杜培康, 譚 明, 李 勇, 周 彬, 王 軍

(1. 南京理工大學(xué)化工學(xué)院， 江蘇 南京 210094; 2. 四川華川工業(yè)有限公司， 四川 成都 610106)

1 引 言

半導(dǎo)體橋(Semiconductor Bridge，SCB)火工品是指利用半導(dǎo)體膜作發(fā)火元件的一類電火工品，具有體積小、作用快、安全性好、發(fā)火能量低等優(yōu)點(diǎn)。戰(zhàn)場(chǎng)上大功率雷達(dá)、電磁武器的應(yīng)用，對(duì)彈藥的電磁環(huán)境安全性的要求越來(lái)越高，火工品作為彈藥中最敏感的元件，其電磁環(huán)境適應(yīng)性也越來(lái)越受重視?；鸸て吩陔姶怒h(huán)境可能因耦合電磁能量而意外發(fā)火或受浪涌電壓沖擊而造成損傷[1]。研究者在火工品電磁安全性方面作了大量工作，Baginski T A等[2]通過(guò)集總參數(shù)建模，理論分析射頻響應(yīng)特性，設(shè)計(jì)并制作了新型的無(wú)源濾波裝置，該濾波器能保護(hù)電爆裝置同時(shí)不影響其可靠發(fā)火。Henderson J H[3]設(shè)計(jì)了一種電爆裝置，當(dāng)雜散射頻信號(hào)耦合到該電爆裝置中時(shí)，產(chǎn)生的射頻電流被低阻抗的電容通道過(guò)濾掉。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明采用此換能元結(jié)構(gòu)的火工品對(duì)各種類型的射頻干擾鈍感。Ensign-Bickford公司[4]研制了一種新型的SCB火工品結(jié)構(gòu)，它對(duì)常規(guī)操作中的靜電射頻鈍感，這種新型的SCB火工品對(duì)雜散電勢(shì)、靜電放電、無(wú)線電脈沖波表現(xiàn)出極高的鈍感性。King T L等[5]介紹了兩種技術(shù)，一是并聯(lián)齊納二極管來(lái)用于SCB火工品的靜電防護(hù)，二是在SCB火工品兩端并聯(lián)電容來(lái)用于SCB火工品的射頻防護(hù)。陳飛等[6-9]利用NTC(Negative Temperature Coefficient)熱敏電阻的阻值負(fù)溫度系數(shù)特性，將其與SCB火工品并聯(lián)，用于保護(hù)火工品免受連續(xù)射頻電磁波的干擾。當(dāng)連續(xù)射頻波耦合進(jìn)入SCB火工品時(shí)，陶瓷塞在電熱作用下溫度逐漸升高，NTC熱敏電阻感溫后阻值迅速減小，并聯(lián)電路的性能使得大部分電流流經(jīng)熱敏電阻而非SCB火工品，抑制了SCB火工品上的溫升; 射頻能量過(guò)后，熱敏電阻又恢復(fù)了初始的高阻狀態(tài)。周彬等人[10]利用TVS二極管的瞬態(tài)浪涌抑制特性，對(duì)SCB火工品腳-殼之間的靜電放電進(jìn)行了保護(hù)。靜電放電試驗(yàn)結(jié)果顯示在靜電加載時(shí)，大部分電流從TVS上通過(guò)，火工品未發(fā)火。

壓敏電阻具有瞬時(shí)鉗位電位作用，用于SCB火工品電磁防護(hù)時(shí)，理論上能抑制浪涌電壓對(duì)火工品造成損傷，可有效提高其在電磁環(huán)境中的安全性，但相關(guān)研究未見(jiàn)公開(kāi)報(bào)道。將分立元件用于火工品電磁防護(hù)時(shí)原則上不應(yīng)對(duì)SCB火工品自身性能產(chǎn)生影響，因此本研究分析了并聯(lián)氧化鋅(ZnO)壓敏電阻前后SCB火工品電爆性能變化情況，為ZnO壓敏電阻進(jìn)一步用于SCB火工品電磁防護(hù)可行性提供實(shí)驗(yàn)支撐。

