葛騰杰,國(guó)海峰,李 瑞
(1大慶化工研究中心,黑龍江大慶 163714)
極低密度聚乙烯樹(shù)脂(VLDPE)為第4代聚乙烯[1],在聚合過(guò)程中添加了多于常規(guī)量的α烯烴共聚單體,如丁烯、己烯、辛烯等,密度范圍拓寬至0.880~0.915 g/cm3。VLDPE 具有高柔韌性、較寬的溫度使用范圍以及優(yōu)良的抗穿刺性、抗撕裂性和耐環(huán)境應(yīng)力開(kāi)裂、低氣味等優(yōu)良特性,在薄膜、醫(yī)用軟管、發(fā)泡、電線(xiàn)電纜、注塑和吹塑等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
共聚單體含量高的VLDPE賦予了產(chǎn)品許多性能優(yōu)勢(shì),卻提高了裝置生產(chǎn)難度。聚合反應(yīng)需在較低的溫度和壓力下進(jìn)行,共聚單體己烯的進(jìn)料量大,反應(yīng)體系黏度大,易粘壁形成結(jié)片;反應(yīng)體系細(xì)粉含量較高,易堵塞分布板,不利于裝置的長(zhǎng)周期穩(wěn)定運(yùn)行等。這些技術(shù)難題嚴(yán)重制約了國(guó)內(nèi)VLDPE的工業(yè)化發(fā)展[2]?,F(xiàn)利用國(guó)內(nèi)先進(jìn)的Unipol氣相中試裝置開(kāi)發(fā)了極低密度聚乙烯(VLDPE)產(chǎn)品,并與國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品進(jìn)行比較分析,考察了VLDPE產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系,開(kāi)發(fā)的VLDPE產(chǎn)品密度小于0.915 g/cm3,為VLDPE工業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展提供了有力的數(shù)據(jù)參考。
VLDPE1、VLDPE2,自制;進(jìn)口 VLDPE1、進(jìn)口VLDPE2,市售。
4467型萬(wàn)能材料實(shí)驗(yàn)機(jī),英國(guó)Instron公司;6542/010型熔體流動(dòng)速率儀,意大利Ceast公司;Spectrum1000型傅里葉變換紅外光譜儀、DSC-7型差示掃描量熱儀,美國(guó)PE公司;DMX300核磁共振儀,Bruker公司。
在50 kg/h氣相全密度聚乙烯中試裝置上,采用進(jìn)口催化劑,以己烯為共聚單體,按氣相聚合工藝條件進(jìn)行中試裝置開(kāi)車(chē),生產(chǎn)不同熔融指數(shù)的VLDPE產(chǎn)品。當(dāng)產(chǎn)品達(dá)到指標(biāo)要求后,平穩(wěn)運(yùn)行48 h,生產(chǎn)目標(biāo)產(chǎn)品各1 t。
采用了創(chuàng)新的多尺度粒徑分布流化狀態(tài)控制技術(shù),在中國(guó)石油化工研究院先進(jìn)的氣相法中試裝置,用國(guó)產(chǎn)低溫高活性催化劑,調(diào)整傳統(tǒng)工藝操作參數(shù),解決反應(yīng)體系黏度大、聚合物易結(jié)片堵塞分布板等問(wèn)題,保證裝置長(zhǎng)周期穩(wěn)定運(yùn)行,開(kāi)發(fā)生產(chǎn)出了VLDPE中試產(chǎn)品。
選取中試裝置2批次的VLDPE產(chǎn)品進(jìn)行物性測(cè)試,與國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品進(jìn)行比對(duì),具體性能數(shù)據(jù)見(jiàn)表1。
表1 VLDPE物性數(shù)據(jù)
從表1可以看出,中試生產(chǎn)的VLDPE產(chǎn)品密度都低于0.915 g/cm3,并且力學(xué)性能優(yōu)異,斷裂伸長(zhǎng)率在600%以上,與國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品性能相當(dāng)。
2.3.1 共聚單體含量
利用核磁共振波譜儀對(duì)中試產(chǎn)品進(jìn)行了分子鏈結(jié)構(gòu)表征,中試產(chǎn)品的核磁碳譜圖見(jiàn)圖1,進(jìn)口產(chǎn)品的核磁碳譜圖見(jiàn)圖2。
圖1 中試產(chǎn)品VLDPE2核磁碳譜圖
參照文獻(xiàn)[3]對(duì)13C-NMR譜圖中的峰分類(lèi)和區(qū)域劃分,對(duì)各峰進(jìn)行歸屬。經(jīng)計(jì)算,中試VLDPE產(chǎn)品分子結(jié)構(gòu)中的共聚單體含量達(dá)到了2.4%,明顯多于常規(guī)線(xiàn)性低密度聚乙烯專(zhuān)用料中共聚單體的含量(1.8%以下),但是低于進(jìn)口產(chǎn)品(3.2%),多是因?yàn)榇呋瘎┘熬酆瞎に嚄l件等因素影響了產(chǎn)品共聚單體插入率所致。
