孫福軍, 楊曦凝,劉艷微
(1.國網(wǎng)黑龍江省電力有限公司, 黑龍江 哈爾濱 150001; 2.黑龍江工程學院 材料與化學工程學院,黑龍江 哈爾濱 150050; 3.黑龍江工程學院 電氣與信息工程學院, 黑龍江 哈爾濱 150050)
Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的光譜研究
孫福軍1, 楊曦凝2,劉艷微3
(1.國網(wǎng)黑龍江省電力有限公司, 黑龍江 哈爾濱 150001; 2.黑龍江工程學院 材料與化學工程學院,黑龍江 哈爾濱 150050; 3.黑龍江工程學院 電氣與信息工程學院, 黑龍江 哈爾濱 150050)
研究以800 nm二極管激光器激發(fā)Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光譜,觀察到Tm:1D2-3H6、Tm:1D2-3F4和Ho:5S2-5I8的上轉(zhuǎn)換發(fā)光躍遷。測量吸收光譜并應用Judd-Ofelt理論計算分析晶體中Ho3+離子的強度參數(shù)Ωt(t=2,4,6)、自發(fā)輻射躍遷幾率A和積分輻射截面。結(jié)果顯示:Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體中Ho3+離子的5I7-5I8能級躍遷對應2 μm輻射,其具有較長的能級壽命及合適的積分輻射截面,適合用于產(chǎn)生2 μm激光。
Ho3+;Judd-Ofelt理論;2 μm激光
激光器從發(fā)明到現(xiàn)在經(jīng)過了大約有半個多世紀的時間,現(xiàn)如今大量的使用在眾多領域包括軍事激光、醫(yī)療激光、工業(yè)激光、激光的科學研究以及娛樂與通信方面。近些年,2 μm固體激光器在光通信、相干激光雷達和醫(yī)用激光手術刀等方面具有較大應用價值,受到人們的關注。其中,紅外2 μm 波段激光器的輸出波長處于人眼安全的光譜帶,該波段光源處于水分子的吸收峰,可廣泛應用于腫瘤切除、牙齒治療、碎石、術后凝血、關節(jié)內(nèi)窺鏡檢查等激光醫(yī)療手術方面;同時,2 μm波段處于大氣窗口,可廣泛應用于雷達和大氣探測系統(tǒng),實現(xiàn)氣態(tài)大氣成份(如 CO2、水蒸氣)以及有害氣體(如甲烷、CO)等氣體密度的測量及含量的探測,適時監(jiān)測地球的健康狀況,利用外差技術,2 μm 脈沖激光還可直接用于風速測量,這對于天氣預報、暴風雨跟蹤、航空燃料效率和航空安全至關重要。除此之外,也可直接應用于材料制造及加工、測距、光電對抗、光通信等方面。同時,高能量2 μm脈沖激光器也是光參量振蕩器(OPO)及其放大器的理想泵浦源。Tm3+離子的3F4→3H6躍遷,及Ho3+離子的5I7→5I8能級躍遷能夠發(fā)出2 μm光。目前,研究熱點以Tm3+離子為敏化劑,Ho3+為激活離子的Tm-Ho雙摻激光系統(tǒng)發(fā)射波長約2 μm的激光輻射[1-6]。本文研究Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的熒光光譜及吸收光譜,Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體是一種潛在的2 μm激光器工作物質(zhì)。
以800 nm半導體二極管激光器發(fā)出激光,經(jīng)透鏡聚焦照射到樣品表面,樣品與光譜儀狹縫平行放置,樣品的熒光通過狹縫耦合進入分光光度計,經(jīng)分光光度計內(nèi)的光柵分光照射到光電倍增管,光電倍增管連接到數(shù)據(jù)采集卡,由數(shù)據(jù)采集卡采集數(shù)據(jù)后傳到電腦,得到熒光光譜,如圖1所示。以800 nm半導體二極管激光器激發(fā)Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的上轉(zhuǎn)換熒光譜。其中,316 nm為Tm:1D2-3H6的能級躍遷,456 nm為Tm:1D2-3F4的能級躍遷,509 nm為Ho:5S2-5I8的能級躍遷;Ho:5S2-5I8的強度遠高于Tm:1D2-3H6和Tm:1D2-3F4,可見,在產(chǎn)生上轉(zhuǎn)換的情況下,Ho:5S2-5I8對上轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的貢獻要遠大于Tm:1D2-3H6和Tm:1D2-3F4。
圖1 800 nm激發(fā)時Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的上轉(zhuǎn)換熒光光譜
吸收光譜可以給出材料基質(zhì)和激活離子的激發(fā)態(tài)能級的位置和他們的分布情況,還能夠確定激光晶體的泵浦波長范圍。為了更加詳細地研究Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的光譜性能(見圖2),用J-O理論進行光譜參數(shù)計算。
圖2 Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體的吸收光譜
根據(jù)J-O三參量公式[7-8],理論電偶極子躍遷強度Sed為
(1)
約化元〈lnΨJ‖U(λ)‖lnΨ′J′〉對基質(zhì)的變化不明顯,可以查詢得到[9-10]。
實驗振子強度可以由式(2)確定。
Smeas(J→J′)=
(2)
式中:n為反射系數(shù),N0是稀土離子濃度,λm對應吸收帶的平均波長,α(λ)為對應波長的吸收系數(shù),c為光速,h為普朗克常數(shù)[9-10]。
電偶極躍遷幾率為
(3)
電偶極躍遷幾率即為熒光自發(fā)輻射幾率,其正比于熒光強度。
經(jīng)計算可得
Ω2=5.98×10-20cm2,
Ω4=0.277×10-20cm2,
Ω6=2.54×10-20cm2.
