驅(qū)動。圖1所示電路的特殊連接方式構(gòu)成了正反饋，Q2基極電流的任何變化都將被放大并且通過Q1的反饋得到增強。這種正反饋將持續(xù)改變Q2的基極電流直至兩個晶體管都進入飽和或者截止狀態(tài)。一方面，如果Q2的基極電流增加，則其集電極電流也增加，從而使Q1的基極和集電極電流增加，Q1集電極電流的增加將會進一步增大Q2的基極電流。這種放大反饋作用會一直持續(xù)到兩個晶體管均達到飽和，此時，電路的功能類似于閉合的開關(guān)。
視聽 2018年4期2018-05-09
- 調(diào)幅信號的產(chǎn)生方法及電路仿真研究
法有集電極調(diào)幅和基極調(diào)幅。3 低電平調(diào)幅電路及其仿真平方律調(diào)幅是利用電子器件的伏安特性曲線平方律部分的非線性作用進行調(diào)幅；斬波調(diào)幅是將所要傳送的音頻信號按照載波頻率來斬波，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調(diào)幅成分；模擬乘法器調(diào)幅是將所要傳送的信號與載波信號相乘，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調(diào)幅成分。平方律調(diào)幅電路所用的電子器件多為二極管，產(chǎn)生的AM波如圖1（a）所示。改變調(diào)制信號的幅度或直流電源的電壓值，將靈敏地改變
設(shè)備管理與維修 2017年5期2018-01-02
- 一種低溫度系數(shù)高電源抑制比帶隙基準
）提出了一種基于基極電流補償?shù)木哂械蜏囟认禂?shù)和高電源抑制比的帶隙基準電壓源結(jié)構(gòu)，通過消除三極管基極電流對基準輸出電壓溫度系數(shù)的影響，有效降低了基準的溫漂系數(shù)，同時通過自偏置電流鏡結(jié)構(gòu)和濾波電容提高了基準在全頻段的電源抑制比(PSRR)。Cadence中利用TSMC 0.18 μm工藝進行的仿真結(jié)果表明，在-55～125℃的溫度范圍內(nèi)，得到9.1×10-6/℃的溫漂系數(shù)，低頻時的電源抑制比達到-80 dB。基極電流補償；低溫漂系數(shù)；高電源抑制比1 引言現(xiàn)代集
電子與封裝 2017年12期2017-12-23
- 恒流激勵型開關(guān)電源
功率開關(guān)晶體管的基極加入RC振蕩回路。通過電容的充放電來改變基極電位使開關(guān)管產(chǎn)生自激振蕩。同時又加入一個分流調(diào)整管，通過采樣電路對輸出電壓進行采樣，把這個采樣電壓通過分流調(diào)整管反饋回開關(guān)管，并影響開關(guān)管基極電流，通過改變開關(guān)管基極電流的大小來改變占空比，從而實現(xiàn)穩(wěn)壓的目的。但是由于振蕩電路中的電壓是直接由變壓器感應(yīng)而來，也就是說這個電壓直接受到輸入電壓的大小而影響，這樣的電路設(shè)計決定了該電路對輸入電壓的范圍有了較大的要求，使得穩(wěn)壓范圍相對變窄。2 恒流激勵
時代農(nóng)機 2017年9期2017-12-08
- 用于反激式變換器的BJT功率管驅(qū)動電路的設(shè)計
精確復制到功率管基極；針對BJT管較慢的開關(guān)速度，配合數(shù)字控制，縮短功率管狀態(tài)轉(zhuǎn)換所需時間，降低了功率管損耗。在CSMC 18 μm 18 V工藝下，利用Hspice軟件進行仿真，結(jié)果表明，BJT功率管工作在飽和區(qū)，開關(guān)轉(zhuǎn)換速度增強，滿足了反激式變換器對BJT功率管開關(guān)速度的要求。反激式變換器；BJT功率管；驅(qū)動電路；數(shù)字控制；飽和區(qū)；開關(guān)轉(zhuǎn)換隨著數(shù)碼電子產(chǎn)品的井噴式發(fā)展和國家對LED照明技術(shù)的重視，反激式開關(guān)電源市場日趨成熟。數(shù)字控制技術(shù)由于其設(shè)計可復用
