劉 蓉, 雷存喜, 鐘桐生, 董 萌, 譚勇軍, 朱家會
(湖南城市學院化學與環(huán)境工程學院,湖南益陽 413000)
銻屬重金屬元素,具有較強的毒性,對生物體有慢性毒性和致癌性[1]。由于銻及其化合物大量用于生產陶瓷、玻璃、電池、油漆、煙火材料以及阻燃劑等[2],導致銻污染日趨嚴重?,F在銻及其化合物已被美國環(huán)保局及歐盟列為優(yōu)先防治污染物,它也是日本環(huán)境廳密切關注的污染物[3]。因此,研究快速有效地檢測銻的分析方法對于銻污染防治十分必要。
目前,檢測Sb3+的常用方法有原子吸收法[4]、分光光度法[5]和原子熒光光譜法[6,7]等。電化學分析法具有快速、簡便和靈敏的特點,已廣泛應用于無機離子及有機化合物的測定。以銻膜和鉍膜作為毒性汞膜的最優(yōu)替代品已有報道[8,9]。譚君林等[10]采用摻雜硒修飾碳糊電極(SeCPE)伏安法測定了對乙酰氨基酚;韋革等[11]采用SeCPE測定了Bi3+;Yukio等[12]采用SeCPE測定了Cu2+。摻雜Se可以增加修飾電極的電導率,增大電流值,從而得到高催化效能的新修飾電極材料。到目前為止沒有關于SeCPE測定Sb3+的文獻報道。
本文利用SeCPE通過差分脈沖伏安法(DPV)測定Sb3+。研究了SeCPE的性能以及對Sb3+的響應,優(yōu)化了測定Sb3+的條件。將建立的方法用于湖水中Sb3+的測定,獲得結果較好。
CHI660D電化學工作站(上海辰華儀器有限公司),三電極系統:自制摻雜硒碳糊電極(SeCPE)為工作電極,Ag/AgCl電極為參比電極,鉑電極為對電極;FA2004電子天平(上海舜宇恒平科學儀器有限公司)。
Sb2O3(分析純,天津市民豐試劑廠);Se(≥99.99%,天津市科密歐化學試劑有限公司);石墨粉(分析純,天津市光復精細化工研究所);無水乙醇、K3[Fe(CN)6)]、K4[Fe(CN)6]、KCl、HCl均為分析純試劑。實驗用水為超純水。
取長7 cm的銅絲和長5 cm、內徑為1.5 mm的玻璃管,磨平玻璃管的兩端,用水將其洗凈。按一定比例混合Se粉和碳粉(Se粉含量分別為0%、10%、20%和30%),再將Se碳粉與石蠟按3∶1比例混合,加熱熔化石蠟,均勻攪拌,制得摻雜均勻的Se粉和石蠟。趁熱把碳糊封裝進玻璃管,壓緊,填平,并用細銅絲插入玻璃管中距底部大約1 mm處,冷卻,并依次在A4紙和光滑稱量紙上拋光電極表面至呈鏡面[13]。用HNO3(1+2)和無水乙醇依次清洗電極表面,將清洗后的電極用循環(huán)伏安法(CV)在K3[Fe(CN)6]與K4[Fe(CN)6] 溶液(體積比1∶1)中掃描。直至出現峰形良好且對稱的氧化還原峰。
將SeCPE 浸入加入一定量 Sb3+標準溶液的0.36 mol/L HCl中,在-0.45 V電位下富集 60 s,靜置 2 s 后在-0.5 ~0.40 V 之間進行DPV法掃描。每次掃描結束后,修飾電極在空白HCl中于 0~0.6 V循環(huán)伏安掃描至曲線穩(wěn)定以洗脫沉積在修飾電極的Sb3+,然后進行下一次測量。
圖1 1.0×10-5 mol/L Sb3+在不同硒粉電極上的DPV曲線Fig.1 DPV curves of 1.0×10-5 mol/L Sb3+ at electrodes with different proportion of Se powder a-d:Se content:0%,10%,20%,30%.
