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基于多鎖相環(huán)技術(shù)的寬頻帶小步進(jìn)低相位噪聲頻率源設(shè)計(jì)

2015-03-25 02:35趙懷松
艦船電子對(duì)抗 2015年4期
關(guān)鍵詞:鎖相鎖相環(huán)環(huán)路

趙懷松

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第50研究所,上海 200331)

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基于多鎖相環(huán)技術(shù)的寬頻帶小步進(jìn)低相位噪聲頻率源設(shè)計(jì)

趙懷松

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第50研究所,上海 200331)

分析了鎖相環(huán)基本工作原理和相位噪聲,采用多環(huán)路PLL技術(shù)成功設(shè)計(jì)了一種1 000~2 000 MHz小步進(jìn)、低相噪頻率源。系統(tǒng)利用混頻、分頻的方法,有效降低輸入?yún)⒖碱l率源的相位噪聲,并滿(mǎn)足小步進(jìn)鎖相要求,再使用低分頻比、大步進(jìn)PLL實(shí)現(xiàn)最終的低相位噪聲輸出。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè),設(shè)計(jì)的合成頻率源輸出步進(jìn)為10 MHz,相位噪聲達(dá)到-120 dBc/Hz@10 kHz,滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。

頻率合成;多環(huán)鎖相;相位噪聲

0 引 言

雷達(dá)、通信、電子戰(zhàn)等信息系統(tǒng)的大量應(yīng)用,使得現(xiàn)代戰(zhàn)場(chǎng)電磁環(huán)境越來(lái)越惡劣。雷達(dá)干擾接收機(jī)作為雷達(dá)對(duì)抗系統(tǒng)的一部分,在強(qiáng)干擾條件下提取微弱有用信號(hào)的能力是檢驗(yàn)其性能高低的重要指標(biāo)。頻率源作為雷達(dá)干擾接收機(jī)的“心臟”,其相位噪聲指標(biāo)直接影響了系統(tǒng)有效提取有用信號(hào)的能力。

弱小的有用信號(hào)與鄰近的強(qiáng)干擾信號(hào)經(jīng)接收機(jī)混頻后會(huì)產(chǎn)生倒易混頻現(xiàn)象,尤其對(duì)于大動(dòng)態(tài)、高選擇性的接收機(jī),這種現(xiàn)象更加明顯。如果頻率源能夠在較寬的覆蓋頻帶范圍內(nèi),全相參產(chǎn)生出低相噪的本振信號(hào)以及各種相參基準(zhǔn)信號(hào),那么可以有效減小倒易混頻現(xiàn)象,可提升雷達(dá)干擾接收機(jī)在大動(dòng)態(tài)、高選擇性、寬頻帶捷變等方面的性能。

頻率源有自激振蕩源和合成頻率源,數(shù)字鎖相(PLL)式頻率源是合成頻率源的一種,其頻率穩(wěn)定度高,寄生雜波小,頻譜純,相位噪聲低[1]。一般單環(huán)PLL的頻率源相位噪聲可以滿(mǎn)足大多數(shù)條件下的使用,但對(duì)于大動(dòng)態(tài)、高選擇性的雷達(dá)干擾接收機(jī),需要更低的相噪。本文采用多環(huán)路PLL技術(shù),設(shè)計(jì)了一種極低相位噪聲的頻率源,相比于單環(huán)PLL,其相位噪聲可提高至-120 dBc/Hz@10 kHz。

1 鎖相環(huán)頻率源基本原理

PLL頻率源原理框圖如圖1所示,其主要包含參考源、鑒相器(PFD)、數(shù)字分頻器(FD)、環(huán)路濾波器(LF)、壓控振蕩器(VCO)等。

VCO輸出信號(hào)v0(t)經(jīng)數(shù)字分頻器,得到vb(t)=v0(t)/N,輸入PFD,參考頻率源輸出的信號(hào)v1(t)經(jīng)參考分頻器分頻后與vb(t)進(jìn)行相位比較,產(chǎn)生相位誤差電壓vd(t),經(jīng)環(huán)路濾波器濾除高頻成分和噪聲后的相位誤差電壓vc(t),控制VCO,形成閉環(huán)反饋,使VCO輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)的差拍頻率越來(lái)越低,直至頻差為零,環(huán)路進(jìn)入“鎖定”狀態(tài)[2]。

