鄒 瑩,姚 志,姜東光,孫繼忠
(大連理工大學(xué) 物理與光電工程學(xué)院,遼寧 大連116024)
在物理學(xué)發(fā)展史上,弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)舉足輕重.此實(shí)驗(yàn)無(wú)可爭(zhēng)辯地驗(yàn)證了玻爾的量子理論——電子處于不連續(xù)的能級(jí)上.弗蘭克和赫茲由于在這方面的杰出貢獻(xiàn)獲得了1925年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)[1].
1914年,即玻爾理論發(fā)表的第二年,弗蘭克(F.Franck)和赫茲(G.Hertz)進(jìn)行了電子轟擊原子的實(shí)驗(yàn),在充汞的放電管中發(fā)現(xiàn):透過(guò)汞蒸氣的電子流隨電子的能量呈現(xiàn)有規(guī)律的周期性變化,間隔為4.9eV,證實(shí)了原子內(nèi)部能量是量子化的,為玻爾發(fā)表的原子理論提供了堅(jiān)實(shí)的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)[1].目前,該實(shí)驗(yàn)也是許多高校物理教學(xué)中的基本實(shí)驗(yàn).早期的弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)都是用電子轟擊汞原子,但是因?yàn)楣魵庥卸?,而且常溫下汞為液態(tài)汞管加熱困難,因此,人們?cè)趯?shí)驗(yàn)中選擇了用氬氣替代汞蒸氣[2].但是在長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,人們還是發(fā)現(xiàn)了許多實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析方面的偏差.本文將介紹筆者編制的蒙特卡羅仿真程序及其原理.該程序可理論再現(xiàn)弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)中電子與氬原子的相互作用過(guò)程,定量評(píng)估碰撞、運(yùn)行參量對(duì)結(jié)果的影響.一方面,此模擬程序可以用來(lái)解決學(xué)生的疑惑,加深對(duì)量子能級(jí)概念的理解,另一方面可以為改進(jìn)實(shí)驗(yàn)方案提供理論指導(dǎo).
20世紀(jì)中葉,計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)使數(shù)學(xué)方法模擬復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)成為可能.在這種情況下,蒙特卡羅方法作為一種可行的而且是不可或缺的計(jì)算方法被提出,并迅速發(fā)展起來(lái)[3-4].蒙特卡羅方法受問(wèn)題條件限制的影響小,容易處理帶有大量碰撞的問(wèn)題,特別是各向異性散射問(wèn)題,提供的物理信息較為豐富.該方法在電子與固體相互作用、基本粒子理論、晶體生長(zhǎng)等領(lǐng)域中的研究都得到了成功的應(yīng)用.近年來(lái),蒙特卡羅方法很適合模擬陰極區(qū)的電子運(yùn)動(dòng)[5],諸多大氣壓放電的模擬過(guò)程中都使用了該方法[6].
圖1中,K為陰極,VG1K為正向電壓,VG2K為加速電壓,VG2A為減速電壓.電子由陰極發(fā)出經(jīng)電場(chǎng)VG2K加速趨向陽(yáng)極,只要電子能量能夠克服減速電場(chǎng)VG2A,就能穿過(guò)柵極G2到達(dá)極板A形成電子流.由于管中充有氣體原子,電子前進(jìn)的過(guò)程中要與氬原子發(fā)生碰撞,按照量子力學(xué)的觀點(diǎn),氬原子對(duì)于外來(lái)的能量,不是“來(lái)者皆收”,而是當(dāng)外來(lái)能量達(dá)到激發(fā)閾能時(shí),它才吸收,即氬原子內(nèi)存在能量分立的量子態(tài).在電子能量低于激發(fā)閾能的情況下,電子能量越高,就越容易到達(dá)極板的A極,電流也就越來(lái)越大.如果電子能量達(dá)到或超過(guò)激發(fā)閾能時(shí),電子將有可能把相應(yīng)的能量傳給氬原子,如果電子在到達(dá)柵極G2時(shí),能量不足以克服反向電壓,那么電子將不會(huì)到達(dá)極板,因此電流大幅降低.由于原子內(nèi)部能量是量子化的,這樣得到極板的電流會(huì)隨著加速電壓變化而呈現(xiàn)周期性的變化.
