韓 剛

（西北工業(yè)大學(xué) 電子信息學(xué)院，陜西 西安 710072）

利用現(xiàn)場可編程門陣列（Field Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA）進行高速數(shù)字圖像信號處理，需解決大容量圖像數(shù)據(jù)高速緩存的問題［1－3］。雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器（Double Data Rate 2Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR2SDRAM）是一種新型高速、大容量的雙速率存儲器，與DDR相比，DDR2的數(shù)據(jù)傳輸速率更高，并已成為主流。利用DDR2SDRAM可以滿足高速圖像處理對高速率和大容量存儲的要求［4－7］。

文獻［4－7］所用DDR2SDRAM 容量小，不適合于G容量超大圖像處理。通過分析DDR2SDRAM的工作原理，本文擬采用硬件描述語言和模塊化思想，設(shè)計一種4Gbit大容量的DDR2SDRAM控制器，并借助Xilinx公司Virtex－5系列FPGA，和MICRON公司DDR2SDRAM［8］，搭建測試電路對其加以驗證。

1 DDR2SDRAM控制原理

DDR2SDRAM使用差分時鐘采樣，數(shù)據(jù)傳輸在時鐘的上升和下降沿交叉處進行，其片內(nèi)工作頻率可以降低。采用差分DQS／DQS＃信號作為數(shù)據(jù)的同步信號，寫入時由控制器發(fā)出，與寫數(shù)據(jù)的中心對齊，讀出時由DDR2產(chǎn)生，與讀數(shù)據(jù)的邊沿對齊，以此減少信號間的串?dāng)_。

對DDR2SDRAM器件的讀／寫訪問均為突發(fā)式，以對幾個地址進行連續(xù)操作來完成。控制信號有行地址選擇信號、列地址選擇信號和寫使能信號。激活命令寄存器后開始訪問，然后根據(jù)需要進行讀／寫命令操作。寄存地址位在激活命令時刻完成對待訪問組或行的選擇，在讀／寫命令時刻完成對突發(fā)訪問選擇組或起始列位置［6］的操作。

DDR2SDRAM的命令模式如表1所示。

表1 DDR2命令模式

設(shè)計不妨針對單片內(nèi)存大小為2Gbit，有3個bank，14條行地址線，10條列地址線，數(shù)據(jù)位寬為16的DDR2SDRAM。設(shè)計使用2片DDR2 SDRAM按位擴展，總存儲量為4Gbit，芯片接口數(shù)據(jù)位寬為32，這樣對2片DDR2SDRAM的同時讀寫，不僅查擴展存儲容量，還可加快數(shù)據(jù)讀寫速率。

2 DDR2SDRAM控制器設(shè)計

DDR2SDRAM控制器由4個模塊組成，其頂層模塊設(shè)計如圖1所示。

圖1 DDR2SDRAM控制器的頂層模塊設(shè)計

（1）基礎(chǔ)模塊（Infrastructure）

基礎(chǔ)模塊用來產(chǎn)生控制器中所有模塊的時鐘信號。外部用戶時鐘通過鎖相環(huán)（Phase Locking Loop，PLL）處理后，提供控制器所需時鐘信號。該模塊通過延遲校準(zhǔn)模塊，完成對讀數(shù)據(jù)選通脈沖延遲的校準(zhǔn)，以便DQS（Data Strobe）的邊沿能正確對齊數(shù)據(jù)質(zhì)量（data quality，DQ）信號有效電平的中間位置。

（2）物理層模塊（Phy top）

物理層模塊對用戶的訪問地址和指令進行解釋和匹配，它通過DDR2SDRAM控制指令信號協(xié)調(diào)指令、地址和數(shù)據(jù)的同步，以及維持在此期間信號的有效性。

（3）用戶接口模塊（User Interface top）

用戶接口模塊在控制信號的控制下接收和存儲用戶的數(shù)據(jù)、命令和地址等信息。它提供讀、寫數(shù)據(jù)和地址三類FIFO，用戶可利用該FIFO機制緩沖和同步數(shù)據(jù)。

（4）控制模塊（Ctrl）

控制模塊在系統(tǒng)加電復(fù)位時，與初始化模塊一起對控制器以及DDR2SDRAM進行初始化設(shè)置和復(fù)位延時保護等操作，在系統(tǒng)正常工作期間，為用戶接口模塊、物理層模塊產(chǎn)生相應(yīng)的控制信號，為系統(tǒng)提供控制器狀態(tài)指示信號，系統(tǒng)接收和應(yīng)答讀寫請求指令，以及采樣與同步訪問地址，從而實現(xiàn)任務(wù)調(diào)度、總線仲裁、狀態(tài)轉(zhuǎn)換和時序同步［7］。該模塊的狀態(tài)機結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

