李銳，豐景義，溫剛，喬云霞，徐凱，崔青

液晶組分以及V-T曲線漂移與線殘像關(guān)系研究

李銳*，豐景義，溫剛，喬云霞，徐凱，崔青

(石家莊誠(chéng)志永華顯示材料有限公司，河北石家莊050091)

線殘像是液晶顯示不良的一種表現(xiàn)，對(duì)在Cell中短時(shí)間內(nèi)判斷液晶線殘像的強(qiáng)弱進(jìn)行了研究。本文使用了4種介電各向異性相同的液晶，對(duì)這4款混晶所制成的TFT-LCD屏進(jìn)行了線殘像水平測(cè)定，系統(tǒng)分析了混晶的組分與線殘像的關(guān)系，并使用了一種通過(guò)加直流電壓測(cè)試V-T曲線的漂移來(lái)判斷液晶殘像強(qiáng)弱的方法，對(duì)4款混晶做了V-T曲線漂移實(shí)驗(yàn)。組分分析表明，介電各向異性相同的情況下，液晶中－CF2O－類單體和－COO－類單體的使用會(huì)導(dǎo)致線殘像的發(fā)生。V-T漂移實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Vth變化率小于5%時(shí)，液晶顯示線殘像輕微，Vth變化率大于10%時(shí)，線殘像嚴(yán)重。這種方法可以在Cell中進(jìn)行，并且使測(cè)試時(shí)間明顯縮短，這對(duì)提高液晶的研發(fā)效率具有指導(dǎo)意義。

TFT-LCD;線殘像;直流電壓;V-T漂移

1 引言

液晶顯示(LCD)作為液晶——這一特殊材料的一項(xiàng)最重要的應(yīng)用，從液晶特性發(fā)現(xiàn)不久就一直得到人們的廣泛關(guān)注［1-2］。近年來(lái)，液晶顯示器以其寬的工作溫度范圍、低功耗、低工作電壓、低空間占有率以及輕薄美觀等優(yōu)勢(shì)，不斷普及，成為市場(chǎng)的主流，液晶顯示已經(jīng)與我們的生活和工作息息相關(guān)。隨著人們對(duì)顯示要求不斷提高，對(duì)于畫(huà)面品質(zhì)也提出了越來(lái)越高的要求，而畫(huà)面品質(zhì)待改善的問(wèn)題之一就是影像殘留(Image Sticking)，簡(jiǎn)稱殘像［3-5］。

當(dāng)液晶顯示器長(zhǎng)時(shí)間顯示同一個(gè)畫(huà)面，在把畫(huà)面切換到下一個(gè)畫(huà)面時(shí)，原先的畫(huà)面會(huì)殘留在下一畫(huà)面中，這種現(xiàn)象就稱為殘像。殘像問(wèn)題由于形成機(jī)理比較復(fù)雜［6-9］，涉及液晶與器件等多個(gè)方面，作為全世界各大廠商正在解決的問(wèn)題，一直也沒(méi)有比較好的解決方案，而在從事液晶制造行業(yè)的廠商中，也需要能夠在液晶盒中判斷液晶殘像的簡(jiǎn)便方法［10-15］。本文對(duì)4款介電各向異性相同但組分不同的液晶所制成的TFT-LCD產(chǎn)品的線殘像進(jìn)行了殘像水平測(cè)定，探討了殘像水平與液晶組分的關(guān)系，并探究了一種通過(guò)加直流電壓測(cè)試V-T曲線的漂移來(lái)判斷液晶殘像強(qiáng)弱的方法。

2 實(shí)驗(yàn)

2．1液晶選取

在大部分文獻(xiàn)中，認(rèn)為介電各向異性(Δε)較大、極性較強(qiáng)的混合液晶，線殘像水平較差。我們認(rèn)為混晶Δε的數(shù)值決定于組成混晶各個(gè)單體的極性大小，相同Δε值的混晶可能由完全不同的單體組成。我們選擇了4款我司自主生產(chǎn)的Δε相同的液晶作為實(shí)驗(yàn)材料，將混晶Δε的因素排除，進(jìn)一步研究單體組分的極性對(duì)液晶線殘像的影響。4款液晶組分及單體編號(hào)見(jiàn)表1～表4。

表1 LC-1液晶組成Tab．1Composition of LC-1

續(xù)表

表2 LC-2液晶組成Tab．2Composition of LC-2

表3 LC-3液晶組成Tab．3Composition of LC-3

表4 LC-4液晶組成Tab．4Composition of LC-4

續(xù)表

2．2參數(shù)測(cè)試

對(duì)4款實(shí)驗(yàn)用液晶進(jìn)行常規(guī)參數(shù)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表5。

