離子源
- 便攜式電弧打火機(jī)質(zhì)譜離子源及其在快速鑒定分析中的應(yīng)用
大地豐富了質(zhì)譜離子源的類型，并突破了傳統(tǒng)質(zhì)譜離子化技術(shù)的局限[1-3]。質(zhì)譜分析不再受限于樣品的狀態(tài)，免除了對(duì)樣品進(jìn)行溶解、氣化和共結(jié)晶等繁冗費(fèi)力的前處理過(guò)程，可最大程度地反映樣品的原始狀態(tài)[4-5]。其中，以實(shí)時(shí)直接分析電離源（Direct analysis in real time，DART）、介質(zhì)阻擋放電離子源（Dielectric barrier discharge ionization，DBDI）和低溫等離子體探針（Low temperature
分析化學(xué) 2023年10期2023-11-10
- 氮工質(zhì)ECRIT離子源性能計(jì)算與實(shí)驗(yàn)研究
。對(duì)ECRIT離子源建立整體模型并開(kāi)展性能計(jì)算,再結(jié)合實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其準(zhǔn)確性,可以快速方便地評(píng)估ECRIT的性能。然而目前國(guó)內(nèi)外在這方面的研究工作有限,主要集中于氙氣、水工質(zhì)的ECRIT離子源性能評(píng)估。文獻(xiàn)[6]對(duì)微型氙氣和水工質(zhì)ECRIT離子源進(jìn)行了整體建模計(jì)算分析和實(shí)驗(yàn)研究,計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果定性一致,但是由于模型忽略等離子體分布、磁化效應(yīng)以及鞘層結(jié)構(gòu),計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在差異。在輸入功率4～6 W的范圍內(nèi),水工質(zhì)離子源的引出束流范圍為11～18 mA,相對(duì)誤差范
西北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2023年2期2023-05-12
- BNCT02加速器設(shè)計(jì)及離子源調(diào)試
共振（ECR）離子源、一臺(tái)射頻四極加速器（RFQ）及必要的束流傳輸線即可.束流整形體（BSA）的中子學(xué)計(jì)算表明，當(dāng)RFQ的輸出能量約為2.8 MeV、束流功率為40 kW時(shí)，中子的通量便滿足BNCT治療的要求，此時(shí)所需要治療時(shí)間約為30 min［6］.2020年，中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所完成了國(guó)內(nèi)首臺(tái)基于加速器的BNCT實(shí)驗(yàn)裝置BNCT01.BNCT01包含一臺(tái)加速器和一個(gè)固定的固態(tài)鋰靶，BNCT01加速器則由一臺(tái)75 kV的ECR離子源、一段長(zhǎng)度約2.5
白城師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2022年5期2022-12-06
- 微型電子回旋共振離子源的全局模型*
ce,ECR)離子源在緊湊型離子注入機(jī)、小型中子管、微型離子推進(jìn)器等領(lǐng)域有著十分廣泛的應(yīng)用.為了深入認(rèn)識(shí)微型ECR 離子源的工作機(jī)理,本文以北京大學(xué)自主研制的一款微型氘離子源作為研究對(duì)象,以氫氣和氘氣放電形成的等離子體為例,發(fā)展了一種基于粒子平衡方程的全局模型.研究結(jié)果表明,該離子源束流成分與離子源的運(yùn)行氣壓和微波功率有著很強(qiáng)的依賴關(guān)系.對(duì)于氫氣放電等離子體,微波功率低于100 W時(shí),離子源可以分別在低氣壓和高氣壓情況下獲得離子比超過(guò)50%的離子束和離子束
物理學(xué)報(bào) 2022年14期2022-07-28
- 兆瓦級(jí)強(qiáng)流離子源長(zhǎng)脈沖運(yùn)行分析及實(shí)驗(yàn)研究
1-3］。強(qiáng)流離子源主要用于產(chǎn)生高密度等離子體，并引出其中的離子形成具有一定束能量和光學(xué)特性的離子束，是中性束注入系統(tǒng)的核心部件。強(qiáng)流離子源能達(dá)到的參數(shù)基本決定了中性束注入系統(tǒng)的性能，為此首先需要實(shí)現(xiàn)強(qiáng)流離子源的長(zhǎng)脈沖穩(wěn)定運(yùn)行。在強(qiáng)流離子源運(yùn)行過(guò)程中，不可避免的出現(xiàn)加速器電極打火等故障態(tài)，從而中止離子源的運(yùn)行。鑒于強(qiáng)流離子源在運(yùn)行過(guò)程中容易出現(xiàn)打火的現(xiàn)象，開(kāi)展了離子源打火的因素分析，研制了強(qiáng)流離子源打火再起的自調(diào)整技術(shù)，從而在離子源打火后經(jīng)過(guò)毫秒量級(jí)的調(diào)整
核技術(shù) 2022年7期2022-07-22
- 2 cm 電子回旋共振離子源猝滅現(xiàn)象模擬*
.然而,在探究離子源推力下限的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),在極低功率(0.5 W)和極低流量(0.1 sccm,1 sccm=1 L/min)的極限工作狀態(tài)下,過(guò)度施加?xùn)艠O電壓可能引發(fā)離子源猝滅.采用實(shí)驗(yàn)手段對(duì)猝滅現(xiàn)象進(jìn)行觀測(cè)的難度很大,一方面因?yàn)殁绗F(xiàn)象具有隨機(jī)性和瞬時(shí)性;另一方面,介入式診斷對(duì)弱放電水平的等離子體干擾很大,而光學(xué)診斷又有柵極系統(tǒng)阻擋.為此本文采用全粒子數(shù)值模型對(duì)離子源進(jìn)行了一體化模擬,復(fù)現(xiàn)了猝滅現(xiàn)象.模擬結(jié)果表明,天線和放電室之間的雙極擴(kuò)散是導(dǎo)致離子源
物理學(xué)報(bào) 2022年8期2022-04-27
- 含氘電極真空弧等離子體空間分布特性診斷研究*
化物電極真空弧離子源，搭建了一臺(tái)緊湊型磁分析裝置，用來(lái)研究放電等離子體中氘離子與金屬離子的空間分布.當(dāng)離子源弧流為100 A 左右時(shí)，該裝置能有效地傳輸引出束流，并且具有較好的二次電子抑制效果，可準(zhǔn)確獲得各離子流強(qiáng).利用該裝置測(cè)量并獲得了氘化鈦含氘電極真空弧放電等離子體內(nèi)氘離子和鈦離子空間分布規(guī)律，結(jié)果表明:徑向上，氘離子和鈦離子都呈高斯分布，但氘離子分布均勻，而鈦離子相對(duì)集中在軸線附近，導(dǎo)致軸線附近氘離子比例最低;軸向上，所有離子數(shù)量都以自然指數(shù)函數(shù)減少
物理學(xué)報(bào) 2022年4期2022-03-04