2 實(shí)驗(yàn)部分

2.1 壓敏電阻

壓敏電阻(Varistor)等效于兩個(gè)串聯(lián)的齊納二極管(Zener Diodes)，具有雙向?qū)ǖ奶匦?，可以用?lái)抑制正、反方向的瞬態(tài)脈沖。壓敏電阻的電壓-電流曲線如圖1所示。ZnO壓敏電阻[11]是一種是以ZnO為主體，添加若干其它氧化物改性的新型多功能電子元器件。正常工作電壓下，ZnO壓敏電阻的晶界層呈高電阻狀態(tài); 當(dāng)電路中出現(xiàn)浪涌過(guò)電壓時(shí)，其晶界層立即轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娮锠顟B(tài)，通過(guò)ZnO壓敏電阻的電流急驟增大，浪涌過(guò)電壓以放電電流的形式被ZnO壓敏電阻所分流，從而起到過(guò)電壓的保護(hù)作用; 當(dāng)浪涌過(guò)電壓結(jié)束后，ZnO壓敏電阻又很快恢復(fù)為高電阻狀態(tài)。

圖1壓敏電阻電壓-電流曲線

Fig.1Voltage-current characteristic curves of varistor

2.2 實(shí)驗(yàn)樣品

SCB火工品最重要的元件是起電熱換能作用的SCB芯片，SCB芯片和陶瓷塞封裝如圖2所示，圖2a是重?fù)诫s多晶硅SCB芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，橋區(qū)呈“H”型。在硅基片與鋁覆蓋層之間，一般用重?fù)诫s的多晶硅，摻雜濃度約為7×1019個(gè)原子/cm3，電阻約為1.0 Ω，陶瓷封裝，如圖2b所示。

a. SCB chipb. ceramic plug package structure

圖2半導(dǎo)體橋芯片和陶瓷塞封裝圖

Fig.2Schematic diagram of SCB chip and ceramic plug package structure

SCB芯片并聯(lián)ZnO壓敏電阻后等效電路模型可以用圖3表示。理論上，由于ZnO壓敏電阻的疊層式結(jié)構(gòu)，自身電容1000 pF以上，在低頻電磁波輻射時(shí)處于斷路狀態(tài)，不影響發(fā)火線路的正常工作。當(dāng)線路中有高頻電磁輻射時(shí)，ZnO壓敏電阻以納秒級(jí)的時(shí)間響應(yīng)，形成低阻抗的通路，分走整個(gè)電路中的感應(yīng)能量，使SCB火工品免受電磁輻射能量的沖擊，起到電磁防護(hù)作用。

圖3壓敏電阻與SCB芯片并聯(lián)等效電路模型

Fig.3Equivalent model of varistor in parallel with SCB chip

本實(shí)驗(yàn)所用樣品采用陶瓷塞封裝，制作過(guò)程為: 將SCB芯片用環(huán)氧樹脂粘貼在陶瓷塞上，用硅鋁絲或金絲鍵合，鍵合處采用銀漿覆蓋以保護(hù)鍵合絲，最后在芯片上沾涂斯蒂芬酸鉛(LTNR)。ZnO壓敏電阻裝在陶瓷塞底部，兩極分別用導(dǎo)電膠與兩根腳線相連，與SCB芯片形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)前檢測(cè)電阻以保證樣品鍵合完好。

