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高分辨率X射線探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)的研制及性能測(cè)試

2015-05-16 02:17:24張紅凱馮召東李曉輝杜秋宇魏書(shū)軍劉雙全秦秀波魏存峰
原子能科學(xué)技術(shù) 2015年3期
關(guān)鍵詞:暗電流電子學(xué)時(shí)序

張紅凱,馮召東,李曉輝,杜秋宇,魏書(shū)軍,劉雙全,秦秀波,魏存峰,魏 龍

(1.中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所核輻射與核能技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100049;

2.北京市射線成像技術(shù)與裝備工程技術(shù)研究中心,北京 100049;

3.中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京 100049;4.核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100049)

高分辨率X射線探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)的研制及性能測(cè)試

張紅凱1,2,3,馮召東1,2,3,李曉輝1,2,杜秋宇3,4,魏書(shū)軍1,2,劉雙全1,2,秦秀波1,2,魏存峰1,2,魏 龍1,2

(1.中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所核輻射與核能技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100049;

2.北京市射線成像技術(shù)與裝備工程技術(shù)研究中心,北京 100049;

3.中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京 100049;4.核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100049)

本文針對(duì)光錐耦合X射線探測(cè)器低噪聲的設(shè)計(jì)要求,研制了一套讀出電子學(xué)系統(tǒng),該系統(tǒng)包括模擬驅(qū)動(dòng)電路、前端處理電路及基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)的數(shù)字信號(hào)處理電路。利用X射線成像平臺(tái),對(duì)研發(fā)的探測(cè)器進(jìn)行了性能測(cè)試。探測(cè)器系統(tǒng)絕對(duì)增益為0.168 6DN/e-,線性工作范圍為0~154μGy。制冷溫度為-20℃時(shí),暗電流噪聲為0.037e-/(pixel·s),讀出噪聲為10.9e-。探測(cè)器的本征空間分辨率達(dá)16lp/mm。測(cè)試結(jié)果表明,研制的讀出電子學(xué)系統(tǒng)能滿足高分辨率X射線探測(cè)器對(duì)低噪聲特性的需求。

X射線探測(cè)器;讀出電子學(xué);現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列

X射線成像技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)無(wú)損檢測(cè)、勘探、考古、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。X射線探測(cè)器作為X射線成像系統(tǒng)的關(guān)鍵部件,其分辨率直接決定了X射線成像系統(tǒng)是否能應(yīng)用于小角度X射線散射實(shí)驗(yàn)和天文觀測(cè)等對(duì)成像質(zhì)量要求較高的科學(xué)研究[1-2]。因此,研制高分辨率的X射線探測(cè)器,對(duì)X射線成像技術(shù)的推廣應(yīng)用具有重要意義。

電荷耦合器件(CCD)具有像素尺寸小、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、量子效率高等特點(diǎn),滿足高分辨率X射線探測(cè)器對(duì)光電探測(cè)器件的要求[3]。利用光錐進(jìn)行光學(xué)耦合CCD,一方面可增大有效探測(cè)面積,另一方面可延長(zhǎng)CCD芯片的使用壽命,因此光錐耦合X射線探測(cè)器是高分辨率X射線探測(cè)器的重要發(fā)展方向[4]。高分辨率X射線探測(cè)器不僅需要性能良好的光電探測(cè)器件,也需要低噪聲的讀出電子學(xué)系統(tǒng)。本文介紹光錐耦合X射線探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì),并對(duì)由該讀出電子學(xué)系統(tǒng)組成的X射線探測(cè)器進(jìn)行性能測(cè)試。

1 光錐耦合X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

X射線探測(cè)器由光錐耦合閃爍屏、光電探測(cè)器件及讀出電子學(xué)系統(tǒng)等組成。光電探測(cè)器件采用Truesense公司的全幀型面陣CCD芯片KAF-16803,加設(shè)半導(dǎo)體制冷器有利于降低CCD芯片的熱噪聲影響。光錐耦合閃爍屏與CCD組成X射線傳感器,將X射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào),電信號(hào)通過(guò)讀出電子學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)化為計(jì)算機(jī)可顯示的數(shù)字信號(hào)。

