劉建棟,呂進(jìn)來,張方輝,吳景峰
(1.中國電子科技集團(tuán)公司第13研究所,石家莊 050051;2.空軍駐石家莊地區(qū)軍事代表,石家莊 050051)
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一種改進(jìn)型X波段雙環(huán)鎖相頻率合成器的設(shè)計(jì)
劉建棟1,呂進(jìn)來2,張方輝1,吳景峰1
(1.中國電子科技集團(tuán)公司第13研究所,石家莊 050051;2.空軍駐石家莊地區(qū)軍事代表,石家莊 050051)
介紹了雙環(huán)鎖相的基本原理,分析了傳統(tǒng)的頻率合成方法,提出了一種改進(jìn)型雙環(huán)鎖相頻率合成器的設(shè)計(jì)方案,采用低相噪、低雜散的小數(shù)分頻鎖相技術(shù),并通過優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)雙環(huán)鎖相頻率合成器更優(yōu)的性能。該設(shè)計(jì)方案簡單實(shí)用,已在實(shí)際工程中得到了應(yīng)用,具有一定的推廣價(jià)值。
雙環(huán)鎖相;低相位噪聲;寬頻帶;小步進(jìn);頻率合成器
頻率合成器的功能是產(chǎn)生和輸出高質(zhì)量的正弦信號,鎖相頻率合成技術(shù)具有優(yōu)良的特性,特別是隨著數(shù)字電路的迅速發(fā)展,鎖相頻率合成器所用的器件模塊化、集成化,所以廣泛地應(yīng)用在各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中[1]。其中的雙環(huán)鎖相技術(shù)在實(shí)現(xiàn)寬頻帶、小步進(jìn)的同時(shí),還具有低相噪、微型化、數(shù)字化的特點(diǎn),文獻(xiàn)[2]~[3]分別介紹了S波段和C波段的雙環(huán)鎖相頻率合成器的實(shí)現(xiàn)。本文針對一種X波段、寬頻帶、小步進(jìn)的頻率合成器,提出了一種改進(jìn)型雙環(huán)鎖相頻率合成器的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)方法。其基本指標(biāo)要求為:頻率覆蓋范圍9 400~10 400 MHz,最小步進(jìn)1 MHz,相位噪聲優(yōu)于-90 dBc@1 kHz,雜散抑制優(yōu)于70 dBc。
雙環(huán)鎖相是廣義移頻鎖相的一種,原理框圖如圖1所示。其輔環(huán)采用高鑒相頻率實(shí)現(xiàn)頻率的大步進(jìn),主環(huán)輸出信號和輔環(huán)輸出信號進(jìn)行下混頻得到較低頻率的中頻信號,再反饋到主環(huán)的鑒相器,采用低鑒相頻率實(shí)現(xiàn)頻率的小步進(jìn)。雙環(huán)鎖相比整數(shù)模式的單環(huán)鎖相能實(shí)現(xiàn)更低的相位噪聲,相比小數(shù)模式的單環(huán)鎖相能實(shí)現(xiàn)更好的雜散抑制,具有低成本、高可靠性和良好的環(huán)境適應(yīng)性等優(yōu)點(diǎn)。
依據(jù)圖1所示的原理圖,主環(huán)的分頻系數(shù)為M=N2/R2,N2為主環(huán)射頻信號分頻比,R2為主環(huán)參考信號分頻比;輔環(huán)的分頻系數(shù)為M=N1/R1,N1為輔環(huán)射頻信號分頻比,R1為輔環(huán)參考信號分頻比。在設(shè)計(jì)時(shí),通過合理優(yōu)化主環(huán)、輔環(huán)的分頻系數(shù),使兩者盡量低且比較接近,以保證性能的最優(yōu)化。
圖1 雙環(huán)鎖相原理圖
采用上述傳統(tǒng)的雙環(huán)鎖相方案實(shí)現(xiàn)在X波段、工作帶寬1GHz、步進(jìn)1MHz的頻率合成時(shí),一方面,主環(huán)和輔環(huán)混頻產(chǎn)生的中頻頻率不能過低,否則由于混頻交調(diào)產(chǎn)生的鏡像頻率可能發(fā)生“錯(cuò)鎖”;另一方面,為實(shí)現(xiàn)1MHz步進(jìn),鑒相頻率最大為1MHz,使得鑒相頻率過低,為抑制鑒相泄露,環(huán)路濾波器帶寬必須窄,這將導(dǎo)致環(huán)內(nèi)的相噪惡化,無法達(dá)到指標(biāo)的要求。為了解決上述困難,本文提出了一種改進(jìn)型雙環(huán)鎖相的技術(shù)方案。