實(shí)驗(yàn)用樣品選用常規(guī)的典型SCB芯片(Typical SCB，TSCB)與易受電磁影響的低發(fā)火能量SCB芯片(Low firing-required energy SCB， LSCB)[12]，TSCB芯片尺寸為100 μm (L)×400 μm (W)×2 μm (T)，LSCB芯片尺寸為20 μm (L)×100 μm (W)×2 μm (T)。TSCB芯片常用全爆發(fā)激勵(lì)條件是47 μF22V，LSCB芯片常用全爆發(fā)激勵(lì)條件為22 μF9V，結(jié)合文獻(xiàn)[11]壓敏電阻的選用要符合擊穿電壓在10 V左右，且封裝尺寸能滿足安裝到陶瓷塞底部的要求。

表1所示為選用的壓敏電阻相關(guān)參數(shù)，理論擊穿電壓分別為8 V和12 V。其中TSCB芯片并聯(lián)SFI0603ML080C-LF為樣品T08，并聯(lián)SFI0603ML120C-LF為樣品T12; LSCB芯片并聯(lián)SFI0603ML080C-LF為樣品L08，并聯(lián)SFI0603ML120C-LF為樣品L12。

表1ZnO壓敏電阻參數(shù)

Table1Parameters of ZnO varistor

typesize/mmbreakdownvoltage/Vactualbreakdownvoltage/VSFI0603ML080C-LF1．60(L)×0．80(W)×0．80(T)88．7SFI0603ML0120C-LF1212．2

2.2 實(shí)驗(yàn)裝置及實(shí)驗(yàn)過(guò)程

(1) 電容放電發(fā)火實(shí)驗(yàn)

為研究電容放電時(shí)壓敏電阻對(duì)回路電流的影響，將貼片壓敏電阻用引線外接于陶瓷塞腳線兩端。實(shí)驗(yàn)線路圖如圖4所示，示波器記錄爆發(fā)過(guò)程電壓和電流變化，其中一個(gè)電流探頭探測(cè)回路總電流，另一個(gè)探測(cè)流過(guò)外接壓敏電阻的電流?？傠娏鳒p去壓敏電阻分路電流，得到流經(jīng)SCB火工品的電流。放電電容選擇精度高、漏電流小、放電快的鉭電容。

圖4電容放電原理圖

Fig.4Diagram of the capacitor discharge principle

(2) 恒流激勵(lì)發(fā)火實(shí)驗(yàn)

為研究不同電流值下的發(fā)火特性，采用恒流發(fā)火實(shí)驗(yàn)測(cè)量樣品中通過(guò)的電流，通過(guò)升降法記錄恒流源的不同刺激量下的電流值，以此計(jì)算SCB火工品以及并聯(lián)貼片式壓敏電阻后的SCB火工品的發(fā)火感度，對(duì)比研究其感度變化規(guī)律。恒流發(fā)火實(shí)驗(yàn)儀器選用高速恒流起爆電源(ALG-HL-15A)，其線路原理圖如圖5所示。為保護(hù)起爆電源，將輸出電壓峰值定在20 V; SCB火工品爆發(fā)時(shí)間一般在幾微秒到幾十毫秒，所以將恒流持續(xù)時(shí)間定為100 ms。

圖5恒流發(fā)火實(shí)驗(yàn)原理圖

Fig.5Constant current firing principle diagram

3 結(jié)果與討論

3.1 電容放電發(fā)火實(shí)驗(yàn)

3.1.1 并聯(lián)壓敏電阻前后的TSCB火工品

在實(shí)驗(yàn)條件47 μF、22 V下，并聯(lián)壓敏電阻前后發(fā)火實(shí)驗(yàn)過(guò)程中電壓與電流隨時(shí)間變化曲線及能量變化曲線如圖6所示。對(duì)比三種樣品的電流曲線可知，在不同時(shí)間段壓敏電阻中有不同程度的電流流過(guò)。圖6a是TSCB火工品爆發(fā)時(shí)的典型圖像。圖6b中的A點(diǎn)和B點(diǎn)之間，由于系統(tǒng)中通過(guò)電壓超過(guò)ZnO壓敏電阻自身的擊穿電壓，故此時(shí)ZnO壓敏電阻被擊穿，圖中藍(lán)色曲線顯示ZnO壓敏電阻分電路中有電流通過(guò)。同理圖6c中A點(diǎn)和B點(diǎn)之間，ZnO壓敏電阻被擊穿，屬于導(dǎo)通狀態(tài)，藍(lán)色曲線顯示該分路中有電流通過(guò)。