- 離子束刻蝕改善光通信濾光膜均勻性的研究
、聚焦型RF 離子源、14 點(diǎn)晶控探頭、TSL-550 可調(diào)諧激光光源及其配套的直接光控系統(tǒng)。根據(jù)電子束余弦蒸發(fā)理論，小平面蒸發(fā)源膜厚公式為［10］式中，m為蒸發(fā)材料的總質(zhì)量，θ為鍍膜面法線與連接蒸發(fā)源和鍍膜表面的直線所構(gòu)成的角度，φ為面源法線與連接蒸發(fā)源和鍍膜表面的直線所構(gòu)成的角度，μ為蒸發(fā)材料密度，l為蒸發(fā)源與鍍膜面元之間的距離［10］。對(duì)于旋轉(zhuǎn)平面夾具，其幾何配置如圖2 所示，則各個(gè)量的幾何關(guān)系為圖2 旋轉(zhuǎn)平面夾具幾何配置Fig.2 Rotating
光子學(xué)報(bào) 2022年12期2022-02-15
- 離子注入機(jī)離子束生成系統(tǒng)的原理及維修
氣體供給系統(tǒng)、離子源、吸極、質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和靶室，如圖1 所示。源氣體供給系統(tǒng)為離子源提供雜質(zhì)源，離子源將雜質(zhì)源電離形成等離子體從而產(chǎn)生所需的離子，吸極用于將正離子從等離子體中引出并加速，利用質(zhì)量分析器對(duì)加速后的離子進(jìn)行篩選，只有特定質(zhì)荷比的離子可以通過(guò)，而后利用加速管對(duì)離子進(jìn)行后加速，掃描系統(tǒng)用于將離子均勻地分布于晶片內(nèi)，最后離子進(jìn)入靶室完成晶片的離子注入。離子束生成系統(tǒng)包括源氣體供給系統(tǒng)、離子源、吸極及其相關(guān)的電源、控制電路等，是離子注入
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年6期2022-01-06
- 電過(guò)濾紙噴霧離子源的性能優(yōu)化及應(yīng)用研究
域[1-4]。離子源是質(zhì)譜儀的關(guān)鍵組成部分，通過(guò)電離待測(cè)物質(zhì)，使質(zhì)量分析器根據(jù)質(zhì)荷比區(qū)分帶電粒子，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同物質(zhì)的化學(xué)成分檢測(cè)。目前，應(yīng)用較廣泛的傳統(tǒng)質(zhì)譜離子源包括電子轟擊電離源(electron impact ionization, EI)、化學(xué)電離源(chemical ionization, CI)和電噴霧電離源(electrospray ionization, ESI)等。但這些離子源一般需要將分析物進(jìn)行復(fù)雜的樣品前處理，不僅耗時(shí)耗力，而且無(wú)法滿足現(xiàn)
質(zhì)譜學(xué)報(bào) 2021年4期2021-08-04
- 光學(xué)反射鏡組件離子束加工中的熱效應(yīng)
影響，文章根據(jù)離子源的能量分布特點(diǎn)，建立了離子束加工過(guò)程中的動(dòng)態(tài)熱傳輸模型；結(jié)合模型對(duì)駐留時(shí)間、束流分布參數(shù)、離子源功率產(chǎn)生的熱效應(yīng)進(jìn)行了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)分析；最后，在某直徑1 000mm非球面ULE玻璃材料反射鏡組件的加工中進(jìn)行試驗(yàn)，實(shí)測(cè)加工中的最高溫度為47.19℃，與理論值基本一致，滿足了膠層對(duì)溫度閾值70℃的需求。文章可為確定反射鏡組件的離子束加工工藝參數(shù)提供參考。光學(xué)反射鏡組件 熱傳輸模型 駐留時(shí)間 束流分布參數(shù) 離子源功率 空間相機(jī)0 引言隨著空間光
航天返回與遙感 2021年3期2021-07-19
- 工藝參數(shù)對(duì)硫化鋅薄膜光學(xué)性能和結(jié)晶特性的影響
道中均使用霍爾離子源或考夫曼離子源進(jìn)行輔助沉積，而本文采用的APS 型高能離子源具有能量更大、束流更集中的特性。中科院光電技術(shù)研究所的艾萬(wàn)君[21]、申林[22]、Zhang 等[23]采用APS離子源，研究了偏壓特性對(duì)HfO2、YF3薄膜特性的影響，并且比較了霍爾源和APS 源的技術(shù)特性，指出APS 源制備的薄膜吸收率更低。目前來(lái)看，國(guó)內(nèi)采用APS 離子源研究硫化鋅薄膜性能的文章還未見(jiàn)報(bào)道，本文采用APS 離子源研究硫化鋅薄膜的性能變化具有一定的創(chuàng)新性。
表面技術(shù) 2021年6期2021-07-03
- 基于ASIPP NBI 射頻負(fù)氫離子源氣體流量控制設(shè)計(jì)
性束系統(tǒng)對(duì)強(qiáng)流離子源要求的提高,在最近幾十年的離子源研制過(guò)程中研制了多種類型的強(qiáng)流離子源。射頻驅(qū)動(dòng)離子源具有壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、安裝維護(hù)方便、無(wú)電極污染、供電系統(tǒng)簡(jiǎn)單、等離子體密度高、引出束流均勻易控制等優(yōu)點(diǎn),成為國(guó)內(nèi)外聚變中性束注入系統(tǒng)用強(qiáng)流離子源研究的重要內(nèi)容[1]。ITER 中性束在2007 年選用了基于射頻激勵(lì)放電的負(fù)離子源[2]。EAST(全超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置)NBI 現(xiàn)有采用的熱陰極離子源由于陰極燈絲壽命短、有污染等缺點(diǎn),不能滿足未來(lái)聚變
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2021年15期2021-06-25
- 2 cm 電子回旋共振離子推力器離子源中磁場(chǎng)對(duì)等離子體特性與壁面電流影響的數(shù)值模擬*
ECRIT)離子源內(nèi)等離子體分布會(huì)影響束流引出, 而磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)決定的ECR 區(qū)與天線的相對(duì)位置共同影響了等離子體分布.在鞘層作用下, 等離子體中的離子或電子被加速對(duì)壁面產(chǎn)生濺射, 形成壁面離子或電子電流, 造成壁面磨損和等離子體損失, 因此研究壁面電流與等離子體特征十分重要.為此本文建立2 cm ECRIT 的粒子PIC/MCC (particle-in-cell with Monte Carlo collision)仿真模型, 數(shù)值模擬研究磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)離子
物理學(xué)報(bào) 2021年7期2021-05-07
- 中國(guó)散裂中子源加速器前端運(yùn)行及改進(jìn)
