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高密度電阻率法在巖溶溶洞勘查中的應用

2016-10-10 08:29:42胡俊杰
地球 2016年5期
關鍵詞:電法溶洞高密度

■胡俊杰

(安徽省地質礦產(chǎn)勘查局327隊安徽合肥230011)

高密度電阻率法在巖溶溶洞勘查中的應用

■胡俊杰

(安徽省地質礦產(chǎn)勘查局327隊安徽合肥230011)

本文簡要介紹高密度電法的幾種常用裝置,應用該方法對巖溶發(fā)育區(qū)進行大型巖溶溶洞探測。根據(jù)已知溶洞上方布置的試驗剖面結果得知,溶洞未被填充實,為高阻異常反映;通過對二維反演模型的異常特征分析,推斷勘查區(qū)溶洞的分布范圍、地質走向、大小和埋深。為后期大型溶洞開發(fā)及合理利用,提供重要參考價值及指導性意義。

高密度電法 巖溶勘查 電極裝置

高密度電法和傳統(tǒng)電法一樣,需要采用一定的電極裝置進行觀測。而與直流電法不同的是它的裝置是一種組合剖面裝置。常用的裝置包括:溫納裝置(α裝置AMNB)、偶極裝置(β裝置ABMN)、微分裝置(γ裝置AMBN)以及施倫貝謝爾裝置(α2裝置AMNB)

[2]。不同的裝置組合具有不同的應用特點。

1 高密度電法工作原理

高密度電法的基本工作原理與常規(guī)電阻率法大體相同,以巖土體的電性差異為基礎,研究在施加電場的作用下,地下傳導電流的變化分布規(guī)律,推斷地下具有不同電性差異的地質體或構造的賦存情況[3]。

高密度電阻率法現(xiàn)場工作是在預先選定的測線、測點上依次布置幾十或上百個電極,然后用多芯電纜將他們連接到多路電極轉換開關上,多路電極轉換開關將它們組合成所選定的電極裝置和電極距,進而測量主機快速完成指定電極裝置下的多極距組合的測量斷面。

2 高密度電法常用的電極裝置

高密度電法所使用的電極數(shù)量多、密度大、電極極距可調等特點,進而決定高密度電法的電極裝置種類比較多,其中常用的裝置包括:溫納裝置(α裝置AMNB)、偶極裝置(β裝置ABMN)、微分裝置(γ裝置AMBN)以及施倫貝謝爾裝置(α2裝置AMNB)。

2.1 溫納裝置AMNB(α裝置)

溫納裝置其視電阻率表達式:

測量時采用AM=MN=NB=α為一個電極間距,A、B、M、N逐點同時向右移動測量,得到第一條測量剖面;接著AM、MN、NB增大一個電極極距,A、B、M、N逐點同時向右移動,得到另一條剖面,這樣不斷掃面測量下去,得到倒梯形斷面。

2.2 偶極裝置ABMN(β裝置)

偶極裝置其視電阻率表達式:

測量時AB=BM=MN=α為一個電極間距,A、B、M、N逐點同時向右測量,得到第一條測量剖面;接著AB、BM、MN增大一個電極極距,A、B、M、N逐點同時向右移動,得到另一條剖面,這樣不斷掃面測量下去,得到倒梯形斷面。

以上兩種方法是高密度電法在各領域探測中最為常用的,都適用與固定斷面掃描測量,得到得結果均為倒梯形二維分布斷面[1,3]。

3 高密度電法在溶洞勘查的應用

安徽某地為灰?guī)r地層區(qū),巖溶十分發(fā)育,勘查區(qū)內山體坡麓段出現(xiàn)多個溶洞洞口,當?shù)卣皣临Y源局經(jīng)過初步調查,認為該區(qū)多個溶洞相互貫通,具有一定的開發(fā)價值。為查明溶洞分布范圍、地質走向、埋深及空間形態(tài)特征,在勘查區(qū)內投入高密度電法工作,根據(jù)異常成果的綜合分析,達到較好的探測效果,同時也證明了高密度電法在灰?guī)r地區(qū)中的溶洞勘查具有較好的實際效果和應用前景。