在HCl濃度為0.36 mol/L,沉積電位為-0.45 V,沉積時間為60 s的實驗條件下,以Se含量為0%、10%、20%、30%的SeCPE為工作電極,依次用DPV法測定1.0×10-5mol/L Sb3+,得到如圖1所示的四條溶出曲線a~d。由圖1可知,曲線a~c的峰電流依次遞增,曲線a~c與之對應的Se含量為0%~20%的電極峰電流隨Se含量的增加而增加,Se含量達到20%時峰電流最大。這是因為Se含量的增加使得電極表面的活性點增加,電子傳遞速度加快,增大了峰電流。Se含量繼續(xù)增加到30%時(曲線d),石墨粉的比例降低,導電性下降,峰電流減少,相比含量為20%(曲線c)峰電流明顯減小。故選擇Se粉含量為20%的電極作為工作電極。
分別以0.12、0.24、0.36、0.48和0.60 mol/L HCl為底液,以Se含量為20%的SeCPE為工作電極,測定Sb3+濃度為1.0×10-5mol/L溶液的溶出曲線,得到如圖2示曲線a~e。由圖中可知,HCl在0.12~0.36 mol/L范圍內時峰電流隨著HCl濃度的增大而增大(曲線a~c),在0.36 mol/L(曲線c)時的峰電流ip達到最大值。繼續(xù)增加HCl的濃度,高濃度的H+與金屬離子形成競爭,使峰電流減小。故選擇濃度為0.36 mol/L的HCl為底液。
以0.36 mol/L的HCl為底液,在沉積電位為-0.2~-0.5 V的范圍內,以-0.05 V為遞增值取7個值。用Se含量為20%的SeCPE為工作電極,利用DPV法測定Sb3+溶液,得到溶出曲線如圖3所示。
圖2 1.0×10-5 mol/L Sb3+在不同濃度HCl中的DPV曲線Fig.2 DPV curves of 1.0×10-5 mol/L Sb3+ in different hydrochloric acid concentration a-e:0.12,0.24 ,0.36,0.48,0.60 mol/L.
圖3 1.0×10-5 mol/L Sb3+在不同沉積電位的DPV曲線Fig.3 DPV curves of 1.0×10-5 mol/L Sb3+ with different deposition potential a-g:-0.2,-0.25, -0.3,-0.35,-0.4,-0.45,-0.5 V.
由圖可知,在沉積電位-0.2~-0.45 V(曲線a~f),峰電流隨沉積電位的負移而逐漸增加,電位值為-0.45 V時峰電流ip達到最大。故選擇-0.45 V為沉積電位。
以0.36 mol/L HCl為底液,沉積電位為-0.45 V條件下,用Se含量為20%的SeCPE為工作電極,在沉積時間為10~70 s范圍內用DPV法測定Sb3+,結果如圖4所示。由圖可知,沉積時間在10~60 s(曲線a~f),Sb3+峰電流逐漸增加,這是因為隨富集時間增加,Sb3+在電極表面還原越完全使得峰電流增加,沉積時間為60 s(曲線f)時的峰電流ip最大。沉積時間繼續(xù)延長至70 s時,此時峰電流相比60 s時減小。故以60 s最佳沉積時間。當沉積時間為60 s時,電極表面沉積的Sb剛好達到飽和,繼續(xù)延長沉積時間,Sb有可能團聚,影響Sb在電極表面的均勻分布,反而導致峰電流降低。
在最優(yōu)的實驗條件下,分別測定濃度為1.0×10-7、5.0×10-7、1.0×10-6、2.0×10-6、4.0×10-6、6.0×10-6、8.0×10-6、1.0×10-5mol/L的Sb3+,結果見圖5。Sb3+的峰電流隨著其濃度的增加而變大。由圖5中的插圖可知,Sb3+在濃度為1.0×10-7~1.0×10-5mol/L范圍內的線性回歸方程為:ip(μA)=-0.2468-0.4286c(μmol/L)(R=0.9980)。檢出限為0.3×10-7mol/L。
圖4 1.0×10-5 mol/L Sb3+在不同沉積時間時的DPV曲線Fig.4 DPV curves of 1.0×10-5 mol/L Sb3+ with different deposition time a-g:10,20,30,40,50,60,70 s.
圖5 Sb3+在硒碳糊電極上的DPV曲線;插圖為校正曲線Fig.5 DPV of Sb3+ on SeCPE;Insert was calibration curve a-h:1.0×10-7,5.0×10-7,1.0×10-6,2.0×10-6,4.0×10-6,6.0×10-6,8.0×10-6,1.0×10-5 mol/L.
在最優(yōu)條件下,當Sb3+濃度為1.0×10-5mol/L,在允許誤差為≤±10.0%時,一些常見金屬離子對Sb3+的測定不產生干擾:如500倍的Na+、K+,100倍的Al3+、Mg2+、Ca2+、Fe3+;1倍Bi3+對Sb3+測定有一定干擾。
對1.0×10-5mol/L Sb3+溶液,用同一支電極(以0.36 mol/L HCl溶液為底液)進行多次重復測定,其相對標準偏差(RSD)為5.76%(n=9),表明該電極對Sb3+的測定有良好的重現性。同一條件下,制得三支不同的電極,對1.0×10-5mol/L Sb3+(0.36 mol/L HCl溶液為底液)進行多次重復測定,其RSD為7.58%,表明該電極具有良好的制備重現性。
取適量洞庭湖水,過濾。用HCl調節(jié)水樣的酸度,使其底液中的HCl濃度為0.36 mol/L。用制備的電極進行檢測,未檢測出Sb3+。加入一定量的Sb3+,其回收結果如表1所示。
表1 樣品測定及回收率實驗(n=3)
本研究制作了硒碳糊電極,并利用差分脈沖伏安法測定洞庭湖中Sb3+的含量。該方法具有響應快速、線性范圍較寬、靈敏度高和重現性好等優(yōu)點。該方法有望應用于環(huán)境中銻含量的檢測,具有良好的應用前景。