面等離子體負(fù)氫離子源（IS）、一條長(zhǎng)度為1.6 m 的低能束流傳輸線（LEBT）、一臺(tái)能量為3.0 MeV 的射頻四極加速器（RFQ）、一條長(zhǎng)度約為3.0 m 的中能束流傳輸線（MEBT）、一臺(tái)能量為81 MeV 的漂移管直線加速器（DTL）及一條長(zhǎng)度約為150 m的高能束流傳輸線（HEBT）組成.如圖1所示，加速器前端系統(tǒng)是指直線加速器的起始部分，包含負(fù)氫離子源、低能束流傳輸線、射頻四極加速器及中能傳輸線.作為直線加速器的起點(diǎn)，前端系統(tǒng)是CSNS 的重要
白城師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2021年2期2021-05-06
- 氦質(zhì)譜檢漏設(shè)備故障排除與維護(hù)保養(yǎng)
示，儀器內(nèi)部的離子源電子經(jīng)加速進(jìn)入電離室,在電離室內(nèi)與殘余氣體分子和經(jīng)被檢件漏孔進(jìn)入電離室的氦氣相互碰撞，使其電離成正離子，這些離子在加速電場(chǎng)作用下進(jìn)入磁場(chǎng)，在洛倫茲力作用下產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，氦氣最終經(jīng)過(guò)電離、加速、聚焦全部收集到接收極，在接收極上表現(xiàn)為微弱的電信號(hào)，再經(jīng)過(guò)放大器進(jìn)行信號(hào)放大，電路處理轉(zhuǎn)換，顯示出漏率；檢漏設(shè)備主要由機(jī)械泵、渦輪分子泵、質(zhì)譜室及電子學(xué)控制模塊組成，機(jī)械泵主要用來(lái)維持分子泵工作時(shí)所需要的前級(jí)真空及對(duì)被檢件的預(yù)抽真空，渦輪分子泵則提供質(zhì)
中國(guó)設(shè)備工程 2021年4期2021-03-03
- 基于脈沖頻率調(diào)節(jié)機(jī)制的離子源高壓脈沖電源
程度上充分滿足離子源的供電需求。關(guān)鍵詞： 高壓脈沖電源;離子源;脈沖電源中子發(fā)生器在具體的運(yùn)行過(guò)程中，在很大程度上受到離子源性能的至關(guān)重要的直接影響，決定著它是采取持續(xù)性發(fā)射中子的方式，還是以脈沖的方式來(lái)發(fā)射中子，而針對(duì)離子源工作狀態(tài)而言，又在根本上取決于離子源結(jié)構(gòu)、磁場(chǎng)強(qiáng)度、離子源內(nèi)部壓力等相關(guān)方面的因素。離子源在不同的狀態(tài)下會(huì)呈現(xiàn)出不同的形式，例如，在直流狀態(tài)的工作形式，和脈沖狀態(tài)之下的工作形式是完全不同的，為了能夠在更大程度上確保電壓應(yīng)用更安全穩(wěn)定，
科技風(fēng) 2020年23期2020-09-12
- 高氮含量金屬摻雜氮原子簇的液氮冷卻-激光濺射生成研究
計(jì)新型液氮冷卻離子源，對(duì)固相底物及激光濺射后生成的等離子體進(jìn)行冷卻，以期抑制某些分解歷程，促進(jìn)具有更高氮含量的摻雜氮原子簇的生成；進(jìn)而分別研究了離子源改進(jìn)前后鋰和鈉等堿金屬摻雜、以及釩和鉻等過(guò)渡金屬摻雜的氮原子簇的生成，比較了離子源對(duì)產(chǎn)物的影響，為亞穩(wěn)態(tài)原子簇的研究探索新的方法。2 實(shí)驗(yàn)部分2.1 試劑與儀器氯化鋰、氟化鋰、氮化鋰、氮化鋯、氮化鋁、氮化硼、氟化鈉、釩、鉻，分析純，美國(guó)百靈威科技有限公司。自制的激光濺射-飛行時(shí)間質(zhì)譜儀，主要由Nd：YAG 激
含能材料 2020年7期2020-07-11
- MINItrace回旋加速器升級(jí)前后運(yùn)行對(duì)比研究
定、爆靶故障及離子源短路時(shí)有發(fā)生。這些對(duì)PET-CT檢查的正常進(jìn)行提出了非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。此外，病人對(duì)于醫(yī)院準(zhǔn)時(shí)性、準(zhǔn)確性等方面的要求不斷提高，放射性藥物供應(yīng)的及時(shí)性和穩(wěn)定性就尤為重要。本院于2018年4月對(duì)MINItrace型回旋加速器升級(jí)為Qilin型。本研究回顧性分析了升級(jí)前后回旋加速器的運(yùn)行情況，以期為回旋加速器的系統(tǒng)升級(jí)提供客觀依據(jù)。1 對(duì)象與方法1.1 回旋加速器的原理與結(jié)構(gòu)回旋加速器的原理是離子源氣體經(jīng)電弧放電電離產(chǎn)生粒子束流，該粒子束流在直流
中國(guó)醫(yī)療器械雜志 2020年1期2020-02-24
- 磁路和天線位置對(duì)2cm電子回旋共振離子推力器性能影響的實(shí)驗(yàn)研究*
比較不同磁路的離子源和中和器的束流引出特性,選出合理的磁路結(jié)構(gòu),再比較不同天線位置對(duì)束流引出的影響.歸納了磁路和天線位置對(duì)ECRIT的性能影響規(guī)律,得到合理的推力器結(jié)構(gòu).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：功率和流量的增加有助于提高離子引出束流和降低電子引出壓；保持天線空間位置不變,合理的磁路結(jié)構(gòu)能增大電子獲能并減小粒子損失,從而提高引出離子束流并降低耦合電壓；在合理磁路結(jié)構(gòu)條件下,離子源和中和器存在有利于離子引出和降低耦合電壓的合理天線位置.根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果選擇出結(jié)構(gòu)較優(yōu)的中和器
物理學(xué)報(bào) 2019年23期2019-12-16
- 化學(xué)反應(yīng)在液相質(zhì)譜測(cè)定的一些應(yīng)用
I、DESI等離子源的開(kāi)發(fā)，化合物在液相質(zhì)譜的測(cè)定取得了巨大的發(fā)展。液相質(zhì)譜能夠測(cè)定物質(zhì)的首要條件是該物質(zhì)能夠在離子源電離，但能夠電離的物質(zhì)只占物質(zhì)總數(shù)的極少量，眾多的化合物依然無(wú)法在離子源電離，導(dǎo)致其無(wú)法測(cè)定。難電離物質(zhì)的測(cè)定，一直是質(zhì)譜學(xué)最具挑戰(zhàn)性的課題之一?，F(xiàn)今解決難電離物質(zhì)化合物測(cè)定的方法，一種是開(kāi)發(fā)新的離子源，文獻(xiàn)報(bào)道已經(jīng)超過(guò)100多種離子源得到開(kāi)發(fā)，極大地豐富了檢測(cè)方法的開(kāi)發(fā)。另一種方法是化學(xué)方法，最具有典型的例子，是衍生方法和原位化學(xué)反應(yīng)測(cè)定
食品安全導(dǎo)刊 2019年23期2019-09-16
- 串列加速器358型雙等離子體離子源改進(jìn)及性能研究
