施道蕓　范呂慧　周　澄　姚　力

(1.中國(guó)第二重型機(jī)械集團(tuán)公司，四川618013；2.中國(guó)空氣動(dòng)力研究與發(fā)展中心，四川621000)

?

超聲DGS法檢測(cè)鍛件時(shí)探頭頻率對(duì)缺陷當(dāng)量的影響

施道蕓1范呂慧1周澄1姚力2

(1.中國(guó)第二重型機(jī)械集團(tuán)公司，四川618013；2.中國(guó)空氣動(dòng)力研究與發(fā)展中心，四川621000)

通過(guò)試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析得出了缺陷平底孔當(dāng)量尺寸與探頭頻率的關(guān)系，缺陷平底孔當(dāng)量尺寸隨探頭頻率升高而減小，隨探頭頻率降低而增大。

超聲檢測(cè)；DGS；鍛件；探頭頻率；缺陷當(dāng)量

在鍛件超聲檢測(cè)實(shí)踐中，人們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)，對(duì)于同一個(gè)缺陷，采用不同頻率探頭進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，其當(dāng)量值差異較大。但是，很多超聲檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)卻給出了一個(gè)比較寬的檢測(cè)頻率范圍(如1 MHz ～5 MHz)，導(dǎo)致不同的單位或不同的人在檢測(cè)同一零件時(shí)，對(duì)同一缺陷定量出現(xiàn)較大分歧。為了弄清楚超聲檢測(cè)時(shí)不同探頭頻率對(duì)鍛件缺陷平底孔當(dāng)量尺寸的影響規(guī)律，我們以最常用頻率的單晶直探頭為代表做了一些試驗(yàn)，并給出了分析結(jié)果。

1　試驗(yàn)方法

1.1檢測(cè)試件

試件為產(chǎn)品制造過(guò)程中產(chǎn)生的有缺陷鍛件，鍛件材料為20Mn，檢測(cè)部位厚度分別為410 mm和750 mm。該鍛件已經(jīng)多人、多次進(jìn)行超聲檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)較多缺陷。我們從中隨意選擇了兩件，挑選缺陷較多的部位進(jìn)行測(cè)試。

1.2試驗(yàn)儀器

試驗(yàn)儀器為德國(guó)K.K公司USM 35 XS。該儀器自帶DGS功能，現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)時(shí)可以直接顯示缺陷的平底孔當(dāng)量值和深度等缺陷參數(shù)，使用方便，檢測(cè)效率高。

1.3檢測(cè)探頭

本試驗(yàn)中，我們選擇鍛件檢測(cè)常用的、最有代表性的兩種晶片尺寸和三種頻率共五個(gè)探頭進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)所用探頭及其參數(shù)見表1。

表1　試驗(yàn)用探頭及其參數(shù)

1.4靈敏度和儀器校驗(yàn)

按照超聲檢測(cè)DGS法要求，在受檢工件本體上選擇一處沒有缺陷的完好部位作為各探頭檢測(cè)時(shí)的時(shí)基線性和靈敏度校驗(yàn)基準(zhǔn)點(diǎn)。該部位位于工件檢測(cè)面上，檢測(cè)面與底面平行，粗糙度為Ra3.2 μm，所有探頭均用該點(diǎn)校驗(yàn)系統(tǒng)靈敏度。

1.5檢測(cè)方法

1.5.1系統(tǒng)校驗(yàn)

用工件本體上預(yù)先確定的基準(zhǔn)點(diǎn)校驗(yàn)系統(tǒng)的時(shí)基線性和檢測(cè)靈敏度。

1.5.2系統(tǒng)靈敏度校驗(yàn)方法和缺陷定量方法

利用儀器自帶的DGS功能進(jìn)行系統(tǒng)靈敏度校驗(yàn)，并應(yīng)用該功能確定鍛件中缺陷的平底孔當(dāng)量尺寸。各個(gè)探頭均以?3 mm平底孔的DGS曲線作為參考線。具體方法：

(1)在工件上利用兩次底波校驗(yàn)好儀器時(shí)基線性。

(2)測(cè)定各探頭在工件中的材質(zhì)衰減系數(shù)，見表2。

表2　試件衰減系數(shù)(dB/m)

(3)根據(jù)探頭型號(hào)設(shè)置對(duì)應(yīng)的晶片尺寸和探頭頻率。為了達(dá)到最佳的匹配效果，將儀器頻率設(shè)置成與探頭頻率相同。

(4)設(shè)置DGS參考線為?3 mm平底孔當(dāng)量。

(5)輸入材質(zhì)衰減。由于試塊和工件是同一零件，所以材質(zhì)衰減相同。

(6)將基準(zhǔn)點(diǎn)處工件底波調(diào)到滿屏高的80%，打開DGS功能，制作出?3 mm DGS參考線(圖1)。

(7)檢測(cè)中，需設(shè)置好儀器的閘門范圍，以便能方便地顯示缺陷的當(dāng)量尺寸和深度。

圖1　儀器參數(shù)與?3 mm DGS參考線

2　試驗(yàn)結(jié)果與分析

2.1試驗(yàn)結(jié)果

本次試驗(yàn)分別用5個(gè)探頭，認(rèn)真測(cè)定了14處缺陷，見表3。

2.2結(jié)果分析

2.2.1與缺陷反射當(dāng)量有關(guān)的參數(shù)