圖1 弗蘭克-赫茲管實(shí)驗(yàn)裝置圖
本文采用蒙特卡羅方法,直接模擬了從陰極發(fā)射的電子在電場(chǎng)的作用下的運(yùn)動(dòng).氣體的溫度比較低,可假設(shè)原子是靜止的,只存在軸向電場(chǎng),在2次碰撞間的電子運(yùn)動(dòng)軌跡處在同一平面內(nèi).采用位置空間一維,速度空間三維的模型,求解牛頓運(yùn)動(dòng)方程,
在推進(jìn)過(guò)程中,根據(jù)電子與原子的碰撞截面,通過(guò)抽樣產(chǎn)生一系列隨機(jī)數(shù)來(lái)確定電子與原子是否發(fā)生碰撞;如發(fā)生碰撞,判斷碰撞的位置、類(lèi)型及碰撞前后電子的速度變化.在1個(gè)時(shí)間步長(zhǎng)內(nèi),第κ種類(lèi)型的碰撞概率為
這里σtot為碰撞總截面,ε為帶電粒子能量,v為粒子的運(yùn)動(dòng)速度,Nneutral為背景氣體中性粒子密度,在本文中即氬原子密度為
其中p為氣體壓強(qiáng),單位為Pa;T為氣體溫度,單位為K;KB為玻爾茲曼常量.判斷粒子運(yùn)動(dòng)1個(gè)時(shí)間步長(zhǎng)Δt后是否可以發(fā)生碰撞,可由式(3)中所求得的概率p決定.取隨機(jī)數(shù)R,若R>p,則不發(fā)生碰撞;否則,若R<p,粒子發(fā)生碰撞.
若帶電粒子發(fā)生碰撞,則需要判斷發(fā)生何種類(lèi)型的碰撞,首先應(yīng)得到粒子具有能量ε時(shí)的各種碰撞的總截面以及各種碰撞對(duì)應(yīng)的截面,以確定每種碰撞所占的概率,然后取1個(gè)在[0,1]上均勻分布的隨機(jī)數(shù)R,R所在的區(qū)間即決定了它的碰撞類(lèi)型.圖2所示即為電子與氬原子碰撞截面數(shù)據(jù).只考慮了3個(gè)電子激發(fā)態(tài),因?yàn)楦吣芗?jí)的碰撞截面相比非常小,可以忽略.同樣的道理,也只考慮了第一電離態(tài).
圖2 電子與氬原子碰撞截面圖1
在氬氣中,對(duì)于電子與中性粒子的碰撞,只考慮3種類(lèi)型碰撞,即彈性碰撞、激發(fā)碰撞和電離碰撞.其碰撞截面分別為σela,σexci,σion,總的碰撞截面為σtot.判斷碰撞類(lèi)型的具體過(guò)程如下:
a.取隨機(jī)數(shù)R.
b.R 同σela/σtot相比較,若R<σela/σtot,則發(fā)生彈性碰撞.
c.當(dāng) R>σela/σtot,則再次產(chǎn)生隨機(jī)數(shù) R 同(σela+σexci)/σtot比較;如果R<(σela+σexci)/σtot,則發(fā)生激發(fā)碰撞,否則繼續(xù)下一步.
d.若 R> (σela+σexci)/σtot,則 發(fā) 生 電 離 碰撞[6].
發(fā)生彈性碰撞、非彈性碰撞,電子的散射角χ和方位角φ 由(5)~(6)式確定:
式中σj(εc,χ′)是微分截面,電子速度與x軸夾角的余弦為
其中θc為碰撞前的θ值.發(fā)生彈性碰撞、激發(fā)碰撞,散射電子的動(dòng)能分別變?yōu)?/p>
式中m/M是電子與氬原子的質(zhì)量比,wj是激發(fā)閾能.分2種情況考慮發(fā)生電離碰撞后的散射、出射電子的動(dòng)能變化.第一種情況,只電離出1個(gè)電子.由于無(wú)法分辨散射電子與電離產(chǎn)生的電子,其中任一個(gè)電子的動(dòng)能由(10)式確定:
另一個(gè)電子的動(dòng)能為
這里wi為電離能.第二種情況,電離出1個(gè)電子并同時(shí)使原子激發(fā)或同時(shí)電離出多個(gè)電子.這時(shí),假設(shè)1個(gè)電子的動(dòng)能為入射動(dòng)能與電離能的差值,其余電子的動(dòng)能為0[7].對(duì)電離碰撞,假定碰撞前后電子的速度方向不發(fā)生變化[8].激發(fā)過(guò)程可假設(shè)散射電子沿角向近似各向同性[9].
