新 梅
(大連民族大學(xué) 物理與材料工程學(xué)院,遼寧 大連 116605)
水熱法制備ZnS:Mn納米晶體及其發(fā)光特性
新 梅
(大連民族大學(xué) 物理與材料工程學(xué)院,遼寧 大連 116605)
研究了水熱法(200°C)制備的不同濃度Mn摻雜ZnS納米晶體發(fā)光特性。所合成樣品為10~16nm的立方相纖鋅礦結(jié)構(gòu),隨著Mn摻雜濃度的增加,PL光譜峰值產(chǎn)生了紅移。在摩爾比為10 %Mn摻雜時(shí)PL發(fā)光最強(qiáng)。討論了樣品的發(fā)光機(jī)理,計(jì)算了晶體場(chǎng)強(qiáng)度,同時(shí)觀察到摩爾比為10 %Mn摻雜樣品發(fā)出白光,說明其在白光LED及全色熒光粉中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。
ZnS;納米晶體;PL;晶體場(chǎng)分析;色度坐標(biāo)
近年來II-VI族半導(dǎo)體納米晶體材料獲得了研究人員的廣泛關(guān)注是由于其獨(dú)特的物理化學(xué)特性和在照明、光電器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用[1]。ZnS作為II-VI族寬帶隙半導(dǎo)體材料,摻雜適量的摻雜劑會(huì)改變其特性,使其在顯示器、生物探測(cè)、發(fā)光二極管、量子點(diǎn)敏化太陽能電池、電致發(fā)光粉等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用[2-4]。特別是用于近紫外的LED光轉(zhuǎn)換發(fā)光粉,在固體發(fā)光領(lǐng)域有著重要應(yīng)用[5-7]。另外,作為用于白光LED光轉(zhuǎn)換發(fā)光材料,單一全色發(fā)光粉具有更高的發(fā)光效率和重復(fù)利用性[8-9]。均勻的球型熒光粉更利于涂屏,且可大大提高顯示屏的分辨本領(lǐng)。納米尺寸的熒光粉可以涂覆在小尺寸的屏上,這將在納米光器件領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用價(jià)值。Mn摻雜ZnS的特性因不同工藝條件和Mn摻雜濃度的影響,人們采用了不同的工藝來制備ZnS:Mn納米晶體[10-14]。這些制備技術(shù)中低溫(<250 ℃)水熱工藝具有成本低、產(chǎn)量多、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。目前,還未見到室溫條件下PL光譜的紅移現(xiàn)象及其作為單一全色發(fā)光粉特性方面的報(bào)道。
本文利用水熱法制備了不同濃度的Mn摻雜ZnS納米晶體,并研究了Mn的摻雜濃度對(duì)樣品結(jié)構(gòu)、形貌和白光發(fā)光特性的影響,以期為獲得理想的硫化鋅基質(zhì)納米全色發(fā)光粉提供更多基本實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和晶體結(jié)構(gòu)特性。
1.1 樣品的制備
所有反應(yīng)物均為試劑級(jí)。30 mL濃度為0.38 M的ZnCl2無水乙醇溶液和228 mL濃度為0.005 M的MnCl2水溶液在磁力攪拌下均勻混合在一起?;旌先芤褐蠱n 與Zn的摩爾比為0.1 (10 %)。將此混合溶液磁力攪拌下滴加到85.5 mL濃度為0.4 M的 (NH4)2S 水溶液中,使S和Zn 的摩爾比為3:1。用鹽酸調(diào)節(jié)混合溶液的pH值為4.0。產(chǎn)生的沉淀物裝入50 mL的高壓釜內(nèi)襯中,填充80 % 的去離子水。 恒溫干燥爐中200 ℃加熱 12 h, 然后冷卻至室溫。經(jīng)過離心、清洗后60 ℃干燥12 h。
1.2 測(cè)試分析
納米晶體的結(jié)構(gòu)用X射線衍射儀 (XRD-6000,日本島津)進(jìn)行表征。樣品的形貌、尺寸由透射電子顯微鏡TEM(HITACHIS,日本日立 2100 TEM)進(jìn)行表征。光致發(fā)光(PL) 采用HITACHI(日本日立) F-4600 光譜儀測(cè)試,激發(fā)波長(zhǎng)為 360 nm。所有樣品在室溫下測(cè)試。
