半導體產業(yè)中重要一環(huán)EUV光刻最新進展如何

ASML宣稱它的Q2收到4臺EUV訂單，預期明年EUV發(fā)貨達10臺以上。

EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進入量產，而非常可能應用在5 nm節(jié)點。

業(yè)界預測未來在1z nm的存儲器生產中可能會有2層或者以上層會采用它，及在最先進制程節(jié)點（7 or 5 nm）的邏輯器件生產中可能會有6～9層會使用它。

ASML計劃2018年時它的EUV設備的產能再擴大1倍達到年產24臺，每臺售價約1億美元，目前芯片制造商己經安裝了8臺，正在作各種測試。

半導體顧問公司的分析師Robert Maire認為EUV真能應用于量產應該是大約在2020年，在5 nm時。近期TSMC公布它的計劃也是在5 nm節(jié)點。

Maire說英特爾可能會有不同的觀點，它采用EUV設備在7 nm，因為今年下半年它有可能進入10 nm。因為現在16/14 nm節(jié)點時通常采用兩次圖形曝光技術，如果EUV成功量產，可以避免在10 nm及以下時要采用三次或者四次圖形曝光技術，成本上可大幅的節(jié)省。

從20 nm節(jié)點開始要采用兩次圖形曝光技術，芯片制造商人為把工藝節(jié)點分成兩類，如20 nm及10 nm都是過渡節(jié)點，相對工藝壽命短，而28 nm，16/14 nm及7 nm可能是長壽命節(jié)點。

ASML的市場部總監(jiān)Micheal Lercel說EUV系統(tǒng)量產需要安裝250 W光源，保證每小時125片，而現在的光源是125 W，只能每小時85片，ASML正在實驗室中研發(fā)210 W光源。

目前大于200 W的EUV光源有兩家供應商，分別是ASML的Cymer及Gigaphoton。兩家供應商都認為未來500 W光源有可能性。

目前用于EUV掩膜保護的Pellicle只能承受125 W的熱負荷，離250 W的目標尚有一段距離。

由于EUV光刻膠它的工作模式是采用反射的兩次電子，不同通常的193 nm光刻膠，因此尚需要突破。

目前EUV光刻的成本非常接近于三次圖形曝光技術。

ASML希望它的EUV系統(tǒng)能有大于90%的uptime，但是目前在4周工作周期中它的uptine大于80%。

設備從研發(fā)到量產有很大的差別。光源系統(tǒng)的可靠性要求十分高，即便系統(tǒng)工作在真空環(huán)境下，要求每秒能擊中50 000次融化的錫珠。因此新的光源體積很大，相比之前的準分子激光源更為復雜，它的尺寸如同電冰箱一樣大，工作在潔凈廠房中。

截止目前為止，全球EUV光刻機的訂單，英特爾有5臺，帶4臺訂單，臺積電有5臺，帶2臺訂單，三星有3臺，帶3臺訂單，GF有1臺，帶1臺訂單，IMEC有2臺，東芝與海力士各有1臺及美光有1臺訂單。

（出自：中國電子報）