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混響室電磁環(huán)境場強測量位置的選取分析

2015-06-12 12:35:45孟令媛魏光輝潘曉東范麗思萬浩江
裝甲兵工程學院學報 2015年6期
關(guān)鍵詞:混響室平面波散射體

孟令媛, 魏光輝, 潘曉東, 范麗思, 萬浩江

(軍械工程學院靜電與電磁防護研究所, 河北 石家莊 050003)

混響室電磁環(huán)境場強測量位置的選取分析

孟令媛, 魏光輝, 潘曉東, 范麗思, 萬浩江

(軍械工程學院靜電與電磁防護研究所, 河北 石家莊 050003)

為獲得混響室加載狀態(tài)下環(huán)境場強的最佳測試位置和降低混響室測試誤差,以3維立方良導體作為一般受試設(shè)備,在單列平面波垂直入射下仿真計算了最接近環(huán)境場強測試位置的測試方向和相對距離,分析了受試設(shè)備電尺寸對測試點選取的影響。改變平面波入射角,計算斜入射情況下選取的位置場強與環(huán)境場強的相對誤差,結(jié)果表明其滿足實驗要求。推廣至以多列平面波疊加場分布的混響室,分析計算了所選測試位置的相對誤差,結(jié)果表明:其能控制在3%以內(nèi),滿足實驗要求,可應(yīng)用于實際環(huán)境場強測試。

混響室;平面波;環(huán)境場強

目前,進行電磁環(huán)境效應(yīng)測試的場地主要有開闊場、電波暗室或半電波暗室、TEM室、GTEM室和混響室等。開闊場、電波暗室等試驗設(shè)施的電磁激勵能量與測試區(qū)域輻射強度之間的轉(zhuǎn)換效率很低。混響室是在高品質(zhì)因數(shù)(Q)的屏蔽殼內(nèi)設(shè)置發(fā)射天線作為電磁激勵源,通過1個或多個金屬機械(電)攪拌器的轉(zhuǎn)動,改變電磁場的邊界條件以及屏蔽腔體的諧振條件,使電磁場以多模方式工作,以獲得空間統(tǒng)計均勻、各向同性、隨機極化的電磁環(huán)境,改善其場均勻性[1-3]。混響室的構(gòu)造和工作原理決定了其與傳統(tǒng)測試場地相比具有顯著優(yōu)勢:1)可激發(fā)較高強度的電磁環(huán)境,但只需相對較小的激勵功率,所形成的隨機極化環(huán)境可使受試設(shè)備無需翻轉(zhuǎn),天線無需改變極化方向便可完成電磁輻射效應(yīng)測試;2)建造成本低,測試時間短;3)可完成較大系統(tǒng)的輻射干擾場強測試等。

加載物可改變混響室腔內(nèi)電磁場的散射,進而改變混響室中場傳播的隨機性和均勻性,影響受試設(shè)備所處環(huán)境場的測定。文獻[4-5]作者通過測量Q值來推導有損球體、圓柱體設(shè)備在所有入射角度和極化方向的積分,進而得到平均散射截面、分析天線等加載物對混響室腔體內(nèi)場分布的影響,但沒有涉及立方體形狀的受試設(shè)備對混響室腔體內(nèi)場分布的影響。筆者從平面波出發(fā),以3維立方良導體為一般受試設(shè)備,分析其散射對均勻場的影響,提出在一定誤差下表征受試設(shè)備所處環(huán)境電場強度最佳測試點的選取原則,并在隨機平面波疊加場存在的混響室中進行驗證。

1 電磁場計算方法

受試設(shè)備作為加載物置于測試場地,在電磁波輻照下其帶電粒子與入射電磁場發(fā)生相互作用,所形成的電流、電荷分布作為“新場源”可發(fā)生 “二次輻照”(即電磁散射),這將影響場分布的測定。計算電磁散射的方法主要有如下3種。

1)電磁散射的嚴格解。主要應(yīng)用分離變量法來求解特殊形狀散射體的解析解,即將入射場分離為某一特定坐標系下的多級數(shù)形式,并設(shè)散射場也可展開為該坐標系下同樣的多級數(shù)形式,結(jié)合嚴格的邊界條件以及電磁場的唯一性定理,確定的散射場展開系數(shù)正確且唯一,適用于求解表面與坐標等直面平行或重合的散射體。

