晶片
- 碲鋅鎘晶片精密拋光效果的影響因素分析
0176)碲鋅鎘晶片是碲鎘汞紅外焦平面探測器的襯底材料，通過碲化鎘和碲化鋅多晶體顆粒經(jīng)過高溫熔融生長單晶體，再經(jīng)過切磨拋等精密加工制作而成，其密度為5.8 g/cm3，莫氏硬度值為2.3左右，具有軟脆的特性[1]。碲和鎘在形成晶體時，由于鋅的存在，調(diào)整了晶格常數(shù)，增強碲和鎘在形成晶體時化學鍵的穩(wěn)定性，從而使得晶體在低位錯密度生長，增加了禁帶寬度，提高電阻率，是寬禁帶三元化合物半導體材料。碲鋅鎘晶片采用化學機械拋光的主要目的是為了消除晶體表面的損傷層、微裂紋
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年5期2022-12-30
- 線切藍寶石晶片面形質(zhì)量評價方法的試驗研究
術(shù)將其由晶棒變?yōu)?span id="syggg00" class="hl">晶片，隨后通過研磨加工去除線切劃痕，因此切割后的晶片質(zhì)量對后續(xù)的研磨及拋光工藝有很大的影響。國內(nèi)外學者對線切后晶片的表面質(zhì)量進行了大量研究。文獻[3-5]對多線切割加工運動方式進行理論分析，通過調(diào)整加工工藝參數(shù)提高線切晶片的表面質(zhì)量。文獻[6]通過仿真研究多線鋸切過程中的切削溫度對切割后晶片表面翹曲度的影響規(guī)律。文獻[7-8]對線網(wǎng)不同位置處的晶片表面質(zhì)量進行檢測，分析了線鋸磨損對晶片表面質(zhì)量的影響規(guī)律。文獻[9]研究了工藝參數(shù)對單晶硅表面
中國機械工程 2022年17期2022-09-20
- 拋光工藝對晶片表面粗糙度的影響
能電池等。CZT晶片的表面狀態(tài)對其作為器件和外延襯底應(yīng)用有著重要的影響。CZT晶錠切割后的晶片表面存在損傷層，表面損傷層內(nèi)晶格的周期性被嚴重破壞，形成空間電荷區(qū)，造成表面漏電流，從而影響了CZT電極接觸和器件性能。由于襯底表面的損傷層、雜質(zhì)以及微缺陷將導致外延生長薄膜的高位錯密度、晶格畸變等，完整的超光滑表面對外延技術(shù)提出了嚴格的要求。隨著實際應(yīng)用對晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的晶片表面拋光設(shè)備和選擇相應(yīng)的表面拋光技術(shù)。目前，CZT晶片的表面拋
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年3期2022-09-09
- 消除外延襯底中心圈缺陷的晶片清洗工藝研究及應(yīng)用*
材料如砷化鎵、鍺晶片等產(chǎn)品的質(zhì)量，同時提高產(chǎn)品產(chǎn)量以按時完成產(chǎn)品交期，全自動清洗機的使用已是大勢所趨。全自動清洗機的運作依靠程序的設(shè)定，對清洗流程時間把控準確，對清洗工藝進行固化，能大幅提高產(chǎn)量的同時還能保證產(chǎn)品質(zhì)量。在清洗工序中，每個小過程的時間設(shè)定、流速等是影響晶片清洗效果的主要因素。目前全自動清洗機清洗出的晶片，長外延后容易出現(xiàn)中心圈缺陷，全自動清洗機面臨著需要研究出一套與其匹配的清洗工藝，以滿足晶片外延質(zhì)量要求。本研究對比傳統(tǒng)人工清洗與現(xiàn)有自動清洗
云南冶金 2022年4期2022-08-31
- 碲鋅鎘晶片表面精密拋光系統(tǒng)研究
拋光技術(shù)是碲鋅鎘晶片表面平坦化的關(guān)鍵工藝技術(shù)。碲鋅鎘（Cadmium zinc telluride，縮寫為CZT）是一種性能優(yōu)異的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料，是碲鎘汞材料外延生長的優(yōu)良襯底，需要具有完整的超光滑表面。隨著實際應(yīng)用對晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的表面精密磨拋設(shè)備，選擇相應(yīng)的表面磨拋技術(shù)。目前，CZT 晶片拋光方法主要有機械雙面拋光、表面精密拋光和化學拋光[1]。機械雙面拋光是晶片上下兩面在液體磨料、拋光墊及加壓作用下，采用兩面磨拋裝
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年1期2022-07-13
- 基于機器視覺的晶片中心位置精密測量
方向發(fā)展[1].晶片作為當今電子設(shè)備不可缺少的關(guān)鍵器件,市場需求量日益增加,為了實現(xiàn)高效率的檢測可以采用流水線自動化檢測的方式,為了讓機械手準確的抓住晶片,需要對生產(chǎn)線上的晶片進行精確定位.吳曉[2]提出一種LED 芯片橢圓定位方法,該方法通過徑向幅射線的梯度變化閾值求出特征點,根據(jù)特征點擬合出橢圓,求出LED 芯片的定位中心和旋轉(zhuǎn)角,但有時橢圓定位會比較困難,因為物體在視覺系統(tǒng)中的顯示方式會受到多種變量的影響.蔡競[3]提出的基于矩形擬合的貼片定位算法,