圖1 鎖相環(huán)頻率源基本原理

2 相位噪聲的概念及度量

2.1 相位噪聲的概念

理想的正弦波形在頻譜上表現(xiàn)為單根譜線(xiàn)(如圖2所示),但經(jīng)過(guò)噪聲對(duì)主譜的隨機(jī)調(diào)角,實(shí)際的信號(hào)頻譜表現(xiàn)出裙擺效應(yīng)(如圖3所示),其表達(dá)式為:

v(t)=V0cosφ(t)=V0cos[2πf0+Δφ(t)]

(1)

式中:Δφ(t)為相位噪聲,它是由熱噪聲、散彈噪聲以及閃爍噪聲等引起的,會(huì)造成頻率源輸出信號(hào)的瞬時(shí)頻率或相位的隨機(jī)變化和起伏,是一個(gè)零均值隨機(jī)變量。

圖2 理想頻譜

圖3 裙擺效應(yīng)

相位噪聲造成的頻率瞬時(shí)起伏dΔφ/dt稱(chēng)之為短期頻率穩(wěn)定(短穩(wěn)),是合成頻率源考量的主要指標(biāo)之一[2]。

2.2 相位噪聲的度量

相位噪聲在時(shí)域一般用阿倫方差來(lái)度量,其表達(dá)式為[3]:

(2)

(3)

式中:τ為取樣時(shí)間;M為測(cè)量次數(shù)。

由于在時(shí)域使用阿侖方差分析相位噪聲計(jì)算復(fù)雜,所以一般在頻域中分析頻率源的相位噪聲,采用單邊帶噪聲功率譜密度來(lái)表征。

功率譜密度SΔφ(fm)定義為:

(4)

式中:B為測(cè)試有效帶寬;Δφ2為單一頻率產(chǎn)生的噪聲調(diào)相,定義為:

(5)

式中:Δφrms為Δφ(t)的統(tǒng)計(jì)值。

SΔφ(fm)的單位為rad2/Hz,其數(shù)學(xué)含義是Δφ(t)自相關(guān)函數(shù)的傅里葉變換,即:

(6)

定義相位噪聲單邊帶功率譜密度L(fm)為:

(7)

式中:f0為頻率源輸出頻率;PSSB(f0+fm)為f0+fm處的功率;Ps為主譜(f0)的功率;L(fm)的單位為dBc/Hz@fm。

可以證明,當(dāng)Δφmax?1 rad時(shí):SΔφ(fm)dB?3 dB+L(fm)dB。

時(shí)域的阿侖方差與頻域的相位噪聲譜密度之間的關(guān)系可以用下面的公式表達(dá):

(8)

3 方案設(shè)計(jì)與相位噪聲分析

3.1 指標(biāo)分析

設(shè)計(jì)的合成頻率源主要技術(shù)指標(biāo):

(1) 頻率范圍:1 000~2 000 MHz;

(2) 頻率步進(jìn):10 MHz;

(3) 相位噪聲:-120 dBc/Hz@10 kHz;

(4) 雜散抑制: -65 dBc;

(5) 諧波抑制: -30 dBc。

分析以上指標(biāo),其難點(diǎn)是需要在一個(gè)倍頻程的帶寬內(nèi),相位噪聲達(dá)到-120 dBc/Hz@10 kHz。采用雙模前置分頻PLL頻率合成器,分析其理論的相位噪聲。

相位噪聲主要由參考源、鎖相環(huán)芯片、環(huán)路濾波器LF以及VCO引入。分析鎖相環(huán)芯片環(huán)路帶寬內(nèi)的相位噪聲,其公式為:

L(fm)=NP(1 Hz)+10lgfPD+20lgN

(9)