2)電磁散射的近似解。根據(jù)散射體的電尺寸和適用頻率,主要有高頻近似和低頻近似2種方法,其中以高頻近似為主,其從場的局部特性出發(fā),反射場和散射場由入射場和散射體表面的局部性質(zhì)決定,只需關(guān)注散射體上散射點等局部區(qū)域,簡化了散射場相關(guān)積分方程,適用于分析大電尺寸散射體的散射場特性。

3)電磁散射的數(shù)值解。主要有矩量法、有限元法和有限時域差分法等[6]。其中:矩量法是基于電磁疊加原理,利用散射體上的電荷ρ、磁荷ρ′、電流J、磁流J′來求解散射場[6]。本文利用以矩量法為核心算法的Feko軟件,以尺寸為1 m×1 m×1 m、施加幅值為1 V/m的入射電磁場的立方良導體為研究對象,沿x軸方向的單一單位平面波入射,考察附近的散射場分布,尋找最接近環(huán)境場強的測試點。

2 單一平面波垂直入射的電磁場空間分布

2.1 測試點相對距離的選取

設(shè)電磁波沿X軸方向入射,測試點與Y軸正方向(順時針方向)的夾角為θ(順時針方向),見圖1。

圖1 測試角度θ

圖2為立方體散射方向與輻射方向相反的散射場分布情況。

圖2 立方體散射方向與輻照方向相反的散射場分布

當0°<θ<90°時,立方體的散射場方向與輻照方向相反,與頻率相同的入射場疊加產(chǎn)生駐波分布,測試誤差較大,不適合作為測試點。為方便實驗測定,以θ=180°的測試方向考察立方體頂角較為合適的相對距離l/λ。仍設(shè)入射波為工作頻率f(80 MHz≤f≤1 GHz)連續(xù)變化的單位平面電磁波;極化方向沿Z軸正方向,入射方向沿X軸;垂直立方體前端面入射;計算距離0.05 m≤l≤5 m的電場強度,并取其模值;頻點選56組,以0.05 m為間隔選100個點,可得56×100組數(shù)據(jù)。圖3為該測試方向上測量相對誤差ε隨l/λ變化的趨勢,其中:ε=(|E|-|Ei|)/|Ei|,|E|為測試點處場強模值,|Ei|為入射場強模值。

圖3 θ=180°的測試方向上ε隨l/λ變化趨勢

由圖3可以看出:1)ε隨著l/λ的增大呈現(xiàn)振蕩衰減,這是由于平面波照射良導體表面產(chǎn)生極化電流時,立方體周圍的散射場即為極化電流在該位置處的輻射場;2)當l/λ趨于無限大時,散射輻射場就等于0,該處的場分布為施加的平面波所產(chǎn)生的電磁場,場強模值的測量誤差也就趨于0;3)當l/λ≥2時,均可將ε控制在±15%以內(nèi),但對低頻工作狀態(tài),往往很難滿足這樣的測試距離。

圖4為0

圖4 不同頻率下ε隨l/λ的變化趨勢

2.2 受試設(shè)備電尺寸對測試點選取的影響

改變立方體的電尺寸,邊長a=λ,5λ,10λ,計算不同l/λ下測試點的實際場強模值與環(huán)境場強模值的相對誤差。圖5為f= 300 MHz,不同電尺寸下,θ=180°的測試方向上ε隨l/λ的變化趨勢。由此可見:二者均呈現(xiàn)振蕩衰減,且當l/λ=0.2時,ε在±15%以內(nèi)。

圖5 f=300 MHz時,不同尺寸下的ε隨l/λ變化趨勢

3 單一平面波斜入射電磁場空間分布

當受試設(shè)備置于混響室時,存在垂直入射和斜入射的電磁波??紤]入射平面波非垂直入射的情況,設(shè)入射角φ以順時針方向為正方向,圖6為θ=180°的測試方向上,φ=-30°,-60°,30°,60°時,選取80 MHz≤f≤1 GHz間的56個頻點,分析測試點的|ε|隨l/λ的變化趨勢??梢钥闯觯?)由于斜入射時,所選的測試方向并不一定是ε最小的方向,所以與垂直入射相比ε整體上較大;2)選取θ=180°的測試方向,l/λ=0.2時,ε可保證在40%以內(nèi),能滿足實驗誤差范圍要求。