2.1 樣品的結(jié)構(gòu)與形貌
不同濃度(摩爾比),(1 %~20 %)Mn摻雜ZnS的XRD圖譜如圖1。
(摩爾比:a.1 %;b.4 %;c.10 %;d.20 %,右側(cè)為(111)衍射峰的局部放大圖)
圖1 不同濃度(摩爾比)Mn摻雜ZnS的XRD圖譜
很顯然,所合成的ZnS:Mn納米晶體為純立方相結(jié)構(gòu),與標(biāo)準(zhǔn)的JCPDS No. 5-0566卡片完全相符。隨著Mn摻雜濃度的增加納米晶體的結(jié)晶性加強(qiáng)。納米晶體的粒徑(D)可以利用謝樂公式[6],以(111)衍射峰為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行計(jì)算。
D=0.9λ/βcosθ,
(1)
式中,D為粒徑,λ為 0.154 056 nm,β為衍射峰半寬,θ為衍射角。
水熱法制備的摩爾比為10 %Mn摻雜ZnS納米晶體的TEM圖如圖2。粒子平均直徑約15 nm,如圖2,形貌為球型,測(cè)量出的粒徑與謝樂公式計(jì)算結(jié)果基本相符。
圖2 摩爾比為10 % Mn摻雜ZnS的TEM圖
2.2 PL光譜
10 %Mn摻雜ZnS納米粒子的激發(fā)光譜圖如圖3(a),所設(shè)檢測(cè)波長(zhǎng)為590 nm。由圖可見,在360 nm和472 nm處出現(xiàn)峰值,360 nm處激發(fā)峰較強(qiáng),所有樣品的發(fā)射譜均在360 nm激發(fā)下獲得。摩爾比為1 %、4 %、10 %和20 % Mn摻雜ZnS在360 nm激發(fā)下的PL光譜比較圖如圖3(b),出現(xiàn)了藍(lán)光和橙紅色發(fā)射帶。藍(lán)光是由于ZnS的固有缺陷引起的發(fā)光,而橙色發(fā)光是由于Mn2+離子的4T1-6A1越遷[1, 6]。 通常只有在Mn2+替換了Zn2+時(shí)才出現(xiàn)Mn2+的特征發(fā)射[15]。 另外,隨著Mn2+的摻雜濃度從1 % 增加到10 %時(shí),藍(lán)光發(fā)射強(qiáng)度減小而橙紅色的發(fā)射強(qiáng)度增強(qiáng)。當(dāng)摩爾比為1 %Mn摻雜時(shí),藍(lán)光強(qiáng)度最強(qiáng)而橙紅色的最弱, 10 % Mn摻雜時(shí),藍(lán)光強(qiáng)度最弱而橙紅色最強(qiáng)。這表明了屬于基質(zhì)缺陷引起的藍(lán)光發(fā)射與Mn2+特征發(fā)射之間產(chǎn)生了有效的能量傳遞。當(dāng)Mn2+摻雜比例超過10 %時(shí),PL發(fā)射強(qiáng)度減弱,這是因?yàn)榇藭r(shí)產(chǎn)生了濃度淬滅。
(a)10 %Mn摻雜ZnS的激發(fā)譜(λem=590 nm)
(b)不同濃度(摩爾比)Mn摻雜ZnS的發(fā)射光譜圖比較
(摩爾比:a.1 %;b.4 %;c.10 %;d.20 %;λex=360 nm)
圖3 ZnS:Mn的PL光譜
從圖3(b)中可觀察到,隨著Mn的摻雜濃度從1 %增加到20 %,藍(lán)光發(fā)射峰從435 nm到450 nm產(chǎn)生了15 nm的紅移,橙紅光發(fā)射從585 nm到593 nm 產(chǎn)生了8 nm的紅移。藍(lán)光發(fā)射的紅移是因?yàn)樯钍┲?受主對(duì)躍遷到Mn2+特征峰之間產(chǎn)生了能量傳遞引起[1]。橙紅色光的紅移可能是由于晶體場(chǎng)的作用引起。
ZnS:Mn納米晶體的激發(fā)光譜如圖4。
圖4 ZnS:Mn納米晶體的激發(fā)光譜 (a:4 %Mn;b:10 %Mn;λem=590nm)
Hoa[1]等人報(bào)道,隨著溫度的降低,Mn2+特征峰向低能方向移動(dòng)是由于晶體場(chǎng)強(qiáng)度隨溫度降低而增強(qiáng)。Chen[16]等人報(bào)道,向低能方向移動(dòng)是因?yàn)榱孔酉抻蛐?yīng)和表面特性引起。然而本實(shí)驗(yàn)中所合成的粒子尺寸(10.5~16.4 nm)遠(yuǎn)大于激子玻爾直徑(4.4 nm),因此不會(huì)產(chǎn)生量子限域效應(yīng)。所以紅移的原因可能是因?yàn)榫w場(chǎng)作用。為此我們對(duì)制備ZnS:Mn在摩爾比為4 %和10 %摻雜時(shí)的晶體場(chǎng)系數(shù)進(jìn)行了計(jì)算。激發(fā)譜中屬于Mn2+的4T1(4P) 的峰值從 365 (4 %) 變?yōu)?360 nm(10 %)。晶體場(chǎng)系數(shù)B,C晶體場(chǎng)強(qiáng)度|D(q)|由下列公式計(jì)算[16-17]:
