(1.泛林研究(美國)公司,圖拉丁,俄勒岡州,美國;2.泛林研究(新加坡)有限公司,Serangoon North Avenue 5,新加坡;3.泛林半導體設(shè)備技術(shù)(上海)有限公司,上海201203)
ZHU Huanfeng1,CheePing Lee2,ZHANG Mike3,Damo Srinivas1,LI Xiao3,TAN Sherry3
(1.泛林研究(美國)公司,圖拉丁,俄勒岡州,美國;2.泛林研究(新加坡)有限公司,Serangoon North Avenue 5,新加坡;3.泛林半導體設(shè)備技術(shù)(上海)有限公司,上海201203)
隨著消費者對移動電子設(shè)備不斷提出“更小,更快,更強大”的需求,先進封裝技術(shù)變得越來越重要。外形尺寸的減少,功耗的降低,系統(tǒng)級封裝等正是得益于該技術(shù)的廣泛推廣。
相對于傳統(tǒng)的封裝,以硅通孔(TSV)和晶片級封裝(WLP)為代表的2.5D和3D堆疊集成技術(shù)在減少線寬,增大I/O密度的同時,能夠?qū)崿F(xiàn)更直接的芯片到芯片互連,從而獲得“摩爾定律”之外的性能提高。
所以,以WLP為代表的先進封裝已成為半導體行業(yè)中增長最快的領(lǐng)域之一,而且這種趨勢會隨著包括硅通孔TSV、Pillar、Micro-Bumps以及先進的再分配層(RDLs)等在內(nèi)的3D技術(shù)日益成熟而持續(xù)下去,同時這些3D集成方案也在不斷推動新的金屬和介電互連材料和應用。
(1)先進的前處理(APT)采用真空/液體回填技術(shù),實現(xiàn)晶圓完全潤濕,確保100%的無氣泡缺陷的凸點電鍍性能。
(2)革命性的TurboCell電鍍室的設(shè)計,配以泵對流設(shè)計,最大限度地形成孔內(nèi)對流,提高了電鍍均勻性指標(Features,Die,Wafer),使其非常適合于小型和細線寬微凸以及RDL結(jié)構(gòu)。
(3)Smart Spin通過軟件控制邊緣的非均勻性的校正技術(shù),能夠有效地降低晶圓邊緣電流密集效應??蛻魺o需額外專門的腔體/硬件操作進行調(diào)節(jié),就能夠達到不同邊緣布局的晶圓都能有高良率,提高晶圓產(chǎn)量。
(4)Ecobump克服了錫銀電鍍中的根本性問題。SABRE3D通過金屬離子分離陽極室(MISAC)和工藝控制系統(tǒng),以及一個專有離子選擇性膜,實現(xiàn)了無鉛的錫-銀可溶陽極電鍍。極大地減少低阿爾法錫金屬電鍍成本,以及添加劑的消耗。這已成為目前客戶的首選方案。
(5)SABRE3D的在線化學液控制系統(tǒng)能實現(xiàn)正反向回饋來控制化學液組成,維持晶片到晶片工藝穩(wěn)定性,大大減少了線下操作的成本和風險,提高化學液的壽命和設(shè)備運行時間。
Lam Research會繼續(xù)朝著實現(xiàn)優(yōu)良均勻性,高電鍍速率,低成本,少缺陷等方向努力,通過克服各種技術(shù)挑戰(zhàn),不斷傾聽客戶的需求,為客戶提供全面的生產(chǎn)解決方案。例如:目前根據(jù)客戶的需求,SABRE3D已具備處理各種尺寸的晶片(200~330 mm),復合“晶圓”材料(如純玻璃,玻璃粘結(jié),和環(huán)氧樹脂模制化合物),并能處理翹曲晶片的能力(如Fan-Out WLP處理)。同時Lam不斷提供技術(shù)更新來增強或提高現(xiàn)有設(shè)備能力,以滿足客戶不斷變化的業(yè)務需求。作為設(shè)備可擴展性設(shè)計理念的一部分,能夠?qū)崿F(xiàn)不同電鍍化學液的轉(zhuǎn)換兼容,縮短客戶從研發(fā)轉(zhuǎn)向量產(chǎn)的時間,并在現(xiàn)有設(shè)備上無縫銜接更多先進功能,最大限度地提高客戶端運營效率。
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