模擬過(guò)程中,大量電子經(jīng)過(guò)加速間隙加速,與背景氬氣發(fā)生碰撞,最終被電極收集.在穩(wěn)態(tài)條件下,極板上收集的電流值是根據(jù)(12)式確定:
式中SA是極板A的面積,dQ/dt是極板A上單位面積、單位時(shí)間內(nèi)收集的電量,而dQ′/dt是模擬中極板A上單位面積、單位時(shí)間內(nèi)收集的電量.由于模擬中跟蹤的電子不能像實(shí)際中那么多但必須從統(tǒng)計(jì)上足夠多,這樣在穩(wěn)態(tài)條件下,dQ′/dt一定正比于dQ/dt.dQ′/dt可以按(13)式計(jì)算,
式中N′是極板上收集的電子數(shù),e是電子的電量,t是收集時(shí)的時(shí)間,t0是起始時(shí)刻,或電子被電離產(chǎn)生時(shí)的時(shí)刻.
程序框架圖如圖3所示.
模擬參量分別為:壓強(qiáng)為101kPa,溫度為300K,平均自由程10-6m,時(shí)間步長(zhǎng)遠(yuǎn)小于粒子的平均碰撞時(shí)間,模擬粒子數(shù)為1×105,極板電壓從0變化到85V,極板寬度5cm.
圖3 程序框架圖
考慮電子與氬原子發(fā)生彈性碰撞、激發(fā)碰撞和電離碰撞,其中激發(fā)碰撞可將氬原子的外層電子激 發(fā) 到 多 個(gè) 激 發(fā) 態(tài),包 括 4s′1/2態(tài)、3d1/2態(tài)、3d′3/2態(tài),對(duì)應(yīng)的閾能分別為11.8eV,14.1eV,14.3eV,此外,電離碰撞對(duì)應(yīng)閾能為15.76eV,模擬結(jié)果如表1所示.
表1 模擬結(jié)果1
實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)和模擬曲線(xiàn)如圖4所示.
圖4中,橫坐標(biāo)表示兩極板間所加的電壓值,縱坐標(biāo)表示無(wú)量綱化后的電流.其中,對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn)參量分別為:電壓VG2K為0~85V,燈絲電壓為3.0V,拒斥電壓為5.4V.
圖4 實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)和模擬曲線(xiàn)
通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)和模擬曲線(xiàn),發(fā)現(xiàn)2種方法得到的結(jié)果符合很好.同時(shí),也可以通過(guò)模擬過(guò)程合理地解釋實(shí)驗(yàn)過(guò)程,電子在2個(gè)極板間受到加速電場(chǎng)的作用而前進(jìn),在前進(jìn)過(guò)程中將與背景氣體氬原子發(fā)生碰撞,包括彈性碰撞、激發(fā)碰撞和電離碰撞.若電子與氬原子發(fā)生彈性碰撞,因?yàn)殡娮拥馁|(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原子的質(zhì)量,所以幾乎沒(méi)有發(fā)生能量的轉(zhuǎn)移,即電子不損失能量,但是彈性碰撞可能會(huì)改變電子運(yùn)動(dòng)的軌跡,導(dǎo)致電子往復(fù)運(yùn)動(dòng)進(jìn)而增加電子與背景氣體的碰撞次數(shù).當(dāng)極板間電壓值達(dá)到或超過(guò)氬原子的第一激發(fā)電位時(shí),電子與氬原子發(fā)生非彈性碰撞,包括激發(fā)碰撞和電離碰撞.其中,由于氬原子內(nèi)部存在一系列激發(fā)量子態(tài),因此若電子的能量達(dá)到一定值時(shí),可能使氬原子受激到更高的激發(fā)態(tài);同時(shí)電子也有可能使氬原子發(fā)生電離碰撞.當(dāng)發(fā)生激發(fā)碰撞和電離碰撞時(shí),電子將損失相應(yīng)的閾能,導(dǎo)致電流迅速下降.除此之外,電子在前進(jìn)過(guò)程中也可能并不與氬原子發(fā)生碰撞,即不損失能量,直接到達(dá)極板的另一端.最終,到達(dá)極板A上的電子將對(duì)電流值做出貢獻(xiàn).隨著極板間電壓的增大,到達(dá)極板的電子數(shù)越來(lái)越多,所以電流整體成上升趨勢(shì).