河南科技學院學報(自然科學版) 2022年3期2022-06-10
- 5英寸銻化銦晶片加工及表征
測器件對InSb晶片總厚度變化(total thickness variation， TTV)、翹曲度(Warp)、表面粗糙度、拋光表面質(zhì)量等指標要求較高。隨著探測器芯片尺寸的增加，TTV、Warp會直接影響光刻、倒裝焊、臺面腐蝕這幾個探測器制備極其重要工藝的質(zhì)量，從而影響探測器的性能[19]。表面粗糙度過高會導致器件漏電流增加[20-22]。拋光片表面的宏觀缺陷會直接影響InSb光電器件的性能和成品率[19-20]。所以在需要大尺寸的InSb晶片材料的同
人工晶體學報 2022年12期2022-02-01
- 一種部分流水的多塔三維SoC測試時間優(yōu)化算法*
看，基于TSV的晶片堆疊將占主要地位，而測試工作將面臨的挑戰(zhàn)之一為，需要一種新的可測性設(shè)計方法來緩解增加的測試儀測試時間和測試資源問題[1]。與傳統(tǒng)二維芯片不同，三維SoC測試分綁定前、綁定中、綁定后和封裝[2]。綁定中測試指每新堆疊一層晶片就要對這個部分堆疊整體測試一次。它能更早地檢測出三維SoC綁定中引入的缺陷，但會導致測試時間劇增[3]，熱量分布不均[4]，測試成本高[5]等問題。若綁定中某一晶片或TSV出現(xiàn)缺陷，將導致所有晶片或TSV失效，則成品率
計算機工程與科學 2021年11期2021-11-22
- 邊緣梯度算法在LED 晶片定位的應(yīng)用研究*
580)LED 晶片分揀機是將LED 晶片按等級從晶片盤分揀至料片(成品)盤的設(shè)備,而對晶片盤中晶片的識別和定位是分揀過程中最為關(guān)鍵的步驟之一[1]。在對晶片盤中的晶片定位時,晶片會出現(xiàn)微小角度歪斜,識別出歪斜晶片的角度可以減少漏檢率,也可以使LED 分揀機的分揀過程更加流暢。傳統(tǒng)LED 分揀機大多采用基于Hu 矩的形狀匹配或者基于灰度的模板匹配對LED 晶片進行定位?；诨叶鹊哪０迤ヅ浞椒m然可以完成LED 晶片的定位,但該方法計算量大,耗時較長。而Hu
電子器件 2021年4期2021-10-26
- 碲鋅鎘晶片雙面磨拋加工表面損傷層研究
電池等。CZT 晶片的表面狀態(tài)對其作為器件和外延襯底應(yīng)用有著重要的影響。CZT 晶錠切割后的晶片表面存在損傷層，表面損傷層內(nèi)晶格的周期性被嚴重破壞，形成空間電荷區(qū)，造成表面漏電流，從而影響了CZT 電極接觸和器件性能。外延襯底需要具有完整的超光滑表面，襯底表面的損傷層、雜質(zhì)以及微缺陷將導致外延生長薄膜的高位錯密度、晶格畸變等。隨著實際應(yīng)用對晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的晶片雙面磨拋設(shè)備和選擇相應(yīng)的雙面磨拋技術(shù)。目前，CZT 晶片的雙面磨拋方法主
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年1期2021-03-10
- 業(yè)界要聞
HINA 上展示晶片到晶圓混合鍵合技術(shù)，用于加快異構(gòu)集成的發(fā)展異構(gòu)集成是指對具有不同特征尺寸和材質(zhì)的多種組件或晶片進行制造、組裝和封裝，使其集成于單個器件或封裝之中。這種技術(shù)對于提高新一代半導體器件的性能具有重要意義。晶片到晶圓（D2W）混合鍵合是實現(xiàn)異構(gòu)集成的重要過程，半導體行業(yè)投入大量精力開發(fā)D2W 鍵合技術(shù)，目前已經(jīng)可以將該技術(shù)部署于制造應(yīng)用。中國半導體市場也為發(fā)展異構(gòu)集成技術(shù)投入了大量戰(zhàn)略投資，因此D2W 鍵合技術(shù)的發(fā)展對于中國半導體市場尤為重要。
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年1期2021-03-10
- 軸向預壓縮雙晶片動力學模型與特性分析*
6)引 言壓電雙晶片具有結(jié)構(gòu)簡單、質(zhì)量輕、帶寬高等優(yōu)點，但由于壓電陶瓷本身的激勵應(yīng)變小[1]，一般只有幾百個微應(yīng)變，因此壓電雙晶片存在輸出位移小的缺點。傳統(tǒng)上需要設(shè)計機械式的位移放大機構(gòu)放大雙晶片的輸出位移，但這卻在一定程度上降低了雙晶片的輸出力[2-4]。針對這一問題，Lesieutre等[5]提出了后屈曲預壓縮(post-buckled pre-compressed，縮寫為PBP)的概念，通過理論分析及實驗得出的結(jié)論表明，對雙晶片施加軸向預壓力能夠同時
振動、測試與診斷 2020年3期2020-08-06
- 碲鋅鎘表面鈍化層深度剖析及鈍化工藝優(yōu)化