域的工作。由于離子源漏氣損壞，原裝的358型雙等離子體離子源在1989年退役[5]，之后一直采用860A濺射離子源。因?yàn)R射源引出束流強(qiáng)度有限，限制了GIC4117型串列加速器的應(yīng)用，為進(jìn)一步拓展其應(yīng)用，2017年購(gòu)置了HVE公司的358型雙等離子體離子源。由于僅購(gòu)置離子源源體，HVE公司未提供燈絲涂覆材料和配套電源。因此在358型雙等離子體離子源調(diào)試和使用過(guò)程中，燈絲涂覆材料采用中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所提供的氧化物陰極涂料，離子源電源除弧壓電源采用新采購(gòu)的國(guó)
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年9期2019-09-14
- CSNS強(qiáng)流負(fù)氫離子源及其改進(jìn)
主要設(shè)備有負(fù)氫離子源(IS)、低能傳輸段(LEBT，長(zhǎng)度1.82 m)、射頻四級(jí)加速結(jié)構(gòu)(RFQ，長(zhǎng)度3.688 m)及中能傳輸段(MEBT，長(zhǎng)度3.002 m)[3-4]。在目前加速器的運(yùn)行中，前端系統(tǒng)提供的束流模式有1 Hz-100 μs(重復(fù)頻率為1 Hz，脈寬為100 μs)、5 Hz-100 μs、25 Hz-115 μs、25 Hz-250 μs及單脈沖。在供束期間，主要運(yùn)行模式有25 Hz-115 μs，束流功率為20 kW；25 Hz-25
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年9期2019-09-14
- 介質(zhì)阻擋放電離子源的研究進(jìn)展
：介質(zhì)阻擋放電離子源在質(zhì)譜分析領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。介質(zhì)阻擋放電離子源的電極結(jié)構(gòu)對(duì)離子源中放電區(qū)域以及等離子體束的長(zhǎng)度有著密切的關(guān)聯(lián)。本文梳理了介質(zhì)阻擋放電離子源的重要專利技術(shù)，并給出了技術(shù)發(fā)展路線圖。關(guān)鍵詞：介質(zhì)阻擋放電;離子源;電極中圖分類號(hào)：O657.63 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2019）11-0128-03Abstract： Dielectric barrier discharge Ion sources （
河南科技 2019年11期2019-09-10
- 化學(xué)反應(yīng)在液相質(zhì)譜測(cè)定的一些應(yīng)用
I、DESI等離子源的開(kāi)發(fā)，化合物在液相質(zhì)譜的測(cè)定取得了巨大的發(fā)展。液相質(zhì)譜能夠測(cè)定物質(zhì)的首要條件是該物質(zhì)能夠在離子源電離，但能夠電離的物質(zhì)只占物質(zhì)總數(shù)的極少量，眾多的化合物依然無(wú)法在離子源電離，導(dǎo)致其無(wú)法測(cè)定。難電離物質(zhì)的測(cè)定，一直是質(zhì)譜學(xué)最具挑戰(zhàn)性的課題之一。現(xiàn)今解決難電離物質(zhì)化合物測(cè)定的方法，一種是開(kāi)發(fā)新的離子源，文獻(xiàn)報(bào)道已經(jīng)超過(guò)100多種離子源得到開(kāi)發(fā)，極大地豐富了檢測(cè)方法的開(kāi)發(fā)。另一種方法是化學(xué)方法，最具有典型的例子，是衍生方法和原位化學(xué)反應(yīng)測(cè)定
食品安全導(dǎo)刊·中旬刊 2019年8期2019-09-10
- 同位素電磁分離器離子源控制系統(tǒng)的研制
對(duì)象主要包括：離子源系統(tǒng)、接收器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、安全防護(hù)系統(tǒng)等。主要介紹同位素電磁分離器離子源控制系統(tǒng)。研制的新離子源控制系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)監(jiān)測(cè)同位素電磁分離器離子源的運(yùn)行參數(shù)，提供必要的連鎖保護(hù)功能，防止操作員的誤操作，根據(jù)模擬信號(hào)、開(kāi)關(guān)量信號(hào)監(jiān)測(cè)顯示報(bào)警狀態(tài)，定時(shí)記錄離子源系統(tǒng)的參數(shù)并打印。離子源控制系統(tǒng)中電源種類多，如何選取電源控制接口與控制系統(tǒng)連接，且要保證控制對(duì)象的響應(yīng)時(shí)間和控制精度，對(duì)電源控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和軟件設(shè)計(jì)提出了嚴(yán)峻的要求。在同位素
計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制 2019年8期2019-08-29
- 離子源自動(dòng)控制系統(tǒng)研制
針對(duì)中子發(fā)生器離子源的工作情況，設(shè)計(jì)一套離子源自動(dòng)控制系統(tǒng)。自動(dòng)控制系統(tǒng)選擇離子源電流、離子源電壓、電離腔外殼溫度及針閥相對(duì)位置作為控制數(shù)據(jù)采樣點(diǎn);并將離子源電源輸出電壓大小、針閥開(kāi)閉大小作為控制動(dòng)作輸出點(diǎn)。根據(jù)控制點(diǎn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)電路及控制流程、編寫軟件。自動(dòng)控制系統(tǒng)除具有離子源的控制、離子源工作狀態(tài)參數(shù)存儲(chǔ)功能及LCD顯示與鍵盤輸入功能?！娟P(guān)鍵詞】中子發(fā)生器;離子源;自動(dòng)控制系統(tǒng);單片機(jī)中圖分類號(hào)： V439.2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 2095-245
科技視界 2019年18期2019-08-07
- 基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的薄膜離子源制備與實(shí)驗(yàn)研究
MS技術(shù)的薄膜離子源和扁平帶狀離子束引出的平面中子發(fā)生器結(jié)構(gòu)，它改變了傳統(tǒng)中子發(fā)生器基于電真空技術(shù)封接及制備的設(shè)計(jì)理念，因此獲得了美國(guó)2012年R&D成就獎(jiǎng)勵(lì)。在SNL實(shí)驗(yàn)室定向研究與開(kāi)發(fā)(LDRD)項(xiàng)目的持續(xù)性支持下，Elizondo-Decanini等在2015年后仍在改進(jìn)研究這種芯片型中子發(fā)生器及薄膜離子源[9-10]，但對(duì)其薄膜離子源等關(guān)鍵部件的尺寸參數(shù)及制備工藝等未公開(kāi)。2008年，美國(guó)勞倫斯-利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LLNL)的Falabella等
