劉 燚,陳海清,魏 威
(湖南有色金屬研究院,湖南長(zhǎng)沙 410100)
干法制備高純氟化鈧的技術(shù)
劉 燚,陳海清,魏 威
(湖南有色金屬研究院,湖南長(zhǎng)沙 410100)
以Sc2O3與NH4HF2為原料,通過自制氟化設(shè)備干法氟化制備了高純氟化鈧。X-射線衍射分析表明,氟化產(chǎn)物單一,均是ScF3,氟化轉(zhuǎn)化率為99.2%。通過ICP-AES對(duì)產(chǎn)物所含稀土成分分析,結(jié)果滿足制備金屬Sc的要求。通過幾組試驗(yàn)對(duì)比,獲取最佳氟化參數(shù)。
干法氟化;氟化鈧;純度
金屬鈧以其獨(dú)特的性能在航天、航空、艦船、核反應(yīng)堆以及輕型汽車和高速類車等方面有非常誘人的開發(fā)前景[1]。金屬鈧的制備原料主要是無水氟化鈧和氯化鈧。目前制備氟化鈧有三種工藝,分別為濕法氟化、氣體氟化和干法氟化。氣體氟化鈧直收率和氟化效率均可觀,但是氣體氟化對(duì)設(shè)備要求高,特別是要防止氟化氫氣體的溢漏,排出的廢氣要經(jīng)過處理。濕法氟化過程雖然成本較低但是過程較長(zhǎng)且易引入雜質(zhì),制備高純氟化鈧很少使用該方法。干法氟化有兩種,非真空氟化和真空氟化,相比非真空氟化,真空氟化可降低脫氨溫度,且鎳舟受損小,氟化效率和氟化收率高,工業(yè)中應(yīng)用較廣[2~5]。
隨著科技的發(fā)展,對(duì)金屬鈧及其原料的純度提出了更高要求。本文擬通過自制氟化設(shè)備制備高純氟化鈧,在優(yōu)化工藝參數(shù)的同時(shí),提高氟化鈧的純度,并減少對(duì)設(shè)備的消耗。
1.1 試驗(yàn)原料及方法
試驗(yàn)所需氧化鈧原料采購于湖南東方鈧業(yè)股份有限公司。原料純度見表1。
表1 主要試劑及純度
試驗(yàn)以氧化鈧與氟化氫銨為原料,按不同摩爾比進(jìn)行配比(表2為試驗(yàn)參數(shù)),攪拌均勻使氧化鈧與氟化氫銨充分接觸并放入高純鎳坩堝,裝入自制氟化設(shè)備中。通過快速接口連接氣體分流器,采用抽真空后充入高純氬氣的方式將氟化設(shè)備及原料中殘余的空氣清除,在10-1Pa條件下,在真空狀態(tài)下采用電阻爐加熱進(jìn)行氟化反應(yīng),氟化時(shí)間為2 h,脫氨時(shí)間為10 h,試驗(yàn)結(jié)束后取樣進(jìn)行分析測(cè)試。
表2 氟化反應(yīng)參數(shù)
1.2 試驗(yàn)主要設(shè)備
主要試驗(yàn)設(shè)備詳見表3,圖1為單體結(jié)構(gòu)圖。
表3 氟化試驗(yàn)主要設(shè)備
圖1 自制氟化爐示意圖[6]
1.3 樣品檢測(cè)分析
利用X射線衍射分析對(duì)原料及最終樣品進(jìn)行定性分析,使用Rigaku D/max 2550型衍射儀(18 kV、Cu Kα輻射,λ=0.154 05 nm),以連續(xù)掃描方式采樣,掃描速度4°/min,0.02°/step,2θ范圍為10°~90°。利用日本電子株式會(huì)社JEOL JSM6700F場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡進(jìn)行樣品的表面形貌觀察。試驗(yàn)中,粉末樣品在加入分散劑(酒精)并經(jīng)超聲震蕩分散后,粘附于鍍有C膜的Cu網(wǎng)微珊之上,直接放入電鏡進(jìn)行觀察。利用美國熱點(diǎn)IRIS Advantage 1000電感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜儀對(duì)原料和最終產(chǎn)品進(jìn)行全分析檢測(cè)。
2.1 氧化鈧結(jié)果與分析
用X射線衍射(XRD)定性分析其形態(tài),用掃描電鏡(SEM)對(duì)樣品進(jìn)行表面形貌觀察,結(jié)果如圖2和圖3所示。
從圖2中可以看出樣品中的鈧元素均以氧化鈧的形態(tài)存在。圖3為氧化鈧微觀形貌,可以看出樣品粉末的顆粒大小為2~20μm,顆粒尺寸分布較廣。通過超聲波分散,顆粒分布均勻,呈多邊形。
圖2 樣品粉末的XRD結(jié)果
利用ICP-AES(電感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜)對(duì)樣品粉末進(jìn)行化學(xué)成分分析,結(jié)果顯示金屬雜質(zhì)及稀土元素成分均符合GB/T 13219-2010國家標(biāo)準(zhǔn)。
2.2 氟化試驗(yàn)結(jié)果與分析
對(duì)氟化產(chǎn)物取樣進(jìn)行XRD物相分析,結(jié)果如圖4所示。