4 混響室中測試位置的選取

Hill[7]理論推導了充分攪拌后的混響室腔內(nèi)場分布的平面波積分方程表達式,其統(tǒng)計特性可由隨機變量平面角譜來描述;Franco等[8]利用一定數(shù)量的隨機平面波疊加來模擬由于攪拌器轉(zhuǎn)動時產(chǎn)生不同方向傳播的電磁波。本文采用多列平面波入射來簡單模擬混響室內(nèi)場分布,方向角和高低角均以10°為間隔施加線性極化的單位平面波,如圖7所示。

選取l/λ=0.2的點作為測試點,分別計算立方體置于平面波場前、后該測試點的場強模值,設(shè)分別為|E|和|E′|,此時ε=(|E′|-|E|)/|E|。

圖8為80 MHz≤f≤500 MHz時,利用Feko仿真軟件計算的測試點ε??梢钥闯觯害烹S著f的增大呈現(xiàn)振蕩衰減,但ε總體較小,在±3%以內(nèi)。這是由于所建立的混響室模型為理想電磁環(huán)境,不同入射方向的平面波之間相互作用,從而使ε比單列波的更小,表明選取的測試點可用于混響室中受試設(shè)備環(huán)境場強的測定。

圖6 斜入射時ε隨l/λ變化趨勢

圖7 多列平面波疊加模擬的混響室環(huán)境

圖8 測試點ε隨f變化趨勢

[1] 張林昌. 電磁輻射測量場地的進展[J]. 安全與電磁兼容, 2003(3): 1-6.

[2] 魏光輝. 射頻強場電磁環(huán)境試驗系統(tǒng)可行性研究[J]. 實驗室研究與探索, 2005,24(6):21-24.

[3] 李爾平,高捷. 應(yīng)用新型混響室技術(shù)進行電磁輻射和抗干擾檢測[J]. 安全與電磁兼容, 2004(5):28-30.

[4] Hill D A, Ma M T, Ondrejka A R, et al. Aperture Excitation of Electrically Large, Loss, Cavities[J]. IEEE Trans Electromagn Compat, 1994, 36(3): 169-178.

[5] Carlberg U, Kildal P S, Wolfgang A, et al. Calculated and Measured Absorption Cross Sections of Lossy Objects in Reverberation Chamber[J]. IEEE Trans Electromagn Compat, 2006, 46(2): 146-154.

[6] 何國瑜,盧才成,洪家才,等. 電磁散射的計算和測量[M]. 北京: 北京航空航天大學出版社, 2006: 86-89.

[7] Hill D A. Plane Wave Integral Representationfor Fields in Reve-rberation Chambers [J]. IEEE Trans Electromagn Compat, 1998, 40(3): 209-217.

[8] Franco M, Anna P P. FDTD Analysis of Plane Wave Superpositionto Simulate Susceptibility Tests in Reverberation Chambers[J]. IEEE Trans Electromagn Compat, 2006, 48(1): 195-202.

(責任編輯: 王生鳳)

Selection of E-field Intensity Measurement Position in Reverberation Chamber

MENG Ling-yuan, WEI Guang-hui, PAN Xiao-dong, FAN Li-si, WAN Hao-jiang

(Institute of Electrostatic and Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003, China)

To get the best position in the working volume to test the environment field intensity and decrease the testing error in reverberation chamber, the 3D cube electrical conductor is taken as the general device under test to simulate and calculate the testing orientation and relative distance of the position measured whose field intensity is closest to the environmental field intensity when under the unit vertical incident plane wave, and the effect of selecting measured position on different electrical size of EUT is analyzed. Changing the incident angle of plane wave, the relative error of field intensity in selected position and environment field intensity is calculated, which proves it satisfies the experimental requirement; as it is popularized to the reverberation chamber which is recreated by a superposition of a finite number of random plane waves, the relative error of the selected position is calculated can be controlled within 3%, which proves it satisfies the experimental requirement and is applicable in actual environmental field intensity testing.

reverberation chamber; plane wave; environmental field intensity

1672-1497(2015)06-0098-04

2015-07-23

國家自然科學基金資助項目(61372040)

孟令媛(1991-),女,碩士研究生。

O441.4

A

10.3969/j.issn.1672-1497.2015.06.019

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