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年7期2019-07-15
- 醫(yī)用回旋加速器系統(tǒng)維護(hù)與保養(yǎng)策略分析探討
細(xì)分為靶系統(tǒng)、離子源系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、射頻系統(tǒng)、磁場(chǎng)系統(tǒng)、萃取系統(tǒng)、診斷系統(tǒng)和自屏蔽系統(tǒng)；設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中涉及作為離子源氣體的氫氣、傳送靶水和冷卻用的氦氣等；設(shè)備各個(gè)系統(tǒng)正常運(yùn)行需要復(fù)雜精密的電子控制柜以及射頻高壓電路等正常工作，因此日常維護(hù)和保養(yǎng)對(duì)于保證回旋加速器的正常運(yùn)行十分重要。1.1 機(jī)房的溫度和濕度要求日常維護(hù)最基本的一項(xiàng)工作是保持機(jī)房的溫度和濕度在合適的范圍內(nèi)，溫度保持在20℃～22℃，相對(duì)濕度保持在50%～55%，合適的溫濕度環(huán)境可使電
中國(guó)醫(yī)療設(shè)備 2019年2期2019-02-23
- 淺析中子管離子源高壓脈沖電源
子管檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)離子源的供電需求。關(guān)鍵詞：高壓脈沖電源;中子;離子源;脈沖電源中圖分類號(hào)：TL822? ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A中子發(fā)生器可以持續(xù)性發(fā)射中子，還可以以脈沖的方式發(fā)射中子并且深受離子源性能的影響，而離子源的工作狀態(tài)深受離子源結(jié)構(gòu)、磁場(chǎng)強(qiáng)度、陽(yáng)極電壓大小以及離子源內(nèi)部壓力大小的影響。同時(shí)，離子源在直流狀態(tài)和脈沖狀態(tài)下的工作形式不同，為了能夠增強(qiáng)電壓使用的安全性和穩(wěn)定性，需要相關(guān)人員就脈沖狀態(tài)下的離子源特點(diǎn)進(jìn)行深入的研究。1 高壓脈沖電源的系統(tǒng)結(jié)
中國(guó)新技術(shù)新產(chǎn)品 2019年23期2019-01-20
- 正余弦n倍角公式及其應(yīng)用
題.MS條件：離子源溫度為200 ℃，電子電離離子源；電子能量為70 eV，燈絲電流為150 μA，掃描質(zhì)量范圍 33～450 m/z。=[z2n-1(z2-1)2+z2n-3(z4-1)2+z2n-5(z6-1)2+…+z(z2n-1)2]/4=[(z2n+3-2z2n+1+z2n-1)+(z2n+5-2z2n+1+z2n-3)+…+(z4n+1-2z2n+1+z)]/4用2n+1代替n得
數(shù)理化解題研究 2018年19期2018-08-15
- 數(shù)控脈沖中子發(fā)生器的設(shè)計(jì)*
構(gòu)包括存儲(chǔ)器、離子源、加速極(靶極)。中子管工作原理是通過(guò)給存儲(chǔ)器內(nèi)部燈絲通電加熱，使其釋放出D-T氣體，施加2 kV的離子源高壓使D-T氣體電離，再通過(guò)加速極(靶極)施加100 kV高壓，使電離的離子轟擊在靶上，從而產(chǎn)生中子。圖1 中子管結(jié)構(gòu)示意由于中子產(chǎn)額及穩(wěn)定性由存儲(chǔ)器施加電壓釋放的D-T氣體、離子源高壓、加速極(靶極)高壓三者共同決定，因此要求中子發(fā)生器的電源控制輸出可控，并能穩(wěn)定控制不同電源的輸出。2 數(shù)控脈沖中子發(fā)生器中子發(fā)生器由中子發(fā)生器短節(jié)
現(xiàn)代礦業(yè) 2018年4期2018-05-09
- 《敞開(kāi)式大氣壓質(zhì)譜離子源通用技術(shù)規(guī)范》擬立項(xiàng)
開(kāi)式大氣壓質(zhì)譜離子源通用技術(shù)規(guī)范》。項(xiàng)目申報(bào)單位：寧波華儀寧創(chuàng)智能科技有限公司，東華理工大學(xué)。CIS標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目公示表中給出了該標(biāo)準(zhǔn)制定的目的、意義及必要性：具高靈敏度和高特異性的質(zhì)譜分析儀是目前業(yè)內(nèi)最權(quán)威的定性定量分析工具，其中離子源是整個(gè)質(zhì)譜儀的核心。近年來(lái)，敞開(kāi)式大氣壓離子化技術(shù)是離子源領(lǐng)域的一場(chǎng)新革命，具有樣品用量少、分析速度快、支持實(shí)時(shí)原位檢測(cè)、檢測(cè)成本低等優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了質(zhì)譜技術(shù)在現(xiàn)場(chǎng)高通量分析中的應(yīng)用，是緝毒查毒、公共安全、食品安全、藥物分析等領(lǐng)域強(qiáng)
分析測(cè)試學(xué)報(bào) 2018年12期2018-04-01
- Eclipse HP型回旋加速器常見(jiàn)故障分析
。回旋加速器；離子源；FDG；故障分析正電子藥物是正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層掃描儀（PET/CT）必不可少的顯像劑，其中以18F-FDG顯像劑最為重要。18F-FDG全名氟代脫氧葡萄糖，通常稱為FDG，因?yàn)镕DG可準(zhǔn)確反映體內(nèi)器官組織的葡萄糖代謝水平，被稱為世紀(jì)分子，由回旋加速器和化學(xué)合成模塊經(jīng)物理化學(xué)反應(yīng)合成[1]。目前生產(chǎn)回旋加速器的廠家主要有日本住友公司、荷蘭飛利浦公司、美國(guó)GE公司，德國(guó)西門子公司等?，F(xiàn)以我院購(gòu)進(jìn)的德國(guó)西門子公司Eclipse HP 型回
臨床醫(yī)藥文獻(xiàn)雜志(電子版) 2017年62期2017-12-18
- EAST-NBI 離子源電極打火分析及處理
ST-NBI 離子源電極打火分析及處理許永建1張 黎1,2謝亞紅1蔣才超1,2梁立振1胡純棟11（中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所 合肥 230031）2（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 合肥 230026）強(qiáng)流離子源是 EAST (Experimental Advanced Superconducting Tokamak)中性束注入器(Neutral Beam Injector, NBI)最關(guān)鍵的核心部件，其能達(dá)到的性能在很大程度上決定了EAST中性束注入器所能達(dá)到的指標(biāo)