用[1-3]。在晶片的制作過程中，切片、劃片等工作會在晶片表面形成損傷層。機械拋光和化學腐蝕用于去除表面損傷層，經(jīng)溴甲醇和溴乙二醇溶液腐蝕后，晶片表面富Te[4]。富Te 層相比于CdZnTe 晶體本身是高電導層，這會導致晶片的表面漏電流過大，影響器件性能。為減小由機械拋光和化學腐蝕造成的表面漏電流，應(yīng)采取適當方法對晶片進行鈍化處理。目前的鈍化工藝分為干法鈍化和濕法鈍化，干法鈍化通常要求高溫條件，對晶體本身影響較大，而濕法鈍化在室溫下進行，對晶體和電極影響
上海大學學報（自然科學版） 2020年4期2020-05-24
- 相控陣檢測探頭晶片檢查的幾種方法
個相互獨立的壓電晶片來實現(xiàn)超聲波聲束的偏轉(zhuǎn)和聚焦。未被激活的晶片數(shù)量過多，會影響聲束聚焦、偏轉(zhuǎn)能力、靈敏度和分辨率，影響檢測結(jié)果的準確性，因此相控陣探頭的晶片檢查是相控陣檢測的必要環(huán)節(jié)。1 相控陣檢測探頭相控陣探頭由多個獨立的小的壓電晶片按照一定形狀和尺寸排列，由這些小的壓電晶片組成組件(即探頭)，輻射的總能量形成超聲波聲束，每個晶片有單獨的發(fā)射和接收電路。使用相控陣設(shè)備可以按照一定規(guī)則和時間順序?qū)μ筋^中的一組或所有晶片分別進行激發(fā)，即在不同的時間內(nèi)相繼激
海洋工程裝備與技術(shù) 2020年6期2020-03-09
- 單晶硅晶片化學機械拋光基本特性研究
子遷移率，單晶硅晶片已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于從宏觀到納米級的器件中，用于照明，光電檢測，太陽能轉(zhuǎn)換等。例如，具有納米級光滑、超平坦且無損傷表面的單晶硅晶片適用于金屬有機化學氣象沉淀，以生產(chǎn)高性能柔性太陽能電池和發(fā)光二極管(LED)[1]。在加工過程中，單晶硅晶片首先經(jīng)歷鋸切過程，由于其高硬度和脆性，在晶片表面深處引入缺陷和/或斷裂損傷，隨后，利用研磨和拋光過程去除鋸切引起的損傷并產(chǎn)生一個名義上的無損傷表面。目前，CMP是被用作生產(chǎn)納米級光滑表面最有效的方式之一。在
兵器裝備工程學報 2019年6期2019-07-05
- 鉭酸鋰黑片的制備與性能研究
礎(chǔ)材料之一。LT晶片具有較高的熱釋電系數(shù)(2.3×10-4C/(m2·K))，在SAW濾波器制作程中會產(chǎn)生強烈的熱釋電效應(yīng)[5]，易對叉指指條造成靜電損傷，而SAW器件頻率越高，指條越細，越易產(chǎn)生靜電損傷，嚴重影響高頻器件的開發(fā)。LT晶片經(jīng)過還原處理，能有效降低熱釋電效應(yīng)。還原程度主要取決于還原劑、溫度、時間等。這種處理會明顯增加晶體的光學吸收,使其表面變灰到棕黑甚至不透明,因此也稱為黑片[6]。本文以SAW器件常用的42°Y-LT晶片作為研究對象，對不同
壓電與聲光 2019年3期2019-06-25
- 化學還原壓電晶片測試淺析
處理之后的碳酸鋰晶片廣泛用于聲表面諧振器、聲光濾波器、光電換能器等傳統(tǒng)或新型電子領(lǐng)域相關(guān)聲/光/電等器件的研發(fā)加工制造，特別是壓電晶體優(yōu)良的機電耦合性能、鐵電溫度變換系數(shù)等化學性能而被用于制造高頻/超高頻聲表面波類型的電子器件，并廣泛應(yīng)用在只能手機、衛(wèi)星遙感，測繪通訊、航天航空等許多領(lǐng)域。目前在4.5G甚至于5G標準下的高頻SAW器件還暫未發(fā)現(xiàn)其它更具有優(yōu)異性能的壓電的材料用于替代鉭酸鋰晶體[4]。鉭酸鋰晶體作為一種長期使用的壓電晶體材料，其關(guān)鍵性能指標-
山東化工 2019年4期2019-03-28
- 晶片夾持技術(shù)概述
薛榮媛【摘 要】晶片的特點是薄、脆、易被污染。如何恰到好處地對晶片施加夾持力，又不會損傷晶片的表層物質(zhì)，是晶片搬運機器人在晶片加工中要解決的首要問題。本文主要對晶片的夾持技術(shù)進行了介紹?！娟P(guān)鍵詞】晶片；夾持；搬運一、晶片夾持技術(shù)（一）晶片夾持技術(shù)分解通過對晶片夾持技術(shù)的專利文獻收集、標引和梳理，對設(shè)計晶片夾持領(lǐng)域的專利文獻樣本的分析可知，晶片夾持主要有機械夾持和吸附式夾持兩大類。機械夾持即通過夾爪夾持住晶片的正反兩面或者從晶片的周邊進行夾持，主要通過機械力
智富時代 2018年5期2018-07-18
- 碳化硅晶片減薄工藝試驗研究
序后加工成碳化硅晶片[1，2]。其中的研磨工序是用高硬度的磨料對線切割后的碳化硅圓片表面進行研磨，從而去除上一道工序在圓片表面留下的切痕和損傷層。為了提高研磨效率，研磨又分成粗研和精研兩道工序。粗研使用粒徑較大的磨粒進行研磨，主要是用于去除切片工序給碳化硅圓片表面造成的切痕以及損傷層[3]。精研是用粒徑較小的磨粒進行研磨，主要去除粗研留下的損傷層，以及保證研磨后晶片的面型精度，為下一步的拋光做準備。表1 3代半導體材料物理特性對比現(xiàn)有粗研效率在3～10 μ
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- 基于最小二乘法的晶片臺防撞保護研究