參數(shù)測(cè)試儀器和方法:

Clearing Point:DSC定量測(cè)試法;

Viscosity:LVDV-I+VISCOMETER;

Rotational Viscosity:不添加手性劑，平行盒，25℃;INSTEC:ALCT-IR1測(cè)試。

!n:ZWA-J型阿貝計(jì)(量程1．3～1．7);

!"、"#:不添加手性劑，平行盒，(25±2)℃; INSTEC:ALCT-IR1;

V90，0，25、V10，0，25:添加手性劑，7．0 μm左旋TN液晶盒，(25±2)℃，DMS-501綜合測(cè)試儀;

K11、K33:不添加手性劑，平行盒，25℃;INSTEC:ALCT-IR1測(cè)試。

HTP、P:楔形盒;讀數(shù)顯微鏡，25℃±2℃。

表5 LC-1～LC-4常規(guī)參數(shù)Tab．5Paramaters of LC-1～LC-4

續(xù)表

2．3殘像水平測(cè)試

使用4×4的黑白格對(duì)4款液晶的線殘像進(jìn)行測(cè)試(圖1，5 V交流電驅(qū)動(dòng)，頻率為128 Hz，每24 h觀察一次，共驅(qū)動(dòng)120 h。觀察時(shí)切換到中間灰度(圖2)，觀察線殘像水平(圖3)。

圖14 ×4黑白格Fig．14×4 check board

圖2 中間灰度Fig．250%gray level

圖3 線殘像示意圖Fig．3Line image sticking

2．4V-T曲線漂移測(cè)試

將4款液晶分別灌入7．0 μm左旋TN液晶盒中，使用封口膠封口，在液晶盒兩玻璃基板表面貼45°偏光片，使上下兩偏光片的偏光軸呈90°，將液晶盒放入DMS-501綜合測(cè)試儀的暗箱中，正負(fù)電極加電，控溫在25℃。首先使用交流電壓測(cè)試初始V-T，條件為0～5 V、Step=0．1 V，測(cè)試完畢后，持續(xù)加5 V直流電壓30 min，靜置1 min，測(cè)試V-T。重復(fù)加30 min直流電壓和測(cè)試V-T的過(guò)程，共持續(xù)3 h。

3 結(jié)果與討論

3．1線殘像水平測(cè)試結(jié)果與分析

線殘像水平測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖4。

圖4線殘像水平測(cè)試結(jié)果Fig．4Result of line image sticking test

圖4 中LC-1驅(qū)動(dòng)72 h仍未觀察到殘像，直到96 h才有輕微殘像產(chǎn)生;LC-4驅(qū)動(dòng)24 h沒(méi)有殘像發(fā)生，48 h觀察有輕微殘像;LC-1和LC-2在驅(qū)動(dòng)24 h就可觀察到輕微殘像，隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間的延長(zhǎng)，殘像水平變差。4款液晶的殘像嚴(yán)重程度為L(zhǎng)C-3＞LC-2＞LC-4＞LC-1。

在殘像水平較差的液晶LC-3和LC-2中，共同點(diǎn)是同時(shí)使用了CCZPC和PUQUF兩種單體，而LC-4中未使用PUQUF，LC-1中兩種單體都未使用，百分?jǐn)?shù)見(jiàn)表6。

表6 四款液晶中CCZPC和PUQUF質(zhì)量百分?jǐn)?shù)Tab．6Percentage of CCZPC and PUQUF in 4 LC mixtures