核技術(shù) 2017年11期2017-11-21
- 利用質(zhì)譜嗅覺(jué)離子源評(píng)價(jià)白酒
司利用質(zhì)譜嗅覺(jué)離子源評(píng)價(jià)白酒□ 駱東梅 朱建雄 廣東聯(lián)捷生物科技有限公司本文介紹一種采用質(zhì)譜新型嗅覺(jué)離子源對(duì)白酒快速分析的方法，新方法應(yīng)用推廣必將產(chǎn)生和積累質(zhì)譜指紋圖譜。一個(gè)較完整的白酒指紋圖譜數(shù)據(jù)庫(kù)將使制酒過(guò)程實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)化的質(zhì)量控制，檢測(cè)自動(dòng)化出廠勾兌以及標(biāo)準(zhǔn)化酒品定位（包括假酒甄別）。白酒篇：白酒、嗅覺(jué)離子源、質(zhì)譜快速分析、質(zhì)量定位1 概述盡管高科技發(fā)展日新月異，但制酒從發(fā)酵進(jìn)程到出廠勾兌直至酒品定位幾乎完全依賴品酒師的味覺(jué)與嗅覺(jué)判斷，近年來(lái)也有很多研究
食品安全導(dǎo)刊 2017年21期2017-09-03
- SiC高溫高能離子注入機(jī)的離子源熱場(chǎng)研究
能離子注入機(jī)的離子源熱場(chǎng)研究彭立波，張 賽，易文杰，羅才旺，孫雪平(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所，湖南 長(zhǎng)沙 410111)高溫高能離子注入機(jī)是寬禁帶半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備，離子源直接影響整機(jī)的性能指標(biāo)。為保證離子源的長(zhǎng)壽命和大束流，針對(duì)SiC高溫高能離子注入機(jī)中的離子源熱場(chǎng)問(wèn)題，采用仿真軟件對(duì)燈絲、陰極帽和AlX罩的熱場(chǎng)、熱變形進(jìn)行了研究，提出了離子源運(yùn)用過(guò)程中的注意事項(xiàng)及改進(jìn)設(shè)計(jì)。碳化硅（SiC）；離子注入機(jī)；離子源SiC（碳化硅）作為一種寬
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年3期2017-07-31
- 色譜—質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)及其在衛(wèi)生理化檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)中的應(yīng)用
檢驗(yàn)；質(zhì)譜儀；離子源色譜法是一種有效分離分析技術(shù)，特別適合于進(jìn)行有機(jī)化合物的定量分析，但定性分析則比較困難；質(zhì)譜是強(qiáng)有力的結(jié)構(gòu)解析工具，特異性和靈敏度都較高，但在復(fù)雜有機(jī)化合物的分析上就會(huì)顯得比較無(wú)能為力。將這兩者進(jìn)行聯(lián)用是當(dāng)前最為重要的分離和鑒定分析方法，能夠大大提高分析儀器的性能，擴(kuò)大了應(yīng)用范圍。1 色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)的種類和發(fā)展歷史色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)是一種以色譜為分離手段，質(zhì)譜為檢測(cè)器的檢驗(yàn)方式，在衛(wèi)生理化檢驗(yàn)中應(yīng)用較廣泛的為液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用（LC
醫(yī)學(xué)信息 2017年3期2017-02-22
- 單電極介質(zhì)阻擋放電離子源研究
極介質(zhì)阻擋放電離子源研究寧錄勝1徐 明1郭成安2趙 鵬*1聞路紅1張新榮21 （寧波大學(xué)高等技術(shù)研究院，寧波 315211）2（清華大學(xué)化學(xué)系，北京 100084）介質(zhì)阻擋放電離子源是一種常壓敞開(kāi)式離子源，由于免試劑、適用范圍廣、易于小型化等特點(diǎn)而備受關(guān)注。該類離子源多采用表面雙電極或針-環(huán)電極設(shè)計(jì)方式。表面雙電極的接地電極會(huì)減弱氦氣在強(qiáng)電場(chǎng)中電離形成的流注崩頭能量，縮短等離子束噴射距離。針-環(huán)電極的電場(chǎng)主要集中在針電極尖端，流注崩頭能量小，等離子束噴射距
分析化學(xué) 2016年2期2016-11-01
- MAT253氣體質(zhì)譜儀離子源系統(tǒng)故障排除
53氣體質(zhì)譜儀離子源系統(tǒng)故障排除尹旻1劉文貴2*(1.湖南省婁底市第三中學(xué)，婁底 417000；2.中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(武漢)地質(zhì)過(guò)程與礦產(chǎn)資源國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，武漢 430074)摘要：MAT253氣體質(zhì)譜儀出現(xiàn)10kV高壓無(wú)輸出故障，但高壓?jiǎn)卧旧碚?，本文分析了故障產(chǎn)生的原因。關(guān)鍵詞：MAT253氣體質(zhì)譜儀 同位素離子源系統(tǒng)高壓?jiǎn)卧狹AT253是高精度(優(yōu)于0.0005%)氣體同位素質(zhì)譜儀，可測(cè)量CO2、N2、O2、N2O、SO2、SiF4、SF6等氣體中的
分析儀器 2016年1期2016-03-04
- 基于無(wú)網(wǎng)格離子鏡的新型超高分辨率多反射高靈敏度飛行時(shí)間質(zhì)譜分析儀研發(fā)技術(shù)
進(jìn)一步拓寬不同離子源設(shè)備的頻譜范圍發(fā)揮基礎(chǔ)作用。未來(lái)，應(yīng)用這種新一代離子光學(xué)元器件能夠建立新型的多反射質(zhì)譜儀，這種儀器的分辨率可達(dá)到目前的最高水平，100000-200000，甚至更高。目前這種基于新型離子鏡的飛行時(shí)間多反射質(zhì)量分析儀的優(yōu)化設(shè)計(jì)已經(jīng)完成，包括具有高水平的離子飛行時(shí)間記錄功能的無(wú)網(wǎng)格離子鏡、電子噴霧型離子源、從離子源到多反射分析其之間的真空充氣離子接口等的設(shè)計(jì)。具有相關(guān)的設(shè)計(jì)文檔，已經(jīng)完成專利檢索。該技術(shù)具有專利，外方希望進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
電腦與電信 2015年10期2015-03-24
- 大連化物所超高靈敏離子遷移譜研究取得新進(jìn)展