考慮到密封和制冷效率,將讀出電子學(xué)系統(tǒng)分別集成在兩塊印制電路板(PCB)上。其中模擬PCB與CCD連接后封裝于防水、密封和避光的機(jī)械探頭中;數(shù)字PCB的平面與探頭軸線平行,以減少探測(cè)器體積,兩個(gè)PCB通過(guò)柔性PCB傳輸線連接。另外,將模擬電路和數(shù)字電路分開(kāi)設(shè)計(jì),可減少數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)間的相互干擾,從而降低讀出電子系統(tǒng)的電子學(xué)噪聲。

圖1 讀出電子學(xué)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖Fig.1 Structure diagram of read-out electronics system

2 讀出電子學(xué)系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)

X射線探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)硬件由模擬驅(qū)動(dòng)電路、前端處理電路、基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)的數(shù)字信號(hào)處理電路組成,如圖1所示。FPGA邏輯產(chǎn)生的時(shí)序信號(hào),通過(guò)模擬驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為CCD所需的驅(qū)動(dòng)脈沖和控制脈沖;在驅(qū)動(dòng)脈沖和控制脈沖的作用下,CCD將收集到的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),并通過(guò)水平移位寄存器逐行轉(zhuǎn)移出去;轉(zhuǎn)移出來(lái)的模擬信號(hào)經(jīng)ADC芯片轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),數(shù)字信號(hào)經(jīng)FPGA進(jìn)一步處理后,通過(guò)千兆以太網(wǎng)傳輸至后端的計(jì)算機(jī)。

模擬驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)主要包括兩部分:直流偏置電壓設(shè)計(jì)和時(shí)序驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[5]。直流偏置電壓主要由DC-DC芯片提供,為保證CCD正常工作,直流偏置電壓必須控制在CCD的額定電壓范圍內(nèi)。時(shí)序信號(hào)由FPGA邏輯產(chǎn)生,但其驅(qū)動(dòng)能力不足以滿足該CCD對(duì)時(shí)序信號(hào)電平的需求。因此,時(shí)序驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)采用專用CCD驅(qū)動(dòng)芯片,將FPGA邏輯產(chǎn)生的時(shí)序信號(hào)轉(zhuǎn)換為該CCD所需的驅(qū)動(dòng)脈沖和控制脈沖。

前端處理電路的任務(wù)是從CCD輸出的模擬信號(hào)中提取有用信號(hào),并轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。為有效提取有用信號(hào)而去除各種干擾和噪聲信號(hào),目前廣泛采用的是相關(guān)雙采樣技術(shù)[6]。本文采用ADI公司的AD9826,它是一款面向面陣CCD的前端處理芯片,具有三路相同的相關(guān)雙采樣電路、可編程增益放大器、1個(gè)模擬切換器以及1個(gè)16位的AD轉(zhuǎn)換器。

數(shù)字信號(hào)處理電路包括主控芯片F(xiàn)PGA和千兆以太網(wǎng)傳輸電路。FPGA主要用于產(chǎn)生CCD所需的時(shí)序信號(hào),并對(duì)經(jīng)AD9826轉(zhuǎn)換后的數(shù)字信號(hào)做進(jìn)一步處理。千兆以太網(wǎng)傳輸電路由FPGA內(nèi)部的MAC硬核和專用PHY芯片聯(lián)合實(shí)現(xiàn),并通過(guò)RG45網(wǎng)絡(luò)接口將數(shù)字信號(hào)傳輸至計(jì)算機(jī)。

X射線探測(cè)器讀出電子學(xué)系統(tǒng)的時(shí)序驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)集成在模擬PCB上,直流偏置電壓設(shè)計(jì)、前端處理電路和數(shù)字信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)集成在數(shù)字PCB上,模擬PCB通過(guò)柔性PCB與數(shù)字PCB進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