根據(jù)圖6中的爆發(fā)時(shí)間、爆發(fā)能量，對(duì)應(yīng)圖6中的爆發(fā)點(diǎn)即電壓曲線1的最大峰值位置，以對(duì)樣品T08、T12的電爆性能參數(shù)進(jìn)行t檢驗(yàn)，比較其電爆性能參數(shù)差異。取檢驗(yàn)水平α=0.05則置信區(qū)間為95%，實(shí)驗(yàn)中n1=10，n2=10查表可得臨界值t1-α/2{n1+n2-2=18}=2.101，故拒絕域|t|≥t0.975(18)=2.101，即當(dāng)t檢驗(yàn)結(jié)果大于臨界值時(shí)說(shuō)明有顯著性差異。具體結(jié)果見(jiàn)表2。

a. Tb. T08c. T12

圖6三種SCB火工品的電爆性能曲線

Fig.6Burst characteristic curves of 3 SCB samples

表2并聯(lián)壓敏電阻前后TSCB火工品電爆性能t檢驗(yàn)值

Table2t-test value of TSCB with and without varistors

sampletTtET080．2051．912T120．1182．000

Note:tTis thet-test result of time.tEis thet-test result of energy.t1-α/2=2.101.

分析表2中爆發(fā)時(shí)間、爆發(fā)能量的t檢驗(yàn)的結(jié)果可知，t值均小于t1-α/2，說(shuō)明并聯(lián)的貼片式壓敏電阻對(duì)SCB火工品的電爆性能均無(wú)顯著性影響。根據(jù)SCB火工品的爆發(fā)特性曲線(圖6)，SCB火工品電壓曲線上第一個(gè)峰對(duì)應(yīng)橋區(qū)材料的熔化過(guò)程，第二個(gè)峰對(duì)應(yīng)氣化產(chǎn)生等離子體; 由圖6和表2可知，相比于流經(jīng)SCB火工品的電流，壓敏電阻在電壓第一個(gè)峰處電流值很小; 從積分能量看，此時(shí)壓敏電阻分走的能量為0.01 mJ，而SCB火工品整個(gè)熔化過(guò)程消耗能量1 mJ，相比之下壓敏電阻分走的能量非常小，不影響熔化過(guò)程。在電壓第二個(gè)峰起初時(shí)刻壓敏電阻電流開(kāi)始明顯增大，雖然幅值變化較大，但是此時(shí)SCB火工品已經(jīng)進(jìn)入等離子體產(chǎn)生階段，屬于作用末期，因此不影響SCB火工品爆發(fā)。經(jīng)過(guò)t檢驗(yàn)表明并聯(lián)壓敏電阻后，對(duì)TSCB火工品爆發(fā)時(shí)間和爆發(fā)力、消耗能量均沒(méi)有顯著影響。

3.1.2 并聯(lián)壓敏電阻前后的LSCB火工品

為研究貼片壓敏電阻對(duì)LSCB火工品電爆性能的影響，對(duì)并聯(lián)壓敏電阻前后樣品L、L08、L12進(jìn)行電容發(fā)火實(shí)驗(yàn)，放電電容為鉭電容，充電電容22 μF、發(fā)火電壓9 V。所得電爆性能曲線見(jiàn)圖7。