圖4為四組不同條件氟化X衍射分析圖譜??梢钥闯觯琒F1、SF2物相較為復(fù)雜,既有微弱的氟化鈧峰,又摻雜較多雜質(zhì)峰。NH4HF2熔點(diǎn)125℃,沸點(diǎn)230℃且極易潮解,馬弗爐升溫速率過快,NH4HF2中未及時(shí)抽走蒸發(fā)的水分與Sc2O3在一定溫度下結(jié)合,生成ScOF相,并影響后續(xù)氟化反應(yīng)??梢酝茢喈?dāng)氟化及脫氨溫度過低時(shí),Sc2O3與反應(yīng)釜中水發(fā)生反應(yīng);同時(shí)由于脫氨溫度過低導(dǎo)致脫氨不完全。升高氟化及脫氨溫度,控制馬弗爐升溫速率,降低NH4HF2的比例,如圖4-SF3所示,XRD峰基線平穩(wěn),所有衍射峰均為ScF3。研究[3,4]認(rèn)為Sc2O3的氟化過程實(shí)際上是Sc2O3固體與HF氣體的相互作用,氟化反應(yīng)式可以寫為:
圖3 樣品粉末的SEM圖
圖4 不同條件下X衍射圖譜
在SF3試驗(yàn)其它參數(shù)不變情況下,調(diào)整NH4HF2的比例,得到產(chǎn)品SF4。如圖4中的SF4,盡管ScF3的峰均已出現(xiàn),但在18°~30°之間,出現(xiàn)兩個(gè)其它雜質(zhì)峰。說明NH4HF2過量,需要更長(zhǎng)的脫氨時(shí)間。
對(duì)樣品SF3產(chǎn)物進(jìn)行SEM分析,結(jié)果如圖5所示。高溫長(zhǎng)時(shí)間反應(yīng)后,粉末團(tuán)聚較明顯。SF3粉末的導(dǎo)電性差,觀察時(shí),容易產(chǎn)生放電,粉末顆粒最小達(dá)到1μm以下。
圖5 SF3粉末的SEM圖片
為驗(yàn)證產(chǎn)品的純度,對(duì)樣品SF3進(jìn)行ICP化學(xué)成分分析。因稀土元素性能相近,如果在氟化過程中混入其它稀土元素雜質(zhì),在后續(xù)制備金屬鈧的還原及蒸餾工序中將難以去除,故對(duì)樣品SF3的稀土元素進(jìn)行定量縫隙,結(jié)果見表4。產(chǎn)物中15種稀土雜質(zhì)元素含量均為正常值,稀土雜質(zhì)(除金屬鈧)總含量為0.007 76%,而金屬Sc國家標(biāo)準(zhǔn)Sc-164040中規(guī)定總稀土雜質(zhì)含量不大于0.01%,因此ScF3純度滿足制備金屬Sc對(duì)原料的要求。
表4 ScF3的ICP分析結(jié)果
對(duì)樣品SF3產(chǎn)物進(jìn)行稱重,并計(jì)算氟化轉(zhuǎn)化率為99.2%。說明在此條件下Sc2O3反應(yīng)充分。
1.以Sc2O3與NH4HF2為原料,通過干法氟化工藝制得單一物相ScF3,其純度滿足制備高純金屬鈧的要求,氟化轉(zhuǎn)化率為99.2%。
2.自制反應(yīng)釜以及氣氛分流器等氟化設(shè)備,在試驗(yàn)中操作簡(jiǎn)單,工藝參數(shù)控制精準(zhǔn),適合高純鹵化物的制備。
3.通過對(duì)氟化參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,獲得最佳氟化工藝參數(shù):Sc2O3與NH4HF2的化學(xué)計(jì)量比為1∶6.1;在真空度10-1Pa下,氟化溫度為300℃,氟化時(shí)間為2 h;脫氨溫度為550℃,脫氨時(shí)間為10 h以上。
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Technology of Xeransis Fluorination for Preparing High Purity Scandium Fluoride
LIU Yi,CHEN Hai-qing,WEIWei
(Hunan Research Institute of NonferrousMetals,Changsha 410100,China)
In this paper,Sc2O3and NH4HF2powder as raw material,a high purity scandium fluoridewas prepared by xeransis fluorination with the self-made equipment.X-ray diffraction analysis showed that fluoride was purified single,ScF3,and the conversion rate was 99.2%.Through the analysis of the rare earth elements in the product by ICP-AES,the results meet the requirements of the preparation of metal Sc.Comparing several experiments,the optimum parameters of fluorination were obtained.
xeransis fluorination;scandium fluoride;purity
TF845+.1
A
1003-5540(2017)01-0053-05
2016-11-17
劉 燚(1982-),男,工程師,主要從事功能材料的研發(fā)工作。