理論計算結(jié)果顯示,從發(fā)射截面看,發(fā)射截面越大,越容易發(fā)射激光,參照表1,5F4-5I8躍遷應更易于實現(xiàn)激光的產(chǎn)生,從光譜圖1中可見,綠光輻射相對較強,但是從圖2中所示5F4-5I8躍遷對應的吸收相對很小,泵浦效率相對較低。從熒光壽命看,熒光壽命為自發(fā)輻射系數(shù)的倒數(shù),能級壽命越長,離子能夠停留在該能級時間越長,從而越容易實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),實現(xiàn)激光輸出。參照表1,5I7-5I8躍遷為2 μm輻射,其所對應的壽命更長,容易實現(xiàn)2 μm激光輸出。因此,由J-O理論計算表面,針對Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體中Ho3+離子,541 nm和2 μm輻射適合作為激光輸出。
表1 Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體中Ho3+離子部分能級間躍遷的自發(fā)輻射系數(shù)及積分發(fā)射截面
本文測量了Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體在室溫的熒光譜及吸收光譜,以Judd-Ofelt三參量公式計算了Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體中Ho3+的強度參數(shù)Ωt(t=2, 4, 6)。根據(jù)理論計算得到的自發(fā)輻射系數(shù)及積分發(fā)射截面,分析得出5F4-5I8躍遷(541 nm)和5I7-5I8躍遷(2 μm)較為適合作為激光輸出。Tm3+/Ho3+共摻Y(jié)AG晶體是一種較為合適的激光晶體。
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[責任編輯:郝麗英]
Spectroscopic study of Tm3+/Ho3+codoped YAG crystal
SUN Fujun1,YANG Xining2, LIU Yanwei3
(1. Heilongjiang Electric Power Co., Ltd, Harbin 150001 Heilongjiang; 2. College of Materials and Chemical Engineering, Heilongjiang Institute of Technology, Harbin 150050 Heilongjiang; 3. College of Electrical and Information Engineering, Heilongjiang Institute of Technology, Harbin 150050 Heilongjiang)
The luminescent properties of the Tm3+/Ho3+codoped YAG crystal is investigated through excitation by 800 nm diode laser. The transition of Tm:1D2-3H6、Tm:1D2-3F4和Ho:5S2-5I8are observed. The absorption spectrum of Tm3+/Ho3+codoped YAG crystal is measured, and Judd-Ofelt theoretical is used to analyze the three phenomenological intensity parameters Ωt(t=2, 4, 6), the transition probability of the spontaneous radiation and integral radiation cross section of Ho3+ion. Results show the Ho3+ions in Tm3+/Ho3+codoped YAG crystal has longer level lifetime and suitable integral radiation section, which is suitable to produce 2 μm laser.
Ho3+; Judd-Ofelt theory; 2μm laser
10.19352/j.cnki.issn1671-4679.2017.03.011
2017-03-16
黑龍江省教育廳科學技術研究項目(12541653)
孫福軍(1963-),男,高級工程師,研究方向:電力系統(tǒng)及其自動化.
O433
A
1671-4679(2017)03-0042-02