根據(jù)超聲檢測(cè)理論和實(shí)踐，與缺陷反射當(dāng)量有關(guān)的因素有儀器、探頭和缺陷特性。當(dāng)使用同一臺(tái)儀器時(shí)，缺陷的當(dāng)量就只跟探頭和缺陷特性有關(guān)。

(1)探頭參數(shù)

與缺陷當(dāng)量有關(guān)的直探頭參數(shù)：晶片材料、晶片直徑和頻率。

表3　對(duì)應(yīng)探頭的缺陷當(dāng)量尺寸(mm)

當(dāng)直探頭的晶片材料和直徑相同時(shí)，影響缺陷當(dāng)量的參數(shù)就只有頻率，用變量f表示，這里f= 1,2,4。

(2)缺陷特性參數(shù)

與缺陷反射當(dāng)量有關(guān)的缺陷特性參數(shù)：缺陷尺寸、缺陷表面狀態(tài)、缺陷對(duì)聲波的反射角度和缺陷的性質(zhì)(裂紋、夾雜、氣孔等)。

由于缺陷的特性參數(shù)對(duì)缺陷反射當(dāng)量的影響因素很復(fù)雜，在現(xiàn)有技術(shù)下，定量描述每項(xiàng)參數(shù)對(duì)自然缺陷反射當(dāng)量的影響幾乎不可能。為了便于分析，我們將各項(xiàng)缺陷特性參數(shù)對(duì)缺陷當(dāng)量的綜合影響總稱為“缺陷特性參數(shù)”，用變量y表示。對(duì)于同一個(gè)缺陷，這些參數(shù)都是相同的，因此，y的值就可以用缺陷編號(hào)代替，即y=1，2，3，…，14。

綜合以上，在儀器、探頭材料與探頭晶片尺寸相同的情況下，缺陷當(dāng)量直徑D就只跟探頭頻率f和缺陷特性參數(shù)y有關(guān)，它們之間的關(guān)系可以用一個(gè)函數(shù)Φ來(lái)表示：

Df,y=Φ(f，y)

式中，Df,y為缺陷平底孔當(dāng)量直徑，單位為mm；f為探頭頻率，單位為MHz；y為缺陷特性參數(shù)，其綜合影響效果可視為一個(gè)缺陷的“固有”尺寸，單位為mm；Φ為函數(shù)符號(hào)。

2.2.2缺陷當(dāng)量隨探頭頻率的變化關(guān)系

(1)將表3的數(shù)據(jù)按探頭晶片直徑重新歸類，并用上述函數(shù)關(guān)系式表示，見表4、表5。

(2)Df,y與f的關(guān)系

表4　頻率1 MHz～4 MHz、晶片直徑為24 mm探頭的缺陷平底孔當(dāng)量(mm)

表5　頻率2 MHz～4 MHz、晶片直徑為10 mm探頭的缺陷平底孔當(dāng)量(mm)

在Df,y=Φ(f，y)中，f(頻率)和y(缺陷特性參數(shù))是自變量，Df,y是因變量。對(duì)于同一個(gè)缺陷，y是常數(shù)，Df,y隨f變化：

ΔDf,y=Φ(f2，y)-Φ(f1，y)

Δf = f2-f1

ΔDf,y/Δf=[Φ(f2，y)-Φ(f1，y)]/( f2-f1)

將表4(或表5)中y值相同(同一個(gè)缺陷)、f(頻率)不同的任意一組數(shù)據(jù)，如取y=3、f1=2、f2=4，及其對(duì)應(yīng)的Df,y值代入，計(jì)算可得：

ΔDf,y/Δf=[Φ(f2，y)-Φ(f1，y)]/( f2-f1)

=[Φ(4，3)-Φ(2，3)]/( 4-2)

=(2.94-3.35)/(4-2)

=-0.205

即ΔDf,y/Δf<0。

從計(jì)算結(jié)果可以看出，無(wú)論代入哪一組數(shù)據(jù)，ΔDf,y/Δf始終為負(fù)值(ΔDf,1/Δf<0)。也就是說(shuō)，若y不變，當(dāng)f2>f1時(shí)，始終有Φ(f2，y)<Φ(f1，y)，即Df, y= Φ(f，y)是隨f(頻率)遞減的。

(3)從表4、表5和圖2也能明顯看出，雖然每個(gè)缺陷的當(dāng)量大小不一樣，但是探頭頻率從1MHz升高到4MHz時(shí)，缺陷的平底孔當(dāng)量隨之減小的趨勢(shì)非常明顯。

