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高斯定理求解電場(chǎng)強(qiáng)度的教學(xué)探討

2015-12-11 22:02:00葉世旺唐軍張榮薛劉萍
教育教學(xué)論壇 2015年12期

葉世旺 唐軍 張榮 薛劉萍

摘要:本文探討了高斯定理教學(xué)中所涉及到的幾個(gè)重點(diǎn)和難點(diǎn),并結(jié)合典型例題分析了高斯定理在求解電荷非均勻分布的帶電體的場(chǎng)強(qiáng)中的應(yīng)用,以使學(xué)生輕松、全面地理解和應(yīng)用該定理。

關(guān)鍵詞:高斯定理;高斯面;電場(chǎng)強(qiáng)度

中圖分類號(hào):G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):1674-9324(2015)12-0188-02

高斯定理是靜電學(xué)的基本規(guī)律之一,也是普通物理教學(xué)的重點(diǎn)內(nèi)容[1-3]。利用高斯定理,可簡(jiǎn)單、快速地求得某些電荷均勻分布帶電體(如球型、圓柱形、無限大平板等)的空間場(chǎng)強(qiáng)分布[4]。利用該定理求解場(chǎng)強(qiáng)問題的關(guān)鍵在于選取合適的閉合曲面——高斯面。其實(shí),通過合理選擇高斯面,高斯定理也可以求解某些電荷非均勻分布的帶電體激發(fā)的場(chǎng)強(qiáng)。本文結(jié)合典型的例題進(jìn)行探討,便于學(xué)生更好地理解高斯定理的內(nèi)容和掌握利用高斯定理解題的思想方法。

一、對(duì)高斯定理的理解

4.高斯定理是由庫(kù)侖定律和場(chǎng)強(qiáng)疊加原理導(dǎo)出的,可適用于任何電場(chǎng),是電磁場(chǎng)基本規(guī)律之一。

二、應(yīng)用高斯定理求解電場(chǎng)強(qiáng)度

我們知道,利用點(diǎn)電荷的電場(chǎng)強(qiáng)度公式和場(chǎng)的疊加原理原則上可以求出任意已知電荷分布激發(fā)的電場(chǎng)強(qiáng)度,這是數(shù)學(xué)計(jì)算上的問題。而對(duì)于某些特殊情況,我們可以用高斯定理來求解電場(chǎng)強(qiáng)度。其基本思想是要使待求場(chǎng)強(qiáng)E都可移到高斯定理的積分號(hào)外,從而求出帶電體系在待求點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)。這就要求電場(chǎng)強(qiáng)度的分布要具有某種對(duì)稱性。所以用高斯定理求解場(chǎng)強(qiáng),首先要定性分析帶電體系產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng),以明確場(chǎng)強(qiáng)方向和大小的分布規(guī)律;其次,依據(jù)場(chǎng)強(qiáng)分布規(guī)律,判斷能否用高斯定理求解,能則構(gòu)建適當(dāng)?shù)母咚姑孢M(jìn)行求解。

構(gòu)建高斯面必須滿足兩個(gè)條件:其一,高斯面必須通過所求場(chǎng)強(qiáng)的點(diǎn);其二,高斯面上各點(diǎn)或某部分各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小均相等。在此基礎(chǔ)上,高斯面的形狀大小原則上可任意選取,但必須使計(jì)算簡(jiǎn)單,所以一般可作高斯柱面和球面。作高斯球面時(shí)要求球面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小都相等,方向和面元法向的夾角都相等,這就要求場(chǎng)強(qiáng)的分布要關(guān)于高斯球面的球心對(duì)稱,如點(diǎn)電荷、均勻帶電球面(體或殼)等電荷分布具有球?qū)ΨQ性的,其場(chǎng)強(qiáng)分布也具有球?qū)ΨQ性,所以可以作同心的高斯球面利用高斯定理來求解。如果是作高斯柱面(可分為兩底面和一側(cè)面),則要求計(jì)算的點(diǎn)所在面(底面或側(cè)面)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,而且面元的方向和場(chǎng)強(qiáng)方向的夾角相等,其余兩面上的場(chǎng)強(qiáng)大小可以不同,如果不同則要求面元的方向和場(chǎng)強(qiáng)方向的夾角為90°,或者場(chǎng)強(qiáng)的大小相等而且已經(jīng)知道了。比如無限大均勻帶電平面(板)、無限長(zhǎng)均勻帶電直線、無限長(zhǎng)均勻圓柱面(體或殼)等可以用作高斯柱面的方法來求解。

很多學(xué)生就認(rèn)為只有電荷均勻分布且具有面對(duì)稱、柱對(duì)稱或球?qū)ΨQ時(shí)才能用高斯定理求解電場(chǎng)強(qiáng)度。其實(shí),高斯定理也可以求解某些電荷非均勻分布的場(chǎng)強(qiáng)分布。如電荷體密度分布為ρ=Krn(其中K,n為常數(shù),r為點(diǎn)到球心的距離)的球體(殼),場(chǎng)強(qiáng)分布具有球心對(duì)稱性,可以作同心的高斯球面利用高斯定理來求解。又如無限長(zhǎng)體密度分布為ρ=Krn(其中K,n為常數(shù),r為點(diǎn)到圓柱軸線的距離)圓柱體,場(chǎng)強(qiáng)分布具有關(guān)于圓柱軸線對(duì)稱,可以作同軸的高斯柱面利用高斯定理來求解。再如求孤立導(dǎo)體表面附近處的電場(chǎng)強(qiáng)度,由靜電平衡性質(zhì)可知,導(dǎo)體表面附近處的場(chǎng)強(qiáng)處處垂直于導(dǎo)體表面,導(dǎo)體內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)處處為零,分析場(chǎng)強(qiáng)的分布情況,就知道可以用高斯定理來求解[6,7]。又如下面的例子:

三、結(jié)論

利用高斯定理,不僅可以快捷的求得均勻帶電的球型、圓柱形、無限大平板等帶電體激發(fā)的空間場(chǎng)強(qiáng)分布,也可以求解某些電荷不均勻分布的場(chǎng)強(qiáng),如無限長(zhǎng)體密度分布為ρ=Kr(其中K,n為常數(shù),r為點(diǎn)到圓柱軸線的距離)圓柱體,電荷體密度分布為ρ=Kr(其中K,n為常數(shù),r為點(diǎn)到球心的距離)的球體(殼),電荷體密度為ρ=Kx(0≤x≤a),厚度為a的無限大帶電平板等情況。用該定理分析問題的關(guān)鍵在于選取合適的閉合曲面——高斯面。通過合理選擇高斯面,滿足計(jì)算的點(diǎn)所在的面上的場(chǎng)強(qiáng)大小處處相等,方向與面元法向夾角恒定(一般為900),其余面上的通量是定值,就可以用高斯定理來求解電場(chǎng)強(qiáng)度。通過對(duì)高斯定理求解非均勻分布帶電體的場(chǎng)強(qiáng)的探討,可以使學(xué)生更好地理解高斯定理的內(nèi)容和掌握利用高斯定理解題的思想方法。

參考文獻(xiàn):

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