對(duì)樣品L08、L12的電爆性能參數(shù)進(jìn)行t檢驗(yàn)。取檢驗(yàn)水準(zhǔn)α=0.05則置信區(qū)間為95%，實(shí)驗(yàn)中n1=5，n2=5查表可得臨界值t1-α/2{n1+n2-2=8}=2.306)，故拒絕域|t|≥t0.975(8)=2.306，當(dāng)t檢驗(yàn)結(jié)果大于臨界值時(shí)說(shuō)明有顯著性差異。其電爆性能參數(shù)差異見(jiàn)表3。

a. Lb. L08c. L12

圖7三種SCB火工品電爆性能曲線

Fig.7Burst characteristic curves of 3 SCB samples

表3并聯(lián)壓敏電阻前后LSCB火工品電爆性能t檢驗(yàn)值

Table3t-test value of low-energy SCB with and without varistors

sampletTtEL080．8313．99L120．6251．711

Note:t1-α/2=2.101.

表3可以看出，樣品L12的t值均小于t1-α/2，說(shuō)明使用壓敏電阻前后，LSCB火工品的爆發(fā)時(shí)間和爆發(fā)所需能量均無(wú)顯著性差異，而對(duì)于樣品L08，其爆發(fā)時(shí)間在并聯(lián)壓敏電阻前后無(wú)顯著性影響，而爆發(fā)所需能量則有顯著性影響，根據(jù)SCB火工品爆發(fā)特性曲線圖7中，在電壓的最大峰值時(shí)SCB火工品爆發(fā)。在電壓曲線最大峰值處樣品L08、L12中的ZnO壓敏電阻被擊穿，圖中藍(lán)色曲線顯示ZnO壓敏電阻分路中有電流通過(guò)，而此時(shí)SCB火工品已經(jīng)進(jìn)入等離子體產(chǎn)生階段，屬于作用末期，因此不影響SCB火工品爆發(fā)。所以ZnO壓敏電阻對(duì)LSCB火工品的爆發(fā)時(shí)間沒(méi)有顯著性影響。用Origin計(jì)算得到樣品L自身爆發(fā)所需能量0.12 mJ，樣品L08、L12中壓敏電阻分路中分走的能量約0.02 mJ，可見(jiàn)壓敏電阻分路中的能量占火工品爆發(fā)總能量約14%，爆發(fā)所需能量有所提高。由于LSCB火工品本身爆發(fā)所需能量較小，因此壓敏電阻對(duì)TSCB火工品不明顯的分流效果在LSCB火工品這里就變得有影響; 但是影響僅局限于爆發(fā)消耗能量，而對(duì)爆發(fā)時(shí)間沒(méi)有影響，故不影響實(shí)際使用。

3.2 恒流感度實(shí)驗(yàn)

3.2.1 并聯(lián)壓敏電阻后的TSCB火工品

恒流發(fā)火感度實(shí)驗(yàn)采用文獻(xiàn)[13]中升降法，試探估計(jì)樣品T的初始刺激量x0=1.995 A，選擇步長(zhǎng)為d=0.01，則y0=lnx0=0.691，進(jìn)行試驗(yàn)，經(jīng)過(guò)試探估計(jì)樣品T08的初始刺激量x0=2.020 A選擇步長(zhǎng)為d=0.01則y0=lnx0=0.703然后進(jìn)行試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)根據(jù)GJB-Z377A-1994感度試驗(yàn)用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法計(jì)算得出樣品T和T08的0.1%發(fā)火電流和99.9%發(fā)火電流，結(jié)果見(jiàn)表4。

表4樣品T和T08的0.1%和99.9%發(fā)火電流值

Table4Firing current of samples D and T08

sampleμ/AσI0．1%/AI99．9%/AT1．9940．013691．9532．035T082．0040．013111．9652．043

Note:μis the 50% firing current.σis the standard deviation.I0.1%is the 0.1% firing current.I99.9%is the 99.9% firing current.