綜上所述，可以得出：用DGS法進(jìn)行鍛件超聲檢測(cè)時(shí)，同一個(gè)自然缺陷的平底孔當(dāng)量值，隨著探頭頻率增高而減小，隨著探頭頻率降低而增大。

圖2　缺陷平底孔當(dāng)量與探頭頻率的關(guān)系趨勢(shì)圖

3　結(jié)果討論

(1)隨著探頭頻率升高，超聲波的波長(zhǎng)變短，自然缺陷表面粗糙不平引起的漫反射加重，缺陷表面能夠反射回探頭的超聲波能量減少，宏觀效果就是缺陷的平底孔當(dāng)量變小。即，用相同材料和晶片直徑的探頭檢測(cè)鍛件時(shí)，同一缺陷，頻率越高缺陷當(dāng)量越小，頻率越低缺陷當(dāng)量越大。

(2)理論上，材料的材質(zhì)衰減可能引起高頻率探頭的衰減更嚴(yán)重，導(dǎo)致缺陷當(dāng)量變小，但這里已經(jīng)對(duì)材質(zhì)衰減進(jìn)行修正，這一影響已經(jīng)排除。

(3)同一個(gè)缺陷，隨著頻率的變化，缺陷平底孔當(dāng)量相差很大。隨著探頭頻率的增高，有的缺陷可以從超標(biāo)缺陷變到小于記錄限(不需要記錄)。為此，在鍛件超聲檢測(cè)時(shí)，不能一味追求高頻率，發(fā)現(xiàn)小缺陷，這樣可能會(huì)導(dǎo)致大缺陷因?yàn)樘筋^頻率太高，儀器顯示出的缺陷當(dāng)量太小而漏檢或誤判。實(shí)際工作中，也常有這樣的案例發(fā)生。

(4)由于缺陷平底孔當(dāng)量隨頻率變化很大，如果我們?cè)诔暀z測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)程中將探頭的頻率范圍規(guī)定太寬(如1 MHz～5 MHz)，將可能導(dǎo)致使用同一檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)程時(shí)，不同檢測(cè)機(jī)構(gòu)或檢測(cè)人員，因在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定范圍內(nèi)選用不同頻率而檢測(cè)結(jié)果差異很大，引起不應(yīng)有的異議和糾紛。因此，在制訂超聲波檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)程時(shí)，應(yīng)將缺陷最終評(píng)定使用的探頭頻率范圍規(guī)定得盡可能窄(如2 MHz～2.5 MHz)，最好是單一頻率，以避免由此產(chǎn)生的爭(zhēng)議。

(5)從試驗(yàn)與分析結(jié)果看，超聲檢測(cè)時(shí)，似乎選擇低頻更有利，但是從超聲檢測(cè)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，相同晶片尺寸的探頭，頻率越低，表面盲區(qū)范圍越大；探頭頻率越高，表面盲區(qū)范圍越小。因此，實(shí)際檢測(cè)中使用的探頭頻率，既不能太高，也不能太低，應(yīng)平衡各種因素綜合考慮。

4　結(jié)論

(1)用超聲DGS法檢測(cè)鍛件時(shí)，在其它條件相同的情況下，缺陷的當(dāng)量隨著探頭頻率的升高而減小，隨著探頭頻率的降低而增大。

(2)在能夠滿足檢測(cè)靈敏度和避開探頭表面盲區(qū)影響的前提下，探頭頻率越低，缺陷當(dāng)量越大，缺陷波幅越高，缺陷漏檢的概率越小，因此，若其它條件滿足，鍛件超聲檢測(cè)應(yīng)盡量選擇低頻率。

(3)在制訂鍛件超聲檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)程時(shí)，應(yīng)將驗(yàn)收用探頭頻率限定在一個(gè)較小的范圍，最好是單一頻率，以免因選用頻率不同，導(dǎo)致不同檢測(cè)機(jī)構(gòu)或人員檢測(cè)結(jié)果出現(xiàn)較大分歧。

[1]J.克勞特克洛默，H.克勞特克洛默.超聲檢測(cè)技術(shù)[M]. 李靖，等譯.廣州：廣東科技出版社，1984：59-76.

[2]郭大鈞.大學(xué)數(shù)學(xué)手冊(cè)[M]. 濟(jì)南：山東科學(xué)技術(shù)出版社，1985.

[3]范呂慧，施道蕓，姚力.超聲檢測(cè)DGS技術(shù)及應(yīng)用[J].大型鑄鍛件，2016(3)：21-26.

編輯杜青泉

Influence of Probe Frequency on Defect Equivalent During Ultrasonic Testing on Forgings with DGS Method

Shi Daoyun, Fan Lvhui, Zhou Cheng, Yao Li

By analyzing the test data, the relation between the flat-bottomed hole equivalent size of defect and the probe frequency has been obtained. The flat-bottomed hole equivalent size of defect shall be decreased along with the rising of probe frequency, and shall be increased along with the reducing of probe frequency.

ultrasonic testing; DGS; forging; probe frequency; defect equivalent

2016—04—27

TG115.28+5

B