10月20日,英特爾正式發(fā)布了其全新面向數(shù)據(jù)中心及消費(fèi)領(lǐng)域的存儲(chǔ)器制程技術(shù)3D XPoint 與可以造就全球最高密度閃存的3D NAND工藝架構(gòu)技術(shù),為企業(yè)級(jí)與消費(fèi)級(jí)的存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)顛覆性的性能提升,并支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量,進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低。
CHIP新電腦2015年11期
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