和有效分離。1 晶片臺運動原理晶片承載機構(gòu)主要由晶片臺（又叫X-Y承載臺）和頂針臺兩個部件組成，如圖1所示，晶片臺主要負責承載芯片的藍膜框架，在芯片拾取過程中，在X、Y兩個相互垂直方向進行運動，實現(xiàn)芯片準確定位和頂針臺剝離芯片。頂針臺負責把芯片從藍膜上頂起，使芯片與藍膜脫離，與鍵合頭配合以便芯片有效拾取。圖1 晶片承載機構(gòu)示意圖從圖1中不難看出頂針臺在工作位時，晶片臺X、Y運動范圍是固定的，如超出范圍就會與頂針臺發(fā)生碰撞；而頂針臺在安全低位時，晶片臺在X、
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- Manz發(fā)布第三代SpeedPicker自動化解決方案
池制造過程中的硅晶片，并能在整個生產(chǎn)過程中，以柔性化的方式處理太陽能電池，提高客戶的生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。Manz開發(fā)的SpeedPicker SAS系統(tǒng)具有諸多技術(shù)亮點，它能使搬運處理系統(tǒng)更加快速、精度更高、對工件更加柔和與軟性，因此也更加經(jīng)濟有效。由于Manz在2010年引入了其前導模型并采用Bernoulli吸盤，Bernoulli吸盤已被大眾所熟知?，F(xiàn)在，更將其設(shè)計改為雙吸。通過Bernoulli效應(yīng)，可以無痕轉(zhuǎn)移傳輸太陽能晶片。通過精準定向，使空氣
智能制造 2018年6期2018-01-04
- 晶片的初始宏觀形變對硅-硅直接鍵合的影響
300220)晶片的初始宏觀形變對硅-硅直接鍵合的影響陳 晨，楊洪星(中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津 300220)采用建立了硅硅直接鍵合的簡化模型，依據(jù)薄板理論分析了鍵合發(fā)生的條件以及原始晶片的曲率與鍵合后晶片曲率的關(guān)系；理論分析認為晶圓鍵合前有必要根據(jù)彎曲變形量來匹配鍵合晶圓，并通過試驗進行了驗證。鍵合；彎曲變形；翹曲度晶片直接鍵合技術(shù)是指不需要中間粘附層，將表面平整潔凈的晶片對直接粘合在一起，而且粘合強度與晶片體材料斷裂強度相近。鍵合過程
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年4期2017-09-03
- 碲鋅鎘晶體化學機械拋光液的研究
制備適用于CZT晶片的化學機械拋光液。采用XPS能譜分析CZT表面元素化學態(tài)，研究CZT化學機械拋光過程中拋光液的化學作用機理，使用激光干涉儀、原子力顯微鏡研究拋光液中NaClO含量對晶片拋光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影響。結(jié)果表明，硅溶膠-次氯酸鈉拋光液通過與CZT晶體中Te單質(zhì)或CdTe發(fā)生化學反應(yīng)，生成TeO2。隨后在一定壓力下，拋光盤與CZT晶片發(fā)生相對運動，并在硅溶膠磨料顆粒的輔助作用下去除反應(yīng)物。當NaClO含量在2%～10%時，隨
紅外技術(shù) 2017年1期2017-03-26
- 日本研發(fā)出在晶片上形成GaN元件功率半導體的關(guān)鍵技術(shù)
日本研發(fā)出在晶片上形成GaN元件功率半導體的關(guān)鍵技術(shù)日本三菱化學株式會社及富士電機控股公司、豐田中央研究所株式會社、京都大學、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所組成的聯(lián)合研究團隊成功突破了在氮化鎵（GaN）晶片上形成GaN元件功率半導體的關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。該聯(lián)合研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN晶片和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），并面向功率半導體改良了GaN晶片量產(chǎn)技術(shù)——“氨熱法”，優(yōu)化了晶體成長條件，將晶片平均
軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品 2017年5期2017-01-01
- 單晶硅拋光片表面質(zhì)量探究
響。RCA清洗是晶片清洗最為成熟的工藝，其工藝穩(wěn)定性受到多重因素影響。從DHF溶液使用及PFA花籃質(zhì)量兩方面分析了RCA清洗過程的兩個關(guān)鍵因素對晶片表面質(zhì)量的影響。清洗技術(shù)；花籃；氫氟酸；顆粒度自20世紀50年代固體元器件誕生以來，LED、集成電路等領(lǐng)域的發(fā)展都離不開Si材料的進步。LED集成度越來越高，集成電路線寬也歷經(jīng)更迭，90 nm、65 nm到現(xiàn)今的14 nm。這些都對硅襯底表面的質(zhì)量提出了越來越嚴苛的要求，拋光片表面顆粒沾污對器件制造有著重要影響
電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年8期2016-08-24