由表4可知，樣品T的0.1%發(fā)火電流為1.935 A、99.9%的發(fā)火電流為2.035 A，樣品T08的0.1%發(fā)火電流為1.965 A、99.9%的發(fā)火電流為2.043 A; 置信區(qū)間取(1±5)%，可得樣品T的置信0.1%發(fā)火電流范圍為1.838～2.032 A，99.9%發(fā)火電流范圍為1.933～2.136 A，對(duì)比分析可得出，樣品T08的0.1%的發(fā)火電流、99.9%的發(fā)火電流均在置信區(qū)間內(nèi)，并聯(lián)壓敏電阻后對(duì)于TSCB火工品的恒流發(fā)火感度沒(méi)有影響。因?yàn)閴好綦娮鑼?duì)恒流源是斷路，在恒流下壓敏電阻處于不導(dǎo)通狀態(tài)，分路中沒(méi)有電流通過(guò)，對(duì)SCB火工品的電爆性能沒(méi)有影響，即并聯(lián)壓敏電阻對(duì)于TSCB火工品的恒流發(fā)火感度沒(méi)有影響。

3.2.2 并聯(lián)壓敏電阻后的LSCB火工品

經(jīng)過(guò)試探估計(jì)樣品L、L08的初始刺激量x0=1.100 A選擇步長(zhǎng)為d=0.035則y0=lnx0=0.0953然后進(jìn)行試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)根據(jù)《GJB-Z 377A-1994感度試驗(yàn)用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法》中的計(jì)算得樣品L、L08的0.1%發(fā)火電流和99.9%發(fā)火電流，結(jié)果如表5。

由表5可知，置信區(qū)間取(1±5)%，樣品L的置信0.1%發(fā)火電流范圍為0.897～0.991 A，99.9%發(fā)火電流范圍為1.085～1.20 A，樣品L08的0.1%的發(fā)火電流、99.9%的發(fā)火電流均在置信區(qū)間內(nèi)，故并聯(lián)壓敏電阻后對(duì)于LSCB火工品的恒流發(fā)火感度沒(méi)有影響。因?yàn)樵诤懔飨聣好綦娮杼幱诓粚?dǎo)通狀態(tài)，分路中沒(méi)有電流通過(guò)，所以并聯(lián)壓敏電阻對(duì)于TSCB火工品的恒流發(fā)火感度沒(méi)有影響。

表5樣品L和樣品L08的0.1%和99.9%發(fā)火電流值

Table5Firing current of sample L and L08

sampleμ/AσI0．1%/AI99．9%/AL1．0430．03290．9441．142L081．0280．04240．9011．155

4 結(jié) 論

在電容放電條件下研究了并聯(lián)壓敏前后半導(dǎo)體橋爆發(fā)性能的變化情況，以及恒流激勵(lì)條件下，測(cè)試了并聯(lián)壓敏電阻前后半導(dǎo)體火工品發(fā)火感度，結(jié)論如下:

(1)在電容放電發(fā)火條件下，SCB火工品并聯(lián)ZnO壓敏電阻對(duì)TSCB火工品的電爆性能沒(méi)有顯著影響。

(2)在電容放電發(fā)火條件下，并聯(lián)SFI0603ML120C-LF型號(hào)壓敏電阻的樣品L12，壓敏電阻不影響LSCB火工品的爆發(fā)時(shí)間和爆發(fā)能量; 而并聯(lián)SFI0603ML080C-LF壓敏電阻的樣品L08，其爆發(fā)所需能量用t檢驗(yàn)法檢驗(yàn)表明有顯著性變化，爆發(fā)時(shí)間無(wú)顯著性變化。

(3)在恒流激勵(lì)源下，壓敏電阻為斷路處于不導(dǎo)通狀態(tài)，分路中沒(méi)有電流通過(guò)，對(duì)SCB火工品的電爆性能無(wú)影響，用t檢驗(yàn)法檢驗(yàn)表明并聯(lián)壓敏電阻對(duì)TSCB火工品和LSCB火工品的恒流發(fā)火感度沒(méi)有影響。

參考文獻(xiàn):

[1] 王可暄, 白穎偉, 任煒. 電熱火工品連續(xù)電磁波環(huán)境下響應(yīng)規(guī)律[J]. 含能材料, 2012, 20(5): 610-613.