電子元件與材料 2017年6期2017-10-14
- 一款增益可調(diào)且平坦的超寬帶低噪聲放大器*
連接晶體管Q1的基極,新型偏置bias2連接晶體管Q2的基極。Cbe1、Cbe2分別為晶體管Q1、Q2的基極與發(fā)射極之間的結(jié)電容,Rbe1、Rbe2分別為晶體管Q1、Q2的基極與發(fā)射極之間的等效電阻,gm1、gm2分別為晶體管Q1、Q2的跨導。圖2 FTG UWB-LNA的輸入級電路圖及其等效小信號電路圖根據(jù)圖2(b)的小信號電路圖,輸入阻抗可表示為:(1)為了實現(xiàn)良好的寬帶輸入阻抗匹配,需要滿足下列條件:(2)Rbe1≈50Ω(3)此外,由于晶體管Q2結(jié)
電子器件 2017年2期2017-04-25
- 淺析單管共射放大電路組成及靜態(tài)工作點的設(shè)置
極的電位就可以比基極的電位高。簡言之，+VCC可以保證集電結(jié)處在反向偏置。所以+VCC起到了兩個作用：一是使得發(fā)射結(jié)處于正向偏置，b、e 之間的電壓大于死區(qū)電壓；另一個則是使集電結(jié)處于反向偏置。這也是三極管處于放大作用的兩個外部必備條件。也就是說，+VCC可以提供滿足三極管放大作用的外部必備條件。再來談?wù)劮糯箅娐分须娮璧淖饔茫篟b叫做基極回路電阻，它的作用就是和+VCC共同確定一個合適的IB。Rc叫做集電極電阻，在整個電路中，起到非常重要的作用。它把三極管
廣東教育·職教版 2017年1期2017-03-04
- 強電磁脈沖對雙極型晶體管的毀傷效應(yīng)研究
、C、E分別表示基極、集電極和發(fā)射極,P、N分別為p型摻雜和n型摻雜,N+表示n型重摻雜,ad=9μm,de=3.7μm,ab=cd=2μm,其中摻雜分布如圖1(b)所示。3.1 集電極注入從集電極注入頻率為3GHz,幅度為40V的電磁波,器件內(nèi)5ns時的溫度分布如圖2所示,溫度的峰值點出現(xiàn)在發(fā)射極的邊緣,另外在基極附近以及發(fā)射極和集電極之間的區(qū)域內(nèi)也有較多熱量產(chǎn)生。圖2 從集電極注入時器件內(nèi)溫度分布圖3 從集電極注入時器件燒毀和失效時間與電壓幅度、頻率的
艦船電子工程 2017年2期2017-03-03
- 上海研達調(diào)頻發(fā)射機故障簡析
導通直至TR-2基極為高電平。則TR-2集電極為低電平。直至1/4C1-2的同相輸入端5腳，那么輸出端2腳也為低電平。至TR-1的基極為低電平，TR-1集電極也為低電平。直至柵壓增益，增益不夠使功率降為半功率狀態(tài)。1.2 末級故障報警末級功放（600 W功放）出現(xiàn)故障時，D24變?yōu)榧t燈，整機降為半功率。圖1中的電路流程原理為：高電平由“末級報警PA”處進入，經(jīng)過L10和R47至1/4C1-4的第8和第9腳，同時輸入高電平。由于是或非門電路，所以它的輸出10
無線互聯(lián)科技 2016年21期2016-12-10
- 警報！有人“搬”書
為例，我們定義從基極B到發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib；把從集電極C到發(fā)射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向全部都是從發(fā)射極流出的。不要小看三極管的放大作用。集電極電流會受基極電流的控制，基極電流很小的變化，會引起集電極電流發(fā)生很大的變化，且變化還滿足一定的比例關(guān)系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大倍數(shù)（β一般遠大于1，例如幾十、幾百）。如果我們將一個變化很小的信號加到基極跟發(fā)射極之
科學Fans 2016年6期2016-07-25