2.1 改進(jìn)型方案設(shè)計(jì)
改進(jìn)型雙環(huán)鎖相方案,在主環(huán)和輔環(huán)均采用高鑒相頻率,避免了鑒相頻率過低、分頻次數(shù)過高導(dǎo)致的相噪惡化;同時(shí)在輔環(huán)采用小數(shù)分頻鎖相技術(shù),實(shí)現(xiàn)小步進(jìn);小數(shù)分頻產(chǎn)生的雜散信號可以通過主路鎖相環(huán)路的低通濾波器予以濾除,從而解決了寬頻帶、小步進(jìn)的技術(shù)難點(diǎn),達(dá)到了低相位噪聲、低雜散的要求。2種方案的技術(shù)特點(diǎn)對比見表1。
改進(jìn)型方案實(shí)現(xiàn)需要解決的關(guān)鍵技術(shù)包括:一是高鑒相頻率、低相位噪聲的小數(shù)分頻技術(shù);二是小數(shù)分頻產(chǎn)生的小數(shù)雜散的有效抑制。隨著近年來集成化性能優(yōu)良的小數(shù)分頻鑒相器的涌現(xiàn),使得實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)不再是問題。該類鑒相器目前最高的工作頻率為8GHz,鑒相頻率為50MHz,器件噪底為-226dBc/Hz,具有一個(gè)24Bit小數(shù)模式分頻器,提供0Hz頻率誤差和極低信道噪聲的小數(shù)頻率[4]。
表1 2種方案技術(shù)特點(diǎn)對照表
改進(jìn)型X波段頻率合成器的原理如圖2所示。在該方案中,經(jīng)過選擇優(yōu)化,主環(huán)鑒相器的工作頻率為1 920~2 920MHz,整數(shù)鑒相頻率為10MHz,步進(jìn)10MHz;輔環(huán)鑒相頻率的工作頻率7 480~7 489MHz,小數(shù)鑒相頻率為50MHz,步進(jìn)1MHz。
圖2 改進(jìn)型雙環(huán)鎖相原理圖
2.2 相位噪聲設(shè)計(jì)
此頻率合成器由2個(gè)鎖相環(huán)構(gòu)成。文獻(xiàn)[5]就鎖相環(huán)頻率合成器的相位噪聲做了詳細(xì)分析,基于鎖相環(huán)的相位噪聲模型建立此改進(jìn)型雙環(huán)鎖相頻率合成器的相位噪聲模型,如圖3所示。其中環(huán)路1為輔環(huán),環(huán)路2為主環(huán)。對輸出相位噪聲起主要作用的是參考部分、器件噪底及壓控振蕩器(VCO)的影響,由于主要關(guān)注的是1kHz的相位噪聲特性,因此主要分析參考及器件噪底的影響。
圖3 相位噪聲模型
根據(jù)鎖相環(huán)的相位噪聲特性,參考源在輸出端引入的相位噪聲為:
Nref(f)=Sref(f)+20lg(fn/fr)
(1)
式中:Sref(f)為參考源的相位噪聲;fn為參考信號頻率;fr為鑒相頻率。
參考源采用100 MHz的信號,其相位噪聲優(yōu)于-150 dBc@1 kHz?;诠?2)輔環(huán)和主環(huán)參考源引入的噪聲分別為:-112 dBc/Hz@1 kHz、-120 dBc/Hz@1 kHz。
根據(jù)文獻(xiàn)[6],器件噪底在輸出端引入的相位噪聲:
NPD(f)=NFOM+20lg(f0/fr)+10lgfr
(2)
式中:NFOM為鑒相器噪底;f0為射頻信號頻率。
輔環(huán)選用鑒相器HMC704LP4的噪底為NFOM=-226 dBc/Hz2,主環(huán)選用器件ADF4106的噪底為NFOM=-216 dBc/Hz2,基于公式(2)輔環(huán)和主環(huán)器件噪聲引入的噪聲分別為:
NPD1(f)=-226+20lg(7 489/50)+10lg50= -106 dBc/Hz@1 kHz
NPD2(f)=-219+20lg(2 920/10)+10lg10= -99 dBc/Hz@1 kHz
另外,輔環(huán)選用的鑒相器HMC704LP4在近端的相噪惡化還包括閃爍噪聲,根據(jù)文獻(xiàn)[4],器件閃爍噪底在輸出端引入的相位噪聲為:
Nflick(f)=NFOM-flick+20lgf0-10lgfoffset
(3)
式中:NFOM-flick為器件閃爍噪底;foffset為偏離中心頻率。
