何小中,龐 健,趙良超,馬超凡,楊興林,魏 濤,楊 振,龍繼東,楊國君,李成剛,董 攀,李 勤,王 韜,秦 玲,王敏鴻,張開志,石金水
(中國工程物理研究院 流體物理研究所,四川 綿陽 621900)
正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層成像(PET)是一種利用短壽命(半衰期一般小于2h)正電子核素標(biāo)記的顯像劑進(jìn)行體內(nèi)生物分子代謝顯像和受體顯像的方法[1-2]?,F(xiàn)已廣泛用于多種疾病的診斷與鑒別診斷、病情判斷、療效評(píng)價(jià)、臟器功能研究和新藥開發(fā)等方面。全身氟代葡萄糖(18F-FDG)代謝PET 顯像目前已成功應(yīng)用于腫瘤診斷和分期,對(duì)腫瘤治療產(chǎn)生了重要影響。PET 顯像已經(jīng)成為新世紀(jì)醫(yī)學(xué)的熱點(diǎn)之一。PET 設(shè)備主要分為兩大部分,一部分是PET顯像儀,另一部分為生產(chǎn)正電子核素的小型回旋加速器。
小型回旋加速器通過將質(zhì)子(或氘離子等)加速到幾MeV 至數(shù)十MeV 的能量轟擊到靶材上,通過(p,n)等核反應(yīng)生產(chǎn)正電子放射性核素。加速器的能量越高、流強(qiáng)越高,能夠生產(chǎn)的正電子放射性核素種類越多,產(chǎn)量也越高,但對(duì)應(yīng)的技術(shù)難度和成本也越高。綜合考慮同位素藥物產(chǎn)量、成本等因素,中國工程物理研究院流體物理研究所于2007年底開始研制能量為11MeV、平均流強(qiáng)為50μA 的小型質(zhì)子回旋加速器樣機(jī)。本工作對(duì)該加速器進(jìn)行調(diào)試,從而使各部件和整機(jī)達(dá)到設(shè)計(jì)參數(shù)。
緊湊型回旋加速器的主體構(gòu)成及徑向聚集等時(shí)性回旋加速器磁極的形狀如圖1所示。氫負(fù)離子(或其他離子)從離子源中發(fā)射出來,經(jīng)過Dee型盒的加速間隙,由于加速間隙間存在加速射頻電場,氫負(fù)離子得到加速,并且由于軸向磁場(一般由如圖1b 所示的等時(shí)性磁鐵產(chǎn)生)的存在,氫負(fù)離子進(jìn)行回旋運(yùn)動(dòng),到達(dá)Dee型盒的下一個(gè)加速間隙,此時(shí)射頻加速電場再次對(duì)氫負(fù)離子進(jìn)行加速,氫負(fù)離子不停地得到加速,最終達(dá)到一定的能量,并到達(dá)引出半徑,經(jīng)過一層薄的碳膜,將氫負(fù)離子的兩個(gè)電子剝離掉,從而使粒子在磁場中的回旋方向發(fā)生改變,得以引出。
圖1 回旋加速器的主體構(gòu)成(a)及磁極的形狀(b)Fig.1 Main component of cyclotron(a)and magnet pole shape(b)
可將小型回旋加速器細(xì)分為離子源、磁鐵、高頻腔、高頻功率源、中心區(qū)、引出系統(tǒng)、真空、控制等分系統(tǒng)。
根據(jù)總體束流參數(shù)(11 MeV、50μA)的需要設(shè)定各分系統(tǒng)的主要設(shè)計(jì)參數(shù),如表1所列。負(fù)氫離子束流由離子源產(chǎn)生,經(jīng)過中心區(qū)加速后,約1/9即110μA 被射頻場俘獲,能得到后續(xù)有效加速,由于系統(tǒng)真空度優(yōu)于1mPa,加速過程中由于氫負(fù)離子碰撞到殘留分子造成的束流損失小于50%,因此最終引出的束流能達(dá)到50μA。束流能量11 MeV 則由磁鐵和高頻腔的設(shè)計(jì)保障,高頻腔使得束流每回旋1圈能量增加約140keV,這樣隨著束流的不斷加速,其回旋半徑不斷增大,最終引出半徑達(dá)39cm 時(shí)達(dá)到引出能量11 MeV。
表1 回旋加速器的主要設(shè)計(jì)參數(shù)Table 1 Main design parameters of cyclotron
等時(shí)性磁鐵采用深谷結(jié)構(gòu),如圖2 所示。通過對(duì)磁鐵中的16根鑲條進(jìn)行尺寸迭代調(diào)諧,實(shí)現(xiàn)磁場的等時(shí)性分布。共經(jīng)過4輪次調(diào)諧,調(diào)諧后磁鐵的閉軌周期T 與半徑R 的關(guān)系如圖3所示。由圖3可知,磁場分布的等時(shí)性精度優(yōu)于±0.2%。在42kV 射頻電壓下,積分相移約為±9°[3]。