- PT對稱晶格勢中的光孤子傳輸特性的研究
T對稱晶格勢中的基極和二級光孤子。研究表明，兩種孤子功率都隨著傳播常數(shù)的增加而增大，隨著調(diào)制深度的增加而減小。二極孤子內(nèi)部的排斥力作用導致光束在PT勢中分裂成四極孤子。而對于PT 晶格勢，當實部的晶格調(diào)制系數(shù)V0增大時，PT勢的相對強度的帶隙結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，PT強度呈波浪式增大，而孤子在低能量區(qū)域是穩(wěn)定的，高能量區(qū)域不穩(wěn)定。改進的平方算符法；分步傅里葉算法；多極光孤子；PT對稱勢孤子又是一種特殊的超短脈沖，孤立波是一種在傳播過程中保持形狀、速度、幅度不變的脈
湖北科技學院學報 2016年12期2016-03-04
- 一種低溫度系數(shù)帶隙基準源設(shè)計
）采用兩個三級管基極－發(fā)射極串聯(lián)的帶隙基準可以降低運放失調(diào)電壓的影響，但是在CMOS工藝中，三級管的正向電流放大倍數(shù)β很小，導致三極管基極電流的分流會對發(fā)射極電流產(chǎn)生很大影響，帶隙基準輸出存在較大溫漂。為了解決這個問題，提出了一種帶基極電流補償?shù)牡蜏囟认禂?shù)帶隙基準源電路。電路設(shè)計采用TSMC 0．25μm工藝，經(jīng)過spectre仿真驗證，進行－55℃－125℃的溫區(qū)掃描，基準隨溫度變化范圍為1．85mV，相應(yīng)的溫漂系數(shù)為8．44ppm／℃，加入基極電流補償
微處理機 2015年4期2015-12-16
- 淺談晶體三極管開關(guān)速度的提高*
制型開關(guān)器件，當基極有驅(qū)動電流時晶體管工作在飽和狀態(tài)等效于開關(guān)的導通，當基極沒有驅(qū)動電流時晶體管工作在截止狀態(tài)等效于開關(guān)的關(guān)斷。1 晶體三極管的開關(guān)過程假設(shè)晶體三極管是一個理想的開關(guān)元件，其飽和狀態(tài)等效開關(guān)的閉合，截止狀態(tài)等效開關(guān)的斷開，開關(guān)是閉合還是斷開主要取決于晶體三極管發(fā)射結(jié)的偏置情況。當發(fā)射結(jié)正向偏置時，晶體三極管工作在飽和狀態(tài)，等效開關(guān)閉合;當發(fā)射結(jié)反向偏置時，晶體三極管工作在截止狀態(tài)，等效開關(guān)斷開。實際問題中，晶體三極管并非理想的開關(guān)元件，它從
河南工學院學報 2015年2期2015-06-23
- RCC電路間歇振蕩分析與改進研究*
入電路主管Tr1基極。當達到并超過 Tr1的閾值電壓時，Tr1開始導通，這里的電流 ig稱為起動電流，電阻 Rg稱為起動電阻。1.1.2 開關(guān)管Tr1處于ON狀態(tài)當Tr1處于ON狀態(tài)時，Vce非常小，可忽略不計。由圖1可知Vb與主管導通的極性一致，所以主管 Tr1在Vb的作用下維持導通狀態(tài)。令主管Tr1基極與發(fā)射極之間的壓降為Vbe1，二極管 D2的正向壓降是 Vf2。初級繞組 Np的壓降為 Vin，繞組 Nb的分壓 Vb如式(1)，基極電流 Ib如式(2
電子技術(shù)應(yīng)用 2015年3期2015-02-23
- 高頻功率放大器調(diào)制特性分析
了分析。結(jié)果表明基極調(diào)制比集電極調(diào)制所需的調(diào)制功率更小，與理論分析一致；與傳統(tǒng)實驗相比，仿真分析結(jié)果形象直觀，容易理解，仿真實驗更能激發(fā)學生的積極性和主動性。高頻功率放大器；調(diào)制特性；Multisim；仿真實驗0 引言高頻功率放大器是通信系統(tǒng)發(fā)送設(shè)備的重要組成部分[1?2]。它的主要功能是可以提供足夠大的高頻輸出功率，以便將信號通過天線輻射出去。高頻功率放大器的另外一個作用是可以構(gòu)成高電平調(diào)幅電路，利用調(diào)制信號控制放大器的輸出，這樣既可以實現(xiàn)調(diào)幅，又能夠兼