式中:NP(1 Hz)為鑒相器的1 Hz歸一化基底相噪;fPD為鑒相頻率;N為分頻比,并有:

fv=NfPD

(10)

按照設(shè)計(jì)指標(biāo)要求,選用ADF4108作為鎖相環(huán)芯片,查詢(xún)芯片數(shù)據(jù)表,可知其歸一化基底相噪NP(1Hz)=-223 dBc/Hz,將輸出頻率2 000 MHz和頻率步進(jìn)10 MHz代入公式(9)和公式(10),可以計(jì)算出L(fm)=-107 dBc/Hz,達(dá)不到指標(biāo)要求。另外,LF和VCO也會(huì)對(duì)環(huán)路帶寬內(nèi)的相位噪聲產(chǎn)生影響,實(shí)際相位噪聲會(huì)更差。

因此在參考源和PLL芯片的噪聲基底一定的條件下,不考慮環(huán)路濾波器和VCO對(duì)環(huán)路帶寬內(nèi)相噪的影響,決定單路PLL相噪的其實(shí)是fPD和N。在要求輸出頻率一定的條件下,提高fPD,降低分頻比N是提高相噪的唯一手段。但由于本項(xiàng)目要求的fPD=10 MHz,相對(duì)輸出頻率其步進(jìn)太小。為此,設(shè)計(jì)了一種多環(huán)路鎖相環(huán)的方案,實(shí)現(xiàn)了小步進(jìn)條件下極低相噪輸出。

3.2 電路設(shè)計(jì)

為了達(dá)到指標(biāo)要求,采用一種混頻、分頻的多環(huán)路鎖相方案,其原理如圖4所示[4]。

圖4 多環(huán)鎖相框圖

PLL1和PLL2輸出不同頻率信號(hào),經(jīng)混頻、濾波、分頻后,作為PLL3的參考源。PLL1采用ADI公司ADF4108,其特點(diǎn)是集成鑒相分頻器,可以小步進(jìn)鎖相,但噪聲基底較高。如果只采用PLL1輸出1 000~2 000 MHz,步進(jìn)為10 MHz,那么之前分析表明,其相噪達(dá)不到要求。采用混頻的方法,將PLL1的輸出頻率降低到100~530 MHz,那么其輸出相噪可大大降低。PLL2采用HITTITE公司的HMC440QS16G,其特點(diǎn)是噪聲基底較低,但不集成鑒相分頻器,所以其步進(jìn)頻率就是輸入的參考源頻率。選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲱l率,使其輸出相噪符合要求?;祛l器的特點(diǎn)是不惡化相噪,PLL1和PLL2輸出信號(hào)混頻后的相噪由其中最差的相噪決定。PLL3使用的也是HITTITE公司的HMC440QS16G,同樣其步進(jìn)頻率就是輸入的參考頻率165~193 MHz,分頻比較小,因此可有效降低輸出相噪。為了得到合適的輸入?yún)⒖荚?,在PLL3之前使用分頻器(HMC705LP4),將混頻輸出的頻率十五分頻,達(dá)到降低輸入信號(hào)相噪的目的。PLL1的小步進(jìn)鎖相和PLL3的大步進(jìn)鎖相相互配合,達(dá)到指標(biāo)要求的1 000~2 000 MHz輸出頻率范圍,輸出步進(jìn)達(dá)到10 MHz。同時(shí),由于PLL3的分頻比小于分頻器的分頻比,使得PLL1的步進(jìn)頻率大于10 MHz,其分頻比可以進(jìn)一步較小,輸出相噪相對(duì)也會(huì)降低。

3.3 相位噪聲分析

3.3.1 參考頻率振蕩器

參考頻率振蕩器是整個(gè)合成頻率源的心臟,在參考頻率振蕩器的相位噪聲基底低于鎖相芯片噪聲基底的情況下,PLL的相位噪聲與鎖相芯片的噪聲基底NP(1 Hz)有關(guān)系,否則鎖相輸出的相位噪聲由參考頻率振蕩器的相位噪聲決定,因此在選擇參考頻率振蕩器時(shí)應(yīng)選擇相位噪聲較低的,一般選擇恒溫晶振。選取的晶振相位噪聲為-155 dBc/Hz@10 kHz。

