何勝宗,薛陽(yáng),武慧薇,劉麗媛
(1.工業(yè)和信息化部電子第五研究所,廣東 廣州 510610;2.中國(guó)電力科學(xué)研究院,北京 100192)
半導(dǎo)體器件的鍵合引線通常有金絲、鋁絲和銅絲3種[1]。金由于其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,導(dǎo)電性和物理延展性良好而在半導(dǎo)體器件的鍵合工藝中得到了很好的運(yùn)用,并且,由于金絲鍵合的工藝發(fā)展較早,目前已經(jīng)相當(dāng)成熟,因此,時(shí)至今日大多數(shù)半導(dǎo)體器件仍然采用金絲鍵合的生產(chǎn)工藝。然而,近幾年來(lái),由于金材料的成本價(jià)格不斷地上漲,采用銅絲鍵合的生產(chǎn)工藝不斷地取得了進(jìn)步,銅絲鍵合器件的出貨量和市場(chǎng)占有率在不斷地增長(zhǎng),銅絲鍵合工藝逐漸地成為了半導(dǎo)體行業(yè)中最具發(fā)展?jié)摿Φ姆庋b技術(shù)[2]。
盡管如此,目前銅絲鍵合器件的成品率和質(zhì)量可靠性水平與金絲鍵合器件相比,仍然存在一定的差距。這是由銅絲材料自身的物理化學(xué)特性及其生產(chǎn)工藝還不夠成熟所導(dǎo)致的。概括起來(lái),銅絲鍵合還存在以下2個(gè)方面的問(wèn)題[3]:1)銅絲容易被氧化,從而影響鍵合的質(zhì)量;2)銅絲的硬度和屈服強(qiáng)度比金絲的高,鍵合時(shí)需要更高的超聲功率與鍵合壓力,容易損傷芯片。
在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中,采用銅絲鍵合的半導(dǎo)體器件經(jīng)常會(huì)由于鍵合不良等原因而失效,銅絲鍵合器件的可靠性備受質(zhì)疑,特別是在家電控制、消費(fèi)電子、電力電子和通信等大批量使用某一型號(hào)器件的行業(yè),對(duì)鋼絲鍵合器件的可靠性的質(zhì)疑和憂慮更為嚴(yán)重。因此,研究銅絲鍵合器件的失效模式和機(jī)理,并對(duì)其可靠性進(jìn)行有效的評(píng)價(jià),不僅是器件制造商,而且也是器件的使用方的迫切需求。
目前,國(guó)內(nèi)對(duì)于銅絲鍵合的失效機(jī)理以及敏感應(yīng)力的研究相對(duì)較少,缺乏系統(tǒng)性,也沒(méi)有針對(duì)銅絲鍵合器件的可靠性進(jìn)行評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)或相關(guān)指南。本文從銅絲的材料特性出發(fā),介紹并分析了塑封工藝的過(guò)程及其關(guān)鍵環(huán)節(jié),并結(jié)合具體的失效案例,對(duì)塑封銅絲鍵合器件的主要失效模式與機(jī)理進(jìn)行了總結(jié),提出了一種塑封銅絲鍵合器件的可靠性評(píng)價(jià)方法,對(duì)于促進(jìn)銅絲鍵合生產(chǎn)工藝的發(fā)展和銅絲鍵合器件的應(yīng)用普及都具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。