現(xiàn)代電子技術(shù) 2015年3期2015-02-21
- 三極管共基極放大電路分析
張?zhí)雇ㄈ龢O管共基極放大電路分析河南牧業(yè)經(jīng)濟學院信息與電子工程系 張?zhí)雇壳按蟛糠纸滩脑谥v解三極管放大電路過程中，對共基極放大電路的分析不是太全面，甚至忽略不講，因此，本文主要對共基極放大電路進行了討論，并分析了共基極放大電路的性能指標，最后，總結(jié)了共基極放大電路的特點及其應(yīng)用。共基極放大電路；靜態(tài)工作點；穩(wěn)定性；性能指標0 引言目前大部分教材都把基本放大電路作為基本內(nèi)容，基本放大電路分為共發(fā)射極放大電路、共集電極放大電路和共基極放大電路三種形式，其中以共
電子世界 2015年24期2015-01-16
- 一種多路輸出兼做輔助電源的穩(wěn)壓電源設(shè)計
電流供給調(diào)整管的基極，而比較放大電路供不出所需要的大電流，另一方面，調(diào)整管需要有較高的電流放大倍數(shù)，才能有效地提高穩(wěn)壓性能[2]，但是大功率管一般電流放大倍數(shù)都不高。解決這些矛盾的辦法，除了使用復合管，還通過給原有的調(diào)整管再配上一個輔助電源，增加其抗干擾能力，并提高基準電壓穩(wěn)定性。串聯(lián)反饋型穩(wěn)壓電路實際上是一個閉環(huán)反饋，具有執(zhí)行元件和反饋支路，包括取樣電路、基準電壓源、誤差比較放大器及調(diào)整管單元電路[3]。取樣電路取到電壓值后與基準電壓比較，比較后的誤差信
電子設(shè)計工程 2014年9期2014-03-16
- XJJ-1型心臟除顫儀放電故障維修實例
24V。再檢測其基極電壓，在按下和不按下除顫按鈕時，基極電壓無變化。說明功放管2BG9前級沒有送來觸發(fā)信號，順觸發(fā)信號走向檢測2BG7、2BG5、2BG4各極電壓，發(fā)現(xiàn)均無變化。說明除顫控制信號根本沒有送到2BG4來。在不按除顫動鈕時，2BG4基極的電壓應(yīng)為其基極所接的穩(wěn)壓二極管2BG11(2CW12)上的電壓，在按下除顫按鈕時，該電壓通過電阻器2R16接地。按下除顫鈕后，除顫控制信號送不到2BG4基極來，2BG4基極對地形不成回路，也就放不了電。根據(jù)以上
醫(yī)療裝備 2014年7期2014-03-10
- 基極注入強電磁脈沖對雙極晶體管的損傷效應(yīng)和機理*
極接法中,信號從基極輸入,從集電極輸出.因此,強電磁脈沖(EMP)最有可能從基極和集電極耦合進入電路,對其造成干擾或破壞.針對EMP從集電極注入的情況,國內(nèi)外已有不少相關(guān)研究[1-11],而針對EMP從基極注入的情況報道卻較少[12,13].文獻[12]借助二維數(shù)值仿真研究了EMP分別從集電極、發(fā)射極和基極注入時晶體管的瞬態(tài)響應(yīng),通過分析BJT內(nèi)部溫度分布得到了基極注入最難燒毀的結(jié)論,但是并未計算出基極注入時的燒毀時間和損傷能量,因此該結(jié)論的正確性有待進一
物理學報 2013年6期2013-09-25
- 柵控橫向PNP雙極晶體管電離輻射效應(yīng)
會導致雙極晶體管基極電流增加和電流增益減小。由于雙極器件和電路中存在低劑量率輻照損傷增強效應(yīng)，使其在衛(wèi)星和航天器上的應(yīng)用受到了限制[1]。自低劑量率輻照損傷增強效應(yīng)(ELDRS)發(fā)現(xiàn)以來，國內(nèi)外開展了大量工作，研究雙極器件的低劑量率輻照損傷增強效應(yīng)及其失效機理，但是多數(shù)都是對試驗現(xiàn)象的定性分析，對感生電荷的定量分離一直是研究的難題[2-5]。自1993年Koiser及其同事利用柵控二極管研究輻照感生電荷[6]，到1999年Barnaby提出柵控雙極晶體管的