參考頻率振蕩器的相噪估算公式:

L(fm)=Li(fm)+20lgN

(11)

式中:Li(fm)為輸入的參考頻率的相位噪聲;L(fm)為最終輸出的相位噪聲;N為輸出頻率與參考頻率的比值。

3.3.2 PLL1相噪分析

設(shè)計(jì)要求頻率源輸出的頻率為1 000~2 000 MHz,即PLL3輸出頻率,PLL3的輸入頻率范圍為165~193 MHz,其分頻比NPLLS=6~11,分頻器分頻比ND=1/15。頻率源要求輸出頻率步進(jìn)fPDPLL3=10 MHz,那么負(fù)責(zé)小步進(jìn)鎖相的PLL1頻率步進(jìn)為:

(12)

計(jì)算可知fPDPLL1=13.6~25 MHz,PLL1的輸出頻率為100~530 MHz,因此PLL1的分頻比NPLL1=4~39。

根據(jù)公式(11)可以計(jì)算晶振引入的相位噪聲:L(fm)=L1(fm)+20lgN=-155+20lg(4~39)=-123.2~-142.9 dBc/Hz@10 kHz。

根據(jù)公式(9)可以估算PLL1噪聲基底引入的最大相位噪聲:

當(dāng)fv=530 MHz,fPD=13.6 MHz時(shí),L(fm)=PN(1 Hz)+10lgfPD+20lgN=-223+10lg(13.6×106)+20lg39=-119.8 dBc/Hz@10 kHz。

因此,PLL1的相位噪聲主要由其芯片噪聲基底決定,其單邊帶功率譜密度L(fm)=-119.8 dBc/Hz@10 kHz。

通過(guò)ADI的PLL仿真軟件對(duì)PLL1相噪進(jìn)行仿真,結(jié)果如圖5所示。

圖5 PLL1相噪仿真

仿真的過(guò)程考慮到了鎖相環(huán)其他器件的影響,在輸出530 MHz時(shí)其單邊帶相噪功率譜密度為-118.0 dBc/Hz@10 kHz,與估算值接近。

3.3.3 PLL2相噪分析

PLL2的輸出頻率fv=3 000 MHz。由于使用的HMC440QS16G沒(méi)有集成鑒相分頻器,其鑒相頻率就是參考晶振的輸出頻率,即fPD=100 MHz。

根據(jù)公式(11),計(jì)算參考晶振引入的相噪:L(fm)=Li(fm)+20lgN=-155+20lg3 000 100=-125.5 dBc/Hz@10 kHz。

根據(jù)公式(9),計(jì)算HMC440QS16G噪聲基底引入的相噪:L(fm)=PN(1 Hz)+10lgfPD+20lgN=-233+10lg(100×106)+20lg300 100=-123.5 dBc/Hz@10 kHz。

同理,PLL2的相噪估算值為-123.5dBc/Hz@10kHz。

通過(guò)HITTITE的仿真工具,仿真PLL2的相噪結(jié)果如圖6所示。

圖6 PLL2相噪仿真

仿真結(jié)果顯示,PLL2在輸出頻率為3 000MHz時(shí),其相噪為-123.4dBc/Hz@10kHz,與估算值接近。

3.3.4 混頻器的噪聲分析

理想混頻器的噪聲模型如圖7所示。

圖7 混頻器相噪模型

輸入射頻(RF)和本振(LO)混頻,經(jīng)過(guò)帶通濾波器后,得到:

Vicos(ωst+ωLt+Δφs+ΔφL)=VIcos(ωit+Δφi)

(13)

當(dāng)相位抖動(dòng)Δφs和ΔφL不相關(guān)時(shí),輸出相噪的功率譜密度是二者相加:

SΔφt(fm)=DΔφs(fm)+SΔφL(fm)

(14)