- 三星與英特爾角逐芯片市場 物聯(lián)網(wǎng)是決勝焦點
焦點PC與伺服器晶片市場龍頭英特爾(Intel)，在2015年宣布發(fā)展記憶體晶片市場后，展現(xiàn)搶奪三星電子(Samsung Electronics)擅長的晶片市場決心，后者隨即也不甘示弱宣布將發(fā)展伺服器晶片，兩家大廠角力戰(zhàn)正在展開。評論指出，進入行動時代后，雙方?jīng)Q戰(zhàn)焦點將在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場上，不再是從各自擅長領(lǐng)域決勝負。據(jù)彭博(Bloomberg)報導，英特爾目前供應(yīng)全球99%伺服器及95%筆記型電腦(NB)所需處理器，仍穩(wěn)坐全球晶片第一大廠寶座，但三星
電子世界 2016年6期2016-04-20
- 表面處理對Au-CdZnTe電極接觸性能的影響
影響。研究發(fā)現(xiàn)對晶片表面進行溴甲醇腐蝕處理和機械化學拋光均有助于提升Au-CdZnTe電極歐姆接觸性能。對晶片進行機械化學拋光后再進行溴甲醇腐蝕處理，使用這種晶片所制備的電極具有更加優(yōu)良的綜合電學性能。碲鋅鎘；表面處理；機械化學拋光；歐姆接觸0 引言碲鋅鎘（CdZnTe）具有較高的原子序數(shù)和禁帶寬度，被認為是制作X射線、g射線核輻射探測器的一種理想的半導體材料[1]。核輻射探測器的性能不僅與體材料的質(zhì)量有關(guān)，還與晶體表面和接觸類型有關(guān)，科研人員在致力于提高
紅外技術(shù) 2016年7期2016-03-20
- IBM發(fā)明納米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍
BM發(fā)明納米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍2016年11月16日，IBM的研究人員已經(jīng)找到如何使用納米碳管制造微型晶片的方法，這一成果可以讓我們制造更強的晶片，使得曲面電腦、可注射晶片成為可能。這個位于紐約IBM實驗室團隊的發(fā)言人表示：他們在這種分子水平制造出的晶片，理論上其速度可以達到現(xiàn)有產(chǎn)品的6至10倍，最終該納米技術(shù)可以實現(xiàn)會使晶片速度快上1,000倍。這種納米規(guī)格的晶片能夠解決便攜終端計算量不夠的問題，根據(jù)《自然》雜志上一篇文章，納米碳管晶片
電子世界 2016年22期2016-03-12
- 浮柵氧化層前清洗金屬污染的分析及改善方法
清洗工藝是降低硅晶片表面的金屬污染,改善器件漏電,提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵步驟。在實際應(yīng)用中,隨著對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,利用傳統(tǒng)方法來優(yōu)化化學清洗溶液的參數(shù)很難滿足器件對金屬污染的要求。通過對超純水沖洗過程中金屬污染產(chǎn)生的機制理論分析,找出了影響金屬污染的關(guān)鍵因素。實驗中,利用稀釋的HF清洗,改變硅晶片表面的化學鍵,改善硅晶片表面的金屬污染,以提高少數(shù)載流子壽命。超純水沖洗 金屬污染 少數(shù)載流子壽命 邊界層1 引言閃存存儲器(Flash Memory)是
中國科技縱橫 2015年10期2015-12-13
- 翻邊壓電晶片激勵Lamb波聲場研究
003）翻邊壓電晶片激勵Lamb波聲場研究許燁東魏勤?智達（江蘇科技大學數(shù)理學院鎮(zhèn)江212003）壓電晶片廣泛應(yīng)用于超聲波檢測領(lǐng)域，是激勵和接收超聲波的最主要器件之一。本文用實驗、有限元壓電模擬和半解析數(shù)值模擬方法，研究翻邊壓電晶片在板中激勵Lamb波聲場。三種方法得到的Lamb波信號吻合性好，僅A0模式由于頻散有少量差異。同時分析了翻邊電極面積對聲場分布以及聲場能量的影響。翻邊電極造成了Lamb波聲場不對稱，減少了聲場的能量，同時降低了壓電晶片的電容、機
應(yīng)用聲學 2015年6期2015-10-29
- SiC晶片倒角技術(shù)研究
加工是SiC 單晶片加工的主要工序。受SiC 材料性質(zhì)的限制(莫氏硬度為9．2，僅次于金剛石)，選用金剛石砂輪進行倒角，根據(jù)晶片所需的形狀，可以將SiC 單晶片的倒角方法分為如圖1所示的兩種。因此，如何高精度、高質(zhì)量、低損傷地對SiC 晶體進行倒角，使之減少對后續(xù)加工的影響。目前國內(nèi)使用的倒角設(shè)備主要有日本東京精密（TSK）的W-GM 系列倒角機和日本大圖電子（Daitron）的WBM 系列倒角機。倒角機設(shè)備使用的砂輪從制造方法上分主要有兩種類型：一種是電
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年9期2015-07-04
- 激光加工中硅片晶圓的自動對準切割研究