核技術(shù) 2012年11期2012-09-23
- 半導體三極管的識別和檢測
發(fā)射極（e極）、基極（b極）和集電極（c極）。發(fā)射區(qū)和基區(qū)在交界處形成發(fā)射結(jié)；基區(qū)和集電區(qū)在交界處形成集電結(jié)。根據(jù)半導體各區(qū)的類型不同，三極管可分為NPN型和PNP型兩大類，如圖1（a）、（b）所示。圖1 三極管的結(jié)構(gòu)符號及等效電路2.三極管的電流放大作用三極管最基本的作用是電流放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β，即當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極
職業(yè)技術(shù) 2011年12期2011-10-30
- 一種2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器
和Cf串接Q1的基極與集電極之間形成反饋環(huán)路進一步減小低頻增益，提高 PA的穩(wěn)定性。傳統(tǒng)單片集成 PA采用片外電感和電容作為輸出匹配元件和集電極扼流圈以減小損耗[5,6]，但片外元件使面積和成本顯著增加。工藝所提供的片上螺旋電感在2.4 GHz工作頻率Q值超過12，且直流阻抗較低。本設(shè)計中采用片上螺旋電感和MIM電容，以實現(xiàn)全集成的PA。3 SiGe BiCMOS PA自適應(yīng)偏置電路設(shè)計目前已有多種 PA線性化技術(shù)報道，比較常見的有包絡(luò)恢復和消除技術(shù)、包絡(luò)
電子與信息學報 2011年12期2011-09-19
- SiGe HBT射頻噪聲模型研究
iGe HBT的基極電流和集電極電流噪聲的模型有van Vliet模型[1]和transport模型[2]。它們都建立在對基極少數(shù)載流子的輸入非準靜態(tài)效應(yīng)進行建模的基礎(chǔ)之上，而對現(xiàn)代的雙極型晶體管而言，載流子在基極和集電極的空間電荷區(qū)傳輸延遲可比基極渡越時間，甚至要大于后者。因此為了更精確的模擬晶體管的高頻噪聲特性，需要在晶體管高頻噪聲模型中加入基極集電極空間電荷區(qū)傳輸延遲效應(yīng)。1 擴展的van Vliet模型和transport模型根據(jù)基本的器件物理，當
通信技術(shù) 2011年10期2011-08-11
- 簡易測謊器的制作
管中集電極電流隨基極電流的變化而變化，我們這里采用的晶體管的電流放大系數(shù)為120-240。根據(jù)我們學到的晶體管知識，我們知道，發(fā)射極電流值，應(yīng)該為基極電流和集電極電流之和。所以，晶體管基本工作為以下3點：1）若基極電流變化，集電極電流也相應(yīng)發(fā)生變化；2）基極電流比集電極電流小得多；3）基極電流+集電極電流=發(fā)射極電流。3.2 將阻值變化轉(zhuǎn)換為電流變化我們看到，圖1中基極什么也沒連接，所以集電極中無電流流動，若將兩個測試端子的兩端短路，通過R1有一定電流（稱
科技傳播 2011年13期2011-04-14
- 基于ATLAS新型硅磁敏三極管特性仿真研究
向電場的作用，與基極注入的空穴復合，即形成基極電流Ib。當B＞0T時，如圖2（b）所示，e－i－b作為n＋－i－p＋型長基區(qū)硅磁敏二極管，在外加磁場且B＞0T時，發(fā)射極注入的電子和基極注入的空穴受到洛侖茲力的作用，載流子向發(fā)射極e一側(cè)偏轉(zhuǎn)，大部分在基區(qū)復合掉，使載流子有效壽命減小，致使有效擴散長度減小，基區(qū)內(nèi)壓降增大，n＋－i和p＋－i結(jié)壓降減小，使載流子輸運到集電結(jié)的數(shù)量減小。故集電極電流Ic減小。當B＜0T時，如圖2（c），e－i－b作為n＋－i－p＋