10B+5C=4A1,4E(4G) ,
(1)
17B+5C=4E(4D),
(2)
100Dq2-(10B+7C-E2)(10B+5C-E2)=36B2(E2-10B-5C)/(19B+7C-E2) ,
(3)
式中,E2=E(4T1)-E(6A1)。聯(lián)合上式計(jì)算出的結(jié)果見表1。說明晶體場(chǎng)強(qiáng)度隨Mn摻雜濃度的增加而增加,晶體場(chǎng)強(qiáng)度的增強(qiáng)必將引起4T1-6A1發(fā)射譜的紅移。
表1 ZnS:Mn 納米晶體的晶體場(chǎng)系數(shù)和晶體場(chǎng)強(qiáng)度
10 %Mn摻雜ZnS在360nm激發(fā)下的發(fā)射光譜在CIE-1931的色度坐標(biāo)如圖5。
圖5 10 %Mn摻雜ZnS的CIE-1931 色度坐標(biāo) (λexc=360 nm)
計(jì)算出的色度坐標(biāo)為 (0.38184, 0.32220),色度坐標(biāo)值處于色度圖的標(biāo)準(zhǔn)白光橢圓區(qū)內(nèi),說明ZnS:Mn在白光LED光轉(zhuǎn)換中潛在的應(yīng)用價(jià)值。在今后的研究中我們會(huì)繼續(xù)探索如何通過共摻雜其他摻雜劑來增加其紅光的比重,從而獲得更理想的白光發(fā)射。
利用水熱法合成了不同濃度Mn摻雜ZnS納米晶體。所制備的樣品為立方相球型納米粒子,粒徑為10~16nm,隨著Mn摻雜濃度的增加,粒徑增大。Mn摻雜ZnS納米晶體的PL光譜出現(xiàn)了基質(zhì)缺陷引起的藍(lán)光發(fā)射和Mn2+的特征發(fā)射引起的橙紅光發(fā)射。隨著Mn摻雜濃度的增加,藍(lán)光發(fā)射減弱而橙紅色發(fā)射增強(qiáng),說明了藍(lán)光和橙紅光發(fā)光中心之間產(chǎn)生了有效的能量傳遞。另外,隨著Mn摻雜濃度(摩爾比)從1 %增加到20 %,藍(lán)光發(fā)射帶產(chǎn)生了15nm的紅移,橙紅色發(fā)射帶產(chǎn)生了8nm的紅移。藍(lán)光到橙紅光的能量傳遞引起了藍(lán)光強(qiáng)度減弱的同時(shí)峰值紅移,Mn2+特征發(fā)射的紅移是因?yàn)镸n摻雜濃度改變了晶體場(chǎng)強(qiáng)度,并計(jì)算了10 %Mn摻雜ZnS樣品的色度坐標(biāo)為 (0.38184, 0.32220),處于白光橢圓區(qū)中,說明此材料在納米白光LED及全色顯示器件中的潛在應(yīng)用價(jià)值。
[1]HOATTQ,THEND,MCVITIES,etal.OpticalpropertiesofMn-dopedZnSsemiconductornanoclusterssynthesizedbyahydrothermalprocess[J].OptMater, 2011,33 :308-314.
[2]CHANDRAVK,CHANDRABP,JHAP.MechanoluminescenceofZnS:Mnphosphorsexcitedbyhydrostaticpressurestepsandpressurepulses[J].PhysicaB:CondensMatter, 2014,452: 23-30.
[3]劉巖, 白曉, 李婷婷,等.半導(dǎo)體納米材料CdSe/ZnS在顯示器件中的應(yīng)用[J].吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版),2016,54:631-634.
[4]LINY,LINY,MENGY,etal.CdSquantumdotssensitizedZnOspheresviaZnSoverlayertoimproveefficiencyforquantumdotssensitizedsolarcells[J].CeramInt, 2014,40 : 8157-8163.