3 FPGA固件邏輯設(shè)計(jì)

FPGA固件邏輯主要包括CCD時(shí)序邏輯、SPI接口邏輯、千兆以太網(wǎng)絡(luò)接口邏輯。CCD時(shí)序邏輯模塊主要用于產(chǎn)生時(shí)序信號(hào),并提供有嚴(yán)格相位限制的雙采樣時(shí)鐘和模擬轉(zhuǎn)換時(shí)鐘,保證相關(guān)雙采樣技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。SPI接口邏輯模塊主要實(shí)現(xiàn)AD9826的模式配置。千兆以太網(wǎng)接口邏輯模塊實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋?/p>

FPGA固件邏輯的設(shè)計(jì)如圖2所示。上電后,F(xiàn)PGA通過(guò)千兆以太網(wǎng)接口接收來(lái)自上位機(jī)的配置命令,首先將并行配置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù),然后通過(guò)SPI總線接口對(duì)AD9826進(jìn)行配置,使之工作在單端口相關(guān)雙采樣模式。配置成功后,若上位機(jī)發(fā)出拍攝控制命令,CCD時(shí)序邏輯會(huì)產(chǎn)生時(shí)序信號(hào),該信號(hào)通過(guò)模擬驅(qū)動(dòng)電路,會(huì)轉(zhuǎn)換為CCD所需的驅(qū)動(dòng)脈沖和控制脈沖,同時(shí),CCD時(shí)序邏輯會(huì)提供有嚴(yán)格相位限制的雙采樣時(shí)鐘和模擬轉(zhuǎn)換時(shí)鐘,保證AD9826相關(guān)雙采樣技術(shù)的實(shí)現(xiàn),將CCD輸出模擬信號(hào)中的有用信號(hào)轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的數(shù)字信號(hào),該數(shù)字信號(hào)暫存于內(nèi)置FIFO中,并通過(guò)千兆以太網(wǎng)接口傳輸至上位機(jī)。

圖2 FPGA固件邏輯設(shè)計(jì)Fig.2 Firmware logic design of FPGA

4 系統(tǒng)集成與性能測(cè)試

用光錐耦合碘化銫(鉈)閃爍屏、CCD芯片KAF-16803、讀出電子學(xué)系統(tǒng)及冷卻裝置,構(gòu)成X射線探測(cè)器。利用X射線成像平臺(tái),對(duì)X射線探測(cè)器的重要性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試。

4.1 系統(tǒng)增益

本文研制的X射線探測(cè)器符合圖像傳感器及相機(jī)標(biāo)準(zhǔn)EMVA1288的4個(gè)要求,是一個(gè)線性系統(tǒng),因此,探測(cè)器系統(tǒng)絕對(duì)增益K滿足:

其中:σ2y為有X射線時(shí)圖像有效區(qū)域內(nèi)像素灰度的方差;σ2y,dark為無(wú)X射線時(shí)圖像有效區(qū)域內(nèi)像素灰度的方差;μy為有X射線時(shí)圖像有效區(qū)域內(nèi)像素灰度的平均值;μy,dark為無(wú)X射線時(shí)圖像有效區(qū)域內(nèi)像素灰度的平均值。

在ADC增益為0、偏置為0的情況下,得到X射線探測(cè)器的平場(chǎng)和暗場(chǎng)圖像,選取有效區(qū)域處理得到如圖3所示的光子轉(zhuǎn)移曲線,擬合直線斜率即系統(tǒng)絕對(duì)增益K=0.168 6DN/e-,與y軸的截距為3.422 8DN2,圖像灰度的方差在低灰度范圍內(nèi)與灰度大致呈正比,在接近CCD輸出飽和值時(shí)方差迅速下降。

圖3 光子轉(zhuǎn)移曲線Fig.3 Curve of photon transfer

4.2 線性工作范圍

本文研制的X射線探測(cè)器是一線性系統(tǒng),故輸出信號(hào)強(qiáng)度與入射劑量在一定范圍內(nèi)具有良好的線性關(guān)系。在-20℃,X射線管電壓為67.9kV、電流為1mA的情況下,通過(guò)增加曝光時(shí)間的方法增加入射劑量,得到X射線探測(cè)器的線性工作范圍。圖4為X射線探測(cè)器的線性響應(yīng)曲線,曝光時(shí)間為0時(shí),其偏置強(qiáng)度為1 616DN;繼續(xù)增加劑量而輸出信號(hào)強(qiáng)度不再增大時(shí),說(shuō)明輸出信號(hào)強(qiáng)度已達(dá)飽和,飽和強(qiáng)度為40 778DN。當(dāng)劑量超過(guò)154μGy時(shí),輸出信號(hào)強(qiáng)度不再隨劑量的增大呈線性增加,因此可知該X射線探測(cè)器的線性工作范圍為0~154μGy。