這種工作模式對(duì)離子源所產(chǎn)生離子的利用效率極低，僅為1%，不利于離子遷移譜靈敏度的進(jìn)一步提高。為了提高對(duì)離子源中離子的利用效率，研究人員在離子源和離子門之間的電極上施加一個(gè)與離子門開(kāi)門脈沖同步的高壓脈沖。在離子門開(kāi)啟的時(shí)間間隔內(nèi)，該高壓脈沖將電離區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度快速提高10到20倍，驅(qū)動(dòng)其間的離子全部通過(guò)離子門進(jìn)入到離子遷移管中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，該技術(shù)可以在保證離子遷移譜原有分辨能力的前提下，將離子源中離子的利用效率由原來(lái)的1%提高到20%左右，極大地提高靈敏度。
化學(xué)分析計(jì)量 2015年5期2015-03-23
- 基于無(wú)網(wǎng)格離子鏡的新型超高分辨率多反射高靈敏度飛行時(shí)間質(zhì)譜分析儀研發(fā)技術(shù)
進(jìn)一步拓寬不同離子源設(shè)備的頻譜范圍發(fā)揮基礎(chǔ)作用。未來(lái)，應(yīng)用這種新一代離子光學(xué)元器件能夠建立新型的多反射質(zhì)譜儀，這種儀器的分辨率可達(dá)到目前的最高水平，100000-200000，甚至更高。目前這種基于新型離子鏡的飛行時(shí)間多反射質(zhì)量分析儀的優(yōu)化設(shè)計(jì)已經(jīng)完成，包括具有高水平的離子飛行時(shí)間記錄功能的無(wú)網(wǎng)格離子鏡、電子噴霧型離子源、從離子源到多反射分析其之間的真空充氣離子接口等的設(shè)計(jì)。具有相關(guān)的設(shè)計(jì)文檔，已經(jīng)完成專利檢索。該技術(shù)具有專利，外方希望進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
電腦與電信 2015年11期2015-03-23
- SSC-LINAC離子源氣閥控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
研究所擁有超導(dǎo)離子源（SECRAL）、常規(guī)離子源、全永磁ECR 離子源等眾多離子源。在這些既有的離子源基礎(chǔ)上，該所利用蒸發(fā)冷卻技術(shù)，并結(jié)合其他ECR 離子源的最新關(guān)鍵技術(shù)，研制成功了世界上第一臺(tái)利用蒸發(fā)冷卻技術(shù)的常溫ECR 離子源LECR4（SSC-LINAC離子源）。許多元素組成的單質(zhì)在自然界中以氣態(tài)形式存在，使用時(shí)一般都將其存放在儲(chǔ)氣瓶中，在調(diào)束時(shí)經(jīng)由氣閥送入弧腔，在經(jīng)過(guò)微波作用后方可獲得這類元素離子，因此離子源的氣閥是非常關(guān)鍵的工作氣體控制組件。氣閥
原子能科學(xué)技術(shù) 2015年2期2015-03-20
- EAST NBI強(qiáng)流離子源反向電子流沉積計(jì)算
31）1 強(qiáng)流離子源反向電子的產(chǎn)生強(qiáng)流離子源引出系統(tǒng)的冷卻換熱過(guò)程已有相關(guān)的研究［1-2］。反向電子的產(chǎn)生只發(fā)生在強(qiáng)流離子源束引出過(guò)程中，離子源束經(jīng)過(guò)縫型引出系統(tǒng)時(shí)會(huì)與引出電極和從離子源弧室擴(kuò)散到引出系統(tǒng)的中性氣體分子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生電子。強(qiáng)流離子源反向電子產(chǎn)生過(guò)程如圖1［3］所示。反向電子的來(lái)源主要有以下4個(gè)途徑：一是初始離子束電離加速電極間隙中的本底氣體產(chǎn)生的；二是初始離子束中異常軌道的離子打到梯度電極、抑制電極和地電極上產(chǎn)生的；三是中性化室內(nèi)離子被反向
原子能科學(xué)技術(shù) 2015年2期2015-03-20
- Changes in feed intake,nutrient digestion,plasma metabolites,and oxidative stress parameters in dairy cows with subacute ruminal acidosis and its regulation with pelleted beet pulp
量70 eV；離子源溫度200℃，四級(jí)桿溫度150℃，質(zhì)量數(shù)掃描范圍35～350 amu。Low ruminal pH was observed in cows fed the W20 diet; the minimum ruminal pH was around 5.4,which was consistent with SARA[1].SARA induced by increasing the levels of starch and reducin
Journal of Animal Science and Biotechnology 2014年1期2014-03-25
- 用于補(bǔ)償中子孔隙度測(cè)井的可控中子源技術(shù)
Penning離子源。Penning離子源的單原子離子產(chǎn)量較低（＜10%），因此美國(guó)Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（Sandia National Laboratoires）開(kāi)發(fā)了一種單原子氘離子產(chǎn)量大于90%的離子源。這種離子源也利用了D－D中子的方向性和脈沖模式的工作方式，使離子源在相同的輸入功率下達(dá)到所要求的中子產(chǎn)額?，F(xiàn)正在研發(fā)一種現(xiàn)場(chǎng)發(fā)射型離子源，使中子發(fā)生器的體積更小、功率更低且可獲得更高的中子產(chǎn)額。由于超短RF（射頻）離子源或微波電荷離子源可以產(chǎn)生所需
測(cè)井技術(shù) 2013年1期2013-08-15
- 離子束刻蝕設(shè)備中離子源故障診斷和維修
加工的目的。由離子源讓惰性氣體離子化，由負(fù)極引出陽(yáng)離子，經(jīng)過(guò)加速，集束，最后射入工件表面。離子束加工主要有3個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域：離子濺射、電鍍；離子刻蝕；離子注入。此外在光刻工藝中也有應(yīng)用，如離子束曝光。離子束加工是一種非接觸精密加工技術(shù)，真空環(huán)境下，無(wú)污染，不氧化。它需要一套離子源和真空系統(tǒng)[1]。離子束加工設(shè)備中的核心部件是離子源，本文以EVATEC的離子銑（離子束刻蝕）BAK641為例，介紹VECOO直流柵極離子源及其電源MPS5001的結(jié)構(gòu)和原理特點(diǎn)，結(jié)合