圖2 DDR2SDRAM控制器狀態(tài)機

3 DDR2SDRAM控制器功能驗證

DDR2SDRAM在正常工作之前首先要進行初始化，初始化過程是設(shè)計的難點。DDR2初始化時序如圖3所示。

圖3 DDR2初始化時序

系統(tǒng)上電復(fù)位完成后，根據(jù)命令模式，控制器首先向DDR2SDRAM發(fā)送初始化指令，設(shè)置控制器的初始化參數(shù)，完成上電初始化操作，如200us上電等待后cke信號拉高、400ns所有bank預(yù)充電、OCD校準(zhǔn)、寄存器參數(shù)裝載和DLL重置等。系統(tǒng)初始化完成之后，DDR2SDRAM芯片的初始化完成（phy＿init＿done）信號由低電平變?yōu)楦唠娖?。在DDR2SDRAM初始化完成之后，系統(tǒng)就可以對DDR2SDRAM進行正常的讀寫操作。

由圖3可知，系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)之前要先發(fā)布一個組激活命令，使行地址選擇信號ddr2＿ras＿n為低電平，列地址選擇信號ddr2＿cas＿n和寫使能信號ddr2＿we＿n為高電平。

DDR2SDRAM寫時序如圖4所示。3個時鐘周期之后發(fā)布寫命令，ddr2＿ras＿n為高電平，ddr2＿cas＿n和ddr2＿we＿n為低電平，同時給出寫地址0000，2個時鐘周期之后數(shù)據(jù)總線ddr2＿dq開始傳輸數(shù)據(jù)，差分隨路時鐘dd2＿dqs和dd2＿dqs＿n邊沿與數(shù)據(jù)中心對齊，以保證數(shù)據(jù)的正確采樣。寫完數(shù)據(jù)之后需發(fā)布一個空操作命令，ddr2＿ras＿n，ddr2＿cas＿n和ddr2＿we＿n均為高電平，才可以進行下一次寫操作。

圖4 DDR2寫操作時序

DDR2SDRAM讀時序如圖5所示。系統(tǒng)讀數(shù)據(jù)時需發(fā)布讀命令，設(shè)置ddr2＿cas＿n為低電平，ddr2＿ras＿n和ddr2＿we＿n為高電平，并同時給出寫地址0000，3個時鐘周期之后數(shù)據(jù)總線ddr2＿dq開始傳輸數(shù)據(jù)，差分隨路時鐘dd2＿dqs和dd2＿dqs＿n邊沿與數(shù)據(jù)邊沿對齊，以保證讀出數(shù)據(jù)與時鐘的同步。讀完數(shù)據(jù)之后需發(fā)布一個空操作命令，ddr2＿ras＿n，ddr2＿cas＿n和ddr2＿we＿n均為高電平，才可以進行下一次讀操作。

為了驗證DDR2SDRAM工作的可行性，圖像處理系統(tǒng)模擬5路CMOS圖像傳感器的輸出，F(xiàn)PGA采用 Xilinx公司的 Virtex－XC5VLX130T，DDR2SDRAM選用美光的 MT47H128M16，將兩片DDR2SDRAM并聯(lián)，并選用ISE12.2軟件進行設(shè)計。系統(tǒng)支持DDR2SDRAM工作頻率最高為200MHz，因此最大總線傳輸率可達12.8Gbps。

圖5 DDR2讀操作時序

高速CMOS圖像數(shù)據(jù)輸出測試結(jié)果如圖6所示。

圖6 圖像數(shù)據(jù)輸出

給DDR2SDRAM中寫入仿真圖像數(shù)據(jù)。寫入完畢后，將CMOS模塊使能信號Cpsl＿CmosEn＿i置高。從圖6可見，圖像數(shù)據(jù)不是在Cpsl＿CmosEn＿i低電平使能有效時直接、不間斷的寫入DDR2 SDRAM，它需先往DDR2寫讀地址，經(jīng)過一段延遲才有效，即有效數(shù)據(jù)才輸出。

4 結(jié)束語

為了滿足目前高速圖像處理對大容量和高速緩存的設(shè)計需求，給出了一種大容量高速DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計方法，它所支持的數(shù)據(jù)寬度為32位，最高頻率為200MHz，最大總線傳輸率為12.8Gbit／s，可以應(yīng)用于高速高性能系統(tǒng)。

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