在偏離中心頻率1 kHz處,輔環(huán)閃爍噪聲為:
Nflick(f)=-226+20lg7 489- 10lg1 000=-98.5
則輔環(huán)的輸出相位噪聲為:
通過對比參考源和器件噪底2種噪聲源的影響,發(fā)現(xiàn)主要影響因素是器件的噪底,即2個(gè)環(huán)路的相位噪聲:
SO1(f)=NPD1(f)=-98 dBc/Hz@1 kHz
SO2(f)=NPD2(f)=-99.6 dBc/Hz@1 kHz
最后的輸出為2個(gè)環(huán)路的混頻輸出,其輸出相位噪聲為:
由上述分析可知,此改進(jìn)型雙環(huán)鎖相頻率合成器的相位噪聲可以達(dá)到指標(biāo)要求。
2.3 雜散設(shè)計(jì)
頻率合成器中雜散信號的產(chǎn)生主要有3個(gè)方面:一是主環(huán)和輔環(huán)混頻產(chǎn)生的各階交調(diào)信號;二是數(shù)?;旌想娐返男盘柎?dāng)_;三是小數(shù)分頻鎖相產(chǎn)生的雜散信號。
對于前2種情況,可以通過電路濾波和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì),予以降低、消除,這里主要討論對小數(shù)分頻產(chǎn)生的雜散信號的抑制。由于VCO的輸出頻率不是鑒相頻率的整數(shù)倍,VCO與鑒相頻率諧波的交調(diào)會(huì)產(chǎn)生小數(shù)雜散。依據(jù)文獻(xiàn)[4],雜散位于f=nfPD+fPDd/m附近,其中fPD為鑒相頻率,n、d、m為正整數(shù),且d 主環(huán)為整數(shù)分頻鎖相,不存在類似的情況,而且環(huán)路濾波器具有優(yōu)良的低通特性,可以濾除輔環(huán)信號帶來的遠(yuǎn)端雜散信號,進(jìn)一步提高了輸出信號的頻譜純度。 2.4 電路及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 在雙環(huán)頻率合成器中,數(shù)、模電路相互交叉、影響,同時(shí)混頻產(chǎn)生的寄生交調(diào)信號比較復(fù)雜,為了實(shí)現(xiàn)寬頻帶、小步進(jìn)、高頻譜純度的信號輸出,合理的電路布局及結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)非常重要。在設(shè)計(jì)時(shí),依據(jù)集成化、模塊化的設(shè)計(jì)思路,對主、輔環(huán)分單元進(jìn)行電路和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化分腔布局,對射頻和數(shù)字電路及電源采用微波電路多層布線方案,分成獨(dú)立的上下兩面,中間采用電磁兼容濾波器饋電互聯(lián),解決了信號的串?dāng)_問題,提高了雜散抑制度。以上設(shè)計(jì)使得該X波段頻率合成器具備了體積小、重量輕、電磁兼容性好、性能優(yōu)良等特點(diǎn),滿足了實(shí)際工程的使用要求。 研制的工程樣機(jī)的微波電路布局和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)如圖4所示,電源和數(shù)字電路部分在盒體背面。 圖4 微波電路布局圖 本文設(shè)計(jì)的X波段頻率合成器實(shí)現(xiàn)了-50~+ 85 ℃工作溫度范圍內(nèi),輸出頻率范圍9 400~10 400MHz,頻率步進(jìn)1MHz,輸出功率13±1dBm,相位噪聲- 93dBc/Hz@1kHz,雜譜抑制-73dBc,產(chǎn)品體積120mm×70mm×20mm,實(shí)現(xiàn)了小型化。圖5、圖6所示為頻率合成器頻譜測試圖。 圖5 相位噪聲測試圖 從上述測試結(jié)果可以看出,10.4GHz處信號的相位噪聲-93.3dBc/Hz@1kHz,雜散抑制達(dá)到了-73dBc,相位噪聲與前面的理論計(jì)算值有近3dB的差距。這是由于在相位噪聲的理論估算中還 有環(huán)路濾波器的噪聲等一些影響較小的噪聲沒有計(jì)算進(jìn)去,因此會(huì)略有差距。綜合各項(xiàng)測試指標(biāo)參數(shù),此設(shè)計(jì)很好地達(dá)到了預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)。 