在圖4中,實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)和模擬曲線(xiàn)略有差別,這是因?yàn)槟M和真實(shí)實(shí)驗(yàn)條件并不完全相同.例如,裝有背景氣體氬氣的管內(nèi)氣體壓強(qiáng)數(shù)值不具體,只能近似認(rèn)為101kPa;電子從陰極發(fā)射出來(lái)速度是隨機(jī)分布的,在模擬中近似認(rèn)為電子的初始速度符合麥克斯韋分布.同時(shí),實(shí)驗(yàn)本身存在著系統(tǒng)誤差,而且測(cè)量也存在一定的誤差,這些因素都會(huì)導(dǎo)致模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在差別,但是并不影響總體趨勢(shì)和物理規(guī)律.
從實(shí)驗(yàn)和模擬結(jié)果曲線(xiàn)可以發(fā)現(xiàn)它們的峰(谷)間距并不完全相等,為了探究造成這種現(xiàn)象的因素,另外考慮了以下2種電子與氬原子發(fā)生碰撞的模型:
1)假設(shè)電子與氬原子發(fā)生彈性碰撞,只發(fā)生從氬原子基態(tài)到第一激發(fā)態(tài)(4s′1/2態(tài))間的激發(fā)碰撞(對(duì)應(yīng)的閾能為11.8eV)和電離碰撞.
2)假設(shè)電子與氬原子只發(fā)生彈性碰撞和激發(fā)碰撞,不發(fā)生電離碰撞.
模擬結(jié)果分別如表2~3所示.
表2 模擬結(jié)果2(電子與氬原子發(fā)生彈性碰撞,激發(fā)碰撞和電離碰撞)
表3 模擬結(jié)果3(電子與氬原子發(fā)生彈性碰撞和激發(fā)碰撞)
利用表1~3中的模擬數(shù)據(jù)可以做出弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)中峰值間隔與峰值個(gè)數(shù)的關(guān)系圖(見(jiàn)圖5),其中直線(xiàn)為用最小二乘法得出的擬合曲線(xiàn).
圖5 峰間距變化的線(xiàn)性擬合曲線(xiàn)
從擬合曲線(xiàn)不難看出,當(dāng)不考慮電子與氬原子發(fā)生電離碰撞時(shí),峰間距變化不顯著;而考慮電離碰撞同時(shí)考慮電子激發(fā)碰撞時(shí),分別假設(shè)電子碰撞氬原子使其最外層電子只能激發(fā)到第一激發(fā)態(tài)(見(jiàn)表2)和可能激發(fā)到多個(gè)激發(fā)態(tài)時(shí),峰間距變化趨勢(shì)幾乎相同(見(jiàn)表1).可見(jiàn),電子與氬原子發(fā)生電離碰撞是影響峰間距變化的主要因素.
同時(shí),通過(guò)對(duì)表1中的數(shù)據(jù)擬合曲線(xiàn)進(jìn)行外推,易得到該曲線(xiàn)與縱軸的截距約為12.1V.對(duì)應(yīng)電子在電場(chǎng)中獲得能量為12.1eV,與理論上氬原子最外層電子躍遷到第一激發(fā)態(tài)所需的電壓值11.8eV非常接近.
結(jié)合本實(shí)驗(yàn)中的實(shí)驗(yàn)條件,計(jì)算出了極板間電壓在0~85V之間時(shí)電子的彈性碰撞和非彈性碰撞的截面圖,如圖6所示.