4.3 暗電流噪聲

暗場(chǎng)信號(hào)是熱生載流子在CCD像素勢(shì)阱中積累而產(chǎn)生的,隨著積分時(shí)間的增加而線性增大。根據(jù)圖像傳感器及相機(jī)標(biāo)準(zhǔn)EMVA 1288,暗場(chǎng)信號(hào)強(qiáng)度隨積分時(shí)間變化曲線的斜率即暗電流噪聲。暗電流噪聲測(cè)試在無(wú)光、ADC增益和偏置均為0的情況下進(jìn)行,圖5為制冷溫度分別為25℃和-20℃時(shí),暗電流噪聲測(cè)試的結(jié)果。25℃、-20℃的暗電流噪聲分別為15.041 0、0.006 3DN/(pixel·s)。在當(dāng)前增益下,灰度強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為電子,則25℃的暗電流噪聲為89e-/(pixel·s),-20℃的暗電流噪聲為0.037e-/(pixel·s)。光子科學(xué)公司生產(chǎn)的高分辨率CCD X射線探測(cè)器的暗電流噪聲一般低于0.05e-/(pixel·s)(制冷情況下),因此可知該X射線探測(cè)器的暗電流噪聲能滿足高分辨率X射線探測(cè)器的要求。

圖4 X射線探測(cè)器的線性響應(yīng)曲線Fig.4 Linear response curve of X-ray detector

圖5 暗電流噪聲測(cè)試Fig.5 Test of dark current noise

4.4 讀出噪聲及信噪比

讀出噪聲是CCD輸出信號(hào)通過(guò)電子線路中電荷轉(zhuǎn)移、信號(hào)放大、模數(shù)變換等過(guò)程而引入的噪聲,包括像素復(fù)位噪聲(KTC噪聲)、1/f噪聲及白噪聲等[7]。讀出噪聲隨機(jī)出現(xiàn),無(wú)法直接測(cè)量,但可由X射線探測(cè)器的光子轉(zhuǎn)移曲線外推,光子轉(zhuǎn)移曲線與y軸的截距即為讀出噪聲的平方[8]。因此,本文研制的X射線探測(cè)器讀出噪聲為1.85DN,當(dāng)前增益下的讀出噪聲為10.9e-。

根據(jù)圖像傳感器及相機(jī)標(biāo)準(zhǔn)EMVA1288,信噪比滿足:

其中:SNR為探測(cè)器系統(tǒng)信噪比;σy為有X射線時(shí)圖像有效區(qū)域內(nèi)像素的標(biāo)準(zhǔn)差。

利用測(cè)試系統(tǒng)增益時(shí)的數(shù)據(jù),可得到探測(cè)器系統(tǒng)信噪比隨劑量的變化曲線。系統(tǒng)信噪比曲線如圖6所示。當(dāng)入射X射線處于低劑量范圍內(nèi)(≤130μGy),信噪比隨劑量的增大而線性增大;當(dāng)劑量繼續(xù)增加至130μGy,信噪比達(dá)到飽和值;當(dāng)劑量超過(guò)150μGy,由于灰度強(qiáng)度接近飽和值,而灰度方差開(kāi)始不斷下降,從而導(dǎo)致信噪比重新開(kāi)始迅速上升。

圖6 信噪比曲線Fig.6 SNR curve

4.5 X射線探測(cè)器成像結(jié)果

圖7為本文研制的X射線探測(cè)器對(duì)最高分辨率為20lp/mm的鉛線對(duì)卡的成像結(jié)果,從左至右,空間分辨率依次增大。圖8為不同空間分辨率處鉛線對(duì)卡圖像的截面灰度曲線。