與傳統(tǒng)的金絲材料相比,銅絲不僅在成本、導(dǎo)電、導(dǎo)熱,以及機(jī)械性能方面具有優(yōu)勢(shì)[3-4],而且銅與鋁鍵合界面上形成的金屬間化合物[5]的生長(zhǎng)速率也比金鋁鍵合界面上形成的金屬間化合物的生長(zhǎng)速率更慢,因此,銅鋁健合界面上不易形成類似于金鋁界面間存在的柯肯德?tīng)柨斩矗瑥亩鰪?qiáng)了鍵合點(diǎn)的力學(xué)和電學(xué)性能,提高了焊點(diǎn)的長(zhǎng)期可靠性。然而,相比之下,銅絲材料更容易被氧化且硬度更高,因而其在鍵合過(guò)程中容易出現(xiàn)鍵合不良現(xiàn)象,例如:鍵合球變形、焊盤結(jié)合區(qū)斷裂、下層結(jié)構(gòu)彈坑損傷以及鍵合虛鍵合等問(wèn)題,這些都直接影響著銅絲鍵合器件的使用可靠性。表1對(duì)比了金絲和銅絲的一些主要的特性[4]。
表1 Au絲和Cu絲材料特性對(duì)比
市面上的半導(dǎo)體器件的封裝形式可以分為氣密性封裝和非氣密性封裝2種。由于密封器件一般用于可靠性要求較高的場(chǎng)合,因此目前市面上采用銅絲鍵合工藝制造的密封器件比較少見(jiàn)。銅絲鍵合工藝主要用于商業(yè)級(jí)塑料封裝器件。一般來(lái)說(shuō),器件封裝的好壞將直接影響到器件的電性能、散熱性能和機(jī)械性能[6],對(duì)于保障器件的可靠性具有十分重要的作用。塑料封裝器件典型的生產(chǎn)工藝流程如圖1所示。
圖1 塑封基本工藝流程
其中影響器件的可靠性的關(guān)鍵工序主要包括以下幾種。
a) 清洗
晶圓在轉(zhuǎn)移和處理的過(guò)程中可能會(huì)引入外部污染和殘留物質(zhì),從而導(dǎo)致器件封裝完成后出現(xiàn)漏電和腐蝕等失效現(xiàn)象。
b)鍵合工藝
鍵合過(guò)程中可能引起芯片機(jī)械損傷、臟污,以及鍵合過(guò)力、虛焊等異常現(xiàn)象。銅絲鍵合更易受氧化、臟污和鍵合過(guò)力等的影響,從而使器件在后續(xù)過(guò)程中出現(xiàn)相應(yīng)的失效。
c)注塑成型
塑封料成型過(guò)程中流動(dòng)塑料的沖擊力可能導(dǎo)致鍵合絲斷裂、拉脫和移位等,同時(shí)界面臟污、固化不良等都可能導(dǎo)致器件內(nèi)部界面分層,從而出現(xiàn)相應(yīng)的失效,例如:封裝分層、水汽侵入后焊接過(guò)程中易出現(xiàn)的 “爆米花效應(yīng)”,以及鍵合腐蝕、芯片漏電等失效現(xiàn)象。
塑封器件的主要的失效模式為:串阻甚至開(kāi)路、漏電甚至短路、參數(shù)漂移,以及功能失效和不穩(wěn)定失效等[7]。塑封器件的封裝工藝為非氣密性封裝,其主要的缺點(diǎn)是其對(duì)潮氣比較敏感。對(duì)于塑封銅絲鍵合器件而言,由于銅絲易被氧化,并且銅絲鍵合工藝具有不穩(wěn)定性,因而銅絲鍵合器件的失效機(jī)理與普通塑封器件的失效機(jī)理略有不同。
銅絲鍵合相關(guān)的失效模式和機(jī)理主要有:1)鍵合過(guò)力導(dǎo)致鍵合焊盤下方的介質(zhì)層、金屬化布線等結(jié)構(gòu)出現(xiàn)破裂、損傷,造成彈坑損傷,從而導(dǎo)致器件出現(xiàn)漏電,以及參數(shù)漂移等失效;2)鍵合界面被污染、腐蝕,鍵合力度不夠以及界面分層等導(dǎo)致銅絲鍵合接觸不良,出現(xiàn)虛焊現(xiàn)象,從而導(dǎo)致開(kāi)路、串阻等不穩(wěn)定連接失效;3)銅絲或者鍵合焊盤腐蝕導(dǎo)致漏電、參數(shù)漂移等相關(guān)失效。
2.2.1 集成電路鍵合彈坑案例
a)失效現(xiàn)象描述
樣品為某型號(hào)單片機(jī) (MCU:Micro Control U-nit),采用塑封銅絲鍵合工藝封裝,應(yīng)用在空調(diào)遙控器上。產(chǎn)品出廠后出現(xiàn)了批次性故障,表現(xiàn)出遙控死機(jī)、顯示異常等現(xiàn)象,排查定位到該MCU失效。
b)分析過(guò)程及結(jié)論