根據(jù)殘像水平測(cè)試結(jié)果，我們認(rèn)為，PUQUF單體對(duì)殘像產(chǎn)生起主要作用，CCZPC單體起輔助作用，由于PDQUF單體具有強(qiáng)極性，因此導(dǎo)電性較好，在電流作用下穩(wěn)定性較差，隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間的延長(zhǎng)，少量PDQUF單體會(huì)發(fā)生分解，形成離子型不純物。在器件中，受到像素結(jié)構(gòu)、工藝技術(shù)等的限制，在像素區(qū)會(huì)出現(xiàn)交流驅(qū)動(dòng)不對(duì)稱的地方，偏離對(duì)稱中心的那部分電壓就是DC偏置。DC偏置會(huì)吸引液晶中的離子型不純物，在這個(gè)地方形成殘留DC偏置，也就是形成一個(gè)反向電場(chǎng)，因此，顯示畫(huà)面部分區(qū)域中形成離子極性殘留，在切換到下一個(gè)不同的顯示畫(huà)面時(shí)，由于反向電場(chǎng)的作用，使得液晶分子不能正確保持設(shè)計(jì)要求的排列狀態(tài)，形成線殘像，當(dāng)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，等到離子極性殘留散開(kāi)后，才能正常顯示下一畫(huà)面。LC-3中PUQUF類單體占到29%，因此殘像水平最差。CCZPC類單體由于含有酯基，容易受到離子影響發(fā)生分解，當(dāng)PUQUF與CCZPC類單體同時(shí)存在時(shí)，PUQUF類單體由于極性大容易分解產(chǎn)生離子型不純物，產(chǎn)生的離子型不純物與CCZPC類單體中的酯基發(fā)生反應(yīng)進(jìn)一步產(chǎn)生離子，使其更易受到DC偏置電壓的影響。因此，LC-2中，雖然PUQUF類單體比LC-4中少6%，但是由于存在8%的CCZPC類單體，使得LC-2的殘像比LC-4要嚴(yán)重得多。而混晶LC-1，Δε同為9．8，單體組成中中性單體較少，單體極性比較平均，殘像水平最好。

3．2V-T漂移結(jié)果對(duì)比

圖5～圖8是4款液晶的V-T漂移實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

圖5 LC-1 V-T漂移測(cè)試結(jié)果Fig．5V-T Drift of LC-1

圖6 LC-2 V-T漂移測(cè)試結(jié)果Fig．6V-T Drift of LC-2

圖7 LC-3 V-T漂移測(cè)試結(jié)果Fig．7V-T Drift of LC-3

圖8 LC-4 V-T漂移測(cè)試結(jié)果Fig．8V-T Drift of LC-4

TN液晶是常白模式，加電時(shí)液晶發(fā)生Frederiks轉(zhuǎn)變，透過(guò)率降低，當(dāng)透過(guò)率變化10%時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓為V10，即閾值電壓Vth。在圖5中，液晶LC-1的初始Vth為1．64 V，當(dāng)使用5 V直流電驅(qū)動(dòng)30 min后，光電曲線右移0．06 V，Vth數(shù)值由1．64減小為1．58，驅(qū)動(dòng)60 min后，光電曲線繼續(xù)右移0．02 V，繼續(xù)驅(qū)動(dòng)，光電曲線保持不變;圖6中，液晶LC-2初始Vth為1．76 V，最終減小為1.56 V后保持不變;圖7中，液晶LC-3初始Vth為1．71 V，最終減小到1．37 V保持不變;圖8中，液晶LC-4初始Vth為2．02 V，最終減小到1.81 V保持不變。我們引入?yún)?shù)Y來(lái)表示Vth的變化率:

四款液晶的初始Vth與終止Vth以及變化率Y見(jiàn)表7?？梢?jiàn)Y3＞Y2＞Y4＞Y1(圖9)，與殘像水平測(cè)試結(jié)果一致(圖10，因此，Vth變化率越大，殘像水平越差。當(dāng)變化率Y小于5%時(shí)，液晶顯示殘像輕微，當(dāng)變化率大于10%時(shí)，殘像嚴(yán)重。