圖6 雜散抑制測試圖 本文提出的改進(jìn)型雙環(huán)鎖相頻率合成器將高鑒相頻率、低相噪、低雜散小數(shù)分頻鎖相模式和整數(shù)分頻鎖相模式有機(jī)地融合在一起,相對于傳統(tǒng)的雙環(huán)鎖相頻率合成器, 在不增加硬件復(fù)雜度的情況下,實(shí)現(xiàn)了更寬的工作帶寬和同等的小步進(jìn)要求,獲得了更優(yōu)的相位噪聲和高頻譜純度的信號。該設(shè)計(jì)方案簡單易行, 已在實(shí)際工程中得到了應(yīng)用,具有一定的推廣價(jià)值。 [1] 王家禮,孫璐.頻率合成技術(shù)[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社,2009. [2] 胡曉文,方立軍.一種雙環(huán)鎖相頻率合成器的研究[J].合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào),2009,32(2):174-176. [3] 方立軍,馬駿.C波段低相噪數(shù)字鎖相頻率合成器[J].系統(tǒng)工程與電子技術(shù),2001,23(2):22-24. [4]HITTIE.HMC704LP4Edatasheet[EB/OL].http://www.hittite.com/content/documents/data_sheet/hmc704lp4e.pdf,2011-04-05. [5] 張福洪,陶士杰,欒慎吉.鎖相式頻率合成器相位噪聲分析與仿真[J].電子器件,2009,32(3):22-24. [6]BrennanPV,ThompsonI.Phase/frequencydetectorphasenoisecontributioninPLLfrequencysynthesizer[J].ElectronicLetter,2001,37(15):939-940. Design of An Improved X Band Double Phase-locked Loop Frequency Synthesizer LIU Jian-dong1,LV Jin-lai2,ZHANG Fang-hui1,WU Jing-feng1 (1.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China; 2.Military Representative of Air Force in Shijiazhuang Area,Shijiazhuang 050051,China) This paper introduces the basic principle of double phase-locked loop,analyzes the traditional frequency synthesizing method,brings forward a design scheme of improved double phase-locked loop frequency synthesizer,uses the fractional frequency dividing phase-locked technology with low phase noise and low stray to realize better performance than traditional double phase-locked loop frequency synthesizer by optimizing the circuit structure design.This design scheme is simple and practical,and has been applied in the actual engineering,is of definite extensible value. double phase-locked loop;low phase noise;wide band;small step;frequency synthesizer 2014-11-14 TN74 B CN32-1413(2015)01-0106-04 10.16426/j.cnki.jcdzdk.2015.01.0253 研制結(jié)果與分析
4 結(jié)束語