WANG Ke-xuan, BAI Ying-wei, REN Wei, et al. Response rule of hot-wire eed in continuous electromagnetic environment[J].ChineseJournalofEnergeticMaterials(HannengCailiao), 2012, 20(5): 610-613.

[2] Baginski T A, Baginski M E. Characterization of a Novel Passive RF Filter for Frequencies of 4-225 MHz[J].IEEETransactionsonElectromagneticCompatibility, 1990, 32(2): 163-167.

[3] Henderson J H, Baginski T A. An RF-insensitive hybrid electroexplosive device incorporating an integral filter[J].IEEETransactionsonIndustryApplications, 1996, 32(2): 465-470.

[4] Novotney D B, Welch B M, Evick D W. Semiconductor bridge development for enhanced ESD and RF immunity[R]. AIAA99-2417: 1999.

[5] King T L, Tarbell W W. Pin-to-pin electrostatic discharge protection for semiconductor bridges[R].SAND2002-2213:2002.

[6] CHEN Fei, ZHOU Bin, QIN Zhi-chun, et al. Research on damage mechanism of SCB initiators under RF[J].PrzegladElektrotechniczny, 2012, 88(11A): 188-190.

[7] CHEN Fei, ZHOU Bin, QIN Zhi-chun, et al. EMC protection of SCB explosive devices by using SMD-Based NTC thermistors[J].IEEETransactionsonElectromagneticCompatibility, 2012, 54(6): 1216-1221.

[8] 陳飛, 周彬, 秦志春. 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻用于半導(dǎo)體橋火工品射頻防護(hù)的研究[J]. 南京理工大學(xué)學(xué)報(bào), 2012, 36(1): 2-5.

CHEN Fei, ZHOU Bin, QIN Zhi-Chun. Application of NTC Thermistors in Radio Frequency Protection of Semiconductor Bridge Initiators[J].JournalofNanjingUniversityofScienceandTechnology, 2012, 36(1): 2-5.

[9] ZHOU Bin, REN Gang, LI Yong, et al. Research on SMD Capacitor for RF Protection of SCB Initiators[J].AdvancedMaterialsResearch, 2013, 785-786: 1576-1581.

[10] 周彬, 王林獅, 秦志春. 一種半導(dǎo)體橋火工品抗靜電技術(shù)[J]. 火工品, 2010 (2): 5-7.

ZHOU Bin, WANG Lin-shi, QIN Zhi-chun. A Method of Anti-electrostatic Discharge for Semiconductor Bridge Initiators[J].Initiators&Pyrotechnics, 2010 (2): 5-7.

[11] 鐘明峰, 蘇達(dá)根, 莊嚴(yán). 多層片式ZnO壓敏電阻器內(nèi)電極材料研究[J]. 電子元件與材料, 2005, 24(11): 8-9.

ZHONG Ming-feng, SU Da-gen, ZHUANG Yan. Reseach on Inner Electrode of Multilayer Chip Varistor[J].ElectronicComponents&Materials, 2005, 24(11): 8-9.

[12] 陳飛. SCB火工品靜電、射頻損傷機(jī)理及其加固技術(shù)的研究[D]. 南京: 南京理工大學(xué), 2012.

CHEN Fei. Reseach on the damage mechanism and reinforcement technology of electrostatic and RF on SCB explosive devices[D]. Nanjing : Nanjing University of Science and Technology, 2012.

[13] 中華人民共和國(guó)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn). GJB-Z377A-1994: 感度試驗(yàn)用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法 [S]. 北京: 國(guó)防科學(xué)技術(shù)工業(yè)委員會(huì), 1994.