像識別技術(shù)的自動晶片切割道校位以及自動設(shè)置切割街區(qū)功能的實現(xiàn)方法，使激光加工這一新型加工技術(shù)更加完善地融入到現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)之中。1 軟件主體控制時序該型激光加工平臺是應(yīng)用紅外激光束，經(jīng)激光導光聚焦系統(tǒng)產(chǎn)生聚焦光斑，并通過圖像視覺模塊完成晶片的橫向/ 縱向切割街區(qū)的校位之后，然后控制工作臺運動，對晶片進行直線切割。本軟件控制系統(tǒng)主要由機器視覺模塊、運動控制模塊和激光器控制模塊組成。機器視覺模塊用來處理CMOS 攝像頭的工作臺圖像；運動控制模塊用來控制工作臺X、
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年5期2015-07-04
- 石英晶片外觀缺陷對頻率的影響
00192）石英晶片外觀缺陷對頻率的影響宋佩頡，李東，王艷林（北京信息科技大學，北京100192）研究了石英晶片外觀缺陷對頻率的影響。石英晶片其自身存在的外觀缺陷包括：崩邊、玷污、缺角等，這些缺陷可能會影響到成品石英晶體電參數(shù)的性能，例如影響石英晶體的頻率特性、電阻特性、DLD特性等。目前石英晶片在鍍電極前均需要進行外觀缺陷檢測，國內(nèi)大多采用人工目測檢測的方式，光學方法的石英晶片的缺陷自動檢測技術(shù)還不成熟。無論哪種檢測方法，都具有比較大的主觀性，目前還沒有
現(xiàn)代電子技術(shù) 2015年9期2015-03-02
- InSb(111)A面腐蝕坑成因分析
中，部分InSb晶片在經(jīng)特定腐蝕液腐蝕后表面會出現(xiàn)不同的特征腐蝕坑，這些腐蝕坑若位于器件光敏面上，則影響器件的性能，對器件的穩(wěn)定性也有潛在的影響［4］。本文通過多次腐蝕試驗，觀測了腐蝕坑的演變過程，從腐蝕機理上推斷這兩類腐蝕坑產(chǎn)生的原因，為工藝中避免類似問題的出現(xiàn)提供參考。2 實驗2．1 腐蝕過程實驗使用的InSb晶片為＜111＞方向n型InSb晶片，晶片表面經(jīng)過研磨、拋光等標準InSb晶片加工工藝，表面質(zhì)量達到后道器件工藝要求。清洗后的晶片使用腐蝕劑A(
激光與紅外 2014年9期2014-03-20
- 拋光片IPA干燥技術(shù)研究
型，其脫離效果與晶片提拉速率和IPA流量密切相關(guān)。研究中發(fā)現(xiàn)，IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s時干燥效果最佳；另外，Marangoni干燥過程不能完全去除晶片底部的殘水，需要營造合適的蒸發(fā)環(huán)境，減壓排風下供給適量的IPA蒸汽有助于底部殘水的去除。晶片與花籃在干燥過程中有相互影響，完全分離的模式可以消除這種影響，但同時會使干燥時間增長。異丙醇；馬蘭戈尼；底部殘水；水痕干燥步驟作為濕法清洗的最后一個步驟，最終決定了拋光片的表面狀態(tài)，是清洗工
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年11期2013-09-17
- 激光加工中切割PZT陶瓷的時序設(shè)計
與移動工作臺來對晶片進行直線切割。其中，軟件控制系統(tǒng)主要通過圖像視覺模塊完成晶片位置中心和晶片整體偏轉(zhuǎn)角度的提取，并依據(jù)提取到的晶片數(shù)據(jù)，結(jié)合對晶片切割參數(shù)的設(shè)置，來對晶片的偏轉(zhuǎn)角度進行校正，然后通過設(shè)置切割起點來計算得到每條切割線的切割數(shù)據(jù)，最后控制工作臺運動，對PZT陶瓷進行直線切割。本軟件系統(tǒng)主要由機器視覺模塊、運動控制模塊和激光器控制模塊組成。機器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭提取到的工作臺圖像；運動控制模塊用來控制工作臺X、Y軸、旋轉(zhuǎn)向θ向電機以
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年4期2013-08-09
- 碳化硅襯底精密加工技術(shù)
特點，使得碳化硅晶片的精密加工非常困難，利用常規(guī)晶體材料的加工技術(shù)和工藝，無法獲得高質(zhì)量的碳化硅晶片。1 實驗原理我們根據(jù)碳化硅材料的固有特性，借鑒成熟半導體材料的加工技術(shù)，經(jīng)過大量的工藝試驗，突破了碳化硅材料加工的關(guān)鍵工藝。圖1所示為碳化硅材料精密加工技術(shù)主要加工工藝流程圖。圖1 碳化硅襯底精密加工技術(shù)主要工藝流程1.1 多線切割工藝原理多線切割工藝就是將晶錠（見圖2）按照一定的晶向，將晶錠切割成表面平整、厚度均勻一的切割片，以便于后面的研磨加工。其基本
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年5期2013-03-23
- 晶片定位原理與算法