黑龍江大學工程學報 2011年4期2011-03-19
- 接口電路中的抗干擾技術(shù)
由兩個電阻組成(基極泄漏電阻和將VA與基極連接的限流電阻)[1].按常規(guī)，為防止印制板上通過寄生電容耦合到晶體管基極的微秒級以下的干擾，泄漏電阻接≤0.1μF的旁路電容[2].近年來隨著星上總體測試新需求的提出，抗干擾能力的要求也不斷提高，提出克服毫秒級的脈寬干擾信號的要求，常規(guī)的接口電路不再適用.本文設(shè)計了如圖1所示的接口電路(其中Q1是繼電器驅(qū)動電路中被驅(qū)動的晶體管，Rbe是泄漏電阻)試圖滿足這種需求.圖1(a)不限制驅(qū)動基極的電流脈寬，即驅(qū)動電流與V
空間控制技術(shù)與應(yīng)用 2010年4期2010-12-11
- 自激多諧振蕩器的電路仿真與應(yīng)用
三極管 BG1的基極耦合的一側(cè)產(chǎn)生“負跳脈沖”，促使三極管BG1迅速截止。電路由此進入了自激振蕩的過程，兩個暫態(tài)交替進行。正是由于相同類型的器件上微小的不同，使得“對稱”的電路開始“振蕩”。1）暫態(tài)一：三極管BG2飽和導通，電容器C2開始放電（反向充電），三極管BG1截止，電容器C1開始充電?，F(xiàn)象為LED2發(fā)光，LED1熄滅。前一時刻，C1放電完成，放電結(jié)果使得C1與BG2基極耦合的極板電位提升至0.7V，導致BG2由截止狀態(tài)轉(zhuǎn)向飽和導通狀態(tài)，BG2的飽和
山東電力高等專科學校學報 2010年1期2010-07-23
- 數(shù)字衛(wèi)星接收機開關(guān)電源的檢修方法與實例
04加到Q101基極,提供啟動工作電壓,于是Q101導通,流經(jīng)T102初級繞組①--②產(chǎn)生感應(yīng)電勢,在磁耦合作用下,反饋繞組③--④產(chǎn)生一個③正④負的脈沖電壓,③腳的正脈沖通過D104、C107、R104加到Q101基極,使Q101基極電壓進一步增大,開關(guān)管Q101進入飽和導通。在此期間,C107被充電,電容兩端右正左負,Q101基極電位不斷降低,迫使Q101截止,此時C107通過Q102的c--e結(jié)與T102的③--④繞組放電,這樣周而復始地不斷進行,完
衛(wèi)星電視與寬帶多媒體 2009年17期2009-10-13
- 欠壓／過壓鎖定
Z1注電到Q1之基極，這樣使Q1導通、因而拉下該Gate In/PC引腳及把模塊停止下來。Q1保持導通直至該輸入電壓，經(jīng)過R3及R4分壓后，達到1.24V，此1.24V為U1(TLV431)之參考電壓。當這情況發(fā)生時，U1從Z1之陰極分流電流并把該點拉到約1V；這就相應(yīng)拉低Q1之基極強使它截止并啟動模塊。R2防止Z1之漏電流作用而把Q1拉出截止區(qū)。當該Gate In/PC引腳走向高電壓時，反饋電阻(R5)拉高U1的參考電壓，因而在該電路上加進磁滯效應(yīng)。當G
電子產(chǎn)品世界 2009年8期2009-09-05
- 快樂ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩電黑屏故障檢修
，測量三個視放管基極和發(fā)射極電壓均為7.6V左右，反偏截止；將顯像管加速極電壓調(diào)高后，出現(xiàn)純凈的白光柵，但有回掃線，說明顯像管供給中、高電壓正常，判斷故障在解碼和亮度電路。該機為東芝TA二片機（TA7680AP和TA7698AP），微處理器為TMP47C433AN。查掃描、解碼電路TA7698AP的腳12V供給電壓正常（見附圖），亮度控制端腳電壓為4V左右，且隨亮度調(diào)整上下變化， TA7698AP內(nèi)部亮度電路輸出端23腳電壓為8V，隨亮度調(diào)整也有相應(yīng)變化，
電子世界 2004年1期2004-03-14