3.1 區(qū)域地質概況

根據(jù)區(qū)域地質資料,勘查區(qū)位于向斜核部,后期被斷層橫斷切穿,斷層走向為近北—東向,出露地層有泥盆紀、石炭紀、二疊紀地層。測區(qū)多為灰?guī)r地層,有數(shù)個溶洞洞口在地表出露,初步推斷溶洞的發(fā)育受斷層控制,其分布上與上述灰?guī)r地層的分布相近。

3.2 高密度電阻率法剖面布設

結合測區(qū)地質構造特征和本工程的目的任務,布設高密度平行剖面8條,測點間距5米,每條剖面長度均為600米。經(jīng)過實驗剖面對比結果,選取溫納裝置(α裝置AMNB)為測量電極裝置。

3.3 數(shù)據(jù)處理

高密度電阻率法的數(shù)據(jù)是把所測得原始數(shù)據(jù)經(jīng)過格式轉換、地形校正、正演和反演計算,最后得到反演結果,經(jīng)繪圖軟件(如Surfer)繪制成視電阻率等值線圖,依據(jù)成果圖的異常特征結合地質背景給出合理的地質解釋。

3.4 高密度電阻率法異常特征解釋

以4線二維反演電阻率模型為例分析。

4線高密度電阻率法的斷面反演及解釋圖。從反演模型斷面中可以看出,當前擬合差為2.75%,數(shù)據(jù)與模型的擬合程度較高。高、低阻異常在斷面圖上清晰的反映出來。由于溶洞體積較大,埋深較淺,根據(jù)部分洞口觀測,溶洞大多未被填充,里面充滿空氣和部分松散堆積物,相對于圍巖呈現(xiàn)為高阻反映。由4線高密度電阻率反演斷面圖清晰的反映出A、B兩個高阻區(qū),A高阻區(qū)位于270~410號點的270~230米海拔高度處,視電阻率值為2400~12000Ωm,呈橢圓狀高阻異常;B區(qū)為與倒梯形斷面的一側,異常規(guī)模較小,呈弱高阻半閉合圈狀異常。解釋推測A、B兩個高阻異常區(qū)為溶洞的反映,且溶洞未被松散堆積物填充。

結合4線異常類型,分析解釋其余7條剖面的異常特征,發(fā)現(xiàn)2~7線沿構造走向,均有不同程度的高阻異常反映,表面溶洞貫穿2~7線;而1線、8線高阻異常減弱,表面1線、8線為溶洞的邊界。將各剖面高阻異常區(qū)在平面上展布,得出溶洞的走向為近似北東向,與后期鉆孔驗證結果十分吻合。

4 結論

(1)高密度電阻率法相對于常規(guī)電阻率法具有分辨率高、數(shù)據(jù)量豐富、經(jīng)濟快速等特點,是一種快速有效的工程物探方法。

(2)高密度電阻率法能夠較準確的查明溶洞的分布范圍、地質走向、埋深及空間形態(tài)特征,為后期溶洞開發(fā)及合理利用,提供重要參考價值及指導性意義。

(3)高密度電阻率法提供的勘探成果,只是電阻率物性參數(shù)的分布,利用這些成果時,需考慮到物探成果的多解性,將物探成果與地質、鉆探資料綜合解譯分析,必能得到更為準確的結果。

[1]王興泰,工程與環(huán)境物探新方法新技術,北京:地質出版社,1996。

[2]羅延鐘、王傳雷、董浩斌.高密度電法的電極裝置選擇 [J].地質與勘查,2005,41(6):174-178.

[3]董浩彬等.高密度電法的發(fā)展與應用 [J].地質前緣,2003,10(1)。

[4]葛如冰、黃偉義、張玉明.高密度電阻率法在灰?guī)r地區(qū)的應用研究 [J].物探與化探,1999,23(1):28~32。

F407.1[文獻碼]A

1000-405X(2016)-5-357-1

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