對(duì)樣品進(jìn)行端口I-V測(cè)試,檢測(cè)部分端口的反向?qū)妷鹤冃?,存在異常漏電通道。采用化學(xué)開(kāi)封方法將該MCU開(kāi)封后觀察到,鍵合區(qū)存在明顯的半圓形裂紋損傷,下層結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了明顯的裂紋。分析認(rèn)為,出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是鍵合工藝存在缺陷,從而引起了鍵合區(qū)下方介質(zhì)層破裂,進(jìn)而導(dǎo)致了芯片層間漏電,使器件失效。本案例屬于鍵合 “彈坑”損傷引起的漏電失效,如圖2所示。
圖2 鍵合損傷失效案例照片
2.2.2 場(chǎng)效應(yīng)管 (MOS:Mosfet)鍵合虛焊案例
a)失效現(xiàn)象描述
樣品為某型號(hào)MOS,應(yīng)用于戶外顯示屏驅(qū)動(dòng)電路中。安裝使用約半年后顯示屏出現(xiàn)故障,輕壓MOS本體,顯示屏功能時(shí)好時(shí)壞,出現(xiàn)功能不穩(wěn)定的故障現(xiàn)象。
b)分析過(guò)程及結(jié)論
常溫下對(duì)產(chǎn)品的功能進(jìn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn),電源無(wú)電壓輸出,但該MOS的柵極和漏極均能正常地輸入電壓,說(shuō)明MOS管溝道未開(kāi)啟,柵極存在開(kāi)路或者串阻異常。輕輕按壓MOS,產(chǎn)品的功能恢復(fù)正常。運(yùn)用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)MOS進(jìn)行檢查,觀察到樣品的內(nèi)部塑封料與芯片界面、引線架界面分層。從失效樣品的剖面上觀察到柵極鍵合點(diǎn)下方鋁層厚度不均勻,且銅-鋁層界面分離,在鍵合點(diǎn)的邊緣也可觀察到明顯的鋁金屬擠出現(xiàn)象,而良品中未觀察到類似的異?,F(xiàn)象。
銅絲鍵合點(diǎn)下方的金屬鋁層起到了連接鍵合絲和兩側(cè)電路結(jié)構(gòu)的作用,如果鋁金屬缺失或被擠出,則可能導(dǎo)致連接不良。分析認(rèn)為,鍵合不良會(huì)導(dǎo)致鍵合焊盤的鋁金屬被擠出,進(jìn)而導(dǎo)致鍵合 “虛焊”,從而使產(chǎn)品出現(xiàn)不穩(wěn)定的開(kāi)路失效,如圖3所示。
圖3 鍵合虛焊失效案例照片
2.2.3 鍵合腐蝕失效案例
a)失效現(xiàn)象描述
樣品為某品牌的集成電壓參考芯片,采用塑封銅絲鍵合工藝封裝。器件使用一段時(shí)間后輸出的參考電壓 (VREF:Voltage Reference)小于規(guī)范值2.5 V,出現(xiàn)參數(shù)漂移現(xiàn)象。
b)分析過(guò)程及結(jié)論
對(duì)失效樣品的外觀以及利用X-RAY對(duì)失效樣品的內(nèi)部進(jìn)行檢查時(shí)均未發(fā)現(xiàn)明顯的異常。端口I-V測(cè)試發(fā)現(xiàn),部分引腳呈現(xiàn)阻抗增大或開(kāi)路的特性。運(yùn)用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)樣品進(jìn)行掃描,發(fā)現(xiàn)樣品存在明顯的分層。對(duì)樣品進(jìn)行溫度沖擊試驗(yàn)和高溫試驗(yàn)后,樣品I-V特性未見(jiàn)恢復(fù)。采用機(jī)械開(kāi)封的方式對(duì)樣品進(jìn)行開(kāi)封,鍵合點(diǎn)自然脫落,鍵合焊盤處可見(jiàn)明顯的腐蝕,并伴有由于電化學(xué)遷移而形成的黃色枝晶狀產(chǎn)物。EDS能譜圖表明鍵合點(diǎn)脫落面有硫 (S)、氯 (Cl)等腐蝕性元素。分析認(rèn)為,樣品由于鍵合焊盤金屬化腐蝕而出現(xiàn)了輸出漂移失效。本案例中產(chǎn)品的失效屬于鍵合界面腐蝕導(dǎo)致的參數(shù)漂移失效,如圖4所示。