[5]ZHANGY,XIAZ,LIUH,etal.Na0.60Ca0.40Sc0.60Mg0.40Si2O6:Eu2+,Mn2+:Tunablefull-color-emittingsolid-solutionphosphoranditsenergytransferproperty[J].ChemPhysLett, 2014,593 : 189-192.
[6]CUIJ,ZENGX,ZHOUM,etal.TunableblueandorangeemissionsofZnS:MnthinfilmsdepositedonGaNsubstratesbypulsedlaserdeposition[J].JLumin, 2014,147: 310-315.
[7] 李曉云, 徐濤,許文政,等. 基于CdSe/ZnS和Alq3的白光量子點(diǎn)LED的研究[J].光電子激光,2015,26:1454-1459.
[8]HANL,SUNY,SUNJ,Synthesisandluminescencepropertiesofwhite-light-emittingphosphorSr3GdNa(PO4)3F:Dy3+[J].JRareEarths, 2016, 34:12-16.
[9]LEOWT,LIUH,HUSSINR,etal.EffectsofEu3+andDy3+dopingorco-dopingonopticalandstructuralpropertiesofBaB2Si2O8phosphorforwhiteLEDapplications[J].JRareEarths, 2016, 34:21-29.
[10]CHAIL,HEW,SUNL,etal.SolvothermalsynthesisofwurtziteZnScomplexsphereswithhighhierarchy[J].MaterLett, 2014,120:26-29.
[11]SENS,SOLANKICS,SHARMAP.Parametricoptimisationofcore-shellZnS:Mn/ZnSnanoparticlespreparedbyultrasound-controlledwetchemicalroute[J].JLumin, 2014,145: 669-675.
[12]VISWANATHR,BHOJYANAIKHS,YASHAVANTHKUMARGS,etal.SynthesisandphotoluminescenceenhancementofPVAcappedMn2+dopedZnSnanoparticlesandobservationoftunabledualemission:Anewapproach[J].ApplSurfSci,2014,301:126-133.
[13]VISWANATHR,BHOJYANAIKHS,YASHAVANTHKUMArGS,etal.EDTA-assistedhydrothermalsynthesis,characterizationandphotoluminescentpropertiesofMn2+dopedZnS[J].JLumin, 2014,153: 446-452.
[14]PANQ,YANGD,ZHAOY,etal.FacilehydrothermalsynthesisofMndopedZnSnanocrystalsandluminescencepropertiesinvestigations[J].JlloysCompd, 2013,579: 300-304.
[15]BLASSEG,GRABMAIERBC.LuminescentMaterials[M].1sted.Berlin:SpringerVerlagBerlinHeidelberg, 1994:52.
[16]CHENW,SAMMYNAIKENR,HUANGY,etal.Crystalfield,phononcouplingandemissionshiftofMn2+inZnS:Mnnanoparticles[J].JApplPhys, 2001,89:1120-1129.
[17]KRSMANOVIC′WHIFFENRM,JOVANOVIC′DJ,ANTIC′Zˇ,etal.Structural,opticalandcrystalfieldanalysesofundopedandMn2+-dopedZnSnanoparticlessynthesizedviareversemicelleroute[J].JLumin, 2014, 146: 133-140.
(責(zé)任編輯 鄒永紅)
Hydrothermal Synthesis and Photoluminescence Properties of ZnS:Mn Nanocrystal
XIN Mei
(School of Physics and Materials Engineering, Dalian Minzu University, Dalian Liaoning 116605, China)
ZnS nanocrystals (NCs) with different Mn2+doping are prepared through a hydrothermal method (200°C). The size of NCs is found to be 10-16 nm with cubic sphalerite structure. Emission peaks of Mn-doped ZnS NCs are red-shifted with the increase of Mn concentration. The PL luminescence of 10% Mn-doped sample is the best. The photoluminescence behavior is discussed and crystal field is calculated. The white emission is observed in 10% Mn-doped sample, indicating its potential application value in the white LED and full color phosphor.
ZnS; nanocrystal; PL; crystal field analysis; color coordinates
2016-10-31;最后
2016-11-21
中央高?;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(DCPY2016010),大連民族大學(xué)人才啟動(dòng)基金資助項(xiàng)目(20116201)。
新梅(1971-),女,蒙古族,內(nèi)蒙古錫盟人,副教授,博士,主要從事物理學(xué)與發(fā)光材料研究。
2096-1383(2017)01-0055-04
TB
A