成加工過程，保證晶片的加工精度[1]。自動化設(shè)備應(yīng)用較多的工序有倒角、激光打標、光刻等。目前晶片定位技術(shù)主要有兩種：電子定位、電子機械定位。在定位過程中，需要找到晶片的主參考面或者定位槽（對6英寸以上晶片）。對于有參考面的晶片，電子機械定位技術(shù)應(yīng)用較多，機械定位配合電傳感器，定位精度一般可以達到100 μm范圍，這樣的精度能夠滿足光刻工藝預對準要求[2]。如果要同時滿足帶定位槽和帶參考面兩種晶片的定位要求，則往往采用電子定位系統(tǒng)，這是本文討論的重點。1 晶
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年1期2012-08-08
- 激光加工中切割PZT陶瓷的時序設(shè)計
與移動工作臺來對晶片進行直線切割。其中，軟件控制系統(tǒng)主要通過圖像視覺模塊完成晶片位置中心和晶片整體偏轉(zhuǎn)角度的提取，并依據(jù)提取到的晶片數(shù)據(jù)，結(jié)合對晶片切割參數(shù)的設(shè)置，來對晶片的偏轉(zhuǎn)角度進行校正，然后通過設(shè)置切割起點來計算得到每條切割線的切割數(shù)據(jù)，最后控制工作臺運動，對PZT陶瓷進行直線切割。本軟件系統(tǒng)主要由機器視覺模塊、運動控制模塊和激光器控制模塊組成。機器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭提取到的工作臺圖像；運動控制模塊用來控制工作臺xy軸、旋轉(zhuǎn)θ向電機以及z
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年11期2012-08-08
- 無楔塊條件下超聲相控陣的聚焦特性測試
焦”是指由于各個晶片距離焦點的聲程不同，通過延時法則改變晶片的激發(fā)時間——距離焦點遠的晶片先發(fā)射信號，距離焦點近的晶片后發(fā)射信號——可使各個晶片發(fā)射的信號同時到達焦點，在一個小區(qū)域形成一個高強度聲場。假設(shè)晶片間的距離為p，聚焦深度為F，介質(zhì)中的聲速為c，則各個晶片的延時時間為：式中n為晶片序號；t0是為了防止出現(xiàn)一個負的延時時間而設(shè)置的時間常數(shù)。2 無楔塊條件下相控陣聚焦能力測試試驗使用的儀器是Olympus公司的OmniScan MX 32：128便攜式
無損檢測 2012年3期2012-07-24
- 加楔塊超聲相控陣的聚焦特性測試
焦”是指由于各個晶片距離焦點的聲程不同，通過改變晶片間的延時時間，讓距離焦點遠的晶片先發(fā)射信號，而距離焦點近的晶片后發(fā)射信號，從而使各個晶片發(fā)射的信號同時到達焦點，并在一個小區(qū)域內(nèi) 形成一個高強度聲場。假設(shè)晶片間的距離為p，聚焦深度為F，介質(zhì)中的聲速為c，則各個晶片的延時時間為：式中n為晶片序號；t0是為了防止出現(xiàn)一個負的延時時間而設(shè)置的時間常數(shù)。2 安裝楔塊條件下相控陣聚焦能力測試2.1 測試裝置試驗使用的儀器是OLYMPUS公司的OmniScan MX
無損檢測 2012年11期2012-07-01
- 激光加工中自動旋轉(zhuǎn)校位切割的研究
像識別技術(shù)的自動晶片切割道校位、自動晶片輪廓提取以及自動設(shè)置切割街區(qū)的功能實現(xiàn)方法，使激光這一新型加工技術(shù)更加完善地融入到現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)之中。1 軟件主體控制時序該型激光加工平臺是應(yīng)用紫外激光束，經(jīng)激光聚焦導光系統(tǒng)產(chǎn)生聚焦光斑，并通過圖像視覺模塊完成Al2O3晶片的橫向/縱向切割街區(qū)的校位之后，然后控制工作臺運動，對Al2O3圓晶進行直線切割。本軟件主要由機器視覺模塊、運動控制模塊和激光器控制模塊組成。機器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭的工作臺圖像；運動控制
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年7期2012-06-28
- 基于仿生結(jié)構(gòu)錫拋光墊的拋光接觸壓力分析
。在拋光過程中,晶片安裝在料架上并被壓向拋光墊的上表面,拋光墊在拋光臺支撐下繞主軸旋轉(zhuǎn)。拋光液噴灑在拋光墊表面,晶片表面材料經(jīng)過拋光液的化學腐蝕和拋光墊的機械摩擦被逐漸去除,從而達到除去晶片被拋表面材料的目的。圖1 化學機械拋光裝置原理在一般的化學機械拋光中,拋光墊材料的橫向牽連效應(yīng)使得接觸表面壓力分布不均勻,拋光液難以均勻地分布于接觸區(qū)域內(nèi),拋光形成的廢物也難以順暢地排出。同時,拋光產(chǎn)生的摩擦熱在向外傳導過程中的不順暢會導致溫度場分布的不均勻。這些因素通
中國機械工程 2011年14期2011-09-07
- 石英晶片表面處理方法對比