2.3.2 結(jié)晶性能
采用示差掃描量熱儀對(duì)VLDPE產(chǎn)品進(jìn)行了結(jié)晶性能分析,測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表2。
表2 DSC測(cè)試結(jié)果
從表2數(shù)據(jù)可知,中試產(chǎn)品的熔點(diǎn)與進(jìn)口產(chǎn)品2的熔點(diǎn)相當(dāng),而進(jìn)口產(chǎn)品1的熔點(diǎn)最低,這是因?yàn)檫M(jìn)口產(chǎn)品1的密度最低,共聚單體含量最高引起的;而VLDPE試樣比普通LLDPE即大慶石化產(chǎn)品的熔點(diǎn)要低些,這是由于普通LLDPE支鏈分布不均勻,支鏈間較長(zhǎng)的鏈段可以形成較厚的片晶,而VLDPE的支鏈分布比較均勻,沒(méi)有過(guò)長(zhǎng)鏈段形成的較厚片晶[4]。
進(jìn)口VLDPE產(chǎn)品的結(jié)晶度都在22%以下,而中試產(chǎn)品的結(jié)晶度要稍高一些,但與密度為0.918~0.922 g/cm3的 LLDPE 相比,結(jié)晶度偏低。這是因?yàn)閂LDPE的主鏈上含有大量的短支鏈,影響了產(chǎn)品的結(jié)晶度,受支鏈的影響,支化聚乙烯的結(jié)晶行為也更為復(fù)雜。所以研究VLDPE分子結(jié)構(gòu)中的支鏈結(jié)晶行為,有助于深入理解VLDPE分子結(jié)構(gòu)與其特殊性能的關(guān)系。
對(duì)不同產(chǎn)品的結(jié)晶峰進(jìn)行了對(duì)比,產(chǎn)品降溫結(jié)晶峰見(jiàn)圖3。
圖3 VLDPE降溫結(jié)晶峰
從圖3可以看出,中試產(chǎn)品的結(jié)晶峰與進(jìn)口產(chǎn)品2的結(jié)晶峰溫度相差不大,而進(jìn)口產(chǎn)品1的結(jié)晶峰向低溫移動(dòng),峰強(qiáng)減弱,表明其結(jié)晶能力差。中試產(chǎn)品結(jié)晶能力與進(jìn)口產(chǎn)品接近。
2.3.3 支化度
采用傅里葉變換紅外光譜儀對(duì)VLDPE產(chǎn)品進(jìn)行了紅外結(jié)構(gòu)表征,并根據(jù)Lambert-Beer定律為基礎(chǔ),利用紅外光譜對(duì)樣品中的支化度進(jìn)行了定量分析,產(chǎn)品熔點(diǎn)與支化度數(shù)據(jù)見(jiàn)表3。
表3 熔點(diǎn)與支化度數(shù)據(jù)表
從表3可以看出,進(jìn)口1產(chǎn)品的支化度最高,而其他產(chǎn)品的支化度相當(dāng)。結(jié)合熔點(diǎn)數(shù)據(jù)分析,可以看出,VLDPE的熔點(diǎn)隨支化度的增加而降低,而聚合物的熔點(diǎn)與片晶厚度有關(guān),對(duì)于支化聚乙烯,由于支鏈被排除在結(jié)晶之外[4],片晶厚度受到支鏈間鏈段長(zhǎng)度的限制,因此支鏈越多,片晶厚度越小,熔點(diǎn)越低。
1)利用國(guó)內(nèi)先進(jìn)的Unipol氣相中試裝置,開(kāi)發(fā)了極低密度聚乙烯(VLDPE)產(chǎn)品,并與國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品進(jìn)行了性能對(duì)比與結(jié)構(gòu)剖析。結(jié)果表明,中試產(chǎn)品的密度達(dá)到了0.915 g/cm3以下,產(chǎn)品性能與相同密度的進(jìn)口產(chǎn)品性能相當(dāng)。
2)國(guó)外各大公司相繼開(kāi)發(fā)出了氣相法、溶液法、高壓管式法等生產(chǎn)工藝制備VLDPE產(chǎn)品,以氣相法工藝生產(chǎn)居多。而國(guó)內(nèi)各大石化公司引進(jìn)的氣相法聚乙烯裝置也多為Unipol工藝裝置,完全有能力在現(xiàn)有的 Unipol工藝裝置上,根據(jù)VLDPE的產(chǎn)品特點(diǎn),開(kāi)發(fā)出密度小于 0.915 g/cm3的產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn) VLDPE的工業(yè)化,加快VLDPE產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
[1]謝侃.超低密度聚乙烯評(píng)述[J].石油化工,1995,24:744-747.
[2]王海瑛.超低密度聚乙烯技術(shù)進(jìn)展[J].石化技術(shù),1998,5(4):248-251.
[3]Randall E W,New methods of research in chemistry[J].Chem Brit.,1974,10:443.
[4]趙勇,楊德才.新型LLDPE的結(jié)晶行為及鏈結(jié)構(gòu)[J].高等學(xué)?;瘜W(xué)學(xué)報(bào),1997,18(12):2044 -2047.