日本研發(fā)出在晶片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)

日本三菱化學(xué)株式會(huì)社及富士電機(jī)控股公司、豐田中央研究所株式會(huì)社、京都大學(xué)、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功突破了在氮化鎵（GaN）晶片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)。

GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。該聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN晶片和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），并面向功率半導(dǎo)體改良了GaN晶片量產(chǎn)技術(shù)——“氨熱法”，優(yōu)化了晶體成長(zhǎng)條件，將晶片平均缺陷密度減少到以往的數(shù)百分之一（每1cm2數(shù)千個(gè)）的水平。

未來(lái)，該聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)還將從晶片到元件形成、加工技術(shù)、基礎(chǔ)物性的檢測(cè)分析等各個(gè)方面檢驗(yàn)其實(shí)用性。 (科技部)