圖2 等時(shí)性磁鐵結(jié)構(gòu)示意圖Fig.2 Schematic of isochronism magnet structure
圖3 閉軌周期與半徑的關(guān)系Fig.3 Cycling period vs radius after tuning of maget
高頻加速腔的結(jié)構(gòu)如圖4所示。高頻加速腔采用單側(cè)短路設(shè)計(jì),具有較高的高頻效率。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,如果達(dá)到100%理論品質(zhì)因數(shù)Q,則在5.6kW 射頻功率下,可達(dá)到42kV 射頻電壓。實(shí)際測量的Q 值為理論值的60%。在該Q 值下,對(duì)應(yīng)42kV 射頻電壓的高頻功率約為10kW,而高頻功率源最大可輸出15kW,因此可達(dá)到42kV 的射頻電壓。
圖4 高頻加速腔三維模型Fig.4 3D model of RF cavity
采用自加熱潘寧負(fù)氫離子源,其實(shí)物照片如圖5所示。在4~10sccm 氣流量條件下,通過中心區(qū)后,在半徑60 mm 處,負(fù)氫離子流強(qiáng)可達(dá)到100~160μA??紤]約1/9 的俘獲效率,離子源負(fù)氫離子流強(qiáng)可超過1mA。
圖5 潘寧負(fù)氫離子源實(shí)物照片F(xiàn)ig.5 Picture of H- PIG internal ion source
在整機(jī)調(diào)試中,首先采用內(nèi)靶測量不同半徑下的束流強(qiáng)度。發(fā)現(xiàn)半徑為60~380 mm時(shí),質(zhì)子束的傳輸效率高達(dá)95%。而負(fù)氫離子束的傳輸效率則較低,且隨半徑增加并非單調(diào)衰減。負(fù)氫離子束流強(qiáng)度與半徑的非單調(diào)關(guān)系,很可能是由內(nèi)靶上的二次電子倍增效應(yīng)所致。因此重新設(shè)計(jì)了雙層C 型內(nèi)靶結(jié)構(gòu),如圖6所示,以抑制內(nèi)靶上的二次電子。采用新的內(nèi)靶,重新對(duì)負(fù)氫離子束的傳輸效率進(jìn)行測量。在兩種不同的真空抽速下,負(fù)氫離子束流傳輸效率如圖7所示,在約2 000L/s的真空抽速下,束流傳輸效率約為33%;在約4 000L/s的真空抽速下,束流傳輸效率約為58%。
圖6 抑制二次電子倍增效應(yīng)的雙層C型內(nèi)靶Fig.6 C-shaped double layer internal target for suppressing multipacting effect
圖7 不同抽速下負(fù)氫離子束流的傳輸效率Fig.7 Transmission efficiency of H-beam at various pumping speeds
在整機(jī)調(diào)試中發(fā)現(xiàn),磁場加載后和離子源加載后,與單獨(dú)的高頻加載相比,高頻耐壓都顯著變差。帶束條件下,高頻未能實(shí)現(xiàn)連續(xù)波加載,最高可在80%的占空比下工作。
在低占空比下,采用二極磁鐵對(duì)束流能量進(jìn)行了測量。結(jié)果顯示,引出質(zhì)子束的能量為(11.8±0.8)MeV。在低占空比下,采用LSO晶體,對(duì)引出質(zhì)子束的束斑進(jìn)行了測量。結(jié)果顯示,水平方向的尺寸略大于鉛垂方向的尺寸,約60%的束流在直徑10mm 區(qū)域之內(nèi)。
最終在70%占空比下,整機(jī)的引出質(zhì)子束平均流強(qiáng)達(dá)51μA。引出碳膜至靶的束流傳輸效率為60%~80%。束流轟擊H218O 靶材2h,靶上平均流強(qiáng)為33μA。
近期采用調(diào)試后的參數(shù)進(jìn)行18F 同位素生產(chǎn),18F產(chǎn)量達(dá)65.49GBq(1.77Ci)。
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