7）0 引言石英晶片在工業(yè)生產(chǎn)、科學研究等領(lǐng)域中的應(yīng)用十分廣泛。一方面，石英晶體元器件可應(yīng)用于通信、計算機、彩色電視機、音像制品、電子玩具、汽車電子設(shè)備和醫(yī)用電子設(shè)備等諸多領(lǐng)域[1]；另一方面，石英晶片作為固定物質(zhì)的載體，廣泛應(yīng)用于檢測儀器中，如表面等離子體共振儀（surface plasmon resonance instrument，SPRI）[2]、核磁共振成像儀（nuclear magnetic resonance imaging，NMRI）[3]
湖南工業(yè)大學學報 2011年4期2011-06-30
- QK型石英晶體微量天平頻溫效應(yīng)的初步研究
測其振蕩頻率獲得晶片表面污染沉積量的變化，為污染過程控制及評價提供依據(jù)[1]。由于QCM所用石英晶片振蕩頻率與晶片特性參數(shù)（密度和聲速）有關(guān)，而晶片的特性參數(shù)與溫度有關(guān)，因此晶片的振蕩頻率也與溫度有關(guān)。在石英晶體微量天平所獲得的頻率變化數(shù)據(jù)中，不僅包含由于污染物增加或減少造成的頻率變化，還包含由于晶片的溫度變化造成的頻率變化。后者將影響石英晶體微量天平的測量，增加后續(xù)數(shù)據(jù)判讀的難度，限制石英晶體微量天平的適應(yīng)性。美國專門研制航天器用石英晶體微量天平的QCM
航天器環(huán)境工程 2011年4期2011-06-08
- 晶片映射系統(tǒng)原理及實現(xiàn)算法研究
械手臂從料盒取放晶片，而由于不同用戶的不定需求，往往料盒中的料片不是全滿的，機械手進行取片時普遍的做法是機械手臂運行到料盒某層取片位，然后開啟真空，如果手臂上真空量大于某一域值，說明該層有晶片，手臂即可取走晶片；如果真空量小于等于該域值說明該層無晶片，此時手臂抬升到下一層位置，再通過真空量判斷是否有晶片，往復執(zhí)行到某層有片或該料盒最后一層被執(zhí)行完畢。這種真空吸附判斷法，有如下兩種弊端：一、執(zhí)行效率低，特別是料盒為空時，系統(tǒng)需要走完料盒中所有層才能判斷該料盒
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年10期2011-06-04
- 可調(diào)色溫顯指的前沿白光大功率產(chǎn)品技術(shù)分析
指數(shù)/色溫可調(diào)；晶片；熒光粉；支架中圖分類號：TN312+.8 文獻標識碼：BThe Advanced Technology Aanlysis of Controllable CRI and CCT High Power White LEDLedman Optoelectronic Co., Ltd.(Ledman Optoelectronic Co., Ltd., Shenzhen 518108, China)Abstract: The applicat
現(xiàn)代顯示 2011年2期2011-01-19
- 一種新型寬波束超聲探頭聲場的研究
模仿真得到一種8晶片探頭和12晶片探頭的聲場分布圖，并據(jù)此對二者的聲場性能進行對比分析，最后通過實驗驗證了仿真分析的正確性。1 超聲探頭相關(guān)參數(shù)1.1 探測的深度范圍臨床研究表明，胎心距離超聲探頭的正常范圍約為6～15 cm[4]，如圖1所示。圖1 超聲探頭胎心監(jiān)護模型Fig.1 The model of fetal monitoring of ultrasonic transducer超聲多普勒胎兒監(jiān)護設(shè)備所能探測的深度范圍，由主機和超聲探頭共同決定。主
中國醫(yī)療器械雜志 2010年4期2010-08-08
- 原子氧環(huán)境對石英晶體微量天平性能影響的分析
越高的要求。石英晶片作為石英晶體微量天平的重要部分，其性能決定了石英晶體微量天平的性能。本文通過理論分析及原子氧對石英晶片的影響試驗來評估原子氧輻照對石英晶體微量天平性能影響。1 試驗準備1.1 石英晶片的結(jié)構(gòu)及參數(shù)石英晶片靠兩個彈簧固定在安裝電路板上，其晶片電極也依靠彈簧引入到安裝電路板上，安裝電路板上將電極端引入到焊接端口，外形如圖1所示。圖1 石英晶片及底座外形圖Fig. 1 The quartz wafer and holder安裝電路板有兩個安裝
航天器環(huán)境工程 2010年6期2010-03-20
- 芯片制造業(yè)重新洗牌
地位的200毫米晶片不久將被直徑為300毫米大型晶片所代替。新晶片直徑的擴大將帶來的最大的影響莫過于世界芯片制造業(yè)各路諸侯實力的重新洗牌。雖然不少以生產(chǎn)200毫米晶片為主的老廠家對300毫米的晶片采取了抵制的態(tài)度，但市場的無情壓力迫使他們也不得不加入到300毫米晶片生產(chǎn)的角逐當中去。為了有效地減輕研發(fā)資金的壓力和投資風險，世界上主要的芯片制造公司將采取聯(lián)合開發(fā)的方式。不少芯片設(shè)計公司還將考慮剝離自己現(xiàn)有的生產(chǎn)加工業(yè)務(wù)，而把它們交給以中國為主的芯片加工廠去完
財經(jīng) 2002年22期2002-07-01