分析可知,混頻器輸入相噪和本振相噪相同時(shí),輸出相噪比輸入相噪惡化3dB;二者不相同時(shí),輸出相噪由較差的一路決定。因此,采用混頻是提高頻率源輸出頻率,同時(shí)不惡化相噪的重要手段。如果混頻器輸入信號(hào)和本振信號(hào)相參,其混頻后的相噪與二者之間的相關(guān)系數(shù)有關(guān),并優(yōu)于不相關(guān)信號(hào)混頻。對(duì)于本文,輸入與本振基于同一個(gè)參考晶振,屬于相關(guān)信號(hào)混頻。

基于以上分析,不考慮PLL1和PLL2輸出信號(hào)的相關(guān)性,僅以其中最差的相噪作為混頻器輸出相噪,估算的結(jié)果應(yīng)優(yōu)于實(shí)際結(jié)果。

如圖(4)所示,PLL1和PLL2輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)混頻濾波后取上邊帶,取PLL1在530MHz時(shí)仿真結(jié)果作為混頻器輸出相噪,即L(fm)=-118.0 dBc/Hz@10 kHz。

3.3.5 分頻器的噪聲分析

分頻器的相噪理想數(shù)學(xué)模型如圖8所示。

圖8 分頻器理想噪聲模型

理想分頻后的相噪為:

Δφ0(t)=Δφi(t)/N

(15)

式中:N為分頻比。

分頻器輸出相噪為:

L0(fm)=Li(fm)-20lgN

(16)

由于分頻器存在底噪(觸發(fā)相位噪聲),實(shí)際輸出的相噪可能達(dá)不到計(jì)算值。

如圖4所示,分頻器的輸入噪聲就是混頻器的輸出噪聲,使用的分頻比N=15,根據(jù)公式(16),計(jì)算分頻器輸出相噪:L(fm)=Li(fm)-20lgN=-141.5 dBc/Hz@10 kHz。

本文使用的分頻器為HMC705LP4,其單邊帶相位噪聲為-153 dBc/Hz@10 kHz,小于上述計(jì)算值,因此不影響分頻器的輸出相噪。

3.3.6 PLL3的噪聲分析

分頻器的輸出作為PLL3的參考頻率源,頻率范圍為165~193 MHz,PLL3輸出為1 000~2 000 MHz。PLL3使用的也是HMC440QS16G,沒(méi)有集成鑒相分頻器,因此其fPD=165 MHz~193 MHz,那么N=6~11。

根據(jù)公式(11),計(jì)算參考頻率源(分頻器輸出)引入的最大相噪:L(fm)=Li(fm)+20lgN=-141.5+20lg11=-120.7 dBc/Hz@10 kHz。

根據(jù)公式(9),計(jì)算HMC440QS16G噪聲基底引入的相噪:L(fm)=NP(1 Hz)+10lgfPD+20lgN=-233+10lg(193×106)+20lg11=-129.3 dBc/Hz@10 kHz。

取估算值較大者,即PLL3的相噪估算值為-120.7 dBc/Hz@10 kHz。

仿真PLL3的相位噪聲,結(jié)果如圖9所示。

圖9 PLL3相噪仿真

仿真是在分頻次數(shù)最大時(shí)(N=11)的結(jié)果,其相噪為-120.84 dBc/Hz@10 kHz,與估算值相近,驗(yàn)證了方案設(shè)計(jì)的可行性。PLL3的相位噪聲即是設(shè)計(jì)的頻率源相噪,其計(jì)算和仿真的結(jié)果表明方案滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。

3.4 多環(huán)鎖定時(shí)間分析

低相噪會(huì)對(duì)PLL鎖定時(shí)間產(chǎn)生影響。PLL的鎖定時(shí)間可以表示為:

(17)