圖6 電子與氬原子碰撞截面圖2
當(dāng)電子的能量達(dá)到激發(fā)碰撞和電離碰撞的閾能時(shí),其中激發(fā)碰撞截面和電離碰撞截面隨著極板間電壓的增大而增大,發(fā)生激發(fā)碰撞和電離碰撞的概率也相應(yīng)地增加.同時(shí)不難發(fā)現(xiàn),對(duì)于激發(fā)碰撞而言,顯然電子被激發(fā)到第一激發(fā)態(tài)的碰撞截面概率較大,被激發(fā)到其他激發(fā)態(tài)的碰撞截面概率非常小.通過(guò)圖6的曲線(xiàn)趨勢(shì),發(fā)現(xiàn)隨著電子能量增加,電離碰撞截面逐漸比激發(fā)碰撞截面大.因?yàn)殡婋x碰撞的閾能比激發(fā)碰撞閾能大,所以電離碰撞起的作用越來(lái)越大.如果電離碰撞起的作用過(guò)大,將影響測(cè)量氬原子的第一激發(fā)電位,因此在實(shí)驗(yàn)中要盡可能地避免電離碰撞所起的作用,所以盡量在電壓不太高時(shí)進(jìn)行多次測(cè)量.
該計(jì)算機(jī)程序還可以用于模擬探究彈性碰撞在這一物理過(guò)程中所起的作用.例如,雖然彈性碰撞使電子損失的能量很小,但是彈性碰撞可能改變電子的運(yùn)動(dòng)方向和軌跡,進(jìn)而導(dǎo)致碰撞次數(shù)的變化.我們的程序可以很好地追蹤電子運(yùn)動(dòng)的軌跡,深入探究彈性碰撞在這一實(shí)驗(yàn)過(guò)程中所起的作用.除此之外,還可以探究在這一物理過(guò)程中溫度、壓強(qiáng)等因素對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響,為實(shí)驗(yàn)工作提供合適的參量支持.
運(yùn)用蒙特卡羅數(shù)值方法,考慮了實(shí)際弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)中的各種物理過(guò)程,建立數(shù)值模型,并編制了相應(yīng)的模擬程序.選擇與實(shí)驗(yàn)對(duì)應(yīng)的輸入?yún)⒘?,用本程序可以得到與實(shí)驗(yàn)的實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)定量一致的數(shù)據(jù).配合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),此程序可以幫助教師形象地解釋電流-電壓曲線(xiàn)的許多難以理解的問(wèn)題,例如電流幅值為什么隨著加速電壓增加迅速上升?為什么電流峰值間距間對(duì)應(yīng)的電壓差值隨著加速電壓增加有變大的傾向?此仿真程序可以幫助學(xué)生加深理解弗蘭克-赫茲實(shí)驗(yàn)中的各種物理過(guò)程,如彈性碰撞起多大作用,如何起作用?為什么?電離碰撞起多大作用,對(duì)實(shí)驗(yàn)的誤差起什么作用?這些過(guò)程的正確理解可以進(jìn)一步幫助學(xué)生接受量子能級(jí)概念.另外,利用此程序還可以幫助優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件,設(shè)計(jì)更合理實(shí)驗(yàn)途徑.
[1]楊福家.原子物理學(xué)[M].北京:高等教育出版社,2002:56-60.
[2]詹衛(wèi)伸,丁建華.物理實(shí)驗(yàn)教程[M].大連:大連理工大學(xué)出版社,2004:206-209.
[3]Metropolis N,Ulam S.The Monte Carlo method[J].J.Am.Stat.Assoc.,1949,44(247):335-341.
[4]Metropolis N,Rosenbluth A W,Rosenbluth M N.Equation of state calculations by fast computing machines[J].J.Chem.Phys.,1953,21(6):1087-1092.
[5]Sun J Z,Gong Y,Wang D Z.Monte Carlo simulation of electrons in the cathode region of a glow discharge in the argon[J].J.Phys.D:Appl.Phys.,1993,26:436-441.
[6]Vahedi V,Surendra M.A Monte Carlo collision model for the particle-in-cell method:applications to argon and oxygen discharges[J].Comput.Phys.Commun.,1995,87(1-2):79-198.
[7]孫繼忠,宮野,王德真.氬氣直流輝光放電陰極區(qū)電子群 的 蒙 特 卡 羅 模 擬 [J].Chinese J.Comp.Phys.,1993,10(1):87-94.
[8]Paulick T C.Electron multiplication in the glowdischarge cathode fall[J].J.Appl.Phys.,1990,67(7):2774-2788.
[9]Chutjian A,Cartwright D C.Electron-impact excitation of electronic states in argon at incident energies between 16and 100eV [J].Phys.Rev.,1981,A23(5):2178-2193.