圖7 鉛線對(duì)卡的X射線成像結(jié)果Fig.7 X-ray image of lead line-pair card

圖8 不同空間分辨率處鉛線對(duì)卡圖像的截面灰度曲線Fig.8 Cross-section gray curves of lead line-pair card image at different spatial resolutions

根據(jù)Michelson對(duì)比度的定義:

其中:C為對(duì)比度;Ib為像素灰度本底值;Imax為像素灰度波峰值;Imin為像素灰度波谷值。

根據(jù)各空間分辨率的截面灰度曲線,計(jì)算不同空間分辨率處的矩形波對(duì)比度,結(jié)果列于表1。分辨率為16lp/mm時(shí),對(duì)比度為10%,一般情況下采用對(duì)比度為10%的線對(duì)數(shù)表征系統(tǒng)的空間分辨能力,因此可知該X射線探測(cè)器的本征空間分辨率為16lp/mm。

本文研制的X射線探測(cè)器與光子科學(xué)公司生產(chǎn)的X-ray VHR CCD Camel的比較列于表2,其暗電流噪聲和空間分辨率性能指標(biāo)均優(yōu)于光子科學(xué)公司生產(chǎn)的X-ray VHR CCD Camel,因此該X射線探測(cè)器能滿足高分辨率X射線探測(cè)器的要求。

表1 鉛線對(duì)卡不同空間分辨率處截面灰度的對(duì)比度Table 1 Contrast of cross-section gray at different spatial resolutions of lead line-pair card

表2 X射線探測(cè)器的比較Table 2 Comparison of X-ray detector

5 結(jié)論

本文針對(duì)全幀型CCD圖像傳感器KAF-16803,基于FPGA器件,采用集成的相關(guān)雙采樣電路和增益調(diào)節(jié)電路的16位ADC芯片,研制了一套低噪聲的讀出電子學(xué)系統(tǒng)。采用光錐耦合碘化銫(鉈)閃爍屏、CCD芯片KAF-16803、讀出電子學(xué)系統(tǒng)及冷卻裝置構(gòu)成X射線探測(cè)器。在X射線成像平臺(tái)上對(duì)探測(cè)器進(jìn)行性能測(cè)試,結(jié)果表明:由讀出電子學(xué)系統(tǒng)所組成的光錐耦合X射線探測(cè)器能滿足小角度X射線散射和天文觀測(cè)等科學(xué)研究平臺(tái)的高性能需求,具有較大的推廣應(yīng)用價(jià)值。

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Development and Performance Evaluation of Read-out Electronics System for High Resolution X-ray Detector

ZHANG Hong-kai1,2,3,F(xiàn)ENG Zhao-dong1,2,3,LI Xiao-h(huán)ui1,2,DU Qiu-yu3,4,WEI Shu-jun1,2,LIU Shuang-quan1,2,QIN Xiu-bo1,2,WEI Cun-feng1,2,WEI Long1,2
(1.Key Laboratory of Nuclear Radiation and Nuclear Energy Technology,
Institute of High Energy Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China;
2.Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment,Beijing100049,China;
3.University of Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China;
4.State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics,Beijing100049,China)

An electronics system was developed according to the low noise requirement of FOT X-ray detector in this paper.The electronics system consists of an analog drive circuit,a front end processing circuit and a digital signal processing circuit which is based on field programmable gate array(FPGA).The performance of FOT X-raydetector was evaluated on the X-ray imaging platform.The overall system gain is 0.168 6DN/e-,and the linear operating range of the detector is 0-154μGy.When the cooling temperature reaches-20℃,the dark current noise is 0.037e-/(pixel·s)and the read noise is 10.9e-.The intrinsic spatial resolution of the detector is 16lp/mm.The results indicate that the designed read-out electronics system meets the requirements of high resolution X-ray detector.

X-ray detector;read-out electronics;FPGA

TL82

:A

:1000-6931(2015)03-0534-06

10.7538/yzk.2015.49.03.0534

2014-08-25;

2014-10-14

國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)資助(2011YQ03011205,2013YQ03062902);國(guó)家自然科學(xué)基金大裝置聯(lián)合基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(U1332202)

張紅凱(1988—),男,河南鶴壁人,碩士研究生,粒子物理與原子核物理專業(yè)

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