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年5期2013-08-09
- 基于鐵電陰極材料離子源的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)*
譜儀的核心部件離子源需要擁有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和明顯的創(chuàng)新性，才能使我國(guó)在此領(lǐng)域占有一席之地。離子源被譽(yù)為質(zhì)譜儀的心臟，其作用有兩個(gè)方面:將被分析的樣品電離成正離子或負(fù)離子;通過(guò)引出、加速和聚焦把樣品離子傳輸?shù)劫|(zhì)量分析器。離子源的類型不同，適用的樣品也不一樣。筆者選擇離子源的類型是電子電離源(EI源)，基于其可以分析所有的氣體、并且離子流穩(wěn)定度高、便于調(diào)節(jié)離子能量、離子能散小等優(yōu)點(diǎn)。鐵電陰極電子發(fā)射是要有在外界激勵(lì)作用下，例如:力、熱、光、電等，鐵電材料表面產(chǎn)
機(jī)械研究與應(yīng)用 2013年2期2013-06-16
- 淺析強(qiáng)流離子源四電極引出系統(tǒng)的離子透鏡
注入建立在強(qiáng)流離子源的基礎(chǔ)上，隨著NBI的發(fā)展，要求離子源可產(chǎn)生強(qiáng)流、高密度、均勻的等離子體，并可準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)運(yùn)行.為了獲得強(qiáng)束流的離子束，需要大面積的多電極引出系統(tǒng).對(duì)于正離子源，一般束能量在100KeV以下，因?yàn)樵俑叩哪芰繒?huì)導(dǎo)致中性化效率急劇的降低.其多電極系統(tǒng)包括三電極、四電極和更高電極.一般使用三電極和四電極，電極級(jí)數(shù)增加會(huì)因?yàn)榭傞L(zhǎng)度的過(guò)長(zhǎng)使電荷交換損失和電極負(fù)載過(guò)大.一般而言，三電極系統(tǒng)多用于束能量小于60KeV的情況，四電極系統(tǒng)多用于束能量大于60K
棗莊學(xué)院學(xué)報(bào) 2012年5期2012-11-20
- 同軸式電化學(xué)電噴霧質(zhì)譜離子源研究蒽電化學(xué)衍生十二胺
凌 星 丁傳凡(復(fù)旦大學(xué)化學(xué)系,上海200433)1 IntroductionElectrospray mass spectrometry is an indispensable tool for studying organic and biological samples.1It has been successfully integrated with other methods,such as liquid chromatography,2capi
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2012年11期2012-03-06
- 醫(yī)用回旋加速器原理、生產(chǎn)核素過(guò)程及一例常見(jiàn)故障排除
躍沖；其二是從離子源中拉出離子。③離子源系統(tǒng)：產(chǎn)生需要加速的帶電粒子；由離子源、離子源電源和氣體管理系統(tǒng)組成。④束流提取系統(tǒng)：該系統(tǒng)直接將加速的帶電粒子從真空腔中引出。⑤束流診斷系統(tǒng)：為了控制從離子源到靶的束流，診斷系統(tǒng)監(jiān)測(cè)在回旋加速器和靶系統(tǒng)間不同位置時(shí)的束流。⑥靶系統(tǒng)：可包含多個(gè)靶位，如氟-18靶(液體靶)、碳-11靶(氣體靶)、氮-13靶(液體靶)、氧-15靶(氣體靶)。⑦真空系統(tǒng)：真空系統(tǒng)主要在真空腔內(nèi)建立離子加速所需要的真空壓力水平，以降低束流的
中國(guó)療養(yǎng)醫(yī)學(xué) 2012年2期2012-01-15
- EAST強(qiáng)流離子源電源系統(tǒng)的初步測(cè)試運(yùn)行
器的兆瓦級(jí)強(qiáng)流離子源樣機(jī)，已完成研制及整機(jī)裝配，并在一臺(tái)小型真空平臺(tái)上開(kāi)展了離子源真空檢測(cè)、冷卻水壓力測(cè)試、電源系統(tǒng)整體測(cè)試，以獲取首次離子源起弧放電的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。EAST裝置設(shè)計(jì)要求的第一條NBI加熱束線，需安裝兩臺(tái)強(qiáng)流離子源，運(yùn)行條件為注入中性束功率4 MW、能量50–80 keV、束流60 A。為測(cè)試和鍛煉此類大功率離子源的整體性能，國(guó)內(nèi)外NBI實(shí)驗(yàn)室都建立了專用的強(qiáng)流離子源綜合測(cè)試臺(tái)[1–3]。具有類似實(shí)驗(yàn)功能的EAST NBI綜合測(cè)試臺(tái)正在建設(shè)中，
核技術(shù) 2011年11期2011-06-30
- 電子轟擊型離子源中抑制H3+的幾點(diǎn)思考
4)電子轟擊型離子源中抑制H3+的幾點(diǎn)思考李雪松,韋冠一,翟利華,張子斌,徐宗浩(西北核技術(shù)研究所,陜西西安 710024)分析了在電子轟擊型(EI)離子源中,磁場(chǎng)、進(jìn)樣量、陰極電流和陰極電壓等4種主要儀器設(shè)備條件對(duì)產(chǎn)生 H3+的影響,在實(shí)驗(yàn)中得到較好的驗(yàn)證,并得到 H3+在4種條件下的基本影響趨勢(shì)。本研究對(duì)使用低分辨率質(zhì)譜計(jì)分析天然氫同位素時(shí),EI離子源參數(shù)的調(diào)節(jié)和進(jìn)樣量的選取具有指導(dǎo)意義。低分辨率質(zhì)譜計(jì);電子轟擊型離子源;H3+;氫同位素使用低分辨率質(zhì)
質(zhì)譜學(xué)報(bào) 2011年2期2011-02-02
- 回旋加速器離子源故障分析
系統(tǒng)主要包括∶離子源系統(tǒng)、射頻系統(tǒng)、磁場(chǎng)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、束流診斷系統(tǒng)、萃取系統(tǒng)、靶系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)(包括水冷和氦冷)、控制系統(tǒng)、屏蔽等[1]。對(duì)回旋加速器在使用過(guò)程中的問(wèn)題，不斷摸索并總結(jié)了一些經(jīng)驗(yàn)，就回旋加速器離子源出現(xiàn)過(guò)的故障進(jìn)行了分析，并加以排除。2 回旋加速器故障分析2.1 故障現(xiàn)象工作束流不能加到35 μA。在使用回旋加速器半年左右，由于當(dāng)日患者量比較多，希望通過(guò)加大束流多生產(chǎn)一些18F離子，在加大工作束流到30 μA時(shí)，觀察system stat
中國(guó)醫(yī)學(xué)裝備 2011年12期2011-01-31