圖4 鍵合腐蝕失效案例照片
結(jié)合銅絲鍵合器件失效的模式和主要機(jī)理,塑料封裝銅絲鍵合器件的可靠性評(píng)價(jià)方法可以分為以下兩個(gè)部分。
a)鍵合工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)
鍵合工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)檢測(cè)項(xiàng)目包括:1)通過(guò)聲學(xué)掃描顯微鏡檢查塑封料的封裝情況,觀察部件內(nèi)部不同材料之間的界面有無(wú)分層;2)通過(guò)剖面觀察鍵合焊盤與下層結(jié)構(gòu)的粘接情況來(lái)判斷鍵合質(zhì)量的優(yōu)劣;3)通過(guò)化學(xué)開(kāi)封,觀察芯片表面的損傷情況,并在去除鍵合區(qū)的金屬后觀察鍵合區(qū)是否存在下層結(jié)構(gòu)被損傷的情況。
b)環(huán)境耐久性評(píng)價(jià)
結(jié)合銅絲鍵合的主要失效機(jī)理,對(duì)銅絲鍵合器件進(jìn)行高溫老化、快速溫循和穩(wěn)態(tài)潮熱等環(huán)境耐久性試驗(yàn)。1)高溫老化:暴露由于持續(xù)高溫導(dǎo)致的材料膨脹而引起的鍵合絲開(kāi)路、連接不良,也可以加速銅的氧化,加劇石英砂擠壓損傷芯片等;2)穩(wěn)態(tài)潮熱:使水汽侵入封裝內(nèi)部,引起芯片表面離子漏電,加劇鍵合彈坑損傷引起的漏電等;3)快速溫循:由于材料的熱膨脹系數(shù) (CTE:Coefficient of thermal expansion)不一致導(dǎo)致界面分層、芯片剪切應(yīng)力,引起鍵合拉脫從而暴露銅絲鍵合虛焊等缺陷。環(huán)境耐久性評(píng)價(jià)試驗(yàn)推薦的試驗(yàn)條件如表2所示。
表2 環(huán)境耐久性評(píng)價(jià)推薦試驗(yàn)條件
本文研究總結(jié)了銅絲鍵合器件的主要失效模式和失效機(jī)理,并給出了銅絲鍵合器件典型的失效案例,提出了一種鍵合工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)與環(huán)境耐久性評(píng)價(jià)相結(jié)合的塑封銅絲健合器件的可靠性評(píng)價(jià)方法,有助于器件生產(chǎn)方發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品存在的缺陷并改進(jìn)生產(chǎn)工藝,制造出更加可靠的銅絲鍵合器件;同時(shí),也有利于器件使用方開(kāi)展物料選型、物料比對(duì)以及使用防護(hù)等方面的工作。在實(shí)際型號(hào)產(chǎn)品的評(píng)價(jià)中,應(yīng)該結(jié)合產(chǎn)品的應(yīng)用環(huán)境,調(diào)整環(huán)境耐久性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的應(yīng)力類型和強(qiáng)度。
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