式中:Δf為起始頻差,即起始頻率和終止頻率的差值;ξ為阻尼系數(shù);Δ為頻率最小誤差;ωn為環(huán)路固有角頻率[5]。

從公式可知,環(huán)路帶寬越寬,鎖定時(shí)間越短。PLL對(duì)NfPD具有低通特性,對(duì)環(huán)路帶外的相噪具有抑制能力,環(huán)路帶寬越窄越好;對(duì)VCO噪聲具有高通特性,環(huán)路帶寬越寬抑制能力越強(qiáng)[5]。由于本項(xiàng)目希望達(dá)到最佳的相位噪聲系數(shù)而不重點(diǎn)考慮鎖定時(shí)間,因此取閉環(huán)帶寬內(nèi)相噪電平與VCO相噪電平的交叉點(diǎn)作為最佳的環(huán)路帶寬,其值一般不超過(guò)鑒相頻率fPD的十分之一,否則可能會(huì)導(dǎo)致環(huán)路不穩(wěn)定[6]。另外,本文設(shè)計(jì)的多環(huán)路PLL方案最后的PLL必須在前2個(gè)環(huán)路鎖定后才能鎖定,三者之間是串聯(lián)工作方式,因此系統(tǒng)的鎖定時(shí)間大于單環(huán)PLL鎖定時(shí)間。

在對(duì)鎖定時(shí)間有一定要求的應(yīng)用場(chǎng)合,可以采取多種方法提高鎖定時(shí)間,例如輔助鑒頻、動(dòng)態(tài)環(huán)路帶寬、分頻比調(diào)節(jié)等方法,對(duì)于使用電荷泵鑒相器的PLL,可以增大充電泵的增益,增加電荷泵電流,提高鎖定速度。

4 測(cè)試結(jié)果

按照設(shè)計(jì)方案試制了合成頻率源,并使用頻譜儀對(duì)整機(jī)相噪系數(shù)等參數(shù)進(jìn)行了測(cè)試,使用示波器對(duì)鎖定時(shí)間進(jìn)行了測(cè)試,結(jié)果如表1所示。

表1 合成頻率源測(cè)試結(jié)果

測(cè)試結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的頻率源在1 811 MHz 時(shí)的相噪最大,但也滿(mǎn)足系統(tǒng)指標(biāo)要求;在1 000~2 000 MHz的輸出頻率范圍內(nèi),其雜散抑制和諧波抑制等參數(shù)也能夠滿(mǎn)足系統(tǒng)指標(biāo)要求。

5 結(jié)束語(yǔ)

本文針對(duì)大動(dòng)態(tài)、高選擇性雷達(dá)干擾接收機(jī)對(duì)頻率源的要求,采用多環(huán)路PLL技術(shù),成功設(shè)計(jì)了一種1 000~2 000 MHz小步進(jìn)、低噪聲合成頻率源。系統(tǒng)利用混頻、分頻的方法,有效降低輸入?yún)⒖碱l率源的相位噪聲,并滿(mǎn)足小步進(jìn)鎖相要求,再使用低分頻比、大步進(jìn)鎖相的PLL實(shí)現(xiàn)最終的低相位噪聲輸出。實(shí)測(cè)結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的合成頻率源輸出頻率步進(jìn)為10 MHz時(shí),其相位噪聲達(dá)到-120 dBc/Hz@10 kHz,滿(mǎn)足系統(tǒng)要求。本文介紹的方法對(duì)于不同頻段的小步進(jìn)低相噪合成頻率源的設(shè)計(jì)具有一定的參考意義。

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Design of Wideband Little Step Low Phase NoiseFrequency Synthesizer Based on Multiple PLL Technology

ZHAO Huai-song

(The 50th Institute of CETC,Shanghai 200331,China)

This paper analyzes the basic operation principle and the phase noise of phase locked loop(PLL),uses multi-PLL technology to successfuly design a 1 000~2 000 MHz frequency synthesizer with little step and low phase noise.A mixer and a frequency divider are used in the synthesizer to reduce the phase noise of reference frequency source,and satisfy the request of little step phase lock,the final low phase noise signal is output by using the low frequency division ratio,large step PLL,through practical test,the output step of frequency synthesizer is 10 MHz,and the phase noise arrives at -120 dBc/Hz@10 kHz,which satisfies the request of design.

frequency synthesizer;multiple phase locked loop;phase noise

2015-06-01

TN974

A

CN32-1413(2015)04-0008-06

10.16426/j.cnki.jcdzdk.2015.04.003

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