表7 LC-1～LC-4的Vth變化率Tab．7Rate of change of LC-1～LC-4

圖9 Vth變化率Fig．9Change rate of Vth

圖10 殘像等級(jí)測(cè)試結(jié)果Fig．10Image-sticking level

3．3V-T漂移機(jī)理

通過(guò)構(gòu)建離子模型可清晰地顯示V-T漂移的機(jī)理。在初始階段沒(méi)有外加電場(chǎng)，如圖11(a)，液晶分子由于配向作用呈1～2°預(yù)傾角排列，液晶顯示為常白模式，當(dāng)加電測(cè)試閾值電壓Vth時(shí)，液晶分子由接近于水平狀態(tài)開(kāi)始偏轉(zhuǎn)，此時(shí)Δε的初始垂直分量較小，隨著液晶旋轉(zhuǎn)Δε垂直分量逐漸增大，由于Vth=π(K/ε0Δε)1/2，Vth與Δε呈負(fù)相關(guān)，所以這時(shí)測(cè)試的Vth數(shù)值是較大的。當(dāng)給液晶加5 V恒定直流電，如圖11(b)，液晶中的帶電離子受到外加電場(chǎng)的作用分別向兩基板移動(dòng)、聚集，上基板聚集負(fù)離子，下基板聚集正離子，在液晶內(nèi)部形成一個(gè)反向的內(nèi)電場(chǎng)Vin。同時(shí)，液晶分子受到電場(chǎng)作用產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極矩，上端為負(fù)極、下端為正極。隨著加電時(shí)間的增長(zhǎng)，上下基板聚集的帶電離子越來(lái)越多，形成的內(nèi)電場(chǎng)Vin也就增大。撤電時(shí)，如圖11(c)，由于液晶的電壓保持作用，使得離子形成的反向電場(chǎng)Vin繼續(xù)保持，在Vin的作用下，液晶分子的誘導(dǎo)偶極矩發(fā)生反轉(zhuǎn)，即上端由負(fù)極變?yōu)檎龢O，下端由正極變?yōu)樨?fù)極，使液晶分子無(wú)法回到發(fā)生Frederiks轉(zhuǎn)變之前的狀態(tài)，等效于液晶分子形成一個(gè)更大的初始預(yù)傾角，液晶在這種狀態(tài)下測(cè)試Vth，由于初始預(yù)傾角增大，液晶Δε的初始垂直分量變大，因此測(cè)試的Vth變小，V-T曲線左移。在比較液晶的品質(zhì)時(shí)，液晶帶電離子越多，加電時(shí)形成的內(nèi)電場(chǎng)Vin就越大，導(dǎo)致V-T曲線變化率越大，殘像水平就越嚴(yán)重。

圖11 V-T漂移離子模型Fig．11V-T Drift ion model

4 結(jié)論

通過(guò)對(duì)4款介電各向異性數(shù)值相同的液晶進(jìn)行殘像水平測(cè)試，發(fā)現(xiàn)當(dāng)液晶組分中同時(shí)含有CCZPC和PUQUF兩類單體時(shí)，線殘像最嚴(yán)重;若不含CCZPC類單體而PUQUF類單體含量較多時(shí)，也會(huì)導(dǎo)致線殘像，但殘像等級(jí)不及同時(shí)含有CCZPC類和PUQUF類兩類單體的液晶。為了探索一種能夠在Cell中快速判斷液晶線殘像水平的簡(jiǎn)便方法，本文對(duì)4款液晶進(jìn)行了加直流電的V-T曲線漂移實(shí)驗(yàn)，并使用了Vth的變化率來(lái)表征殘像強(qiáng)弱，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:Vth變化率小于5%時(shí)，液晶線殘像輕微，Vth變化率大于10%時(shí)，液晶線殘像嚴(yán)重。Vth變化率越大，線殘像越嚴(yán)重。這種方法可以在Cell中進(jìn)行，并且使測(cè)試時(shí)間明顯降低，這對(duì)提高液晶的研發(fā)效率具有指導(dǎo)意義。

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LC mixture composition and V-T drift related to line image sticking

LI Rui*，F(xiàn)ENG Jing-yi，WEN Gang，QIAO Yun-xia，XU Kai，CUI Qing
(Shijiazhuang Chengzhiyonghua Display Materials Co．，Ltd，Shijiazhuang 050091，China)

Image sticking is a display defect of TFT-LCD．The problem is to judge the level of line image sticking in cell in a short time．Generally，image sticking is related to dielectric anisotropy of liquid crystal．In this paper，4 LC mixtures which have the same dielectric anisotropy are used for image sticking research．The line image sticking level of TFT-LCD using the 4 kinds of LC mixtures are evaluated．The relationship between LC mixture composition and line image sticking is analyzed．The use of－CF2O－and－COO－type of single can lead to line image sticking．In this paper，a method of measuring the strength of image sticking by testing the drift of V-T curve in DC voltage is explored．The principle of this method is analyzed．The experimental shows that when the rate of changeis less than 5%，line image sticking is slight，when larger than 10%，line image sticking is serious．This method can be carried out in Cell，and the test time was significantly reduced，which has the significance for improving the efficiency of the liquid crystal developing．

TFT-LCD;line image sticking;DC voltage;V-T drift

TN104．3;TN27

A

10．3788/YJYXS20153004．0581

李銳(1986－)，男，河北石家莊人，碩士，工程師，主要從事顯示材料方面研究。E-mail:ruirui861221@126．com

1007-2780(2015)04-0581-09

2014-10-22;

2015-01-07．

*通信聯(lián)系人，E-mail:ruirui861221@126．com